JP2015038935A - 窒化物半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ソース電極およびドレイン電極に接続するコンタクト部の破壊の発生を低減できる窒化物半導体装置を提供すること。
【解決手段】各ソース電極（１１）の一部の領域上、かつ、絶縁膜には第１のソースコンタクト部（２１Ａ）が形成され、各ドレイン電極（１２）の一部の領域上、かつ、絶縁膜には第１のドレインコンタクト部（２２Ａ）が形成されている。第１のソースコンタクト部（２１Ａ）は、ソース電極（１１）の長手方向の中央部に位置している。第１のドレインコンタクト部（２２Ａ）は、ドレイン電極（１２）の長手方向の中央部に位置している。
【選択図】図２

Description

本発明は、窒化物半導体装置に関する。

従来、窒化物半導体装置としては、特開２００８−１７７５２７号公報(特許文献１)に記載のＨＦＥＴ(Hetero-junction Field Effect Transistor；ヘテロ接合電界効果トランジスタ)がある。この窒化物半導体装置は、アンドープＧａＮ層とＡｌＧａＮ層との積層体であってヘテロ接合を有するＧａＮ系積層体と、ソース電極と、ドレイン電極と、絶縁層とを有する。そして、チップ面積を小さくするために、いわゆるエリアパッドという方法を採用して、上記ＧａＮ系積層体の活性領域上に、絶縁層を介して、ソース電極パッド、ドレイン電極パッドおよびゲート電極パッドを設け、これらのソース電極パッド、ドレイン電極パッドおよびゲート電極パッドに、コンタクト部を介してソース電極、ドレイン電極およびゲート電極を夫々接続している。

特開２００８−１７７５２７号公報

ところが、上記従来の窒化物半導体装置には、次のような問題があることを発見した。すなわち、従来例と略同じ構成の図７に模式的に示す比較例のように、Ｓｉ基板１上に複数のフィンガー状のソース電極１１およびドレイン電極１２を並列に形成し、各ソース電極１１とソース電極パッド２１とをソースコンタクト部２１Ａ，２１Ｆを介して電気的に接続し、各ドレイン電極１２とドレイン電極パッド２２とをドレインコンタクト部２２Ａ，２２Ｆを介して電気的に接続した構造の窒化物半導体装置を製作した。このソース電極１１とドレイン電極１２との間に高電圧を印加すると、この窒化物半導体装置の外周部、つまり、各ソース電極の長手方向の一端部に接続する端部ソースコンタクト部２１Ｆおよび各ドレイン電極の長手方向の一端部に接続する端部ドレインコンタクト部２２Ｆに著しく破壊が発生することを発見した。

そこで、本発明の課題は、ソース電極およびドレイン電極に接続するコンタクト部の破壊の発生を低減できる窒化物半導体装置を提供することにある。

上記課題を解決するため、本発明の窒化物半導体装置は、
基板と、
上記基板上に形成されると共に活性領域を有する窒化物半導体層と、
上記窒化物半導体層の上記活性領域上にフィンガー状に互いに平行に形成された複数のソース電極と、
上記窒化物半導体層の上記活性領域上に、上記複数のソース電極の配列方向に上記複数のソース電極と交互に配列するようにフィンガー状に互いに平行に形成された複数のドレイン電極と、
平面視において、上記ソース電極と上記ドレイン電極との間にそれぞれ形成されたゲート電極と、
上記窒化物半導体層上に、上記ソース電極、上記ドレイン電極、および上記ゲート電極を覆うように形成された絶縁膜と、
上記各ソース電極の一部の領域上、かつ、上記絶縁膜に形成された第１のソースコンタクト部と、
上記各ドレイン電極の一部の領域上、かつ、上記絶縁膜に形成された第１のドレインコンタクト部と、
を備え、
上記第１のソースコンタクト部は、上記ソース電極の長手方向の中央部に位置しており、
上記第１のドレインコンタクト部は、上記ドレイン電極の長手方向の中央部に位置していることを特徴としている。

この明細書で、窒化物半導体層とは、Ａl_ＸＩｎ_ＹＧａ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ(Ｘ≧０、Ｙ≧０、０≦Ｘ＋Ｙ＜１)で表されるＧａＮ系半導体層のことを言う。また、ＧａＮ系半導体は、ＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮなどを含むものでもよい。

また、一実施形態の窒化物半導体装置では、
さらに、上記各ソース電極の長手方向の中央部よりも外側の一部の領域上、かつ、上記絶縁膜に形成された第２のソースコンタクト部と、
上記各ドレイン電極の長手方向の中央部よりも外側の一部の領域上、かつ、上記絶縁膜に形成された第２のドレインコンタクト部と、
を備え、
上記第２のソースコンタクト部のうち上記配列方向の両側領域に形成された上記第２のソースコンタクト部は、上記配列方向の中央側領域に形成された上記第２のソースコンタクト部よりも上記長手方向の中央側に位置し、
上記第２のドレインコンタクト部のうち上記配列方向の両側領域に形成された上記第２のドレインコンタクト部は、上記配列方向の中央側領域に形成された上記第２のドレインコンタクト部よりも上記長手方向の中央側に位置している。

また、一実施形態の窒化物半導体装置では、
上記各ソース電極の上記第１のソースコンタクト部と上記第２のソースコンタクト部との間の距離および上記各ドレイン電極の上記第１のドレインコンタクト部と上記第２のドレインコンタクト部との間の距離は、それぞれ、上記配列方向の中央から両端に向かうにつれて、短くなっている。

また、一実施形態の窒化物半導体装置では、
さらに、上記各ソース電極の長手方向の中央部よりも外側の一部の領域上、かつ、上記絶縁膜に形成された第２のソースコンタクト部と、
上記各ドレイン電極の長手方向の中央部よりも外側の一部の領域上、かつ、上記絶縁膜に形成された第２のドレインコンタクト部と、
を備え、
上記各ソース電極の上記第１のソースコンタクト部と上記第２のソースコンタクト部との間の距離は、上記各ソース電極の端と上記第２のソースコンタクト部との間の距離と略等しく、
上記各ドレイン電極の上記第１のドレインコンタクト部と上記第２のドレインコンタクト部との間の距離は、上記各ドレイン電極の端と上記第２のドレインコンタクト部との間の距離と略等しい。

本発明の窒化物半導体装置によれば、ソース電極およびドレイン電極に接続するコンタクト部の破壊の発生を低減できる窒化物半導体装置を提供することができる。

図１は本発明の第１実施形態の窒化物半導体装置の断面図である。 図２は上記第１実施形態の窒化物半導体装置の電極構造を模式的に示す平面図である。 図３は本発明の第２実施形態の窒化物半導体装置の電極構造を模式的に示す平面図である。 図４は本発明の第３実施形態の窒化物半導体装置の電極構造を模式的に示す平面図である。 図５は本発明の第４実施形態の窒化物半導体装置の電極構造を模式的に示す平面図である。 図６は本発明の第５実施形態の窒化物半導体装置の電極構造を模式的に示す平面図である。 図７は本発明の比較例の窒化物半導体装置の電極構造を模式的に示す平面図である。

以下、本発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態の窒化物半導体装置の断面図であり、図２のＸ−Ｘ線断面図である。図１に示すように、この第１実施形態の窒化物半導体装置は、Ｓｉ基板１上に、窒化物半導体層２を形成している。窒化物半導体層２上には、絶縁膜７としての保護膜と層間絶縁膜とを順次形成している。

窒化物半導体層２には、絶縁膜７を貫通して窒化物半導体層２に達する２つのリセスが互いに間隔をあけて形成されている。これらのリセスのうち、一方にソース電極１１がオーミック電極として形成され、他方にはドレイン電極１２がオーミック電極として形成されている。ソース電極１１とドレイン電極１２とは、Ｔｉ層、Ａｌ層、ＴｉＮ層が順に積層されたＴｉ／Ａｌ／ＴｉＮ電極としている。

また、ソース電極１１とドレイン電極１２との間の絶縁膜７には開口が形成され、この開口にゲート電極１３が形成されている。このゲート電極１３は、ＷＮ層、Ｗ層が順に積層されたＷＮ／Ｗ電極としており、窒化物半導体層２とショットキー接合するショットキー電極として形成されている。

また、ソース電極１１とドレイン電極１２との間の窒化物半導体層２には活性領域３が設けられている。この活性領域３とは、ゲート電極１３に印加される電圧によって、ソース電極１１とドレイン電極１２との間でキャリアが流れる領域である。活性領域３と、ソース電極１１と、ドレイン電極１２と、ゲート電極１３とでＨＦＥＴを構成している。

絶縁膜７は、ソース電極１１、ドレイン電極１２およびゲート電極１３を覆うように形成されている。絶縁膜７のドレイン電極１２の一部の領域上には、第１のドレインコンタクトホール７２が設けられている。

第１のドレインコンタクトホール７２内および絶縁膜７上にドレイン電極パッド２２が設けられ、ドレイン電極パッド２２がドレイン電極１２に電気的に接続されている。第１のドレインコンタクトホール７２内に設けられたドレイン電極パッド２２が第１のドレインコンタクト部２２Ａを形成している。ドレイン電極パッド２２としては、ＴｉＮ／Ａｌ、Ｔｉ／Ｃｕ、Ｔｉ／ＡｕまたはＴｉ／Ａｌなどを用いている。

なお、図示しないが、絶縁膜７のソース電極１１の一部の領域上には、第１のドレインコンタクトホール７２と同様に、第１のソースコンタクトホールが設けられている。この第１のソースコンタクトホール内および絶縁膜７上にソース電極パッドが設けられ、ソース電極パッド２１がソース電極１１に電気的に接続されている。第１のソースコンタクトホール内に設けられたソース電極パッドが第１のソースコンタクト部を形成している。ソース電極パッドとしては、ＴｉＮ／Ａｌ、Ｔｉ／Ｃｕ、Ｔｉ／ＡｕまたはＴｉ／Ａｌなどを用いている。

図２に示すように、上記窒化物半導体装置は、複数のフィンガー状のソース電極１１およびドレイン電極１２を備えている。ソース電極１１は、互いに平行に形成されている。ドレイン電極１２は、ソース電極１１の配列方向にソース電極１１と交互に配列するように互いに平行に形成されている。なお、図２において、ゲート電極１３、窒化物半導体層２および絶縁膜７は、省略している（図１参照）。

Ｓｉ基板１は、平面視略長方形状を有し、Ｓｉ基板１の長手方向は、ソース電極１１およびドレイン電極１２の長手方向と平行である。Ｓｉ基板１の長手方向の一方側には、平面視略長方形のソース電極パッド２１が形成される一方、上記長手方向の他方側には、平面視略長方形のドレイン電極パッド２２が形成されている。ソース電極パッド２１とドレイン電極パッド２２とは、一定の距離をおいて互いに平行に形成されている。

ソース電極パッド２１は、ソース電極１１の長手方向の一方側を全て覆っており、ソース電極パッド２１の短手方向は、ソース電極１１の長手方向と平行になっている。ドレイン電極パッド２２は、ドレイン電極１２の長手方向の他方側を全て覆っており、ドレイン電極パッド２２の短手方向は、ドレイン電極１２の長手方向と平行になっている。

各ソース電極１１の長手方向の中央部であって、かつ、ソース電極パッド２１の上記短手方向のドレイン電極パッド２２側の端部には、２つの第１のソースコンタクト部２１Ａがソース電極１１の長手方向に並んで形成されている。各第１のソースコンタクト部２１Ａは、平面視略長方形状を有し、第１のソースコンタクト部２１Ａの長手方向は、ソース電極１１の長手方向と平行である。

各ドレイン電極１２の長手方向の中央部であって、かつ、ドレイン電極パッド２２の上記短手方向のソース電極パッド側の端部には、２つの第１のドレインコンタクト部２２Ａがドレイン電極１２の長手方向に並んで形成されている。各第１のドレインコンタクト部２２Ａは、平面視略長方形状を有し、第１のドレインコンタクト部２２Ａの長手方向は、ドレイン電極１２の長手方向と平行である。

上記構成の窒化物半導体装置は、ノーマリオンタイプのヘテロ接合電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ）であり、ゲート電極１３に負電圧を印加すると、オフとなる。

この第１実施形態の窒化物半導体装置と、図７に示す比較例の比較試験の結果を、下の表１に示す。

この比較試験において、図２に示す第１実施形態と図７の従来例とで、ソース電極１１，ドレイン電極１２，第１のソースコンタクト部２１Ａ，第１のドレインコンタクト部２２Ａ，ソース電極パッド２１およびドレイン電極パッド２２は、それらの寸法構成は同じである。比較例では、ソース電極１１の長手方向の一端部に端部ソースコンタクト部２１Ｆが接続され、ドレイン電極１２の長手方向の一端部に端部ドレインコンタクト部２２Ｆが接続されているのに対して、第１実施形態では、ソース電極１１の長手方向の一端部およびドレイン電極１２の長手方向の一端部には、それぞれ何も接続されていない点が異なる。このように、前提となる条件を略同じにして、次のように比較試験を行った。

窒化物半導体装置（ＨＦＥＴ）のゲート電極１３に−１０Ｖを印加し続けているオフ状態において、１５０℃の環境下、ソース電極１１に０Ｖを印加し、ドレイン電極１２に６００Ｖの電圧を印加して、５分経過後に、第１のソースコンタクト部２１Ａ、端部ソースコンタクト部２１Ｆ、第１のドレインコンタクト部２２Ａおよび端部ドレインコンタクト部２２Ｆの破壊の有無を調べた。その結果が、上述の表１である。

この表１から分かるように、この第１実施形態によれば、端部ソースコンタクト部２１Ｆおよび端部ドレインコンタクト部２２Ｆに破壊が生じる比較例に比べて、破壊したコンタクト部の個数は、１／６（＝５／３０）と飛躍的に低減することができた。

端部ソースコンタクト部２１Ｆおよび端部ドレインコンタクト部２２Ｆの破壊の原因は、チップ分割においてメタルブレードによるダイシングを行っており、このダイシングの際に特にチップの外周部の隅に加わる応力の影響によるものと、推測される。

この第１実施形態によれば、第１のソースコンタクト部２１Ａがソース電極１１の長手方向の端部に位置しており、第１のドレインコンタクト部２２Ａがドレイン電極１２の長手方向の端部に位置している場合に比べて、第１のソースコンタクト部２１Ａおよび第１のドレインコンタクト部２２Ａは、窒化物半導体装置の外周部の隅からより離れたところに位置している。このため、窒化物半導体装置をダイシングする際にこの窒化物半導体装置の特に外周部の隅に加わる応力の影響を、第１のソースコンタクト部２１Ａおよび第１のドレインコンタクト部２２Ａが受けにくくすることができる。したがって、第１のソースコンタクト部２１Ａおよび第１のドレインコンタクト部２２Ａの破壊の発生を飛躍的に低減できる。これにより、窒化物半導体装置の歩留まりが飛躍的に向上する。

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態の窒化物半導体装置を説明する。

図３は、上記第２実施形態の窒化物半導体装置の電極構造を模式的に示す平面図である。この図３において、図１に示した構成部と同一構成部は、図１における構成部と同一参照番号を付して説明を省略し、異なる構成について以下に説明する。

図３に示すように、各ソース電極１１の長手方向の中央部よりも外側の領域には、２つの第２のソースコンタクト部２１Ｂがソース電極１１の長手方向に一定の距離をおいて並んで形成されている。各第２のソースコンタクト部２１Ｂは、平面視略長方形状を有し、第２のソースコンタクト部２１Ｂの長手方向は、ソース電極１１の長手方向と平行である。

各ドレイン電極１２の長手方向の中央部よりも外側の領域には、２つの第２のドレインコンタクト部２２Ｂがドレイン電極１２の長手方向に一定の距離をおいて並んで形成されている。各第２のドレインコンタクト部２２Ｂは、平面視略長方形状を有し、第２のドレインコンタクト部２２Ｂの長手方向は、ドレイン電極１２の長手方向と平行である。

ここで、上記両側領域は、具体的には、上記配列方向の最も両端に位置する４つのソース電極１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄおよび４つのドレイン電極１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄを含む領域である。この両側領域よりも上記配列方向の内側に、上記中央側領域が設けられている。

上記中央側領域の第２のソースコンタクト部２１Ｂは、各ソース電極１１の長手方向のソース電極パッド２１側の端部に位置している。ここで、Ｓｉ基板１の長手方向の端から上記中央側領域の第２のソースコンタクト部２１Ｂまでの距離をＤ１とする。Ｓｉ基板１の長手方向の長さを２ｍｍとすると、Ｄ１は、１００μｍである。

上記両側領域の第２のソースコンタクト部２１Ｂは、上記中央側領域の第２のソースコンタクト部２１Ｂよりも上記長手方向の中央側に位置している。具体的には、上記配列方向の最も外側のソース電極１１Ａにおける第２のソースコンタクト部２１Ｂは、上記中央側領域における第２のソースコンタクト部２１Ｂに対して、上記長手方向に１８０μｍ中央側に位置している。同様に、ソース電極１１Ｂの第２のソースコンタクト部２１Ｂは、上記中央側領域の第２のソースコンタクト部２１Ｂに対して、上記長手方向に１３５μｍ中央側に位置している。ソース電極１１Ｃの第２のソースコンタクト部２１Ｂは、上記中央側領域の第２のソースコンタクト部２１Ｂに対して、上記長手方向に９０μｍ中央側に位置している。ソース電極１１Ｄの第２のソースコンタクト部２１Ｂは、上記中央側領域の第２のソースコンタクト部２１Ｂに対して、上記長手方向に４５μｍ中央側に位置している。

上記中央側領域の第２のドレインコンタクト部２２Ｂは、各ドレイン電極１２の長手方向のドレイン電極パッド２２側の端部に位置している。ここで、Ｓｉ基板１の長手方向の端から上記中央側領域の第２のドレインコンタクト部２２Ｂまでの距離をＤ２とする。Ｓｉ基板１の長手方向の長さを２ｍｍとすると、Ｄ２は、１００μｍである。

上記両側領域の第２のドレインコンタクト部２２Ｂは、上記中央側領域の第２のドレインコンタクト部２２Ｂよりも上記長手方向の中央側に位置している。具体的には、上記配列方向の最も外側のドレイン電極１２Ａにおける第２のドレインコンタクト部２２Ｂは、上記中央側領域における第２のドレインコンタクト部２２Ｂに対して、上記長手方向に１８０μｍ中央側に位置している。同様に、ドレイン電極１２Ｂの第２のドレインコンタクト部２２Ｂは、上記中央側領域の第２のドレインコンタクト部２２Ｂに対して、上記長手方向に１３５μｍ中央側に位置している。ドレイン電極１２Ｃの第２のドレインコンタクト部２２Ｂは、上記中央側領域の第２のドレインコンタクト部２２Ｂに対して、上記長手方向に９０μｍ中央側に位置している。ドレイン電極１２Ｄの第２のドレインコンタクト部２２Ｂは、上記中央側領域の第２のドレインコンタクト部２２Ｂに対して、上記長手方向に４５μｍ中央側に位置している。

このように、上記両側領域において、第１のソースコンタクト部２１Ａと第２のソースコンタクト部２１Ｂとの間の距離および第１のドレインコンタクト部２２Ａと第２のドレインコンタクト部２２Ｂとの間の距離は、それぞれ、上記配列方向の中央から両端に向かうにつれて、短くなっている。

ここで、上記両側領域のソース電極１１Ａの第２のソースコンタクト部２１Ｂと上記中央側領域の第２のソースコンタクト部２１Ｂとの間の上記長手方向の距離をＡ１とする。ドレイン電極１２Ａの第２のドレインコンタクト部２２Ｂと上記中央側領域の第２のドレインコンタクト部２２Ｂとの間の上記長手方向の距離をＡ２とする。この第２実施形態では、上記距離Ａ１，Ａ２を１８０μｍとしたが、上記距離Ａ１，Ａ２を、１８０μｍから５００μｍの範囲で設定してもよい。

また、各ソース電極１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄの外側の第２のソースコンタクト部２１Ｂにおける上記長手方向外側の端を結ぶ直線Ｌ１と上記長手方向との間の角度をθ１とする。各ドレイン電極１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄの外側の第２のドレインコンタクト部２２Ｂにおける上記長手方向外側の端を結ぶ直線Ｌ２と上記長手方向との間の角度をθ２とする。この第２実施形態では、上記角度θ１，θ２を３０°としたが、上記角度θ１，θ２を、１０°から６０°の範囲で設定してもよい。

また、この第２実施形態では、上記両側領域は、上記配列方向の最も両端に位置する４つのソース電極１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄおよび４つのドレイン電極１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄを含む領域であった。しかしながら、これに限らず、上記両側領域は、上記配列方向の最も両端に位置する２つ又は３つのソース電極および２つ又は３つのドレイン電極を含む領域でも良い。

また、上記両側領域は、上記配列方向の最も両端に位置する５つ以上のソース電極および５つ以上のドレイン電極を含む領域であると共に、Ｓｉ基板１の上記配列方向の両端から、それぞれＳｉ基板１の上記配列方向の長さの１／３までの領域であっても良い。上記両側領域がこれより大きくなると、第２のソースコンタクト部からソース電極の長手方向の端部までの抵抗、および第２のドレインコンタクト部からドレイン電極の長手方向の端部までの抵抗のそれぞれの不均一化によって、上記窒化物半導体装置の特性に影響が出てくるからである。

また、この第２実施形態では、Ｓｉ基板１の長手方向の長さを２ｍｍとしたが、Ｓｉ基板の長手方向の長さは、２ｍｍより長くても良いし、２ｍｍより短くても良い。

また、この第２実施形態では、Ｓｉ基板１の上記配列方向の長さは、Ｓｉ基板１の長手方向の長さよりも短いが、この長手方向の長さよりも長くても良い。

また、この第２実施形態では、Ｓｉ基板１の長手方向の端から上記中央側領域の第２のソースコンタクト部２１Ｂまでの距離Ｄ１が１００μｍであったが、１００μｍ以上であっても良い。

また、この第２実施形態では、Ｓｉ基板１の長手方向の端から上記中央側領域の第２のドレインコンタクト部２２Ｂまでの距離Ｄ２が１００μｍであったが、１００μｍ以上であっても良い。

この第２実施形態の窒化物半導体装置と、図７に示す比較例の比較試験の結果を、下の表２に示す。

この比較試験の条件は、表１の第１実施形態の比較試験の条件と同じである。

この表２から分かるように、この第２実施形態によれば、端部ソースコンタクト部２１Ｆおよび端部ドレインコンタクト部２２Ｆに破壊が生じる比較例に比べて、破壊したコンタクト部の個数は、略１／４（＝８／３０）と飛躍的に低減することができた。

この第２実施形態によれば、第２のソースコンタクト部２１Ｂおよび第２のドレインコンタクト部２２Ｂは、上記配列方向の両側領域に形成されているものが、上記配列方向の中央側領域に形成されているものよりも上記長手方向の中央側、すなわち窒化物半導体装置の外周部の隅からより離れたところに位置している。ここで、上記両側領域は、上記中央側領域よりも上記配列方向において上記外周部の隅に近いため、上記中央側領域よりも上記外周部の隅に加わる応力の影響を受けやすい領域である。したがって、上記両側領域において、第２のソースコンタクト部２１Ｂおよび第２のドレインコンタクト部２２Ｂが上記応力の影響を受けにくくすることができて、第２のソースコンタクト部２１Ｂおよび第２のドレインコンタクト部２２Ｂの破壊の発生を低減できる。

また、第１のソースコンタクト部２１Ａと第２のソースコンタクト部２１Ｂとの間の距離は、上記配列方向の中央から両端に向かうにつれて短くなり、第２のソースコンタクト部２１Ｂは、上記長手方向のより中央側に位置するようになっている。第１のドレインコンタクト部２２Ａと第２のドレインコンタクト部２２Ｂとの間の距離は、上記配列方向の中央から両端に向かうにつれて短くなり、第２のドレインコンタクト部２２Ｂは、上記長手方向のより中央側に位置するようになっている。ここで、上記配列方向の両端に位置すると共に上記長手方向の両端に位置する上記外周部の隅では、窒化物半導体装置をダイシングする際にこの窒化物半導体装置に加わる応力の影響を特に大きく受けると考えられる。これに対して、第２のソースコンタクト部２１Ｂおよび第２のドレインコンタクト部２２Ｂは、上記配列方向の両端に向かうにつれて、上記長手方向の中央側に位置している。したがって、第２のソースコンタクト部２１Ｂおよび第２のドレインコンタクト部２２Ｂは、上記外周部の隅から離れて位置しているので、第２のソースコンタクト部２１Ｂおよび第２のドレインコンタクト部２２Ｂの破壊の発生をより低減できる。

（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態の窒化物半導体装置を説明する。

図４は、上記第３実施形態の窒化物半導体装置の電極構造を模式的に示す平面図である。この図４において、図３に示した構成部と同一構成部は、図３における構成部と同一参照番号を付して説明を省略し、異なる構成について以下に説明する。

図４に示すように、各ソース電極１１の長手方向の中央部よりも外側の領域には、２つの第２のソースコンタクト部２１Ｃがソース電極１１の長手方向に一定の距離をおいて並んで形成されている。各第２のソースコンタクト部２１Ｃは、平面視略長方形状を有し、第２のソースコンタクト部２１Ｃの長手方向は、ソース電極１１の長手方向と平行である。

上記両側領域の第２のソースコンタクト部２１Ｃは、上記中央側領域の第２のソースコンタクト部２１Ｃよりも上記長手方向の中央側に位置している。

各ソース電極１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄの第２のソースコンタクト部２１Ｃは、各ソース電極１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄの第１のソースコンタクト部２１Ａと第２のソースコンタクト部２１Ｃとの間の距離が上記配列方向の中央側から端に向かうにつれて短くなるように、位置している。また、各ソース電極１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄの第２のソースコンタクト部２１Ｃは、外側の第２のソースコンタクト部２１Ｃの上記長手方向外側の端を結ぶ線が上記配列方向の中央側から端に向かって放物線になるように、位置している。

各ドレイン電極１２の長手方向の中央部よりも外側の領域には、２つの第２のドレインコンタクト部２２Ｃがドレイン電極１２の長手方向に一定の距離をおいて並んで形成されている。各第２のドレインコンタクト部２２Ｃは、平面視略長方形状を有し、第２のドレインコンタクト部２２Ｃの長手方向は、ドレイン電極１２の長手方向と平行である。

上記両側領域の第２のドレインコンタクト部２２Ｃは、上記中央側領域の第２のドレインコンタクト部２２Ｃよりも上記長手方向の中央側に位置している。

各ドレイン電極１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄの第２のドレインコンタクト部２２Ｃは、各ドレイン電極１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄの第１のドレインコンタクト部２２Ａと第２のドレインコンタクト部２２Ｃとの間の距離が上記配列方向の中央側から端に向かうにつれて短くなるように、位置している。また、各ドレイン電極１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄの第２のドレインコンタクト部２２Ｃは、外側の第２のドレインコンタクト部２２Ｃの上記長手方向外側の端を結ぶ線が上記配列方向の中央側から端に向かって放物線になるように、位置している。

この第３実施形態の窒化物半導体装置と、図７に示す比較例の比較試験の結果を、下の表３に示す。

この比較試験の条件は、表１の第１実施形態の比較試験の条件と同じである。

この表３から分かるように、この第３実施形態によれば、端部ソースコンタクト部２１Ｆおよび端部ドレインコンタクト部２２Ｆに破壊が生じる比較例に比べて、破壊したコンタクト部の個数は、略１／３（＝１１／３０）と飛躍的に低減することができた。

この第３実施形態によれば、第１のソースコンタクト部２１Ａと第２のソースコンタクト部２１Ｃとの間の距離は、上記配列方向の中央から両端に向かうにつれて短くなり、第２のソースコンタクト部２１Ｃは、上記長手方向のより中央側に位置するようになっている。第１のドレインコンタクト部２２Ａと第２のドレインコンタクト部２２Ｃとの間の距離は、上記配列方向の中央から両端に向かうにつれて短くなり、第２のドレインコンタクト部２２Ｃは、上記長手方向のより中央側に位置するようになっている。ここで、上記配列方向の両端に位置すると共に上記長手方向の両端に位置する上記外周部の隅では、窒化物半導体装置をダイシングする際にこの窒化物半導体装置に加わる応力の影響を特に大きく受けると考えられる。これに対して、第２のソースコンタクト部２１Ｃおよび第２のドレインコンタクト部２２Ｃは、上記配列方向の両端に向かうにつれて、上記長手方向の中央側に位置している。したがって、第２のソースコンタクト部２１Ｃおよび第２のドレインコンタクト部２２Ｃは、上記外周部の隅から離れて位置しているので、第２のソースコンタクト部２１Ｃおよび第２のドレインコンタクト部２２Ｃの破壊の発生をより低減できる。

（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態の窒化物半導体装置を説明する。

図５は、上記第４実施形態の窒化物半導体装置の電極構造を模式的に示す平面図である。この図５において、図３に示した構成部と同一構成部は、図３における構成部と同一参照番号を付して説明を省略し、異なる構成について以下に説明する。

図５に示すように、各ソース電極１１の長手方向の中央部よりも外側の領域には、２つの第２のソースコンタクト部２１Ｄがソース電極１１の長手方向に一定の距離をおいて並んで形成されている。各第２のソースコンタクト部２１Ｄは、平面視略長方形状を有し、第２のソースコンタクト部２１Ｄの長手方向は、ソース電極１１の長手方向と平行である。

上記両側領域の第２のソースコンタクト部２１Ｄは、上記中央側領域の第２のソースコンタクト部２１Ｄよりも上記長手方向の中央側に位置している。

各ソース電極１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄの第２のソースコンタクト部２１Ｄは、各ソース電極１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄの第１のソースコンタクト部２１Ａと第２のソースコンタクト部２１Ｄとの間の距離が上記配列方向の中央側から端に向かうにつれて短くなるように、位置している。また、各ソース電極１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄの第２のソースコンタクト部２１Ｄは、外側の第２のソースコンタクト部２１Ｃの上記長手方向外側の端を結ぶ線が上記長手方向の外側へ突出する円弧になるように、位置している。この円弧の曲率半径は７００μｍである。

各ドレイン電極１２の長手方向の中央部よりも外側の領域には、２つの第２のドレインコンタクト部２２Ｄがドレイン電極１２の長手方向に一定の距離をおいて並んで形成されている。各第２のドレインコンタクト部２２Ｄは、平面視略長方形状を有し、第２のドレインコンタクト部２２Ｄの長手方向は、ドレイン電極１２の長手方向と平行である。

上記両側領域の第２のドレインコンタクト部２２Ｄは、上記中央側領域の第２のドレインコンタクト部２２Ｄよりも上記長手方向の中央側に位置している。

各ドレイン電極１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄの第２のドレインコンタクト部２２Ｄは、各ドレイン電極１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄの第１のドレインコンタクト部２２Ａと第２のドレインコンタクト部２２Ｄとの間の距離が上記配列方向の中央側から端に向かうにつれて短くなるように、位置している。また、各ドレイン電極１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄの第２のドレインコンタクト部２２Ｄは、外側の第２のドレインコンタクト部２２Ｄの上記長手方向外側の端を結ぶ線が上記長手方向の外側へ突出する円弧になるように、位置している。この円弧の曲率半径は７００μｍである。

この第４実施形態の窒化物半導体装置と、図７に示す比較例の比較試験の結果を、下の表２に示す。

この比較試験の条件は、表１の第１実施形態の比較試験の条件と同じである。

この表４から分かるように、この第４実施形態によれば、端部ソースコンタクト部２１Ｆおよび端部ドレインコンタクト部２２Ｆに破壊が生じる比較例に比べて、破壊したコンタクト部の個数は、１／２（＝１５／３０）と飛躍的に低減することができた。

この第４実施形態によれば、第１のソースコンタクト部２１Ａと第２のソースコンタクト部２１Ｄとの間の距離は、上記配列方向の中央から両端に向かうにつれて短くなり、第２のソースコンタクト部２１Ｄは、上記長手方向のより中央側に位置するようになっている。第１のドレインコンタクト部２２Ａと第２のドレインコンタクト部２２Ｄとの間の距離は、上記配列方向の中央から両端に向かうにつれて短くなり、第２のドレインコンタクト部２２Ｄは、上記長手方向のより中央側に位置するようになっている。ここで、上記配列方向の両端に位置すると共に上記長手方向の両端に位置する上記外周部の隅では、窒化物半導体装置をダイシングする際にこの窒化物半導体装置に加わる応力の影響を特に大きく受けると考えられる。これに対して、第２のソースコンタクト部２１Ｄおよび第２のドレインコンタクト部２２Ｄは、上記配列方向の両端に向かうにつれて、上記長手方向の中央側に位置している。したがって、第２のソースコンタクト部２１Ｄおよび第２のドレインコンタクト部２２Ｄは、上記外周部の隅から離れて位置しているので、第２のソースコンタクト部２１Ｄおよび第２のドレインコンタクト部２２Ｄの破壊の発生をより低減できる。

なお、この第４実施形態では、各ドレイン電極１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄの第２のドレインコンタクト部２２Ｄは、外側の第２のドレインコンタクト部２２Ｄの上記長手方向外側の端を結ぶ線が上記長手方向の外側へ突出する円弧になるように位置して、この円弧の曲率半径は７００μｍである。しかしながら、この円弧の曲率半径は、３００μｍ以上であればよく、好ましくは、７００μｍ以上であればよい。上記円弧の曲率半径を３００μｍ以上にすることで、上記外周部の隅からの距離を十分とることができて、第２のソースコンタクト部２１Ｄおよび第２のドレインコンタクト部２２Ｄが上記外周部の隅に加わる応力の影響を受けにくくすることができる。

（第５実施形態）
次に、本発明の第５実施形態の窒化物半導体装置を説明する。

図６は、上記第５実施形態の窒化物半導体装置の電極構造を模式的に示す平面図である。この図６において、図１に示した構成部と同一構成部は、図１における構成部と同一参照番号を付して説明を省略し、異なる構成について以下に説明する。

図６に示すように、各ソース電極１１の長手方向の中央部よりも外側の領域には、２つの第２のソースコンタクト部２１Ｅがソース電極１１の長手方向に一定の距離をおいて並んで形成されている。各第２のソースコンタクト部２１Ｅは、平面視略長方形状を有し、第２のソースコンタクト部２１Ｅの長手方向は、ソース電極１１の長手方向と平行である。

各ソース電極１１の第１のソースコンタクト部２１Ａと第２のソースコンタクト部２１Ｅとの間の距離は、各ソース電極１１の第２のソースコンタクト部２１Ｅ側の端１１ａと第２のソースコンタクト部２１Ｅとの間の距離と略等しい。具体的には、第２のソースコンタクト部２１Ｅは、ソースコンタクト部をソース電極１１の長手方向の端部に形成した場合に比べて上記長手方向の３００μｍ中央側に位置している。

各ドレイン電極１２の長手方向の中央部よりも外側の領域には、２つの第２のドレインコンタクト部２２Ｅがドレイン電極１２の長手方向に一定の距離をおいて並んで形成されている。各第２のドレインコンタクト部２２Ｅは、平面視略長方形状を有し、第２のドレインコンタクト部２２Ｅの長手方向は、ドレイン電極１２の長手方向と平行である。

各ドレイン電極１２の第１のドレインコンタクト部２２Ａと第２のドレインコンタクト部２２Ｅとの間の距離は、各ドレイン電極１２の第２のドレインコンタクト部２２Ｅ側の端１２ａと第２のドレインコンタクト部２２Ｅとの間の距離と略等しい。具体的には、第２のドレインコンタクト部２２Ｅは、ドレインコンタクト部をドレイン電極１２の長手方向の端部に形成した場合に比べて上記長手方向の３００μｍ中央側に位置している。

この第５実施形態の窒化物半導体装置と、図７に示す比較例の比較試験の結果を、下の表５に示す。

この比較試験の条件は、表１の第１実施形態の比較試験の条件と同じである。

この表５から分かるように、この第５実施形態によれば、端部ソースコンタクト部２１Ｆおよび端部ドレインコンタクト部２２Ｆに破壊が生じる比較例に比べて、破壊したコンタクト部の個数は、１／３（＝１０／３０）と飛躍的に低減することができた。

この第５実施形態によれば、第２のソースコンタクト部２１Ｅおよび第２のドレインコンタクト部２２Ｅは、ソース電極１１およびドレイン電極１２の上記長手方向の端部に位置している場合に比べて、窒化物半導体装置の外周部の隅からより離れたところに位置している。このため、窒化物半導体装置をダイシングする際に上記外周部の隅に加わる応力の影響を第２のソースコンタクト部２１Ｅおよび第２のドレインコンタクト部２２Ｅが受けにくくすることができる。したがって、第２のソースコンタクト部２１Ｅおよび第２のドレインコンタクト部２２Ｅの破壊の発生を低減できる。

なお、この第５実施形態では、第２のソースコンタクト部２１Ｅおよび第２のドレインコンタクト部２２Ｅは、ソースコンタクト部およびドレインコンタクト部をソース電極１１およびドレイン電極１２の長手方向の端部に形成した場合に比べて上記長手方向の３００μｍ中央側に位置していたが、上記長手方向の７５μｍ以上中央側に位置していればよく、好ましくは、上記長手方向の１００μｍ以上中央側に位置していればよい。第２のソースコンタクト部２１Ｅおよび第２のドレインコンタクト部２２Ｅを上記長手方向の７５μｍ以上中央側に位置させることで、上記外周部の隅からの距離を十分とることができる。したがって、第２のソースコンタクト部２１Eおよび第２のドレインコンタクト部２２Eが上記外周部の隅に加わる応力の影響を受けにくくすることができる。

本発明および実施形態を纏めると、次のようになる。

本発明の窒化物半導体装置は、
基板１と、
上記基板１上に形成されると共に活性領域３を有する窒化物半導体層２と、
上記窒化物半導体層２の上記活性領域３上にフィンガー状に互いに平行に形成された複数のソース電極１１と、
上記窒化物半導体層２の上記活性領域３上に、上記複数のソース電極１１の配列方向に上記複数のソース電極１１と交互に配列するようにフィンガー状に互いに平行に形成された複数のドレイン電極１２と、
平面視において、上記ソース電極１１と上記ドレイン電極１２との間にそれぞれ形成されたゲート電極１３と、
上記窒化物半導体層２上に、上記ソース電極１１、上記ドレイン電極１２、および上記ゲート電極１３を覆うように形成された絶縁膜７と、
上記各ソース電極１１の一部の領域上、かつ、上記絶縁膜７に形成された第１のソースコンタクト部２１Ａと、
上記各ドレイン電極１２の一部の領域上、かつ、上記絶縁膜７に形成された第１のドレインコンタクト部２２Ａと、
を備え、
上記第１のソースコンタクト部２１Ａは、上記ソース電極１１の長手方向の中央部に位置しており、
上記第１のドレインコンタクト部２２Ａは、上記ドレイン電極１２の長手方向の中央部に位置していることを特徴としている。

本発明の窒化物半導体装置によれば、第１のソースコンタクト部２１Ａがソース電極１１の長手方向の端部に位置しており、第１のドレインコンタクト部２２Ａがドレイン電極１２の長手方向の端部に位置している場合に比べて、第１のソースコンタクト部２１Ａおよび第１のドレインコンタクト部２２Ａは、窒化物半導体装置の外周部の隅からより離れたところに位置している。このため、窒化物半導体装置をダイシングする際にこの窒化物半導体装置の特に外周部の隅に加わる応力の影響を、第１のソースコンタクト部２１Ａおよび第１のドレインコンタクト部２２Ａが受けにくくすることができる。したがって、第１のソースコンタクト部２１Ａおよび第１のドレインコンタクト部２２Ａの破壊の発生を低減できる。

また、一実施形態の窒化物半導体装置では、
さらに、上記各ソース電極１１の長手方向の中央部よりも外側の一部の領域上、かつ、上記絶縁膜７に形成された第２のソースコンタクト部２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅと、
上記各ドレイン電極１２の長手方向の中央部よりも外側の一部の領域上、かつ、上記絶縁膜７に形成された第２のドレインコンタクト部２２Ｂ，２２Ｃ，２２Ｄ，２２Ｅと、
を備え、
上記第２のソースコンタクト部２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅのうち上記配列方向の両側領域に形成された上記第２のソースコンタクト部２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅは、上記配列方向の中央側領域に形成された上記第２のソースコンタクト部２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅよりも上記長手方向の中央側に位置し、
上記第２のドレインコンタクト部２２Ｂ，２２Ｃ，２２Ｄ，２２Ｅのうち上記配列方向の両側領域に形成された上記第２のドレインコンタクト部２２Ｂ，２２Ｃ，２２Ｄ，２２Ｅは、上記配列方向の中央側領域に形成された上記第２のドレインコンタクト部２２Ｂ，２２Ｃ，２２Ｄ，２２Ｅよりも上記長手方向の中央側に位置している。

上記実施形態によれば、第２のソースコンタクト部２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄおよび第２のドレインコンタクト部２２Ｂ，２２Ｃ，２２Ｄは、上記配列方向の両側領域に形成されているものが、上記配列方向の中央側領域に形成されているものよりも上記長手方向の中央側、すなわち窒化物半導体装置の外周部の隅からより離れたところに位置している。ここで、上記両側領域は、上記中央側領域よりも上記配列方向において上記外周部の隅に近いため、上記中央側領域よりも上記外周部の隅に加わる応力の影響を受けやすい領域である。したがって、上記両側領域において第２のソースコンタクト部２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄおよび第２のドレインコンタクト部２２Ｂ，２２Ｃ，２２Ｄが上記応力の影響を受けにくくすることができて、第２のソースコンタクト部２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄおよび第２のドレインコンタクト部２２Ｂ，２２Ｃ，２２Ｄの破壊の発生を低減できる。

また、一実施形態の窒化物半導体装置では、
上記各ソース電極１１の上記第１のソースコンタクト部２１Ａと上記第２のソースコンタクト部２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅとの間の距離および上記各ドレイン電極１２の上記第１のドレインコンタクト部２２Ａと上記第２のドレインコンタクト部２２Ｂ，２２Ｃ，２２Ｄ，２２Ｅとの間の距離は、それぞれ、上記配列方向の中央から両端に向かうにつれて、短くなっている。

上記実施形態によれば、第１のソースコンタクト部２１Ａと第２のソースコンタクト部２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄとの間の距離は、上記配列方向の中央から両端に向かうにつれて短くなり、第２のソースコンタクト部２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄは、上記長手方向のより中央側に位置するようになっている。第１のドレインコンタクト部２２Ａと第２のドレインコンタクト部２２Ｂ，２２Ｃ，２２Ｄとの間の距離は、上記配列方向の中央から両端に向かうにつれて短くなり、第２のドレインコンタクト部２２Ｂ，２２Ｃ，２２Ｄは、上記長手方向のより中央側に位置するようになっている。ここで、上記配列方向の両端に位置すると共に上記長手方向の両端に位置する上記外周部の隅では、窒化物半導体装置をダイシングする際にこの窒化物半導体装置に加わる応力の影響を特に大きく受けると考えられる。これに対して、第２のソースコンタクト部２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄおよび第２のドレインコンタクト部２２Ｂ，２２Ｃ，２２Ｄは、上記配列方向の両端に向かうにつれて、上記長手方向の中央側に位置している。したがって、第２のソースコンタクト部２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄおよび第２のドレインコンタクト部２２Ｂ，２２Ｃ，２２Ｄは、上記外周部の隅から離れて位置しているので、第２のソースコンタクト部２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄおよび第２のドレインコンタクト部２２Ｂ，２２Ｃ，２２Ｄの破壊の発生をより低減できる。

また、一実施形態の窒化物半導体装置では、
さらに、上記各ソース電極１１の長手方向の中央部よりも外側の一部の領域上、かつ、上記絶縁膜７に形成された第２のソースコンタクト部２１Ｅと、
上記各ドレイン電極１２の長手方向の中央部よりも外側の一部の領域上、かつ、上記絶縁膜７に形成された第２のドレインコンタクト部２２Ｅと、
を備え、
上記各ソース電極１１の上記第１のソースコンタクト部２１Ａと上記第２のソースコンタクト部２１Ｅとの間の距離は、上記各ソース電極１１の上記第２のソースコンタクト部２１Ｅ側の端１１ａと上記第２のソースコンタクト部２１Ｅとの間の距離と略等しく、
上記各ドレイン電極１２の上記第１のドレインコンタクト部２２Ａと上記第２のドレインコンタクト部２２Ｅとの間の距離は、上記各ドレイン電極１２の上記第２のドレインコンタクト部２２Ｅ側の端１２ａと上記第２のドレインコンタクト部２２Ｅとの間の距離と略等しい。

上記実施形態によれば、第２のソースコンタクト部２１Ｅおよび第２のドレインコンタクト部２２Ｅは、ソース電極１１およびドレイン電極１２の上記長手方向の端部に位置している場合に比べて、窒化物半導体装置の外周部の隅からより離れたところに位置している。このため、窒化物半導体装置をダイシングする際に上記外周部の隅に加わる応力の影響を第２のソースコンタクト部２１Ｅおよび第２のドレインコンタクト部２２Ｅが受けにくくすることができる。したがって、第２のソースコンタクト部２１Ｅおよび第２のドレインコンタクト部２２Ｅの破壊の発生を低減できる。

なお、上記第１から第５実施形態では、ソース電極１１およびドレイン電極１２は、フィンガー状の電極であったが、略短冊形の電極であってもよい。

また、上記第１から第５実施形態では、Ｓｉ基板１は、平面視略長方形状を有していたが、これに限らず、例えば平面視略正方形状など、他の形状であってもよい。

また、上記第１から第５実施形態では、基板１としてＳｉ基板を用いたが、Ｓｉ基板に限らない。例えば、サファイヤ基板やＳｉＣ基板を用い、サファイヤ基板やＳｉＣ基板上に窒化物半導体層を成長させてもよいし、ＧａＮ基板にＡｌＧａＮ層を成長させる等のように、Ｇａ系半導体からなる基板上にＧａ系半導体層を成長させてもよい。また、適宜、バッファ層を基板と各層間に形成してもよい。また、アンドープＧａＮ層とアンドープＡｌＧａＮ層との間に、ＡｌＮで作製したヘテロ改善層を形成してもよい。また、上記アンドープＡｌＧａＮ層上にＧａＮキャップ層を形成してもよい。

また、上記第１から第５実施形態では、ソース電極１１とドレイン電極１２は、Ｔｉ／Ａｌ／ＴｉＮ電極としたが、Ｔｉ／Ａｌ電極としてもよく、Ｈｆ／Ａｌ電極としてもよく、Ｔｉ／ＡｌＣｕ／ＴｉＮ電極としてもよい。また、上記ドレイン電極およびソース電極としては、Ｔｉ／ＡｌまたはＨｆ／Ａｌ上にＮｉ／Ａｕを積層したものとしてもよく、Ｔｉ／ＡｌまたはＨｆ／Ａｌ上にＰｔ／Ａｕを積層したものとしてもよく、Ｔｉ／ＡｌまたはＨｆ／Ａｌ上にＡｕを積層したものとしてもよい。

また、上記第１から第５実施形態では、ゲート電極１３をＷＮ／Ｗで作製したが、ＴｉＮで作製してもよい。また、ゲート電極をＴｉ／ＡｕやＮｉ／Ａｕで作製してもよい。

また、上記第１から第５実施形態では、ゲート電極１３は、ショットキー電極構造であったが、絶縁ゲート電極構造であってもよい。

また、上記第１から第５実施形態では、ノーマリオンタイプのＨＦＥＴについて説明したがノーマリオフタイプでも同様の効果が得られる。

本発明の具体的な実施の形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々変更して実施することができる。

１ Ｓｉ基板
２ 窒化物半導体層
３ 活性領域
７ 絶縁膜
１１，１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄ ソース電極
１１ａ ソース電極の端
１２，１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄ ドレイン電極
１２ａ ドレイン電極の端
１３ ゲート電極
２１Ａ 第１のソースコンタクト部
２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ，２１Ｅ 第２のソースコンタクト部
２２Ａ 第１のドレインコンタクト部
２２Ｂ，２２Ｃ，２２Ｄ，２２Ｅ 第２のドレインコンタクト部

Claims (4)

1. 基板と、
   上記基板上に形成されると共に活性領域を有する窒化物半導体層と、
   上記窒化物半導体層の上記活性領域上にフィンガー状に互いに平行に形成された複数のソース電極と、
   上記窒化物半導体層の上記活性領域上に、上記複数のソース電極の配列方向に上記複数のソース電極と交互に配列するようにフィンガー状に互いに平行に形成された複数のドレイン電極と、
   平面視において、上記ソース電極と上記ドレイン電極との間にそれぞれ形成されたゲート電極と、
   上記窒化物半導体層上に、上記ソース電極、上記ドレイン電極、および上記ゲート電極を覆うように形成された絶縁膜と、
   上記各ソース電極の一部の領域上、かつ、上記絶縁膜に形成された第１のソースコンタクト部と、
   上記各ドレイン電極の一部の領域上、かつ、上記絶縁膜に形成された第１のドレインコンタクト部と、
   を備え、
   上記第１のソースコンタクト部は、上記ソース電極の長手方向の中央部に位置しており、
   上記第１のドレインコンタクト部は、上記ドレイン電極の長手方向の中央部に位置していることを特徴とする窒化物半導体装置。
2. 請求項１に記載の窒化物半導体装置において、
   さらに、上記各ソース電極の長手方向の中央部よりも外側の一部の領域上、かつ、上記絶縁膜に形成された第２のソースコンタクト部と、
   上記各ドレイン電極の長手方向の中央部よりも外側の一部の領域上、かつ、上記絶縁膜に形成された第２のドレインコンタクト部と、
   を備え、
   上記第２のソースコンタクト部のうち上記配列方向の両側領域に形成された上記第２のソースコンタクト部は、上記配列方向の中央側領域に形成された上記第２のソースコンタクト部よりも上記長手方向の中央側に位置し、
   上記第２のドレインコンタクト部のうち上記配列方向の両側領域に形成された上記第２のドレインコンタクト部は、上記配列方向の中央側領域に形成された上記第２のドレインコンタクト部よりも上記長手方向の中央側に位置していることを特徴とする窒化物半導体装置。
3. 請求項２に記載の窒化物半導体装置において、
   上記各ソース電極の上記第１のソースコンタクト部と上記第２のソースコンタクト部との間の距離および上記各ドレイン電極の上記第１のドレインコンタクト部と上記第２のドレインコンタクト部との間の距離は、それぞれ、上記配列方向の中央から両端に向かうにつれて、短くなっていることを特徴とする窒化物半導体装置。
4. 請求項１に記載の窒化物半導体装置において、
   さらに、上記各ソース電極の長手方向の中央部よりも外側の一部の領域上、かつ、上記絶縁膜に形成された第２のソースコンタクト部と、
   上記各ドレイン電極の長手方向の中央部よりも外側の一部の領域上、かつ、上記絶縁膜に形成された第２のドレインコンタクト部と、
   を備え、
   上記各ソース電極の上記第１のソースコンタクト部と上記第２のソースコンタクト部との間の距離は、上記各ソース電極の上記第２のソースコンタクト部側の端と上記第２のソースコンタクト部との間の距離と略等しく、
   上記各ドレイン電極の上記第１のドレインコンタクト部と上記第２のドレインコンタクト部との間の距離は、上記各ドレイン電極の上記第２のドレインコンタクト部側の端と上記第２のドレインコンタクト部との間の距離と略等しいことを特徴とする窒化物半導体装置。

Images