JP6582717B2 - 電子電気機器 - Google Patents

電子電気機器 Download PDF

Info

Publication number
JP6582717B2
JP6582717B2 JP2015161053A JP2015161053A JP6582717B2 JP 6582717 B2 JP6582717 B2 JP 6582717B2 JP 2015161053 A JP2015161053 A JP 2015161053A JP 2015161053 A JP2015161053 A JP 2015161053A JP 6582717 B2 JP6582717 B2 JP 6582717B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat sink
conductor
fin
housing
electronic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015161053A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017041493A (ja
Inventor
美和子 藤田
美和子 藤田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP2015161053A priority Critical patent/JP6582717B2/ja
Priority to CN201610498844.2A priority patent/CN106469695B/zh
Priority to DE102016213517.1A priority patent/DE102016213517B4/de
Publication of JP2017041493A publication Critical patent/JP2017041493A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6582717B2 publication Critical patent/JP6582717B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3672Foil-like cooling fins or heat sinks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64Impedance arrangements
    • H01L2223/66High-frequency adaptations
    • H01L2223/6661High-frequency adaptations for passive devices
    • H01L2223/6677High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64Impedance arrangements
    • H01L23/66High-frequency adaptations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/30105Capacitance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/30107Inductance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3011Impedance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

本発明は、電子電気機器から発生する放射ノイズを低減することが可能な電子電気機器に関する。
近年、電子電気機器に搭載する半導体の高速化などにより、電子電気機器からの放射ノイズによる他の電子電気機器への影響が問題になっている。この放射ノイズによる他の電子電気機器への影響はEMI(Electro Magnetic Interference)と呼ばれ、主に無線機器、通信機器の受信障害や、電子電気機器の誤動作を引き起こす。そのため、各国では30MHz〜1GHz、あるいは使用する周波数によっては、それ以上の周波数帯域において、電子電気機器から発生する放射ノイズの規制を行っている。
電子電気機器から発生する放射ノイズを抑制するために、電子電気機器内の回路基板、モジュール配線、ヒートシンクなどのノイズ放射源を、金属、導電性樹脂、メッキされた樹脂などのシールド筐体で覆う方法が広く用いられる。しかしながら、ノイズ放射源をシールド筐体で覆う方法は、冷却性能との両立性が課題となる。
これに対して、以下に示す特許文献1においては、筐体の外周に放熱性能を向上させるためにフィン構造を形成し、冷却性能を向上させる方法を提示している。
また放射ノイズは、ノイズ放射源における共振や定在波が発生する周波数において高レベルとなる。このような特性に対する放射ノイズ抑制法として、以下に示す特許文献2においては、ヒートシンクから発生する放射ノイズの低減法が示されている。
図11は、従来から知られた電子電気機器のヒートシンクに発生する定在波の様子を示す図である。図11に示されるように、半導体素子(スイッチング素子)100によって発生したノイズとヒートシンク200とが静電容量などを介して電気的に結合すると、導体であるヒートシンク200は放射ノイズを発生するアンテナとして作用する。そして、ヒートシンク200の寸法が波長の1/2となる周波数では、ヒートシンク200に定在波400が発生し、放射ノイズの放射効率は高まる。このようにして発生する放射ノイズへの対策として、ノイズ放射源をシールド筐体で覆うのでなく、ヒートシンクのベース部に定在波が発生しないように、ヒートシンクの導電経路長を設計することで、放射ノイズの放射効率自体を低減する方法が提案されている。
また以下に示す特許文献3においては、半導体パワースイッチング素子とヒートシンク間の浮遊容量を低減し、あるいはヒートシンクとインバータの筐体との間の電気抵抗を高くして、高い電圧変化による漏れ電流を抑制して、放射ノイズを低減する方法を提示している。
図12は、従来から知られた電子電気機器のヒートシンクと筐体間の電磁結合の発生の様子を示す図である。また図13は、図12に示す従来構成例における放射電界強度(ヒートシンクと筐体間の電磁結合に起因する共振ピーク)の観測例を示す図である。
図12および図13において、半導体素子100のスイッチングにより発生したノイズ成分は、浮遊容量を介してヒートシンク200に伝搬する。このとき、ヒートシンク近傍の金属筐体との電磁結合350により、ヒートシンク200と筐体300の間に共振が発生する。するとこの共振周波数において、ヒートシンク200に伝搬したノイズ成分は大きな電界振動を発生し、高レベルの放射ノイズとして外部で観測される。図13は、その様子を示すもので、120MHzにおけるピークが、上述した共振に起因する電界成分として観測される。
特開2006−049555号公報 特開2008−103458号公報 特許第3649259号公報
上記したように、半導体素子(例.半導体スイッチング素子)、導電体からなるヒートシンク、導電体からなる筐体(ただし、半導体素子及びヒートシンクの全体を覆ってはいない筐体)を上から順に配置する従来の電子電気機器の構造では、発生した放射ノイズがヒートシンクに、更にヒートシンクと筐体間の電磁結合により大きな放射電界が生じるため、その低減法が求められている。
そこで本発明は、半導体素子、導電体からなるヒートシンク、導電体からなる筐体(ただし、半導体素子及びヒートシンクの全体を覆ってはいない筐体)の配置を含む電子電気機器から発生する放射ノイズを大幅に低減することが可能な電子電気機器を提供することを目的とするものである。
上記課題を解決するために本発明の電子電気機器は、半導体素子と、該半導体素子の発熱を放熱する、導電体からなるヒートシンクと、導電からなる筐体とを、その順に配置した構成(ただし、上記筐体は、上記半導体素子及び上記ヒートシンクの全体を覆ってはいない)を具備し、上記ヒートシンクは、ベース部と、上記ベース部に立設あるいは上記ベース部の嵌合用凹部に装着された少なくとも一つのフィンにより構成されるフィン部とを備え、上記フィン部と上記筐体とに面接触し、少なくとも表面が導体であるノイズ低減用導体を設けることで、上記ヒートシンクと上記筐体との間の共振を抑制または高周波化する構成としたことを特徴とする。
また、上記ヒートシンクと上記筐体部間の共振を抑制または高周波化するために、上記ヒートシンクと上記筐体が面接触するような、ヒートシンクと筐体の配置、あるいは、ヒートシンクの形状を有することを特徴とする。
本発明によれば、熱及び電磁波の発生源たる半導体素子を取り巻くヒートシンクや筐体構造に関わる放射ノイズを、簡素かつ効果的に低減することが可能となる。
本発明の実施形態1に係る電子電気機器のヒートシンクのフィン部と筐体とをノイズ低減用導体を介して面接触させる構造を示す図である。 本発明の実施形態1に係る電子電気機器における放射電界強度の低減効果を示す図である。 本発明の実施形態2に係る電子電気機器のヒートシンクのフィン部と筐体とをノイズ低減用導体(例.導電性板)を介して面接触させる構造を示す図である。 本発明の実施形態3に係る電子電気機器のヒートシンクのフィン部と筐体をノイズ低減用導体(例.導電性ガスケット)を介して面接触させる構造を示す図である。 本発明の実施形態4に係る電子電気機器のヒートシンクのフィン部において複数の凸部を横断する方向に延在するノイズ低減用導体を介して面接触させる構造(その1)を示す図である。 本発明の実施形態4に係る電子電気機器のヒートシンクのフィン部において複数の凸部を横断する方向に延在するノイズ低減用導体を介して面接触させる構造(その2)を示す図である。 本発明の実施形態4に係る電子電気機器のヒートシンクのフィン部において複数の凸部を横断する方向に延在するノイズ低減用導体を介して面接触させる構造(その3)を示す図である。 本発明の実施形態5に係る筐体とヒートシンクが接続された辺を有する電子電気機器の筐体とヒートシンクの接続辺に対して垂直方向に延在するノイズ低減用導体を介して面接触させる構造(その1)を示す図である。 本発明の実施形態5に係る筐体とヒートシンクが接続された辺を有する電子電気機器の筐体とヒートシンクの接続辺に対して垂直方向に延在するノイズ低減用導体を介して面接触させる構造(その2)を示す図である。 本発明の実施形態5に係る筐体とヒートシンクが接続された辺を有する電子電気機器の筐体とヒートシンクの接続辺に対して垂直方向に延在するノイズ低減用導体を介して面接触させる構造(その3)を示す図である。 従来から知られた電子電気機器のヒートシンクに発生する定在波の様子を示す図である。 従来から知られた電子電気機器のヒートシンクと筐体間の電磁結合の発生の様子を示す図である。 図12に示す従来構成例における放射電界強度(ヒートシンクと筐体間の電磁結合に起因する共振ピーク)の観測例を示す図である。
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
[実施形態1]
図1は、本発明の実施形態1に係る電子電気機器のヒートシンクのフィン部(放熱部)と筐体とをノイズ低減用導体を介して面接触させる構造を示す図である。すなわち、図1(a)ないし図1(d)は、本実施形態における半導体素子10、ヒートシンク20、筐体30、およびノイズ低減用導体41〜44の配置関係を、(a)例1〜(d)例4として示すものである。
より具体的に説明すると、図1(a-1),図1(a-2)に示す例1−1,例1−2、および、図1(b)に示す例2においては、ヒートシンク20のフィン部(放熱部)24と筐体30を、ノイズ低減用導体としての板状導体41、41’を介して面接触させることで電気的に導通させ、共振の発生を抑制するものである。
なお、図1(a-2)に示す例1−2は、ヒートシンク部24の一辺を蛇行した平板で形成している以外は例1−1に示す例と基本的に同様である。
図1(a-1),図1(a-2)および図1(b)では、ノイズ低減用の板状導体41、41’に凸部を設けて、ヒートシンク20のフィン間の隙間に嵌め込むことにより、フィン部24と筐体30をノイズ低減用の板状導体41を介して低インピーダンスで導通させるとともに、ノイズ低減用の板状導体41、41’を図示した位置に固定する。
図1(a−1),図1(a-2)に示す例1−1,例1−2では、ノイズ低減用の板状導体41、41’に設けられた凸部は一つだけであるが、図1(b)に示す例2のように、ノイズ低減用の板状導体42に2つ以上の凸部を設けるようにしても構わない。
また、図1(c)に示す例3では、ノイズ低減用の板状導体43をコの字形にし、さらに板状導体43のコの字の対向する部位に丸みを持たせ且つヒートシンク20のフィン間の隙間に挟み込み、丸みを持たせていない他の部位を筐体30に面接触させることにより、フィン部24と筐体30をノイズ低減用の板状導体43を介して低インピーダンスで導通させるとともに、ノイズ低減用の板状導体43の反力によりノイズ低減用の板状導体43を図示した位置に固定するようにしている。
また、導体を固定する方法としては、図1(d)に示す例4のように、筐体30に、ネジ80や、接着剤、導電性テープ、導電性ペーストなどを用いて固定する構造にしても良いし、ノイズ低減用の板状導体44を筐体30に嵌め込む構造(不図示)にしても良い。
図示例の図1(a)〜図1(d)は一例にすぎないが、ヒートシンクと筐体をノイズ低減用導体により低インピーダンスになるように面接触させることが本発明を実施するうえでもっとも重要となる。ヒートシンクと筐体間の接触インピーダンスを小さくすることによって、共振を十分に抑制することができる。一方で、ヒートシンクと筐体を細線で接続した場合は、その接触インピーダンスが大きくなり、十分な共振抑制効果が得られないことや、場合によっては細線を追加したことによる意図しない共振が発生するなど、共振抑制対策としては不十分となることがある。
このことからノイズ低減用の板状導体の材質は、表面インピーダンスが低いものが好ましいが、特に制約は設けず、例えばアルミ板であっても銅板であっても良い。表面のみ導電性物質で形成された材料や、導電性布、導電性不織布、導電性シリコンゴムの様な複合材料でも良い。
なお上記した図1(a)ないし図1(d)は正面から見た断面図により表現したものであり、図示していないが側面から見ればノイズ低減用導体の凸部は、図11や図12に示されるヒートシンクの側面に対応して奥に延びる平面部を有しているものである。
図2は、本発明の実施形態1に係る電子電気機器における放射電界強度の低減効果を示す図である。すなわち図2は、本実施形態による放射ノイズの抑制効果(図2(a)参照)を図13に示す従来構成により発生するによる放射ノイズと比較して示しており(図2(b)参照)、従来構成における外部放射電界強度を表す図13において生じている120MHz近辺のピーク成分が本実施形態を適用することにより低減しているのがわかる。
[実施形態2]
図3は、本発明の実施形態2に係る電子電気機器のヒートシンクのフィン部(放熱部)と筐体とをノイズ低減用導体(例.導電性板)を介して面接触させる構造を示す図である。すなわち、図3(a)〜図3(c)は、本実施形態における半導体素子10、ヒートシンク20、筐体30、およびノイズ低減用導体51〜53の配置関係を、(a)例1〜(c)例3として示すものである。ヒートシンク20のフィン部(放熱部)24の底面と筐体30を、ノイズ低減用導体としての導電性板51〜53によって面接触させることで電気的に導通させ、前述した共振を抑制している。
図3(a)はノイズ低減用の導電性板51に湾曲凸部を設けて、これをヒートシンクのフィン部24の底面と筐体30の空隙に配置することにより、フィン部24の底面と筐体30をノイズ低減用の導電性板51を介して低インピーダンスで導通させるとともに、ノイズ低減用の導電性板51を図示した位置に固定している。
図3(b)はノイズ低減用の導電性板52に複数の湾曲凸部を設けて、これをフィン部24の底面と筐体30の空隙に配置することにより、フィン部24の底面と筐体30をノイズ低減用の導電性板52を介して低インピーダンスで導通させるとともに、ノイズ低減用の導電性板52を図示した位置に固定している。
図3(c)はノイズ低減用の導電性板53をコの字形に湾曲形成し、これをフィン部24の底面と筐体30の空隙に配置することにより、フィン部24の底面と筐体30をノイズ低減用の導電性板53を介して低インピーダンスで導通させるとともに、ノイズ低減用の導電性板53を図示した位置に固定している。
ノイズ低減用の導電性板の固定方法としては、図3(a)〜図3(c)には板ばねによる反力を利用して、ヒートシンクのフィン部24と筐体30間に固定する例を示しているが、筐体30にネジや接着剤および導電性テープや導電性ペースト等を用いて固定する構造や、ノイズ低減用の導電性板51〜53を筐体30に嵌め込む構造(不図示)としても良い。
またノイズ低減用の導電性板の材質についても、実施形態1と同様に特に制約はないが、接触インピーダンスが低いものが好ましい。
すなわち実施形態1と同様に、ヒートシンクのフィン部24と筐体30間の接触インピーダンスが小さくなるように、ノイズ低減用の導電性板51〜53を形成・配置することが、十分なノイズ低減効果を得るために重要となる。
[実施形態3]
図4は、本発明の実施形態3に係る電子電気機器のヒートシンクのフィン部(放熱部)と筐体をノイズ低減用導体(例.導電性ガスケット)を介して面接触させる構造を示す図である。すなわち、図4(a)〜図4(c)は、本実施形態における半導体素子10、ヒートシンク20、筐体30、およびノイズ低減用導体61〜63の配置関係を、(a)例1〜(c)例3として示すものである。ヒートシンク20のフィン部24の底面と筐体30、またはヒートシンク20のフィン部24の側面およびフィン部24の底面と筐体30、をノイズ低減用導体として導電性(例.金属)ガスケット61〜63によって面接触させることで電気的に導通させ、前述した共振を抑制している。すなわち、
図4(a)は、導電性ガスケット61を、ヒートシンクのフィン部24の底面と筐体30の空隙に配置することにより、フィン部24の底面とノイズ低減用の導電性ガスケット61を低インピーダンスで導通させるとともに、ノイズ低減用の導電性ガスケット61を図示した位置に固定している。
図4(b)は、導電性ガスケット62を、ヒートシンク20のフィン部24間の空隙と、ヒートシンク20のフィン部24の底面と筐体30の空隙にL字形に配置することにより、フィン部24の底面とノイズ低減用の導電性ガスケット62を低インピーダンスで導通させるとともに、ノイズ低減用の導電性ガスケット62を図示した位置に固定している。
図4(c)は、導電性ガスケット63を、ヒートシンク20のフィン部24の異なる2つのフィン部24間の空隙と、ヒートシンク20のフィン部24の底面と筐体30の空隙にコの字形に配置することにより、フィン部20のフィン部24のフィン側面部及び底面とノイズ低減用の導電性ガスケット63を低インピーダンスで導通させるとともに、ノイズ低減用の導電性ガスケット63を図示した位置に固定している。
ここで、ノイズ低減用導体として導電性ガスケット61〜63を用いたものを例として示している。その場合に導電材は、実施形態1や実施形態2と同様に特に制約は設けないが、接触インピーダンスが低いものが好ましく、前述したフィン部24間の空隙を埋めるための厚みと弾性のある、導電性シリコンゴム、導電性布、導電性不織布などであってもよい。
すなわち実施形態1や実施形態2と同様に、ヒートシンク20のフィン部24と筐体30間の接触インピーダンスが小さくなるように、ノイズ低減用の導電性ガスケット61〜63を形成・配置することが、十分なノイズ低減効果を得るために重要となる。
[実施形態4]
図5は、本発明の実施形態4に係る電子電気機器のヒートシンクのフィン部(放熱部)の凹凸を横断する方向に延在するノイズ低減用導体を介して面接触させる構造(その1)を示す図である。すなわち、
本実施形態の図5(a)と図5(b)は、実施形態1の図1(b)と図1(c)に対して、高いノイズ低減効果を得るために必要となる特定位置にノイズ低減用導体42’、43’を配置したものである。
つまり図5(a)と図5(b)は、上記した図1(b)と図1(c)に対して、ノイズ低減用導体の長手方向に設けられた複数の凸部がヒートシンクのフィン部(放熱部)の複数の凸部を横断するように配置している点が特徴であり、これが高いノイズ低減効果を得るために必要なノイズ低減用導体の構造となるものである。
ここで、上記した配置構造が高いノイズ低減効果を奏する理由について説明すると、ヒートシンク20のフィン部24は複数の凸部を有しており、近接する凸部の間には密な電磁結合が生じ、これがヒートシンクのフィン部(放熱部)24の誘導結合や静電結合を大きくする要因となる。このようなヒートシンクのフィン部(放熱部)24の誘導結合や静電結合と、図12(b)に示した従来のヒートシンクと筐体間の電磁結合により、ヒートシンクのフィン部(放熱部)と筐体に共振が生じることになる。
本実施形態では、このヒートシンクのフィン部(放熱部)24に生じるインダクタンスやキャパシタンスを、ノイズ低減用導体42’ 、43’に設けられた複数の凸部で横断するように配置することで低減し、さらにノイズ低減用導体42’、43’に設けられた複数の凸部を介してヒートシンクのフィン部(放熱部)24と筐体30を面接触させていることによって、ヒートシンクのフィン部(放熱部)と筐体間の共振を抑制することができる。
図6は、本発明の実施形態4に係る電子電気機器のヒートシンクのフィン部(放熱部)と筐体とを長手方向に延在するノイズ低減用導体を介して面接触させる構造(その2)を示す図である。すなわち、
図6に示す本実施形態の構造例(その2)は、上記した図3に示す実施形態2の構造例に対して、高いノイズ低減効果を得るために必要となる特定位置にノイズ低減用導体51’〜53’を配置したものである。
その配置は、上記した図5の構造例(その1)と同様に、ノイズ低減用導体51’〜53’の長手方向に設けられた湾曲凸部がヒートシンク20のフィン部(放熱部)を横断するように配置したことに特徴があり、その効果も上述した図5の構造例(その1)と同様である。
なお、図6(b)はノイズ低減用導体52’を2つに分けてヒートシンクの重心となる部位について点対称に配置しているが、ノイズ低減用導体の長手方向に設けられた複数の湾曲凸部がヒートシンク20のフィン部(放熱部)を横断するように配置していれば、導体の数量は図示の例に限定されない。
また、図3(b)に対応する実施形態は特に図示しないが、図6(a)や図6(b)と同様に、ノイズ低減用導体の長手方向に設けられた単数又は複数の湾曲凸部がヒートシンク20のフィン部(放熱部)を横断するように配置すれば良い。
ここで、図6(d)は図3の実施形態2には図示されていない形態であるが、その構造例やノイズ低減効果は図6(c)と類似し、その違いは、ヒートシンクのフィン部と筐体の間に固定するためのノイズ低減用導体となる板バネの反力がかかる方向が図6(c)とは異なる形状となっているだけである。
図7は、本発明の実施形態4に係る電子電気機器のヒートシンクのフィン部(放熱部)と筐体とを長手方向に延在するノイズ低減用導体を介して面接触させる構造(その3)を示す図である。すなわち、
図7に示す本実施形態の構造例(その3)は、上記した図4に示す実施形態3の構造例に対して、高いノイズ低減効果を得るために必要となる特定位置にノイズ低減用導体60’、61’を配置したものである。
その配置は、上記した図5の構造例(その1)や図6の構造例(その2)と同様に、ノイズ低減用導体60’、61’の長手方向が複数のヒートシンクのフィン部(放熱部)を横断するように配置しているのが特徴であり、そのノイズ低減効果も上記したものと同様である。
また、図4(b)や図4(c)に対応する実施形態については特に図示しないが、図7(a)や図7(b)と同様に、ノイズ低減用導体の長手方向が複数のヒートシンクのフィン部(放熱部)を横断するように配置すれば良い。
なお、上記に示したノイズ低減用導体60’、61’は「複数のヒートシンクのフィン部(放熱部)を横断するように配置」するとともに、半導体素子のスイッチングにより発生したノイズ成分の伝搬を抑えるために、「パッケージ化された半導体素子の直下に重なるように配置」すること、並びに、「ヒートシンクの中央部と重なるように配置」することが望ましい。
[実施形態5]
図8〜図10は、本発明の実施形態5に係る筐体とヒートシンクが接続された辺を有する電子電気機器の筐体とヒートシンクの接続辺に対して垂直方向に延在するノイズ低減用導体を介して面接触させる構造を示す図である。
図8〜図10に示す本発明の実施形態5に係る構造例(その1〜その3)は、上記した実施形態1〜3に対して、高いノイズ低減効果を維持しつつ、ノイズ低減用導体の面積や量を減らすことができることに特徴がある。すなわち、上記した実施形態1〜3において、ヒートシンクと筐体の接触面積をできるだけ大きくするために、ノイズ低減用導体を大きくすると、高いノイズ低減効果が得られることが予想される。
しかしながら、ノイズ低減用導体をむやみに大きくすると、コストの増加や、製造性の悪化、設計自由度の低下などのトレードオフが生じる。しかるに本発明の実施形態5に係る構造例(その1〜その3)は、このような課題を克服するべく、ノイズ低減に効果のある斬新な配置にすることにより、高いノイズ低減効果を維持しつつ、ノイズ低減用導体の面積や量を減らすことができる。すなわち、
図8(a)および図8(b)は、上記した実施形態1を示す図1(b)および図1(c)に対して、高いノイズ低減効果を得るために必要となる特定位置にノイズ低減用導体42’、43’を配置したもの(その1)である。すなわち、図8(a)および図8(b)は、図1(b)および図1(c)に対し、ノイズ低減用導体42’、43’の長手方向を、筐体のヒートシンク接続部が接続された辺に対して垂直に配置するように構成した点に特徴を有している。これにより高いノイズ低減効果を得ることが可能となる。以下、その理由を説明する。
半導体素子10のスイッチングにより発生したノイズ成分は、半導体素子とパッケージ間に生じる浮遊容量を介してヒートシンク20に伝搬する。このとき、従来の構造ではヒートシンク近傍の金属筐体との電磁結合により共振が発生し、ヒートシンクと筐体には大きな電界振動が生じる。
しかし図8〜図10に示す本発明の実施形態5に係る構造では、この電界振動による電位差は、電気的に同電位と看做せる部分間には生じなくなる。したがって、筐体のヒートシンク接続部が接続された辺においては、その電気長に応じて発生する定在波は生じるものの、ヒートシンクと筐体間に生じる電磁結合による電界振動は生じない。
本発明の実施形態5に係る構造では、図8(a)や図8(b)に示す配置構成にしてノイズ低減用導体42’、43’を挿入することにより、筐体31のヒートシンク接続部が接続された辺と垂直方向にも電気的に同電位と看做せる面が生じることで、電界振動を抑制することが可能となる。
このように図8(a)や図8(b)に示す配置構成にしてノイズ低減用導体42’、43’を挿入することにより、筐体のヒートシンク接続部が接続された辺方向と、それに対して垂直な方向の両方向で電界振動を抑制することで、共振を抑制させることが可能となる。
図9は、本発明の実施形態5に係る筐体とヒートシンクが接続された辺を有する電子電気機器の筐体とヒートシンク接続辺対して垂直方向に延在するノイズ低減用導体を介して面接触させる構造(その2)を示す図である。すなわち、
構造例(その2)における、図9(a)および図9(b)は、上記した実施形態2を示す図3(a)に対して、図9(c)は、上記した実施形態2を示す図3(c)に対して、高いノイズ低減効果を得るために必要となる特定位置にノイズ低減用導体51’〜53’を配置したものである。
その配置は、上記した図8と同様に、ノイズ低減用導体51’〜53’の長手方向を筐体のヒートシンク接続部が接続された辺に対して垂直に配置しているのが特徴であり、そのノイズ低減効果も上述したものと同様である。
なお、図9(b)は、ノイズ低減用導体52’を2つに分けて配置しているが、ノイズ低減用導体52’の長手方向を、筐体31のヒートシンク接続部が接続された辺に対して垂直に配置していれば、導体の数量は図示例に限定されない。
また図3(b)に対応する実施形態については特に図示しないが、図9(a)や図9(b)と同様に、ノイズ低減用導体の長手方向をヒートシンク接続部が接続された辺に対して垂直に配置すれば良い。
ここで、図9(d)は、上述した図3の実施形態2には図示されていない形態であるが、その構造例やノイズ低減効果は図9(c)と類似し、その違いは、ヒートシンクのフィン部と筐体31の間に固定するためのノイズ低減用導体となる板バネの反力がかかる方向が図9(c)とは異なる形状となっているだけである。
図10は、本発明の実施形態5に係る筐体とヒートシンクが接続された辺を有する電子電気機器の筐体とヒートシンク接続辺に対して垂直方向に延在するノイズ低減用導体を介して面接触させる構造(その3)を示す図である。すなわち、
図10(a)および図10(b)は、上記した実施形態3を示す図4(a)に対して、高いノイズ低減効果を得るために必要となる特定位置にノイズ低減用導体60’、61’を配置したものである。
その配置は、上記した図8や図9と同様に、ノイズ低減用導体60’、61’の長手方向を筐体31のヒートシンク接続部が接続された辺に対して垂直に配置しているのが特徴であり、そのノイズ低減効果も上記したものと同様である。
また、図4(b)や図4(c)に対応する実施形態については特に図示しないが、図10(a)や図10(b)と同様に、ノイズ低減用導体の長手方向をヒートシンク接続部が接続された辺に対して垂直に配置すれば良い。
なお、実施形態4と同様に、本実施形態5は「ノイズ低減用導体の長手方向をヒートシンク接続部が接続された辺に対して垂直に配置」するとともに、半導体素子のスイッチングにより発生したノイズ成分の伝搬を抑制するため「パッケージ化された半導体素子の直下に重なるように配置」すること、および、「ヒートシンクの中央部と重なるように配置」することが望ましい。
10 半導体素子
20 ヒートシンク
22 ヒートシンク(ベース部)
24 ヒートシンク(フィン部)
30、31 筐体
41〜44 ノイズ低減用導体
42’、43’ ノイズ低減用導体
51〜53 ノイズ低減用導体(導電性板)
51’〜53’ ノイズ低減用導体(導電性板)
61〜63 ノイズ低減用導体(導電性ガスケット)
60’、61’ ノイズ低減用導体(導電性ガスケット)
80 固定ネジ

Claims (14)

  1. 半導体素子と、前記半導体素子の発熱を放熱する、導電体からなるヒートシンクと、導電体からなる筐体とを、その順に配置した構成を具備し、前記筐体が前記半導体素子及び前記ヒートシンクの全体を覆ってはいない電子電気機器において、
    前記ヒートシンクは、ベース部と、前記ベース部に立設あるいは前記ベース部の嵌合用凹部に装着された少なくとも一つのフィンにより構成されるフィン部とを備え、
    前記フィン部と前記筐体とに面接触し、少なくとも表面が導体であるノイズ低減用導体を設けることで、前記筐体と前記ヒートシンクとの間の共振を抑制する構成としたことを特徴とする電子電気機器。
  2. 前記ノイズ低減用導体は、前記フィン部の凸部と前記筐体に、面接触していることを特徴とする請求項1に記載の電子電気機器。
  3. 前記フィン部は2以上のフィンより構成され、
    前記ノイズ低減用導体は、少なくとも一つの凸部を有する平板であり、
    前記凸部を前記フィン間に配置し、前記凸部の奥行き部において前記フィンの側面と面接触するとともに、前記ノイズ低減用導体の平面部が前記筐体に面接触する構造を有していることを特徴とする請求項2に記載の電子電気機器。
  4. 前記フィン部は3以上のフィンより構成され、
    前記ノイズ低減用導体は、コの字形に形成された平板であり、
    コの字の対向する部位が前記フィン間に配置され、前記コの字の対向する部位の奥行き部において前記フィンの側面と面接触するとともに、前記コの字の対向する部位以外の前記ノイズ低減用導体の平面部が前記筐体に面接触する構造を有していることを特徴とする請求項2に記載の電子電気機器。
  5. 前記コの字の対向する部位が、曲線状に曲げられた構造を有していることを特徴する請求項4に記載の電子電気機器。
  6. 前記ノイズ低減用導体は、少なくとも一つの湾曲凸部を有する平板であり、且つ、前記フィン部のフィン底面と前記筐体の間の空隙に配置され、
    前記湾曲凸部が、前記フィン部のフィン底部に、前記ノイズ低減用導体の平板部が前記筐体に面接触する構造、若しくは、前記湾曲凸部が前記フィン部のフィン底面に、前記平板部が前記筐体に面接触する構造を有していることを特徴とする請求項2に記載の電子電気機器。
  7. 前記ノイズ低減用導体は、コの字形をした平板であり、且つ、前記フィン部のフィン底面と前記筐体の間の空隙に配置され、
    前記ノイズ低減用導体のコの字の対向する部位の一方が前記フィン部の底面に、前記コの字の並行する部位の他方が前記筐体に面接触する構造を有していることを特徴とする請求項2に記載の電子電気機器。
  8. 前記ノイズ低減用導体は、弾性を有する部材で構成され、
    該弾性を有する部材の厚みが、前記筐体と前記ヒートシンクの間の最小間隔と同等か又はそれより若干厚くされているか、若しくは、前記ヒートシンクのフィン間の最小間隔と同等か又はそれより若干狭くされていることを特徴とする請求項2に記載の電子電気機器。
  9. 前記ノイズ低減用導体が、前記フィン凸部と前記筐体とに面接触するよう配置されていることを特徴とする請求項8に記載の電子電気機器。
  10. 前記ノイズ低減用導体は、折り曲げ部を有し、前記フィン凸部と前記ヒートシンクのフィン奥行き部および前記筐体に面接触するよう配置されていることを特徴とする請求項8に記載の電子電気機器。
  11. 前記ノイズ低減用導体は、前記ヒートシンクの複数のフィンを横断するように配置されていることを特徴とする請求項2に記載の電子電気機器。
  12. 前記筐体は、前記ヒートシンクに導通する部位を有し、
    前記ノイズ低減用導体の長手方向が、前記導通する部位の長手方向の辺に対し垂直方向に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の電子電気機器。
  13. 前記ノイズ低減用導体が、前記半導体素子の直下に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の電子電気機器。
  14. 前記ノイズ低減用導体が、前記ヒートシンクの重心となる部位について点対称に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の電子電気機器。
JP2015161053A 2015-08-18 2015-08-18 電子電気機器 Active JP6582717B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015161053A JP6582717B2 (ja) 2015-08-18 2015-08-18 電子電気機器
CN201610498844.2A CN106469695B (zh) 2015-08-18 2016-06-30 电子电气设备
DE102016213517.1A DE102016213517B4 (de) 2015-08-18 2016-07-22 Elektronisches /Elektrisches Gerät

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015161053A JP6582717B2 (ja) 2015-08-18 2015-08-18 電子電気機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017041493A JP2017041493A (ja) 2017-02-23
JP6582717B2 true JP6582717B2 (ja) 2019-10-02

Family

ID=57961373

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015161053A Active JP6582717B2 (ja) 2015-08-18 2015-08-18 電子電気機器

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6582717B2 (ja)
CN (1) CN106469695B (ja)
DE (1) DE102016213517B4 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102434571B1 (ko) * 2018-01-15 2022-08-19 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 히트 싱크
JP7047613B2 (ja) * 2018-06-08 2022-04-05 株式会社デンソー 制御装置一体型回転電機
JP7434768B2 (ja) * 2018-09-14 2024-02-21 富士電機株式会社 電子電気機器
TW202319476A (zh) 2021-11-04 2023-05-16 日商Dic股份有限公司 交聯性樹脂組成物、硬化物、積層體及耐熱構件

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2853618B2 (ja) * 1995-11-15 1999-02-03 日本電気株式会社 電子装置の放熱構造
JPH09293980A (ja) * 1996-04-25 1997-11-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品放熱装置
JP3649259B2 (ja) * 1996-04-26 2005-05-18 株式会社安川電機 インバータ装置
JP2000286584A (ja) * 1999-03-30 2000-10-13 Kokusai Electric Co Ltd 携帯型通信機のシールド構造
US6483706B2 (en) * 2000-12-22 2002-11-19 Vlt Corporation Heat dissipation for electronic components
JP4383981B2 (ja) 2004-08-04 2009-12-16 トヨタ自動車株式会社 インバータ装置
JP3113691U (ja) * 2005-06-14 2005-09-15 オリオン電機株式会社 シールド構造を備えたデジタル放送受信装置
CN101031197A (zh) * 2006-03-02 2007-09-05 华硕电脑股份有限公司 具有电磁干扰抑制功能的电子装置及其散热组件
JP2008103458A (ja) 2006-10-18 2008-05-01 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
JP5432085B2 (ja) * 2010-08-24 2014-03-05 三菱電機株式会社 電力半導体装置
TWM408720U (en) * 2011-01-20 2011-08-01 Wistron Corp Cooling components and electronic device with cooling components
WO2012169104A1 (ja) 2011-06-10 2012-12-13 日本電気株式会社 電子機器、構造体、及び、ヒートシンク
US20140247564A1 (en) * 2011-10-31 2014-09-04 Thomson Licensing A Corporation Shielding structure for electronic device
JP2014239089A (ja) * 2013-06-06 2014-12-18 シャープ株式会社 電子回路およびヒートシンク装着検出方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE102016213517A1 (de) 2017-02-23
JP2017041493A (ja) 2017-02-23
CN106469695A (zh) 2017-03-01
CN106469695B (zh) 2021-02-09
DE102016213517B4 (de) 2022-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4914678B2 (ja) 電子機器
JP5771250B2 (ja) ワイヤレス充電器の電場遮蔽部
JP2017536693A (ja) Emiシールド構造と放熱パッドとを備える電子回路基板組立体
JP6582717B2 (ja) 電子電気機器
JP6187606B2 (ja) プリント基板
JP2012084599A (ja) ヒートシンク接続体
WO2017022221A1 (ja) 放熱構造および電子機器
TWI533793B (zh) 電子裝置及其電磁波屏蔽模組
US9621196B2 (en) High-frequency module and microwave transceiver
JP6790902B2 (ja) 電子装置
JP6612008B1 (ja) 電子機器
JP4958189B2 (ja) 集積回路の搭載構造
JP6582718B2 (ja) 電子電気機器
JP6583522B2 (ja) 電子電気機器
JP2013098200A (ja) 半導体モジュール
US10375821B2 (en) Converter mounting board
JP6202112B2 (ja) ノイズ低減用電子部品
JP6070474B2 (ja) 情報機器
JPWO2008035540A1 (ja) 電子装置搭載機器とその共振抑制方法
JP2011249374A (ja) 電子機器
JP7419661B2 (ja) 基板モジュール
JP7307844B2 (ja) 電子制御装置
JP2022133819A (ja) 制御ユニット構造
JP2018022744A (ja) 電子機器
JP2000208676A (ja) 放熱装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180712

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20180713

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20181010

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181023

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181217

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190319

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190515

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20190515

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190806

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190819

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6582717

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250