JP6598438B2

JP6598438B2 - 半導体装置の製造方法

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Publication number: JP6598438B2
Application number: JP2014167763A
Authority: JP
Inventors: 経宏中嶋
Original assignee: Fuji Electric Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 2014-08-20
Filing date: 2014-08-20
Publication date: 2019-10-30
Anticipated expiration: 2034-08-20
Also published as: JP2016046321A

Description

この発明は、主に炭化珪素(元素記号ＳｉＣ)の半導体装置の製造方法に関し、特に、ウェハの薄化に関する。

ソーラーや風力等で発電した電力を系統電力へ変換する機能を備えるＰＣＳ（パワーコンデショナー）やＵＰＳ（無停電電源装置）、および産業用途では、１２００Ｖ、１７００Ｖの中耐圧クラスのデバイスが求められる。そのデバイスをＳｉＣで形成することによりＳｉデバイスよりも高効率が期待されるが、その場合のＳｉＣウェハの厚さは２０μｍ程度あれば十分である。しかし、現状では、ＳｉＣウェハの反りや割れなどによるハンドリングの制約から、工程に流すＳｉＣウェハの厚さは３５０〜５００μｍ程度が必要であり、主要工程終了後に１００μｍ程度に薄化加工している。

ＳｉＣウェハは、昇華法で長時間（例えば数十時間）掛けて製作され、更に所望のデバイス特性を得るために、そのＳｉＣウェハ上にＳｉＣをエピタキシャル成長させる。現状では、このエピタキシャル成長させたＳｉＣウェハの価格は数十万円のオーダーであり極めて高価である。

そのエピタキシャル成長面に酸化、拡散、イオン注入、アニール処理および電極形成等を行いデバイスの表面構造を作製する。その後、デバイスの特性向上のために裏面に薄化加工を施す。

つぎに、従来のＳｉＣデバイスにおける薄化工程についてを説明する。薄化工程とは薄ウェハ加工プロセスのことである。

図９〜図１０は、従来のＳｉＣデバイスの薄化工程であり、工程順に示した工程図である。ここではＳｉＣデバイスとして縦型ＭＯＳＦＥＴの例を挙げた。尚、図９〜図１０において、図９（ｃ）に続く工程は図１０（ａ）である。
（１）１０〜３０μｍ厚のＳｉＣ膜をエピタキシャル成長させたＳｉＣウェハ５１を準備する（図９（ａ））。ＳｉＣウェハ５１の厚みは３５０μｍ程度〜５００μｍ程度である。この３５０μｍ程度〜５００μｍ程度の厚さは、製造工程上ハンドリングし易い厚さである。尚、図中の符号で、５１ａはＳｉＣウェハ５１のおもて面、５１ｂはＳｉＣウェハ５１の裏面であり、おもて面５１ａ側にＳｉＣエピタキシャル膜（不図示）が形成されている。
（２）ＳｉＣウェハ５１のおもて面５１ａに表面構造５２を形成し、デバイスウェハ５３とする(図９（ｂ）)。この表面構造５２は、ウェル層、ソース層、ゲート絶縁膜、ゲート電極およびソース電極などで構成され、図５の表面構造２に相当する。また、図中の符号で５３ａはデバイスウェハ５３のおもて面であり、５３ｂはデバイスウェハ５３の裏面である。
（３）デバイスウェハ５３のおもて面５３ａをレジストなどの保護膜５４で被覆し、裏面５３ｂから研削・研磨によりデバイスウェハ５３を１００μｍ程度の厚さまで薄化して、薄化されたデバイスウェハ５５とする（図９（ｃ））。研削は例えばグラインダーを用いて行い、その後の面仕上げ（研磨）は、ＣＭＰ（ＣｈｅｍｉｃａｌＭｅｃｈａｎｉｃａｌＰｏｌｉｓｈｉｎｇ）やドライポリッシュ（乾式研磨）等の研磨方法を用いる。尚、図中の符号で５５ｂは、デバイスウェハ５５の裏面である。
（４）デバイスウェハ５５の裏面５５ｂに例えばニッケル膜を成膜し、レーザアニールアニールを施し、ドレイン層５６に相当するシリサイド層を形成する（図１０（ａ））。
（５）デバイスウェハ５５の裏面５５ｂに裏面電極となるドレイン電極５７を形成する（図１０（ｂ））。
（６）デバイスウェハ５５のドレイン電極５７にダイシングテープ５８を貼る。続いて、デバイスウェハ５５のおもて面５５ａからダイシングしてチップ化する。続いて、ダイシングテープ５８を外して半導体チップ５９とする (図（１０（ｃ））。続いて、半導体チップ５９をパッケージしてＳｉＣデバイスが完成する。尚、図中の符号で６０はデバイスウェハ５５をチップ化するために切断した切断線である。

特許文献１では、ＳｉＣウェハを薄化する方法として、おもて面側に水素イオンを注入して泥弱層を形成し、ベース基板に接合材を介して接着した後、熱処理により泥弱層からＳｉＣウェハを剥離し、ＳｉＣウェハに金属の支持体に取り付ける。その後にデバイスとなる拡散層を形成することが開示されている。

前記の泥弱層とは、特許文献２の記載にあるように、水素イオン（水素ガスイオン）が注入された層であり、この泥弱層では温度を上げると層内で気泡が発生し、その気泡の圧力で層内の結晶格子が切断されて剥離するようになる。

また、特許文献３では、ワイヤソーを用いてＳｉＣインゴットを輪切り状に切断してウェハにする際に、ＳｉＣインゴットの側面を接着剤などで固定し、ワイヤソーで切断してウェハにする技術が開示されている。

特開２００２−２８０５３１号公報特開平５−２１１１２８号公報特開２００９−６１５２８号公報

図９〜図１０に示す研削・研磨による薄化方法では、高価な素材であるＳｉＣウェハ５１が研削および研磨加工により大幅に破棄することになる。例えば、３５０μｍ程度の厚さを１００μｍ程度の厚さにした場合などは、その破棄量は７０％以上にもなり、無駄になる量が多い。また、５００μｍ程度の厚さの場合はさらに破棄量は増える。

また、特許文献１では、水素イオンを打ち込む工程と、泥弱層でウェハを分離する工程でウェハの薄化を図るため、工程が複雑で製造コストが増大する。

さらに、表面構造形成後に泥弱層を形成する工程では、水素イオンの打ち込みによりウエハの表面構造部分にダメージが残る。また、ウェハを泥弱層で剥離するときに、ウェハに形成されたデバイスの表面構造にクラックなどの欠陥が導入される恐れがある。

また、ウエハを薄化後に表面構造を形成する工程では、金属やシリコンなどの堆積膜からなる支持体を用いるので、表面構造を形成する工程において処理温度を高くすることができず、イオン注入された不純物の拡散深さは浅くなる。従って、この方法では数１００Ｖから１０００Ｖを超える高耐圧デバイスの製作は困難になる。また、イオン注入された不純物の活性化率が低く良好なデバイス特性が得難い。

また、前記したインゴットの切断方法を用いて、ウェハを輪切り状に切断する場合には、数１００μｍの薄いウェハの側面を接着剤で固定して、ワイヤソーで輪切り状に切断することになる。薄いウェハの側面をワイヤソーによる切断時の応力に耐えるよう強固に固定することは困難である。さらに、ワイヤソーの進行方向にウェハ面を平行になるように固定することも困難である。そのため、従来のインゴットのワイヤソーによる切断装置では、ウェハを輪切り状に切断して薄化する工程に適用することは困難である。

この発明の目的は、前記の課題を解決して、表面構造に影響を及ぼさず、単純な工程でウェハを薄化でき、除去された側の残りのウェハを再利用できるような、低コストで高耐圧デバイスを製作できる半導体装置の製造方法を提供することである。

前記の目的を達成するために、特許請求の範囲の請求項１に記載の発明によれば、デバイスウェハのおもて面に表面構造を形成する工程と、前記デバイスウェハのおもて面に接着剤を介してガラス支持板を貼り付けたＷＳＳ（ＷａｆｅｒＳｕｐｐｏｒｔＳｙｓｔｅｍ）ウェハを形成する工程と、前記ＷＳＳウェハの両面を固定する工程と、前記デバイスウェハの側面であって、前記デバイスウエハの裏面から所定距離はなしてかつ前記表面構造に達しない位置をワイヤソーで輪切り状に切断して前記デバイスウェハを薄化する工程と、前記デバイスウェハの切断した裏面に裏面拡散層を形成し、前記裏面拡散層に裏面電極を形成する工程と、前記裏面電極にダイシングテープを貼り付け、前記ＷＳＳウェハの前記ガラス支持板と前記接着剤を除去する工程と、前記デバイスウェハのおもて面からダイシングして前記デバイスウェハをチップ化する工程と、を含み、前記デバイスウェハを薄化する工程では、前記ワイヤソーの移動方向と前記ＷＳＳウェハの回転方向とが同一である半導体装置の製造方法とする。

また、特許請求の範囲の請求項２に記載の発明によれば、請求項１に記載の発明において、前記デバイスウェハが、ＳｉＣウェハもしくはＧａＮウェハであるとよい。

また、特許請求の範囲の請求項３に記載の発明によれば、請求項１に記載の発明において、前記表面構造が、ＭＯＳゲート構造であるとよい。

また、特許請求の範囲の請求項４に記載の発明によれば、請求項１に記載の発明において、前記ワイヤソーの移動速度が前記ＷＳＳウェハの回転速度より早く、その速度差で前記デバイスウェハを輪切り状に切断するとよい。

この発明によれば、表面構造に影響を及ぼさず、単純な工程でウェハを薄化でき、除去された側のウェハを再利用できるため、低い製造コストで高耐圧デバイスを製作できる半導体装置の製造方法を提供することができる。

この発明に係る第１実施例の半導体装置の要部製造工程断面図である。図１に続く、この発明に係る第１実施例の半導体装置の要部製造工程断面図である。図２に続く、この発明に係る第１実施例の半導体装置の要部製造工程断面図である。図３に続く、この発明に係る第１実施例の半導体装置の要部製造工程断面図である。図１（ａ）のＡ部拡大図であり縦型のＭＯＳＦＥＴの表面構造を示す要部断面図である。この発明に係る第２実施例の半導体装置の製造装置の概略構成図である。図６の部分的な構成図である。ＷＳＳウェハの切断時の説明図である。従来のＳｉＣデバイスの薄化工程における工程図である。図９に続く、従来のＳｉＣデバイスの薄化工程の工程図である。

実施の形態を以下の実施例で説明する。

図１〜図４は、この発明に係る第１実施例の半導体装置の製造方法であり、工程順に示した要部製造工程断面図である。ここでは、半導体装置としてＳｉＣで形成される縦型のＭＯＳＦＥＴを例として挙げた。尚、図１〜図３において、図１（ｂ）、図２（ｂ）、図３（ｂ）に続く工程は、それぞれ図２（ａ）、図３（ａ）、図４（ａ）である。

（１）はじめに、おもて面１ａにエピタキシャルＳｉＣ膜１ｄを成長させたデバイスウェハ１のおもて面１ａ側に表面構造２を形成する。図５は、図１（ａ）のＡ部拡大図であり縦型のＭＯＳＦＥＴの表面構造２を示す要部断面図である。表面構造２は、縦型ＭＯＳＦＥＴのウェル層２５、ソース層２６、ゲート絶縁膜２７、ゲート電極２８、層間絶縁膜２９およびソース電極３０などで構成されるＭＯＳゲート構造である。ＭＯＳＦＥＴがＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）に替わる場合は、ソース層２６はエミッタ層になり、ソース電極３０はエミッタ電極になる。尚、図中のエピタキシャルＳｉＣ膜１ｄはドリフト層となる。この縦型ＭＯＳＦＥＴはプレーナ型ゲート構造を有しているが、トレンチ型ゲート構造を有する場合もある。表面構造２を形成したデバイスウェハ１のおもて面１ａに接着剤３を塗布し加熱硬化させる（図１（ａ））。ここで、加熱硬化の条件は、例えば大気雰囲気にて、加熱温度２５０℃、加熱時間３０分である。

（２）次に、接着剤３を介してデバイスウェハ１のおもて面１ａとガラス支持板４（サポートガラス）を真空中で加熱圧着してＷＳＳウェハ５にする(図１（ｂ）)。ここで、ＷＳＳはＷａｆｅｒＳｕｐｐｏｒｔＳｙｓｔｅｍの略であり、ＷＳＳウェハ５とはデバイスウェハ１のおもて面１ａを接着剤３を介してガラス支持板４に接着させた構造物のことである。また、加熱圧着の条件は、例えば減圧下において、加熱温度２５０℃、圧力５００Ｎ、１分である。

（３）次に、ウェハ薄化装置を用いてＷＳＳウエハ５を薄化する。まず、ＷＳＳウェハ５をウェハ薄化装置に備えられている上下の吸着チャック６で挟んで固定し、デバイスウェハ１の側面１ｃにワイヤソー８を接触させる（図２（ａ））。ここで、吸着チャック６には微小な貫通孔が多数開いたポーラスチャック３１が用いられおり、ポーラスチャック３１のウエハを吸着しない部分はカバー３２で覆われている。これらは図示しないモータで回転する回転支持棒３３に固定されており、図示しない真空ポンプによりポーラスチャック３１内が真空に引かれることで、ＷＳＳウェハ５が固定される。

（４）ウェハ薄化装置の冷却ノズル９から切断部１０に冷却媒体である冷却水１１を当てながらワイヤソー８でＷＳＳウェハ５のデバイスウェハ１を輪切り状に切断する。ここで、ワイヤソー８は５０μｍ程度の直径の鋼鉄製のワイヤにダイヤモンド粉末を付着させた切断治具である。まず初めに、吸着チャック６を回転方向４２に回転させる。続いて、ワイヤソー８をデバイスウェハ１の側面１ｃに当てて、側面１ｃから中央方向にワイヤソー８を移動させて、デバイスウェハ１を輪切り状に切断する（スライスカットする）。デバイスウェハ１の回転方向とワイヤソー８の移動方向は同一にし、デバイスウェハ１の回転速度（例えば数百回転／分）より、ワイヤソー８の移動速度（例えば１万回転／分に相当する速度）を数倍早くし、速度差でデバイスウェハ１を輪切り状に切断して薄化されたデバイスウェハ１２にする。また、輪切り状の切断においては、ワイヤソー８の進行はデバイスウェハ１の面（おもて面１ａもしくは裏面１ｂ）に平行に行われる。この際の切断条件は、例えばデバイスウェハ回転速度は３００ｒｐｍ、ワイヤソー速度は１０，０００ｒｐｍである。

これにより、ＷＳＳウェハ５は薄化されたデバイスウェハ１２を有する薄化されたＷＳＳウェハ１３になる（図２（ｂ））。ここで、点線４１は切断が終わった状態のデバイスウェハ１を示し、上側の薄化されたデバイスウェハ１２はガラス支持板４を介して上側の吸着チャック６に吸着固定され、下側の残った残りのウェハ１４は下側の吸着チャック６に吸着固定される。吸着チャック６に固定されている残りのウェハ１４は、製造コストの低減を図るため、ダミーウェハやデバイス製作などに再利用される。

（５）薄化されたＷＳＳウェハ１３を吸着チャック６から外し、薄化されたデバイスウェハ１２の裏面１２ｂをＣＭＰ（ＣｈｅｍｉｃａｌＭｅｃｈａｎｉｃａｌＰｏｌｉｓｈｉｎｇ）で研磨する（図３（ａ））。これにより、初期の厚さが３５０μｍ〜５００μｍ程度であるデバイスウェハ１は、例えば１００μｍ程度の厚さとなる。この厚さはデバイス性能を向上させるためには、可能な限り薄くした方がよい。前述したように、切り代分を差し引いた残った１８０μｍ程度〜３３０μｍ程度の厚さの残りのウェハ１４は再度表面を研磨などの処理して加工歪を除去し１５０μｍ程度〜３００μｍ程度の厚さにしてデバイス製作に再利用する。

（６）薄化されたＷＳＳウェハ１３の裏面である薄化されたデバイスウェハ１２の裏面１２ｂに例えばニッケル膜を成膜し、レーザーアニールを施してドレイン層１６に相当するシリサイドを形成する（図３（ｂ）)。このとき、レーザーアニール照射条件を調節して、デバイスウエハ１２の裏面１２ｂの表面層のみ加熱され、接着剤３やガラス支持板４は加熱されない条件としている。尚、ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）の場合はドレイン層１６はコレクタ層になる。

（７）薄化されたデバイスウェハ１２の裏面１２ｂに裏面電極であるドレイン電極１７を成膜する（図４（ａ））。尚、ＩＧＢＴの場合はドレイン電極１７はコレクタ電極になる。

（８）ドレイン電極１７にダイシングテープ１８を貼り、薄化されたデバイスウェハ１２のおもて面１２ａに貼られたガラス支持板４と接着剤３を除去する。ガラス支持板４と接着剤３の除去は、ガラス支持板４を透過させてレーザーを接着剤３に照射し接着剤３を焼き切るとともに、接着剤３を薬品を用いて溶かすことで両者を除去する。薄化されたデバイスウェハ１２のおもて面１２ａからダイシングブレード１９を入れ、薄化されたデバイスウェハ１２を切断して半導体チップ２０を形成しチップ化する（図４（ｂ））。続いて、ダイシングテープ１８から半導体チップ２０を外し、半導体チップ２０をパッケージして図示しない半導体装置が完成する。尚、図中の符号の２１はダイシングブレード１９の移動方向であり、２２は薄化されたデバイスウェハ１２をチップ化のために切断した切断線である。

この製造方法により、デバイスウェハ１の薄化は室温で切断にて行われるため、表面構造２に影響を及ぼさない。また、ワイヤソー８で輪切り状に切断して薄化するため、特許文献１の泥弱層による方法に比べて工程が単純であるとともに、水素イオン注入によるダメージがない。さらに、薄化された残りのウェハは再利用することができる。今後、薄化が進むと、残りのウェハ１４の再利用化の効果がさらに増大する。また、初期のウェハの厚さが厚い程効果は大きくなる。

また、特許文献１の方法では金属の支持版を貼り付けた後、表面構造を形成するため、高温で表面構造を形成することはできない。それと違って、本発明の方法ではＷＳＳウェハを形成する前に、高温で表面構造２を形成できるため、図５に示すウェル層２５などを深い拡散層で形成できて、高耐圧デバイスを容易に製作することができる。

また、この発明はＳｉＣデバイスの他にＧａＮ（窒化ガリウム）デバイスなどにも適用できる。勿論、Ｓｉ(シリコン)デバイスにも適用できるが、ＳｉＣウェハ比べて安価であるので、残りのウェハを利用する効果は小さい。

図６および図７は、この発明に係る第２実施例の半導体装置の製造装置の概略構成図である。図６は全体の構成図である。図７（ａ）および図７（ｂ）は図６の矢印Ｃ方向から見た構成図であり、図７（ａ）はワイヤソー８と回転部材３６の断面図、図７（ｂ）は吸着チャック６とワイヤソー８の断面図である。この製造装置はデバイスウェハ１を輪切り状に切断するウェハ薄化装置である。図６では、ワイヤソー８、吸着チャック６、回転部材３６および伝動部３５ａなどの各部材が水平に配置されている例を示したが、垂直に配置される場合もある。また、各部材は図示しない筐体に固定されている。また、細線４０は関連を示す線である。

この製造装置は、デバイスウェハ１を挟んで支持する吸着チャック６と、吸着チャック６が固定する回転支持棒３３と、吸着チャック６を回転させる第１駆動装置３４と、デバイスウェハ１を切断するワイヤソー８と、ワイヤソー８を移動させる第２駆動装置３５を備える。また、ワイヤソー８を張るための回転部材３６（車輪）と吸着チャック６を真空にする真空ポンプ３７および切断部１０を冷却水１１を放出する冷却ノズル９を備える。この冷却ノズル９は冷却器の一種である。

吸着チャック６は、デバイスウェハ１を吸着するポーラスチャック３１と、ポーラスチャック３１を被覆するカバー３２を備える。この吸着チャック６は回転支持棒３３に固定され、回転支持棒３３は第１駆動装置３４である第１モータの回転軸とベルトを介して接続する。回転支持棒３３の中心軸には貫通孔３３ａが配置され、この貫通孔３３ａから真空ポンプ３７でポーラスチャック３１の空気を吸引して真空状態にする。ポーラスチャック３１とは内部が多孔質状になっているチャックのことである。

ワイヤソー８は、ダイヤモンド粉末が焼き付けられた直径が５０μｍ程度の鋼線（ワイヤ）である。このワイヤソーは、前記の回転部材３６と第２駆動装置３５である第２モータの伝動部３５ａに張られる。回転部材３６はポーラスチャック３１を挟んで離れて配置され、互いが離れる方向にバネ機構３８で引っ張られ、ワイヤソー８が弛むのを防止している。バネ機構３８は荷重制御ができ、切断に適した荷重で切断できる機能を有している。切断時には、ポーラスチャック３１に取り付けられたＷＳＳウェハ５の側面（デバイスウェハ１の側面１ｃ）をワイヤソー８に接触させ、吸着チャック６の回転とワイヤソー８の移動によりデバイスウェハ１は輪切り状に切断される。尚、図中の符号で３９は吸着チャック６の移動方向である。

図８は、ＷＳＳウェハ５の切断時の説明図である。図８（ａ）はＷＳＳウェハ５を輪切り状に切断する製造装置の上面図である。図８（ｂ）は図８（ａ）のＢ方向から見た要部断面図である。デバイスウェハ１の側面１ｃ、４つの回転部材３６、第２モータの伝動部３５ａの６か所を支点にワイヤソー８は引っ張られている。切断しないときは、４つの回転部材３６と第２モータの伝動部３５ａの５か所の支点でワイヤソー８は張られている。また、切断時には冷却ノズル９から切断部１０に常時冷却水が当てられ、切断時に発生する摩擦熱を除去している。また、切断したときに出る切り粉を除去するためにも冷却水は必要となる。

尚、図中の符号で４１はワイヤソー８の移動方向、４２は吸着チャック６の回転方向、４３は伝動部３５ａの回転方向、４４は回転部材３６の回転方向である。

１デバイスウェハ
１ａおもて面
１ｂ裏面
１ｃ側面
１ｄエピタキシャルＳｉＣ膜
２表面構造
３接着剤
４ガラス支持板
５ＷＳＳウェハ
６吸着チャック
８ワイヤソー
９冷却ノズル
１０切断部
１１冷却水
１２薄化されたデバイスウェハ
１２ｂ裏面
１３薄化されたＷＳＳウェハ
１４残りのウェハ
１５イオン注入
１６ドレイン層
１７ドレイン電極
１８ダイシングテープ
１９ダイシングブレード
２０半導体チップ
２１ダイシング方向
２２切断線
２５ウェル層
２６ソース層
２７ゲート絶縁膜
２８ゲート電極
２９層間絶縁膜
３０ソース電極
３１ポーラスチャック
３２カバー
３３回転支持棒
３３ａ貫通孔
３４第１駆動装置
３５第２駆動装置
３６回転部材
３７真空ポンプ
３８バネ機構
３９吸着チャックの移動方向
４０細線
４１ワイヤソー８の移動方向
４２吸着チャック６の回転方向
４３伝動部３５ａの回転方向
４４回転部材３６の回転方向

Claims

デバイスウェハのおもて面に表面構造を形成する工程と、
前記デバイスウェハのおもて面に接着剤を介してガラス支持板を貼り付けたＷＳＳ（ＷａｆｅｒＳｕｐｐｏｒｔＳｙｓｔｅｍ）ウェハを形成する工程と、
前記ＷＳＳウェハの両面を固定する工程と、
前記デバイスウェハの側面であって、前記デバイスウエハの裏面から所定距離はなしてかつ前記表面構造に達しない位置をワイヤソーで輪切り状に切断して前記デバイスウェハを薄化する工程と、
前記デバイスウェハの切断した裏面に裏面拡散層を形成し、前記裏面拡散層に裏面電極を形成する工程と、
前記裏面電極にダイシングテープを貼り付け、前記ＷＳＳウェハの前記ガラス支持板と前記接着剤を除去する工程と、
前記デバイスウェハのおもて面からダイシングして前記デバイスウェハをチップ化する工程と、
を含み、前記デバイスウェハを薄化する工程では、前記ワイヤソーの移動方向と前記ＷＳＳウェハの回転方向とが同一であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記デバイスウェハとして、ＳｉＣウェハもしくはＧａＮウェハを用いることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
前記表面構造が、ＭＯＳゲート構造であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
前記ワイヤソーの移動速度が前記ＷＳＳウェハの回転速度より早く、その速度差で前記デバイスウェハを輪切り状に切断することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。