JP6568751B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
また、以下の工程を含む。消去ゲート電極が形成されることになる半導体基板の第1領域に所定導電型の不純物を注入することによりソース領域を形成する。熱酸化処理を行うことにより、半導体基板の第1領域に、第1ゲート絶縁膜と繋がる第2絶縁膜を形成するとともに、フローティングゲート電極に対して他方側に位置する半導体基板の第2領域に、第2ゲート絶縁膜を形成する。半導体基板の第1領域に、第2絶縁膜を介在させて消去ゲート電極を形成するとともに、半導体基板の第2領域に、第2ゲート絶縁膜を介在させて選択ゲート電極を形成する。第2絶縁膜を形成する工程は、第1領域に注入する不純物の量を調整し、熱酸化処理による酸化を増速させて、フローティングゲート電極の突出部を下方から押し上げることにより、消去ゲート電極の下端の位置よりも突出部の下端の位置が高くなるように、第2絶縁膜を形成する工程を含む。
実施の形態1に係る、フラッシュメモリを備えた半導体装置について説明する。
実施の形態2に係る、フラッシュメモリを備えた半導体装置について説明する。図32に示すように、メモリセル領域MCRでは、半導体基板SUBの上にゲート絶縁膜GIF1を介在させてフローティングゲート電極FGが形成されている。フローティングゲート電極FGの上に積層絶縁膜SONを介在させて制御ゲート電極CGが形成されている。制御ゲート電極CG等の一方の側面に、側壁絶縁膜SW1を介在させて消去ゲート電極EGが形成されている。また、消去ゲート電極EGは、半導体基板SUBの上にシリコン酸化膜ETOSを介在させて形成されている。
Claims (6)
- フラッシュメモリを備えた半導体装置であって、
半導体基板上に第1ゲート絶縁膜を介在させて形成された、第1厚さを有するフローティングゲート電極と、
前記フローティングゲート電極上に、第1絶縁膜を介在させて形成された制御ゲート電極と、
前記制御ゲート電極の一方の側面に、トンネル絶縁膜を含む側壁絶縁膜を介在させて形成された消去ゲート電極と
を有し、
前記フローティングゲート電極は、前記制御ゲート電極の直下に位置する部分から裾野を引く態様で前記消去ゲート電極に向かって突出し、前記第1厚さよりも薄い第2厚さに相当する高さの端面と前記端面に繋がる傾斜面とを有する突出部を備え、
前記突出部が、前記トンネル絶縁膜を介在させて前記消去ゲート電極と対向し、
前記消去ゲート電極は、前記半導体基板上に第2絶縁膜を介在させて形成され、
前記第2絶縁膜の直下に位置する前記半導体基板にソース領域が形成され、
前記第2絶縁膜は、前記第1ゲート絶縁膜に繋がり、
前記半導体基板上に第2ゲート絶縁膜を介在させて形成された選択ゲート電極を含み、
前記第2絶縁膜は、前記第2ゲート絶縁膜の膜厚よりも厚い部分を含み、
前記消去ゲート電極の下端の位置は、前記フローティングゲート電極の前記突出部の下端の位置よりも低い、半導体装置。 - 前記消去ゲート電極は、第1方向に延在するように形成され、
前記フローティングゲート電極および前記制御ゲート電極は、前記消去ゲート電極における、前記第1方向と交差する第2方向の中央に対し、一方と他方とに線対称に配置された、請求項1記載の半導体装置。 - 前記半導体基板では、素子分離領域によって、前記フラッシュメモリが形成されたメモリセル領域と周辺回路が形成された周辺回路領域とが規定され、
前記周辺回路領域では、周辺トランジスタを含む半導体素子が形成された、請求項1記載の半導体装置。 - フラッシュメモリを備えた半導体装置の製造方法であって、
半導体基板の表面に第1ゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第1ゲート絶縁膜の上に、第1膜厚を有する第1導電性膜、第1絶縁膜および第2導電性膜を順次形成する工程と、
前記第2導電性膜に第1マスク材を形成する工程と、
前記第1マスク材をエッチングマスクとして、前記第2導電性膜にエッチング処理を行うことにより、制御ゲート電極を形成する工程と、
前記第1マスク材をエッチングマスクとして、前記第1導電性膜にさらにエッチング処理を行うことにより、前記第2導電性膜の直下に位置する前記第1導電性膜の部分から、前記制御ゲート電極が延在する方向と交差する方向に向かって裾野を引きながら前記第1ゲート絶縁膜上に前記第1導電性膜を残す態様で、前記第1導電性膜を除去する工程と、
前記制御ゲート電極の一方の側面を覆うように、第2マスク材を形成する工程と、
前記第2マスク材をエッチングマスクとして、残された前記第1導電性膜にエッチング処理を行うことにより、前記制御ゲート電極の前記一方の側面から、前記第2マスク材の厚さに相当する長さ分だけ突出し、前記第1膜厚よりも薄い第2膜厚に相当する高さの端面と前記端面に繋がる傾斜面とを有する突出部を備えたフローティングゲート電極を形成する工程と、
前記フローティングゲート電極の前記突出部を覆うように、トンネル絶縁膜を形成する工程と、
前記トンネル絶縁膜を介在させて前記フローティングゲート電極の前記突出部と対向するように、消去ゲート電極を形成する工程と
を備え、
前記消去ゲート電極が形成されることになる前記半導体基板の第1領域に所定導電型の不純物を注入することによりソース領域を形成する工程と、
熱酸化処理を行うことにより、前記半導体基板の前記第1領域に、前記第1ゲート絶縁膜と繋がる第2絶縁膜を形成するとともに、前記フローティングゲート電極に対して他方側に位置する前記半導体基板の第2領域に、第2ゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記半導体基板の前記第1領域に、前記第2絶縁膜を介在させて前記消去ゲート電極を形成するとともに、前記半導体基板の前記第2領域に、前記第2ゲート絶縁膜を介在させて選択ゲート電極を形成する工程と
を含み、
前記第2絶縁膜を形成する工程は、前記第1領域に注入する前記不純物の量を調整し、前記熱酸化処理による酸化を増速させて、前記フローティングゲート電極の前記突出部を下方から押し上げることにより、前記消去ゲート電極の下端の位置よりも前記突出部の下端の位置が高くなるように、前記第2絶縁膜を形成する工程を含む、半導体装置の製造方法。 - 前記第1導電性膜を形成する工程は、前記半導体基板に前記第1導電性膜のモニタパターンを形成する工程を含み、
前記第1導電性膜を除去する工程は、
前記第1導電性膜の前記モニタパターンの膜厚を測定する工程と、
測定された前記第1導電性膜の膜厚に基づいて、前記第1ゲート絶縁膜上に残す態様で前記第1導電性膜を除去するためのエッチング時間を算出する工程と、
算出された前記エッチング時間に基づいて、前記第1導電性膜にエッチング処理を行う工程と
を含む、請求項4記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板に素子分離領域を形成することによって、前記フラッシュメモリが形成さるメモリセル領域と、周辺回路が形成される周辺回路領域とを規定する工程と、
前記周辺回路領域に、ゲート電極を含む周辺トランジスタを形成する工程と
を含み、
前記周辺トランジスタを形成する工程では、前記ゲート電極は、前記消去ゲート電極および前記選択ゲート電極と同時に形成される、請求項4記載の半導体装置の製造方法。
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