JP6585422B2 - レーザー加工方法 - Google Patents
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Description
[実施例1]
ウエーハWは、基板WSの材質としてシリコン(Si)を用いている。保護膜溶液としては、SiO2ナノ粒子水分散液(平均粒径が10nmのシリカ粒子と純水とをSiO2濃度が20%に調整した液):1.5mlを、純水:11.7mlを用いて希釈し、この液にPGME(プロピレングリコールメチルエーテル):1.8mlを加えた後、界面活性剤(ポリオキシエチレンアルキルエーテル):3mlを加えて調製したものを用いた。この保護膜溶液をウエーハWの表面に供給し、この表面に膜厚が200nmの保護膜P(液膜)を形成した。
波長:532nm、出力:10.5W、繰り返し周波数:15kHz、加工送り速度:50mm/秒。
実施例2では、アブレーション加工の加工条件のうち、加工送り速度:100mm/秒とした点で実施例1と異なり、その他の構成はすべて実施例1と同一である。
実施例3では、アブレーション加工の加工条件を、出力:8.4W、繰り返し周波数:5kHz、加工送り速度:100mm/秒とした点で実施例1と異なり、その他の構成はすべて実施例1と同一である。
実施例4では、アブレーション加工の加工条件を、出力:8.4W、繰り返し周波数:5kHz、加工送り速度:600mm/秒とした点で実施例1と異なり、その他の構成はすべて実施例1と同一である。
実施例1と同様に、ウエーハWは、基板WSの材質としてシリコン(Si)を用いている。保護膜Pは、水溶性の高分子樹脂材であるPVA(ポリビニルアルコール)を用いて、ウエーハWの表面にPVAからなる膜厚が2000nmの保護膜P(高分子樹脂膜)を形成した。また、アブレーション加工は、実施例1と同一の加工条件で行った。
比較例2では、アブレーション加工の加工条件のうち、加工送り速度:100mm/秒とした点で比較例1と異なり、その他の構成はすべて比較例1と同一である。
比較例3では、アブレーション加工の加工条件を、出力:8.4W、繰り返し周波数:5kHz、加工送り速度:100mm/秒とした点で比較例1と異なり、その他の構成はすべて比較例1と同一である。
比較例4では、アブレーション加工の加工条件を、出力:8.4W、繰り返し周波数:5kHz、加工送り速度:600mm/秒とした点で比較例1と異なり、その他の構成はすべて比較例1と同一である。
実施例1と同様に、ウエーハWは、基板WSの材質としてシリコン(Si)を用いている。保護膜Pは、水溶性の高分子樹脂材であるPVP(ポリビニルピロリドン)を用いて、ウエーハWの表面にPVPからなる膜厚が1300nmの保護膜P(高分子樹脂膜)を形成した。また、アブレーション加工は、実施例1と同一の加工条件で行った。
比較例6では、アブレーション加工の加工条件のうち、加工送り速度:100mm/秒とした点で比較例5と異なり、その他の構成はすべて比較例5と同一である。
比較例7では、アブレーション加工の加工条件を、出力:8.4W、繰り返し周波数:5kHz、加工送り速度:100mm/秒とした点で比較例5と異なり、その他の構成はすべて比較例5と同一である。
比較例8では、アブレーション加工の加工条件を、出力:8.4W、繰り返し周波数:5kHz、加工送り速度:600mm/秒とした点で比較例5と異なり、その他の構成はすべて比較例5と同一である。
実施例1と同様に、ウエーハWは、基板WSの材質としてシリコン(Si)を用いている。保護膜Pは、水溶性の高分子樹脂材であるPVA(ポリビニルアルコール)に光吸収剤(モノアゾ染料)を所定量(PVA樹脂100重量部あたり0.01重量部以上0.1重量部以下)を加えたものを用いた。ウエーハWの表面にはPVAと光吸収剤とからなる膜厚が2000nmの保護膜P(高分子樹脂膜)を形成した。また、アブレーション加工は、実施例1と同一の加工条件で行った。
比較例10では、アブレーション加工の加工条件のうち、加工送り速度:100mm/秒とした点で比較例9と異なり、その他の構成はすべて比較例9と同一である。
比較例11では、アブレーション加工の加工条件を、出力:8.4W、繰り返し周波数:5kHz、加工送り速度:100mm/秒とした点で比較例9と異なり、その他の構成はすべて比較例9と同一である。
比較例12では、アブレーション加工の加工条件を、出力:8.4W、繰り返し周波数:5kHz、加工送り速度:600mm/秒とした点で比較例9と異なり、その他の構成はすべて比較例9と同一である。
ウエーハWは、基板WSの材質としてガリウムヒ素(GaAs)を用いている。保護膜溶液としては、実施例1と同様に、SiO2ナノ粒子水分散液(平均粒径が10nmのシリカ粒子と純水とをSiO2濃度が20%に調整した液):1.5mlを、純水:11.7mlを用いて希釈し、この液にPGME(プロピレングリコールメチルエーテル):1.8mlを加えた後、界面活性剤(ポリオキシエチレンアルキルエーテル):3mlを加えて調製したものを用いた。この保護膜溶液をウエーハWの表面に供給し、この表面に膜厚が200nmの保護膜P(液膜)を形成した。
波長:532nm、出力:4.75W、繰り返し周波数:15kHz、加工送り速度:50mm/秒。
実施例6では、アブレーション加工の加工条件のうち、加工送り速度:100mm/秒とした点で実施例5と異なり、その他の構成はすべて実施例5と同一である。
実施例7では、アブレーション加工の加工条件のうち、繰り返し周波数:5kHz、加工送り速度:300mm/秒とした点で実施例5と異なり、その他の構成はすべて実施例5と同一である。
実施例8では、アブレーション加工の加工条件のうち、繰り返し周波数:5kHz、加工送り速度:600mm/秒とした点で実施例5と異なり、その他の構成はすべて実施例5と同一である。
実施例5と同様に、ウエーハWは、基板WSの材質としてガリウムヒ素(GaAs)を用いている。保護膜Pは、水溶性の高分子樹脂材であるPVA(ポリビニルアルコール)を用いて、ウエーハWの表面にPVAからなる膜厚が2000nmの保護膜P(高分子樹脂膜)を形成した。また、アブレーション加工は、実施例5と同一の加工条件で行った。
比較例14では、アブレーション加工の加工条件のうち、加工送り速度:100mm/秒とした点で比較例13と異なり、その他の構成はすべて比較例13と同一である。
比較例15では、アブレーション加工の加工条件のうち、繰り返し周波数:5kHz、加工送り速度:300mm/秒とした点で比較例13と異なり、その他の構成はすべて比較例13と同一である。
比較例16では、アブレーション加工の加工条件のうち、繰り返し周波数:5kHz、加工送り速度:600mm/秒とした点で比較例13と異なり、その他の構成はすべて比較例13と同一である。
実施例5と同様に、ウエーハWは、基板WSの材質としてガリウムヒ素(GaAs)を用いている。保護膜Pは、水溶性の高分子樹脂材であるPVP(ポリビニルピロリドン)を用いて、ウエーハWの表面にPVPからなる膜厚が1300nmの保護膜P(高分子樹脂膜)を形成した。また、アブレーション加工は、実施例5と同一の加工条件で行った。
比較例18では、アブレーション加工の加工条件のうち、加工送り速度:100mm/秒とした点で比較例17と異なり、その他の構成はすべて比較例17と同一である。
比較例19では、アブレーション加工の加工条件を、繰り返し周波数:5kHz、加工送り速度:300mm/秒とした点で比較例17と異なり、その他の構成はすべて比較例17と同一である。
比較例20では、アブレーション加工の加工条件を、繰り返し周波数:5kHz、加工送り速度:600mm/秒とした点で比較例17と異なり、その他の構成はすべて比較例17と同一である。
実施例5と同様に、ウエーハWは、基板WSの材質としてガリウムヒ素(GaAs)を用いている。保護膜Pは、水溶性の高分子樹脂材であるPVA(ポリビニルアルコール)に光吸収剤(モノアゾ染料)を所定量(PVA樹脂100重量部あたり0.01重量部以上0.1重量部以下)を加えたものを用いた。ウエーハWの表面にはPVAと光吸収剤とからなる膜厚が2000nmの保護膜P(高分子樹脂膜)を形成した。また、アブレーション加工は、実施例5と同一の加工条件で行った。
比較例22では、アブレーション加工の加工条件のうち、加工送り速度:100mm/秒とした点で比較例21と異なり、その他の構成はすべて比較例21と同一である。
比較例23では、アブレーション加工の加工条件を、繰り返し周波数:5kHz、加工送り速度:300mm/秒とした点で比較例21と異なり、その他の構成はすべて比較例21と同一である。
比較例24では、アブレーション加工の加工条件を、繰り返し周波数:5kHz、加工送り速度:600mm/秒とした点で比較例21と異なり、その他の構成はすべて比較例21と同一である。
ウエーハWは、基板WSの材質としてシリコン上に銅を成膜したもの(Cu/Si)を用いている。保護膜溶液としては、実施例1と同様に、SiO2ナノ粒子水分散液(平均粒径が10nmのシリカ粒子と純水とをSiO2濃度が20%に調整した液):1.5mlを、純水:11.7mlを用いて希釈し、この液にPGME(プロピレングリコールメチルエーテル):1.8mlを加えた後、界面活性剤(ポリオキシエチレンアルキルエーテル):3mlを加えて調製したものを用いた。この保護膜溶液をウエーハWの表面に供給し、この表面に膜厚が200nmの保護膜P(液膜)を形成した。
波長:355nm、出力:2W、繰り返し周波数:100kHz、加工送り速度:200mm/秒。
実施例10では、アブレーション加工の加工条件のうち、出力:4.0W、繰り返し周波数:40kHzとした点で実施例9と異なり、その他の構成はすべて実施例9と同一である。
実施例11では、アブレーション加工の加工条件のうち、出力:4.0W、繰り返し周波数:40kHz、加工送り速度:400mm/秒とした点で実施例9と異なり、その他の構成はすべて実施例9と同一である。
実施例12では、アブレーション加工の加工条件のうち、出力:4.0W、繰り返し周波数:40kHz、加工送り速度:600mm/秒とした点で実施例9と異なり、その他の構成はすべて実施例9と同一である。
実施例9と同様に、ウエーハWは、基板WSの材質としてシリコン上に銅を成膜したもの(Cu/Si)を用いている。保護膜Pは、水溶性の高分子樹脂材であるPVA(ポリビニルアルコール)を用いて、ウエーハWの表面にPVAからなる膜厚が2000nmの保護膜P(高分子樹脂膜)を形成した。また、アブレーション加工は、実施例9と同一の加工条件で行った。
比較例26では、アブレーション加工の加工条件のうち、出力:4.0W、繰り返し周波数:40kHzとした点で比較例25と異なり、その他の構成はすべて比較例25と同一である。
比較例27では、アブレーション加工の加工条件のうち、出力:4.0W、繰り返し周波数:40kHz、加工送り速度:400mm/秒とした点で比較例25と異なり、その他の構成はすべて比較例25と同一である。
比較例28では、アブレーション加工の加工条件のうち、出力:4.0W、繰り返し周波数:40kHz、加工送り速度:600mm/秒とした点で比較例25と異なり、その他の構成はすべて比較例25と同一である。
実施例9と同様に、ウエーハWは、基板WSの材質としてシリコン上に銅を成膜したもの(Cu/Si)を用いている。保護膜Pは、水溶性の高分子樹脂材であるPVA(ポリビニルアルコール)に光吸収剤(モノアゾ染料)を所定量(PVA樹脂100重量部あたり0.01重量部以上0.1重量部以下)を加えたものを用いた。ウエーハWの表面にはPVAと光吸収剤とからなる膜厚が2000nmの保護膜P(高分子樹脂膜)を形成した。また、アブレーション加工は、実施例9と同一の加工条件で行った。
比較例30では、アブレーション加工の加工条件のうち、出力:4.0W、繰り返し周波数:40kHzとした点で比較例29と異なり、その他の構成はすべて比較例29と同一である。
比較例31では、アブレーション加工の加工条件のうち、出力:4.0W、繰り返し周波数:40kHz、加工送り速度:400mm/秒とした点で比較例29と異なり、その他の構成はすべて比較例29と同一である。
比較例32では、アブレーション加工の加工条件のうち、出力:4.0W、繰り返し周波数:40kHz、加工送り速度:600mm/秒とした点で比較例29と異なり、その他の構成はすべて比較例29と同一である。
実施例9と同様に、ウエーハWは、基板WSの材質としてシリコン上に銅を成膜したもの(Cu/Si)を用いている。保護膜Pは、水溶性の高分子樹脂材であるPVP(ポリビニルピロリドン)に光吸収剤(モノアゾ染料)を所定量(PVP樹脂100重量部あたり0.01重量部以上0.1重量部以下)を加えたものを用いた。ウエーハWの表面にはPVPと光吸収剤とからなる膜厚が1300nmの保護膜P(高分子樹脂膜)を形成した。また、アブレーション加工は、実施例9と同一の加工条件で行った。
比較例34では、アブレーション加工の加工条件のうち、出力:4.0W、繰り返し周波数:40kHzとした点で比較例33と異なり、その他の構成はすべて比較例33と同一である。
比較例35では、アブレーション加工の加工条件のうち、出力:4.0W、繰り返し周波数:40kHz、加工送り速度:400mm/秒とした点で比較例33と異なり、その他の構成はすべて比較例33と同一である。
比較例36では、アブレーション加工の加工条件のうち、出力:4.0W、繰り返し周波数:40kHz、加工送り速度:600mm/秒とした点で比較例33と異なり、その他の構成はすべて比較例33と同一である。
10 チャックテーブル
20 レーザー光線照射部
50 保護膜形成兼洗浄部
51 スピンナテーブル
51a 吸着チャック
52 電動モータ
52a 駆動軸
55 保護膜溶液供給ノズル
57 洗浄水ノズル
70 保護膜溶液(界面活性剤中にシリカ粒子が分散された液)
72 洗浄水
100 レーザー加工溝
D デバイス
L ストリート
P 保護膜
W ウエーハ
Claims (3)
- 基板にレーザービームを照射して前記基板をアブレーション加工するレーザー加工方法であって、
少なくとも前記アブレーション加工すべき前記基板上の領域に、界面活性剤中にシリカ粒子が分散されて、該シリカ粒子と純水と該界面活性剤とを含む液を塗布して、前記領域に前記シリカ粒子と該純水と該界面活性剤とを含む液膜を形成する液膜形成工程と、
前記液膜が形成された前記領域に前記レーザービームを照射して前記アブレーション加工を施すレーザー加工工程と、
を備えるレーザー加工方法。 - 前記シリカ粒子は、平均粒径が5nm以上200nm以下である請求項1に記載のレーザー加工方法。
- 前記界面活性剤は、ノニオン系界面活性剤である請求項1または2に記載のレーザー加工方法。
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JP2015165012A JP6585422B2 (ja) | 2015-08-24 | 2015-08-24 | レーザー加工方法 |
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