JP6594345B2 - ウェーハエッジ検出および検査 - Google Patents
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- ウェーハ上の1箇所以上の固定位置のウェーハ検査座標を決定するように構成されたウェーハ検査システムであって、
前記ウェーハのエッジ上のスポットに光を指向するように構成された照明サブシステムを形成する光源および少なくとも1つの光学素子を備え、前記スポットは、前記スポットの第1の部分が前記ウェーハおよび前記ウェーハのエッジに衝突し、前記スポットの第2の部分は前記ウェーハにも前記ウェーハのエッジにも衝突しないように、前記ウェーハのエッジを越えて延出し、
前記システムはさらに、前記ウェーハを回転させ、それにより前記スポットを前記ウェーハのエッジにわたり走査させるように構成された段を備え、前記ウェーハは、前記スポットがエッジにわたり走査される間に2回未満回転され、
前記システムはさらに、前記スポットがエッジにわたり走査される間に前記スポットからの光を検出して前記検出された光に応答して出力を生成するように構成された検出器と、
前記ウェーハのエッジ上の2箇所以上の位置のウェーハ検査座標を、出力に基づいて決定して、前記ウェーハ上の1箇所以上の固定位置のウェーハ検査座標を、エッジ上の2箇所以上の位置のウェーハ検査座標に基づいて決定するように構成されたコンピュータプロセッサを含み、
前記検出器によって検出されるスポットからの光は正反射光または散乱光を含む、システム。 - 請求項1に記載のシステムであって、前記スポットは2mmを超える少なくとも1つの寸法を有するシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記ウェーハのエッジ上のスポットに指向された光が実質的コリメート光を含み、前記ウェーハと前記ウェーハのエッジは、前記スポットの第1の部分からの光が検出器によって検出されることを防止し、前記検出器はさらに、前記スポットの第2の部分からの光が前記検出器によって検出されるように構成されるシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記光は垂直入射角で前記スポットに指向されるシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記光は斜入射角で前記スポットに指向されるシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記検出器はマルチピクセル検出器であるシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記検出器は線形検出器であるシステム。
システム。 - 請求項1に記載のシステムであって、前記検出器はピクセルの二次元アレイを含み、前記検出器は、時間遅延統合(TDI)モードで動作するようにさらに構成されるシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記検出器はピクセルの二次元アレイを含み、前記検出器はさらに、フレームモードで動作するように構成されるシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記検出器は、前記検出器に注ぐ光の空間分布に基づいて出力を生成するように構成された位置感知検出器であるシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記検出器と前記ウェーハの間には光学素子が配置されていないシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記コンピュータプロセッサはさらに、前記ウェーハのエッジに形成されたノッチのウェーハ検査座標を、前記検出器の出力に基づいて決定するように構成されたシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記コンピュータプロセッサはさらに、前記ウェーハのエッジに形成されたノッチを出力に基づいて検出するように構成され、前記検出器の1つ以上のパラメータは、前記ノッチを検出するために必要なサンプリングに基づいて構成されるシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記光源、前記少なくとも1つの光学素子および前記検出器は、前記2箇所以上の位置のウェーハ検査座標が1μm以下の精度で決定されるように構成されるシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記1箇所以上の固定位置はウェーハの中心を含むシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記コンピュータプロセッサはさらに、前記ウェーハの上面上で検出された欠陥のウェーハ検査座標を、1箇所以上の固定位置のウェーハ検査座標に基づいて決定するように構成されるシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記検出器はさらに、スポットからの反射光または散乱光を検出するように構成され、前記コンピュータプロセッサはさらに、前記ウェーハのエッジ上の欠陥を、出力に基づいて検出するように構成されるシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、スポットからの反射光または散乱光を検出して、検出された反射または散乱光に応答して出力を生成するように構成された付加的な検出器をさらに含み、前記コンピュータプロセッサはさらに、前記ウェーハ上の欠陥を、前記付加的な検出器によって生成された出力に基づいて検出するように構成されるシステム。
- 請求項18に記載のシステムであって、前記付加的な検出器は、その対物面が前記ウェーハの上面に対して傾斜するように構成されるシステム。
- ウェーハ上の1箇所以上の固定位置のウェーハ検査座標を決定する方法であって、
前記ウェーハのエッジ上のスポットに光を指向し、前記スポットは、前記スポットの第1の部分が前記ウェーハおよび前記ウェーハのエッジに衝突し、スポットの第2の部分は前記ウェーハにも前記ウェーハのエッジにも衝突しないように、前記ウェーハのエッジを越えて延出し、
前記ウェーハを回転させ、それにより前記スポットを前記ウェーハのエッジにわたり走査させ、前記ウェーハは、前記スポットがエッジにわたり走査される間に2回未満回転され、
前記スポットがエッジにわたり走査される間に前記スポットからの光を検出し、それにより、検出された光に応答して出力を生成し、前記スポットからの光は、正反射光または散乱光を含み、
前記ウェーハのエッジ上の2箇所以上の位置のウェーハ検査座標を、出力に基づいて決定し、
前記ウェーハ上の1箇所以上の固定位置のウェーハ検査座標を、エッジ上の2箇所以上の位置のウェーハ検査座標に基づいて決定し、前記決定ステップはコンピュータプロセッサによって実行される方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201461994835P | 2014-05-17 | 2014-05-17 | |
US61/994,835 | 2014-05-17 | ||
US14/709,427 US9377416B2 (en) | 2014-05-17 | 2015-05-11 | Wafer edge detection and inspection |
US14/709,427 | 2015-05-11 | ||
PCT/US2015/031051 WO2015179233A1 (en) | 2014-05-17 | 2015-05-15 | Wafer edge detection and inspection |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017526158A JP2017526158A (ja) | 2017-09-07 |
JP6594345B2 true JP6594345B2 (ja) | 2019-10-23 |
Family
ID=54538284
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016568401A Active JP6594345B2 (ja) | 2014-05-17 | 2015-05-15 | ウェーハエッジ検出および検査 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9377416B2 (ja) |
JP (1) | JP6594345B2 (ja) |
KR (1) | KR20170007337A (ja) |
CN (1) | CN106463431B (ja) |
TW (1) | TWI645180B (ja) |
WO (1) | WO2015179233A1 (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10186438B2 (en) | 2015-11-05 | 2019-01-22 | Infineon Technologies Ag | Method and apparatus for use in wafer processing |
TWI601952B (zh) * | 2016-01-25 | 2017-10-11 | Wafer edge measurement module (a) | |
US10145672B2 (en) | 2017-01-24 | 2018-12-04 | Lithoptek LLC | Detection of position, orientation and scale of work pieces using retroreflective surfaces |
TWI751329B (zh) * | 2017-05-15 | 2022-01-01 | 美商克萊譚克公司 | 用於重複缺陷分析之相對缺陷位置之高精準度 |
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CN110459497B (zh) * | 2018-05-08 | 2022-04-22 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 晶圆预定位方法 |
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CN115325956B (zh) * | 2022-10-17 | 2023-02-03 | 南昌昂坤半导体设备有限公司 | 晶圆翘曲度测量方法 |
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US7728965B2 (en) | 2005-06-06 | 2010-06-01 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems and methods for inspecting an edge of a specimen |
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JP2008311302A (ja) | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Shinko Electric Co Ltd | ウェハ方向検出装置 |
US7636156B2 (en) | 2007-06-15 | 2009-12-22 | Qimonda Ag | Wafer inspection system and method |
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US9177370B2 (en) | 2012-03-12 | 2015-11-03 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods of advanced site-based nanotopography for wafer surface metrology |
-
2015
- 2015-05-11 US US14/709,427 patent/US9377416B2/en active Active
- 2015-05-15 KR KR1020167033892A patent/KR20170007337A/ko unknown
- 2015-05-15 WO PCT/US2015/031051 patent/WO2015179233A1/en active Application Filing
- 2015-05-15 CN CN201580026067.5A patent/CN106463431B/zh active Active
- 2015-05-15 TW TW104115658A patent/TWI645180B/zh active
- 2015-05-15 JP JP2016568401A patent/JP6594345B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106463431B (zh) | 2019-07-16 |
KR20170007337A (ko) | 2017-01-18 |
US20150330914A1 (en) | 2015-11-19 |
TW201602560A (zh) | 2016-01-16 |
TWI645180B (zh) | 2018-12-21 |
US9377416B2 (en) | 2016-06-28 |
WO2015179233A1 (en) | 2015-11-26 |
CN106463431A (zh) | 2017-02-22 |
JP2017526158A (ja) | 2017-09-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180424 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190308 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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