JP7423569B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
本実施形態の半導体装置は、基板と、基板上に設けられた第1窒化物半導体層と、第1窒化物半導体層の上に設けられ、第1窒化物半導体層よりバンドギャップの大きな第2窒化物半導体層と、第2窒化物半導体層の上に設けられ、基板の基板面に平行な第1方向に延伸する第1配線と、第2窒化物半導体層の上に設けられ、第1配線に電気的に接続され、基板面に平行で第1方向に交差する第2方向に延伸する第1ソース電極と、第2窒化物半導体層の上に設けられ、第2方向に延伸する第1ゲート電極と、第2窒化物半導体層の上に設けられ、第2方向に延伸する第1ドレイン配線と、第2窒化物半導体層の上に設けられ、第2方向に延伸する第2ドレイン配線と、第1ドレイン配線と第2ドレイン配線の間の下の第2窒化物半導体層に設けられた第1素子分離領域と、第1ドレイン配線及び第2ドレイン配線の上に設けられ、第2方向に延伸する第3ドレイン配線と、を有する第1ドレイン電極と、を備え、第3ドレイン配線には第1孔と、第1孔よりも第3ドレイン配線の先端から離れた第2孔と、第2孔よりも第3ドレイン配線の先端から離れた第3孔と、を含む第1の複数の孔が設けられ、第1孔と第2孔との第1距離は第2孔と第3孔との第2距離よりも短い。
本実施形態の半導体装置は、基板と、基板上に設けられた第1窒化物半導体層と、第1窒化物半導体層の上に設けられ、第1窒化物半導体層よりバンドギャップの大きな第2窒化物半導体層と、第2窒化物半導体層の上に設けられ、基板の基板面に平行な第1方向に延伸する第1配線と、第2窒化物半導体層の上に設けられ、第1配線に電気的に接続され、基板面に平行で第1方向に交差する第2方向に延伸する第1ソース電極と、第2窒化物半導体層の上に設けられ、第2方向に延伸する第1ゲート電極と、第2窒化物半導体層の上に設けられ、第2方向に延伸する第1ドレイン配線と、第2窒化物半導体層の上に設けられ、第2方向に延伸する第2ドレイン配線と、第1ドレイン配線と第2ドレイン配線の間の下の第2窒化物半導体層に設けられた第1素子分離領域と、第1ドレイン配線及び第2ドレイン配線の上に設けられ、第2方向に延伸する第3ドレイン配線と、を有する第1ドレイン電極と、を備え、第3ドレイン配線には第1孔と、第1孔よりも第3ドレイン配線の先端から離れた第2孔と、第2孔よりも第3ドレイン配線の先端から離れた第3孔と、を含む第1の複数の孔が設けられ、第1孔の長さは第2孔の長さよりも長く、第2孔の長さは第3孔の長さよりも長い。
本実施形態の半導体装置においては、第2方向における第1孔の長さは第2方向における第2孔の長さよりも長く、第2方向における第2孔の長さは第2方向における第3孔の長さよりも長い点で、第2実施形態の半導体装置と異なっている。
2a :基板面
6 :第1窒化物半導体層
7 :電極
8 :第2窒化物半導体層
9 :ゲート絶縁膜
10 :ソース電極
10b :第1ソース電極
10c :第2ソース電極
12 :第1ソース配線
14 :第2ソース配線
16 :第3ソース配線
18 :第4ソース配線
20 :第5ソース配線
22 :第5構造
24 :第2素子分離領域
26 :第2孔
28 :第3側孔
30 :第4側孔
32 :第3仮想直線
34 :第4仮想直線
40 :ドレイン電極
42 :第1ドレイン配線(第4ドレイン配線)
44 :第2ドレイン配線(第5ドレイン配線)
46 :第3ドレイン配線(第6ドレイン配線)
48 :第4ドレイン配線
50 :第5ドレイン配線
52 :第1構造
54 :第1素子分離領域
56 :第1孔
58 :第1側孔
60 :第2側孔
62 :第1仮想直線(第5仮想直線)
64 :第2仮想直線(第6仮想直線)
70 :ゲート電極
70c :第1ゲート電極
70d :第2ゲート電極
80 :第1配線
82 :第2配線
84 :第3配線
90a :第7仮想直線
90b :第9仮想直線
90c :第8仮想直線
100 :半導体装置
Claims (8)
- 基板と、
前記基板上に設けられた第1窒化物半導体層と、
前記第1窒化物半導体層の上に設けられ、前記第1窒化物半導体層よりバンドギャップの大きな第2窒化物半導体層と、
前記第2窒化物半導体層の上に設けられ、前記基板の基板面に平行な第1方向に延伸する第1配線と、
前記第2窒化物半導体層の上に設けられ、前記第1配線に電気的に接続され、前記基板面に平行で前記第1方向に交差する第2方向に延伸する第1ソース電極と、
前記第2窒化物半導体層の上に設けられ、前記第2方向に延伸する第1ゲート電極と、
前記第2窒化物半導体層の上に設けられ、前記第2方向に延伸する第1ドレイン配線と、
前記第2窒化物半導体層の上に設けられ、前記第2方向に延伸する第2ドレイン配線と、
前記第1ドレイン配線と前記第2ドレイン配線の間の下の前記第2窒化物半導体層に設けられた第1素子分離領域と、
前記第1ドレイン配線及び前記第2ドレイン配線の上に設けられ、前記第2方向に延伸する第3ドレイン配線と、
を有する第1ドレイン電極と、
を備え、
前記第3ドレイン配線には第1孔と、前記第1孔よりも前記第3ドレイン配線の先端から離れた第2孔と、前記第2孔よりも前記第3ドレイン配線の先端から離れた第3孔と、を含む第1の複数の孔が設けられ、
前記第1孔と前記第2孔との第1距離は前記第2孔と前記第3孔との第2距離よりも短い、
半導体装置。 - 前記第1ソース電極は、
前記第2方向に延伸する第1ソース配線と、
前記第2方向に延伸する第2ソース配線と、
前記第1ソース配線と前記第2ソース配線の間の下の前記第2窒化物半導体層に設けられた第2素子分離領域と、
前記第1ソース配線及び前記第2ソース配線の上に設けられ、前記第2方向に延伸する第3ソース配線と、
を有し、
前記第3ソース配線には、第4孔と、前記第4孔よりも前記第3ソース配線の先端から離れた第5孔と、前記第5孔よりも前記第3ソース配線の先端から離れた第6孔と、含む第2の複数の孔が設けられ、
前記第4孔と前記第5孔との第3距離は前記第5孔と前記第6孔との第4距離よりも短い、
請求項1記載の半導体装置。 - 前記第1距離と前記第3距離は等しく、前記第2距離と前記第4距離は等しい、
請求項2記載の半導体装置。 - 前記第2窒化物半導体層の上に設けられ、前記第2方向に延伸する第4ドレイン配線と、
前記第2窒化物半導体層の上に設けられ、前記第2方向に延伸する第5ドレイン配線と、
前記第4ドレイン配線と前記第5ドレイン配線の間の下の前記第2窒化物半導体層に設けられた第3素子分離領域と、
前記第4ドレイン配線及び前記第5ドレイン配線の上に設けられ、前記第2方向に延伸する第6ドレイン配線と、
を有する第2ドレイン電極をさらに備え、
前記第6ドレイン配線には第7孔と、前記第7孔よりも前記第3ドレイン配線の先端から離れた第8孔と、前記第8孔よりも前記第3ドレイン配線の先端から離れた第9孔と、を含む第3の複数の孔が設けられ、
前記第7孔と前記第8孔との第5距離は前記第8孔と前記第9孔との第6距離よりも短い、
請求項1乃至請求項3いずれか一項記載の半導体装置。 - 基板と、
前記基板上に設けられた第1窒化物半導体層と、
前記第1窒化物半導体層の上に設けられ、前記第1窒化物半導体層よりバンドギャップの大きな第2窒化物半導体層と、
前記第2窒化物半導体層の上に設けられ、前記基板の基板面に平行な第1方向に延伸する第1配線と、
前記第2窒化物半導体層の上に設けられ、前記第1配線に電気的に接続され、前記基板面に平行で前記第1方向に交差する第2方向に延伸する第1ソース電極と、
前記第2窒化物半導体層の上に設けられ、前記第2方向に延伸する第1ゲート電極と、
前記第2窒化物半導体層の上に設けられ、前記第2方向に延伸する第1ドレイン配線と、
前記第2窒化物半導体層の上に設けられ、前記第2方向に延伸する第2ドレイン配線と、
前記第1ドレイン配線と前記第2ドレイン配線の間の下の前記第2窒化物半導体層に設けられた第1素子分離領域と、
前記第1ドレイン配線及び前記第2ドレイン配線の上に設けられ、前記第2方向に延伸する第3ドレイン配線と、
を有する第1ドレイン電極と、
を備え、
前記第3ドレイン配線には第1孔と、前記第1孔よりも前記第3ドレイン配線の先端から離れた第2孔と、前記第2孔よりも前記第3ドレイン配線の先端から離れた第3孔と、を含む第1の複数の孔が設けられ、
前記第1孔の長さは前記第2孔の長さよりも長く、前記第2孔の長さは前記第3孔の長さよりも長い、半導体装置。 - 前記第1方向における前記第1孔の長さは前記第1方向における前記第2孔の長さよりも長く、前記第1方向における前記第2孔の長さは前記第1方向における前記第3孔の長さよりも長い、請求項5に記載の半導体装置。
- 前記第2方向における前記第1孔の長さは前記第2方向における前記第2孔の長さよりも長く、前記第2方向における前記第2孔の長さは前記第2方向における前記第3孔の長さよりも長い、請求項5に記載の半導体装置。
- 前記基板は、Si(シリコン)基板である、
請求項1乃至請求項7いずれか一項記載の半導体装置。
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