JP6597253B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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[形態1]本開示の一形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。この半導体装置の製造方法は、窒化ガリウム層と、前記窒化ガリウム層のGa面である表面の一部と接する第1の電極層と、前記第1の電極層と接していない前記表面と前記第1の電極層とを覆う絶縁層と、を備える窒化ガリウム基板を準備する準備工程と、前記窒化ガリウム基板のN面である裏面に、ウェットエッチングを行うエッチング工程と、前記エッチング工程の後に、前記絶縁層を貫通して前記第1の電極層まで達する開口部を形成する開口部形成工程と、前記開口部に第2の電極層を形成する第2の電極層形成工程と、を備える。前記ウェットエッチングは、TMAH(Tetra-methyl-ammonium hydroxide)を用いて行われる。前記第2の電極層形成工程では、前記第2の電極層は、前記開口部を形成する前記第1の電極層から前記絶縁層の表面まで達するように形成される。
A−1.半導体装置の構成
図1は、第1実施形態における半導体装置10の構成を模式的に示す断面図である。本実施形態では、半導体装置10は、縦型のショットキーバリアダイオードである。図1には、相互に直交するXYZ軸が図示されている。
図2は、半導体装置10の製造方法を示す工程図である。半導体装置10を製造する際には、製造者は、まず、工程P100において、窒化ガリウム基板20を準備する準備工程を行う。本実施形態において、工程P100は、工程P110と、工程P115と、工程P120と、を備える。
本発明は、上述の実施形態、変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態、変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部または全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部または全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。
20…窒化ガリウム基板
110…第1の半導体層
110A…第1の半導体層
115…変質層
115A…変質層
120…第2の半導体層
120A…第2の半導体層
130…窒化ガリウム層
130A…窒化ガリウム層
140…レジストパターン
140A…レジストパターン
160…第1の電極層
160A…第1の電極層
170…裏面電極層
170A…裏面電極層
180…絶縁層
180A…絶縁層
185…開口部
185A…開口部
190…第2の電極層
200A…保護膜
Claims (10)
- 窒化ガリウム層と、前記窒化ガリウム層のGa面である表面の一部と接する第1の電極層と、前記第1の電極層と接していない前記表面と前記第1の電極層とを覆う絶縁層と、を備える窒化ガリウム基板を準備する準備工程と、
前記窒化ガリウム基板のN面である裏面に、ウェットエッチングを行うエッチング工程と、
前記エッチング工程の後に、前記絶縁層を貫通して前記第1の電極層まで達する開口部を形成する開口部形成工程と、
前記開口部に第2の電極層を形成する第2の電極層形成工程と、を備え、
前記ウェットエッチングは、TMAH(Tetra-methyl-ammonium hydroxide)を用いて行われ、
前記第2の電極層形成工程では、前記第2の電極層は、前記開口部を形成する前記第1の電極層から前記絶縁層の表面まで達するように形成される、半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記絶縁層は、前記窒化ガリウム層と接する層から順に、酸化アルミニウムから形成される層と、酸化ケイ素から形成される層と、を備える、半導体装置の製造方法。 - 請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記絶縁層の厚みは、2nm以上である、半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記絶縁層は、酸化ケイ素から形成され、
前記絶縁層の厚みは、5nm以上である、半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記エッチング工程の後、かつ、前記開口部形成工程の前において、
前記窒化ガリウム基板の前記裏面に裏面電極層を形成する裏面電極層形成工程を備える、半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記絶縁層は、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸窒化ジルコニウム、窒化ケイ素、および酸化ハフニウムからなる群より選ばれた少なくとも一つを含む層を備える、半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項6までのいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記開口部形成工程において、前記開口部は、ウェットエッチングにより形成される、半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項7までのいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記開口部形成工程において、前記開口部は、ドライエッチングにより形成される、半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項8までのいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第1の電極層は、チタン、アルミニウム、ニッケル、パラジウム、およびモリブデンからなる群より選ばれた少なくとも一つを含む層を備える、半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項9までのいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第2の電極層は、チタン、アルミニウム、ニッケル、パラジウム、およびモリブデンからなる群より選ばれた少なくとも一つを含む層を備える、半導体装置の製造方法。
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