CN110459497B - 晶圆预定位方法 - Google Patents
晶圆预定位方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110459497B CN110459497B CN201810431880.6A CN201810431880A CN110459497B CN 110459497 B CN110459497 B CN 110459497B CN 201810431880 A CN201810431880 A CN 201810431880A CN 110459497 B CN110459497 B CN 110459497B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- notch
- sampling points
- preset
- optical signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本发明提供一种晶圆预定位方法,其包括:使晶圆旋转,同时进行晶圆槽口寻找过程,以确定晶圆槽口位置;使晶圆停止旋转,并计算晶圆槽口的当前位置与目标位置的距离;将晶圆槽口旋转至目标位置。本发明提供的晶圆预定位方法,其无需晶圆旋转360°以上,缩短了寻找晶圆槽口的时间,提高了效率。
Description
技术领域
本发明涉及微电子技术领域,具体地,涉及一种晶圆预定位方法。
背景技术
在半导体自动设备中,一般采用机械手传送晶圆,机械手将晶圆从装载腔室传送到工艺腔室以完成对晶圆的处理。在工艺腔室中,对于晶圆的位置要求十分精确,而且需要每次以同一个角度传入,所以需要机械手先将晶圆进行预定位,以找到槽口(Notch)位置,然后将槽口旋转到预定角度,再将晶圆传到工艺腔室中。
现有的晶圆预定位方法一般是将晶圆放在转台上旋转超过360°,在晶圆的旋转过程中,采集晶圆的中心与边缘之间的距离信号,并通过判断距离信号的极值点来判断Notch的位置。
但是,上述方法需要晶圆旋转超过360°,寻找槽口的时间较长,效率较低。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种晶圆预定位方法,其无需晶圆旋转360°以上,缩短了寻找晶圆槽口的时间,提高了效率。
为实现本发明的目的而提供一种晶圆预定位方法,包括:
使晶圆旋转,同时进行晶圆槽口寻找过程,以确定所述晶圆槽口位置;
使晶圆停止旋转,并计算所述晶圆槽口的当前位置与目标位置的距离;
将所述晶圆槽口旋转至所述目标位置。
可选的,所述晶圆槽口寻找过程包括:
在预设位置实时采集晶圆边缘信息;
根据所述晶圆边缘信息判断晶圆槽口是否经过所述预设位置;若是,则确定晶圆槽口的位置。
可选的,所述在预设位置实时采集晶圆边缘信息,具体包括:
在晶圆边缘的圆周上设定多个采样点;
使晶圆旋转,同时朝向经过所述预设位置的所述采样点发送光信号;
接收通过各个所述采样点的光信号。
可选的,所述根据所述晶圆边缘信息判断晶圆槽口是否经过所述预设位置;若是,则确定晶圆槽口位置,具体包括:
每接收到预设数量的采样点的光信号,进行一次判断过程;
所述判断过程包括:
计算所述预设数量的采样点的光信号值中的极大值;
计算所述极大值对应的采样点附近区域中所有采样点的光信号值的连线的曲率半径;
判断所述曲率半径是否小于等于预设阈值,若是,则确定晶圆槽口的位置。
可选的,所述采样点数量为36000个。
可选的,朝向所述采样点发送的所述光信号的电流值的取值范围在4~20mA。
可选的,在所述使晶圆旋转,同时进行晶圆槽口寻找过程,以确定晶圆槽口位置之前,还包括:
设置所述晶圆的旋转角度。
可选的,采用对射式传感器朝向所述采样点发送光信号,并接收通过各个所述采样点的光信号。
本发明具有以下有益效果:
本发明提供的晶圆预定位方法,其在晶圆旋转的同时进行晶圆槽口寻找过程,以确定晶圆槽口的位置,当确定晶圆槽口位置之后,使晶圆停止旋转计算晶圆槽口的当前位置与目标位置的距离,且将晶圆槽口旋转至目标位置。由于在晶圆旋转的同时寻找晶圆槽口,无需晶圆旋转360°以上再寻找晶圆槽口,缩短了寻找晶圆槽口的时间,提高了效率。
附图说明
图1为本发明提供的晶圆预定位方法的流程框图;
图2为晶圆槽口寻找过程的流程框图;
图3为采集晶圆边缘信息的流程框图;
图4为判断晶圆槽口是否经过预设位置的流程框图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图来对本发明提供的晶圆预定位方法进行详细描述。
请参阅图1,本发明提供的晶圆预定位方法,其包括以下步骤:
S1,使晶圆旋转,同时进行晶圆槽口寻找过程,以确定晶圆槽口位置;
S2,使晶圆停止旋转,并计算晶圆槽口的当前位置与目标位置的距离;
S3,将晶圆槽口旋转至目标位置。
由于在晶圆旋转的同时寻找晶圆槽口,无需晶圆旋转360°以上再寻找槽口,缩短了寻找晶圆槽口的时间,提高了效率。
所谓晶圆槽口,是指在晶圆边缘处设置的一个凹陷结构,在该凹陷结构处,晶圆中心与边缘的距离与晶圆其他中心与边缘的距离不同。由此,晶圆槽口可以作为晶圆角度的标识物。
下面对晶圆槽口寻找过程进行详细描述。具体地,请参阅图2,,晶圆槽口寻找过程包括以下步骤:
S11,在预设位置实时采集晶圆边缘信息;
S12,根据晶圆边缘信息判断晶圆槽口是否经过预设位置;若是,则确定晶圆槽口的位置。
上述预设位置是在晶圆边缘的旋转路径上的一个固定点,晶圆边缘上的各个位置均能够通过该固定点。
请参阅图3,上述步骤S11在具体包括以下步骤:
S111,在晶圆边缘的圆周上设定多个采样点;
S112,使晶圆旋转,同时朝向经过预设位置的采样点发送光信号;
S113,接收通过各个所采样点的光信号。
正常晶圆边缘经过预设位置遮挡光信号的程度大于晶圆槽口经过预设位置遮挡光信号的程度,因此,可以根据接收到的光信号的数值大小,来辨别是否晶圆槽口经过预设位置。
可选的,采样点数量为36000个。当然,在实际应用中,采样点数量可以根据实际需要而设定,只要能够满足检测精度即可。
可选的,朝向采样点发送的光信号的电流值的取值范围在4~20mA。在该范围内的电流值可以满足对接收到的光信号的强度要求。
可选的,采用对射式传感器朝向采样点发送光信号,并接收通过各个采样点的光信号。该对射传感器可以为CCD激光测微仪。当然,在实际应用中,还可以采用其他类型的传感器。
需要说明的是,在本实施例中,晶圆边缘信息为晶圆槽口经过预设位置遮挡光信号的程度。但是,本发明并不局限于此,在实际应用中,晶圆边缘信息还可以为晶圆中心与边缘之间的距离,可以采用距离传感器采集相关信号。
请参阅图4,上述步骤S12具体包括:
每接收到预设数量的采样点的光信号,进行一次判断过程。这样,可以在晶圆每旋转一定的角度,进行一次判断过程,从而可以缩短寻找晶圆槽口的时间。
上述判断过程包括以下步骤:
S121,计算预设数量的采样点的光信号值中的极大值;
S122,计算极大值对应的采样点附近区域中所有采样点的光信号值的连线的曲率半径;
S123,判断曲率半径是否小于等于预设阈值,若是,则确定晶圆槽口位置。
可选的,上述预设数量的取值范围在4-10,优选为5。
在上述步骤S122中,附近区域可以包含除极大值对应的采样点之外的至少两个采样点。
在上述步骤S123中,预设阈值可以设定为与正常晶圆边缘的曲率半径的差异足够大的数值。
此外,在上述步骤S1之前,还包括:
设置晶圆的旋转角度。
综上所述,本发明提供的晶圆预定位方法,其在晶圆旋转的同时进行晶圆槽口寻找过程,以确定晶圆槽口的位置,当确定晶圆槽口位置之后,使晶圆停止旋转计算槽口的当前位置与目标位置的距离,且将晶圆槽口旋转至目标位置。由于在晶圆旋转的同时寻找晶圆槽口,无需晶圆旋转360°以上再寻找晶圆槽口,缩短了寻找槽口的时间,提高了效率。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (6)
1.一种晶圆预定位方法,其特征在于,包括:使晶圆旋转,同时进行晶圆槽口寻找过程,以确定所述晶圆槽口位置,无需晶圆旋转360°以上再寻找晶圆槽口以缩短寻找晶圆槽口的时间;使晶圆停止旋转,并计算所述晶圆槽口的当前位置与目标位置的距离;将所述晶圆槽口旋转至所述目标位置;
所述晶圆槽口寻找过程包括:在预设位置实时采集晶圆边缘信息;根据所述晶圆边缘信息判断晶圆槽口是否经过所述预设位置;若是,则确定晶圆槽口的位置;
所述在预设位置实时采集晶圆边缘信息,具体包括:在晶圆边缘的圆周上设定多个采样点;使晶圆旋转,同时朝向经过所述预设位置的所述采样点发送光信号;接收通过各个所述采样点的光信号;
所述根据所述晶圆边缘信息判断晶圆槽口是否经过所述预设位置;若是,则确定晶圆槽口位置,具体包括:每接收到预设数量的采样点的光信号,进行一次判断过程;所述判断过程包括:计算所述预设数量的采样点的光信号值中的极大值;计算所述极大值对应的采样点附近区域中所有采样点的光信号值的连线的曲率半径;判断所述曲率半径是否小于等于预设阈值,若是,则确定晶圆槽口的位置。
2.根据权利要求1所述的晶圆预定位方法,其特征在于,所述预设数量的取值范围在4-10。
3.根据权利要求1所述的晶圆预定位方法,其特征在于,所述采样点数量为36000个。
4.根据权利要求1所述的晶圆预定位方法,其特征在于,朝向所述采样点发送的所述光信号的电流值的取值范围在4~20mA。
5.根据权利要求1所述的晶圆预定位方法,其特征在于,在所述使晶圆旋转,同时进行晶圆槽口寻找过程,以确定晶圆槽口位置之前,还包括:设置所述晶圆的旋转角度。
6.根据权利要求1所述的晶圆预定位方法,其特征在于,采用对射式传感器朝向所述采样点发送光信号,并接收通过各个所述采样点的光信号。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810431880.6A CN110459497B (zh) | 2018-05-08 | 2018-05-08 | 晶圆预定位方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810431880.6A CN110459497B (zh) | 2018-05-08 | 2018-05-08 | 晶圆预定位方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110459497A CN110459497A (zh) | 2019-11-15 |
CN110459497B true CN110459497B (zh) | 2022-04-22 |
Family
ID=68480390
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810431880.6A Active CN110459497B (zh) | 2018-05-08 | 2018-05-08 | 晶圆预定位方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110459497B (zh) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1855415A (zh) * | 2005-03-30 | 2006-11-01 | 东京毅力科创株式会社 | 基板定位装置、基板定位方法、程序 |
CN206490049U (zh) * | 2017-03-07 | 2017-09-12 | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 | 一种晶圆定位系统 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW315504B (zh) * | 1995-03-20 | 1997-09-11 | Tokyo Electron Co Ltd | |
US20010052392A1 (en) * | 1998-02-25 | 2001-12-20 | Masahiko Nakamura | Multichamber substrate processing apparatus |
JP2001038614A (ja) * | 1999-07-26 | 2001-02-13 | Ebara Corp | 研磨装置 |
KR100702909B1 (ko) * | 2000-11-02 | 2007-04-03 | 가부시키가이샤 야스카와덴키 | 웨이퍼 프리얼라인먼트 장치와 그 웨이퍼 유무 판정방법,웨이퍼 에지 위치 검출방법과 그 방법을 실행시키는프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록매체, 웨이퍼의에지 위치 검출장치 및 프리얼라인먼트 센서 |
CN2796097Y (zh) * | 2005-04-22 | 2006-07-12 | 北京中科信电子装备有限公司 | 一种晶片定位装置 |
CN100459095C (zh) * | 2006-12-28 | 2009-02-04 | 上海交通大学 | 基于多传感器数据融合的硅片预定位系统 |
TWI525741B (zh) * | 2012-05-23 | 2016-03-11 | The angle positioning method of the wafer-mounted ring assembly and the mechanism for carrying out the aforementioned method | |
CN103472680B (zh) * | 2012-06-08 | 2016-03-30 | 上海微电子装备有限公司 | 硅片预对准装置 |
CN203800022U (zh) * | 2014-03-31 | 2014-08-27 | 上海华力微电子有限公司 | 一种应用于刷片机的晶圆缺口检查装置 |
US9377416B2 (en) * | 2014-05-17 | 2016-06-28 | Kla-Tencor Corp. | Wafer edge detection and inspection |
-
2018
- 2018-05-08 CN CN201810431880.6A patent/CN110459497B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1855415A (zh) * | 2005-03-30 | 2006-11-01 | 东京毅力科创株式会社 | 基板定位装置、基板定位方法、程序 |
CN206490049U (zh) * | 2017-03-07 | 2017-09-12 | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 | 一种晶圆定位系统 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110459497A (zh) | 2019-11-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6275742B1 (en) | Wafer aligner system | |
US9330985B2 (en) | Automated hybrid metrology for semiconductor device fabrication | |
US11393118B2 (en) | Metrics for asymmetric wafer shape characterization | |
US11073821B2 (en) | Apparatus and method for tracking a material through a plurality of processes and facilities | |
CN115732380B (zh) | 一种晶圆偏心调节方法、装置及存储介质 | |
CN110459497B (zh) | 晶圆预定位方法 | |
CN114461476B (zh) | 一种内存条故障检测方法、装置及系统 | |
US20100085582A1 (en) | Apparatus and method for the determination of the position of a disk-shaped object | |
CN101089758A (zh) | 用于制造程序反馈控制的计算机执行自动方法及自动系统 | |
CN113411743A (zh) | 一种终端定位方法、装置及终端 | |
US6180424B1 (en) | Method for improving wafer sleuth capability by adding wafer rotation tracking | |
WO2024066279A1 (zh) | 晶片的缺陷检测方法、装置、设备及计算机可读存储介质 | |
CN105762092B (zh) | 一种半导体加工设备 | |
CN110703287B (zh) | 一种基于阵列双频互备份的多星特征参数识别定位方法 | |
KR100365960B1 (ko) | 웨이퍼 로더의 정렬 방법 | |
CN117878017B (zh) | 一种晶圆定位纠偏方法、系统及装置 | |
JPH09178427A (ja) | 画像位置計測方法 | |
CN109959895A (zh) | 运动单站只测角位置信息无源定位方法 | |
CN109115244B (zh) | 一种激光陀螺仪阈值测试方法 | |
CN110475199A (zh) | 一种基于大数据进行众包维护Beacon设备的方法 | |
CN111341712B (zh) | 一种晶片位置校准装置及方法 | |
CN114258066B (zh) | 方位角异常检测方法、装置、设备和存储介质 | |
Huang et al. | The development of a wafer prealigner based on the multi‐sensor integration | |
CN118315317A (zh) | 工件定位方法、装置、系统及计算机可读介质 | |
Park et al. | A Wafer Alignment Method and Accuracy Evaluation |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |