JP6589509B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
本発明の半導体装置は、半導体層の一方の主面側において、一方向に延伸する第1主電極と、前記一方向に延伸して前記第1主電極と対向する第2主電極とを具備し、前記第1主電極及び前記第2主電極を含む前記半導体層の前記一方の主面側を覆う絶縁性の保護膜が形成され、前記第1主電極上において局所的に前記保護膜が除去されることによって前記第1主電極を局所的に外気に露出させる第1開口部、前記第2主電極上において局所的に前記保護膜が除去されることによって前記第2主電極を局所的に外気に露出させる第2開口部を介して前記第1主電極と前記第2主電極との間に電流が流されて動作する半導体装置であって、前記保護膜の下において周囲と絶縁された導電体で構成された浮遊電極が、平面視において、前記第1開口部と前記一方向と垂直な方向で隣接するように前記第2主電極と前記第1主電極との間、前記第2開口部と前記一方向と垂直な方向で隣接するように前記第1主電極と前記第2主電極との間に、それぞれ形成されたことを特徴とする。
本発明の半導体装置は、平面視における前記第1主電極と前記第2主電極との間で前記浮遊電極が形成されていない領域における最大電界強度が、前記浮遊電極の周囲の絶縁層の絶縁破壊強度を超えないように設けられたことを特徴とする。
本発明の半導体装置は、平面視において、前記浮遊電極は、隣接する前記第1主電極と前記第2主電極との間の前記一方向に垂直な方向における中間点を含む領域に形成されたことを特徴とする。
本発明の半導体装置は、平面視において、前記浮遊電極は、隣接する前記第1主電極と前記第2主電極との間において複数形成されたことを特徴とする。
本発明の半導体装置は、前記第1主電極と前記第2主電極とが前記一方向に延伸して互いに対向する箇所を複数具備し、前記第1開口部、前記第2開口部は、前記箇所における前記第1主電極上、前記箇所における前記第2主電極上に、それぞれ離散的に複数形成されたことを特徴とする。
本発明の半導体装置は、平面視において、前記浮遊電極は、前記第1開口部に隣接した領域から前記第2開口部に隣接した領域にかけて前記一方向に沿って連続的に形成されたことを特徴とする。
本発明の半導体装置は、平面視において、前記浮遊電極は、複数の前記第1開口部に隣接した領域のそれぞれ、複数の前記第2開口部に隣接した領域のそれぞれにおいて、離散的に形成されたことを特徴とする。
本発明の半導体装置は、前記半導体層の前記一方の主面上で、平面視において、複数の前記第1開口部が全て一方の側に形成され、複数の前記第2開口部が全て前記一方の側と反対の他方の側に形成されたことを特徴とする。
本発明の半導体装置において、前記半導体層に、個別第1電極と個別第2電極間に電流が流されて動作する半導体素子が複数形成され、複数の前記個別第1電極及び複数の前記個別第2電極を覆う層間絶縁層を具備し、前記第1主電極、前記第2主電極、前記浮遊電極、及び前記保護膜は前記層間絶縁層の上に形成され、前記第1主電極、前記第2主電極は、前記層間絶縁層中に形成されたビア配線を介して複数の前記個別第1主電極、複数の前記個別第2主電極とそれぞれ接続されたことを特徴とする。
本発明の半導体装置において、前記第1主電極、前記第2主電極、及び前記浮遊電極は略同一平面上に形成され、前記第1主電極、前記第2主電極、前記浮遊電極のそれぞれの厚さは略同一とされたことを特徴とする。
本発明の半導体装置は、前記第1主電極と前記第2主電極の間に流れる電流のオン・オフを制御するゲート電極を具備することを特徴とする。
本発明の半導体装置において、前記半導体層はIII族窒化物半導体で構成され、前記第1主電極がソース電極、ドレイン電極のうちの一方、前記第2主電極がソース電極、ドレイン電極のうちの他方とされた高電子移動度トランジスタ(HEMT)であることを特徴とする。
本発明の半導体装置は、前記ゲート電極が、前記半導体層の前記一方の主面側において、前記保護膜の下に形成され、前記浮遊電極が、平面視において、前記ドレイン電極に対応した前記第1主電極、前記第2主電極のうちの一方と前記ゲート電極との間に形成されたことを特徴とする。
11 ソース電極(第1主電極)
12 ドレイン電極(第2主電極)
13 ゲート電極
20 基板
21 半導体層
21A ノンドープGaN層
21B AlGaN層
31 個別ソース電極
31A ソース電極接続用ビア配線(ビア配線)
32 個別ドレイン電極
32A ドレイン電極接続用ビア配線(ビア配線)
33 個別ゲート電極
34 層間絶縁層
40 保護膜
40A ソース開口部(第1開口部)
40B ドレイン開口部(第2開口部)
40C ゲート開口部
50 浮遊電極
P 探針
Q 放電経路
Claims (13)
- 半導体層の一方の主面側において、一方向に延伸する第1主電極と、前記一方向に延伸して前記第1主電極と対向する第2主電極とを具備し、前記第1主電極及び前記第2主電極を含む前記半導体層の前記一方の主面側を覆う絶縁性の保護膜が形成され、前記第1主電極上において局所的に前記保護膜が除去されることによって前記第1主電極を局所的に外気に露出させる第1開口部、前記第2主電極上において局所的に前記保護膜が除去されることによって前記第2主電極を局所的に外気に露出させる第2開口部を介して前記第1主電極と前記第2主電極との間に電流が流されて動作する半導体装置であって、
前記保護膜の下において周囲と絶縁された導電体で構成された浮遊電極が、平面視において、前記第1開口部と前記一方向と垂直な方向で隣接するように前記第2主電極と前記第1主電極との間、前記第2開口部と前記一方向と垂直な方向で隣接するように前記第1主電極と前記第2主電極との間に、それぞれ形成されたことを特徴とする半導体装置。 - 平面視における前記第1主電極と前記第2主電極との間で前記浮遊電極が形成されていない領域における最大電界強度が、前記浮遊電極の周囲の絶縁層の絶縁破壊強度を超えないように設けられたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 平面視において、前記浮遊電極は、隣接する前記第1主電極と前記第2主電極との間の前記一方向に垂直な方向における中間点を含む領域に形成されたことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 平面視において、前記浮遊電極は、隣接する前記第1主電極と前記第2主電極との間において複数形成されたことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記第1主電極と前記第2主電極とが前記一方向に延伸して互いに対向する箇所を複数具備し、
前記第1開口部、前記第2開口部は、前記箇所における前記第1主電極上、前記箇所における前記第2主電極上に、それぞれ離散的に複数形成されたことを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載の半導体装置。 - 平面視において、前記浮遊電極は、前記第1開口部に隣接した領域から前記第2開口部に隣接した領域にかけて前記一方向に沿って連続的に形成されたことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 平面視において、前記浮遊電極は、複数の前記第1開口部に隣接した領域のそれぞれ、複数の前記第2開口部に隣接した領域のそれぞれにおいて、離散的に形成されたことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記半導体層の前記一方の主面上で、平面視において、複数の前記第1開口部が全て一方の側に形成され、複数の前記第2開口部が全て前記一方の側と反対の他方の側に形成されたことを特徴とする請求項5から請求項7までのいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記半導体層に、個別第1電極と個別第2電極間に電流が流されて動作する半導体素子が複数形成され、
複数の前記個別第1電極及び複数の前記個別第2電極を覆う層間絶縁層を具備し、
前記第1主電極、前記第2主電極、前記浮遊電極、及び前記保護膜は前記層間絶縁層の上に形成され、
前記第1主電極、前記第2主電極は、前記層間絶縁層中に形成されたビア配線を介して複数の前記個別第1主電極、複数の前記個別第2主電極とそれぞれ接続されたことを特徴とする請求項1から請求項8までのいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記第1主電極、前記第2主電極、及び前記浮遊電極は略同一平面上に形成され、前記第1主電極、前記第2主電極、前記浮遊電極のそれぞれの厚さは略同一とされたことを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。
- 前記第1主電極と前記第2主電極の間に流れる電流のオン・オフを制御するゲート電極を具備することを特徴とする請求項1から請求項10までのいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記半導体層はIII族窒化物半導体で構成され、前記第1主電極がソース電極、ドレイン電極のうちの一方、前記第2主電極がソース電極、ドレイン電極のうちの他方とされた高電子移動度トランジスタ(HEMT)であることを特徴とする請求項11に記載の半導体装置。
- 前記ゲート電極が、前記半導体層の前記一方の主面側において、前記保護膜の下に形成され、
前記浮遊電極が、平面視において、前記ドレイン電極に対応した前記第1主電極、前記第2主電極のうちの一方と前記ゲート電極との間に形成されたことを特徴とする請求項12に記載の半導体装置。
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