JP6564552B1 - MXene粒子材料、スラリー、二次電池、透明電極、MXene粒子材料の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(2)Xが[C(1.0−x)Nx(0<x≦1.0)]からなり、a=2、0.65≧b≧0.03、1.2≧c≧0.8、
(3)XがCからなり、a=3、0.65≧b≧0.03、2.6≧c≧1.8、
(4)Xが[C(1.0−x)Nx(0<x≦1.0)]からなり、a=3、0.65≧b≧0.03、2.6≧c≧1.8。
(2)Xが[C(1.0−x)Nx(0<x≦1.0)]からなり、aが2の時、真密度が3.36g/cm3から3.50g/cm3、aが3の時、真密度が3.70g/cm3から4.45g/cm3。
実施形態の粒子材料は、所定の組成式を持つ層状化合物からなる。この層状化合物は酸処理によってAl層の一部が除去されて大きな空隙層を有する。所定の組成式としては、MaAlbXcである。式中、MはTi、V、Cr、Sc、Zr、Nb、Mo、Hf、Taからなる群から選択される1種類以上の元素である。特にMはTiであることが好ましい。XとしてはC、[C(1.0−x)Nx、(0<x≦1.0)]、からなる群から選択される1以上の構造である。また、これらの元素以外にもO、OH、ハロゲン基を表面官能基として有することができる。粒子材料の表面層、また酸処理によってAl層の一部が除去された空隙層、具体的にはAが存在した層にO、OH、ハロゲン基が吸着するために、Al層が除去された後、層間が広がる。
(2)Xが[C(1.0−x)Nx(0<x≦1.0)]からなり、a=2、0.65≧b≧0.03、1.2≧c≧0.8、
(3)XがCからなり、a=3、0.65≧b≧0.03、2.6≧c≧1.8、
(4)Xが[C(1.0−x)Nx(0<x≦1.0)]からなり、a=3、0.65≧b≧0.03、2.6≧c≧1.8。
(2)Xが[C(1.0−x)Nx(0<x≦1.0)]からなり、aが2の時、真密度が3.36g/cm3から3.50g/cm3、aが3の時、真密度が3.70g/cm3から4.45g/cm3。
本実施形態の粒子材料の製造方法は、上述の粒子材料を製造するのに好適な方法である。本実施形態の粒子材料は、粉末状の粒子材料を10μmから300μmのビーズを用いたビーズミル処理する剥離工程により薄片状の粒子材料にする方法である。
剥離工程に供する原料は、MAX相セラミックス粉末に酸性物質を20℃から30℃で接触させて、MAX相セラミックス粉末に含まれるAl元素の一部を除去することで製造することができる。前処理工程に供する原料はMn+1AXn、n=1又は2、式中のMは遷移金属、AはAl、XはCか[C(1.0−x)Nx、0<x≦1.0]と表される組成を有するMAX相セラミックス粉末である。Alを除去する量は酸性物質により酸処理されて製造されるMAX相セラミックス粉末中のAlの量(bに相当)が0.02超になる程度に残存するように調節する。なお、Alを全部除去することも可能であり、その場合にはAlを完全に除去する以上にまで酸処理を進めないことが好ましい。
1つの例として、剥離工程では剥離工程後に製造される薄片状の粒子が多く含まれる粒子材料が上述した粒子材料にて記載した形態になるようビーズ径、周速、スラリー送り速度、ビーズ充填量、スラリー粒子濃度を調節する。剥離工程は原料である層状化合物の層を剥離する工程である。10μm〜300μmの微小サイズのビーズを用いることで酸処理によってAl層を除去した空隙層から剥離することが可能となる。微小サイズのビーズを層状化合物の層間に衝突させることによってナノレベルの厚みで剥離させることができる。
本実施形態の二次電池は上述した粒子材料を電極材料のうちの活物質として含有する。リチウム二次電池、及びナトリウム二次電池に有効である。酸処理によってAl層を除去した空隙層にリチウムイオンやナトリウムイオンが貯蔵、脱離される。
本実施形態の透明電極は、本実施形態の粒子材料とバインダとその他必要な部材とを有する。バインダとしては上述の二次電池にて説明したものが採用でき、特に透明度が高い材料が好ましい。
TiC(3μm、レアメタリック)、Ti(35μm、高純度化学)、Al(30μm、高純度化学)のそれぞれの粉末を混合して混合粉末(TiC:Ti:AL=2:1:1モル)とした。得られた混合粉末を、小型真空加圧焼結炉により、Ar気流中1450℃で固相反応させてMAX相セラミックスを作製した。
TiC(3μm、レアメタリック)、TiN(3μm、レアメタリック)、Ti(35μm、高純度化学)、Al(30μm、高純度化学)のそれぞれの粉末を混合して混合粉末(TiC:TiN:Ti:Al=1:1:1:1モル)とした。得られた混合粉末を、CIP1t/cm2処理し、Ar気流中1550℃で固相反応させてMAX相セラミックスを作製した。得られたMAX相セラミックスをアルミナ乳鉢で解砕した後、イソプロピルアルコール(IPA)中で直径5mmジルコニアボールを用いたボールミル粉砕(24h)、さらに直径0.5mmジルコニアボールを用いた遊星ボールミル粉砕(45分)を行った。
TiC(3μm、レアメタリック)、TiN(3μm、レアメタリック)、Ti(35μm、高純度化学)、Al(30μm、高純度化学)のそれぞれの粉末を混合して混合粉末(TiC:TiN:Ti:Al=1.8:0.2:1:1モル)とした。得られた混合粉末を、Ar気流中1450℃で固相反応させてMAX相セラミックスを作製した。得られたMAX相セラミックスをアルミナ乳鉢で解砕した後、イソプロピルアルコール(IPA)中で直径5mmジルコニアボールを用いたボールミル粉砕(24h)、さらに直径0.5mmジルコニアボールを用いた遊星ボールミル粉砕(45分)を行った。動的光散乱式粒子径分布測定装置でIPA中の平均粒子径を測定した結果、1.0μmであった。真空中60℃の条件で、エバポレータを用いてIPAを除去した後、XRD分析し、Ti3Al(C0.9N0.1)2 単一相であることを確認した。得られたTi3Al(C0.9N0.1)2粉末10gを、実施例1と同様に前処理工程とビーズミル処理を行った。得られた剥離した状態の粒子材料のSEM観察を行い実施例1で示す図1と同等であった。
TiC(3μm、レアメタリック)、Ti(35μm、高純度化学)、Al(30μm、高純度化学)のそれぞれの粉末を混合して混合粉末(TiC:Ti:Al=1:1:1モル)とした。得られた混合粉末を、CIP1t/cm2処理し、その圧粉体破砕片をAr気流中1350℃で固相反応させてMAX相セラミックスを作製した。得られたMAX相セラミックスをアルミナ乳鉢で解砕した後、イソプロピルアルコール(IPA)中で直径5mmジルコニアボールを用いたボールミル粉砕(24h)、さらに直径0.5mmジルコニアボールを用いた遊星ボールミル粉砕(45分)を行った。真空中60℃の条件で、エバポレータを用いてIPAを除去した後、XRD分析し、Ti2AlC とTi3AlC2 の混合相であることを確認した。結果を図12に示す。得られたTi2AlC粉末5gを、LiFを4.5gと6MのHCLを300mLの混合水溶液(ポリテトラフルオロエチレンるつぼを氷で冷却)にゆっくり投入し、20℃から30℃に制御した水溶液温度で、18時間撹拌しながら放置した(前処理工程)。
TiC(3μm、レアメタリック)、Ti(35μm、高純度化学)、Al(30μm、高純度化学)のそれぞれの粉末を混合して混合粉末(TiC:Ti:Al=1:1.2:1.2モル)とした。得られた混合粉末を、CIP1t/cm2処理し、その圧粉体をAr気流中1300℃で固相反応させてMAX相セラミックスを作製した。得られたMAX相セラミックスをアルミナ乳鉢で解砕した後、イソプロピルアルコール(IPA)中で直径5mmジルコニアボールを用いたボールミル粉砕(24h)、さらに直径0.5mmジルコニアボールを用いた遊星ボールミル粉砕(45分)を行った。動的光散乱式粒子径分布測定装置でIPA中の平均粒子径を測定した結果、1.0μmであった。真空中60℃の条件で、エバポレータを用いてIPAを除去した後、XRD分析し、Ti2AlC とTi3AlC2 の混合相ではあるが、ほぼTi2AlC 相であることを確認した。結果を図13に示す。得られたTi2AlC粉末5gを、LiFを4.5gと6MのHCLを300mLの混合水溶液(ポリテトラフルオロエチレンるつぼを氷で冷却)にゆっくり投入し、20℃から30℃に制御した水溶液温度で、18時間撹拌しながら放置した(前処理工程)。
TiC(3μm、レアメタリック)、TiN(3μm、レアメタリック)、Ti(35μm、高純度化学)、Al(30μm、高純度化学)のそれぞれの粉末を混合して混合粉末(TiC:TiN:Ti:Al=0.5:0.5:1:1モル)とした。得られた混合粉末を、CIP1t/cm2処理し、その圧粉体破砕片をAr気流中1350℃で固相反応させてMAX相セラミックスを作製した。得られたMAX相セラミックスをアルミナ乳鉢で解砕した後、イソプロピルアルコール(IPA)中で直径5mmジルコニアボールを用いたボールミル粉砕(24h)、さらに直径0.5mmジルコニアボールを用いた遊星ボールミル粉砕(45分)を行った。
TiC(3μm、レアメタリック)、TiN(3μm、レアメタリック)、Ti(35μm、高純度化学)、Al(30μm、高純度化学)のそれぞれの粉末を混合して混合粉末(TiC:TiN:Ti:Al=0.9:0.1:1:1モル)とした。得られた混合粉末を、CIP1t/cm2処理し、その圧粉体破砕片をAr気流中1350℃で固相反応させてMAX相セラミックスを作製した。得られたMAX相セラミックスをアルミナ乳鉢で解砕した後、イソプロピルアルコール(IPA)中で直径5mmジルコニアボールを用いたボールミル粉砕(24h)、さらに直径0.5mmジルコニアボールを用いた遊星ボールミル粉砕(45分)を行った。
TiC(3μm、レアメタリック)、Ti(35μm、高純度化学)、AlN(0.5μm、トクヤマ)のそれぞれの粉末を混合して混合粉末(TiC:Ti:AlN=1:2:1モル)とした。得られた混合粉末を、CIPで1ton/cm2処理を行い、圧粉体破砕片をAr気流中1550℃で固相反応させてMAX相セラミックスを作製した。
ビーズ径100μm(ニッカトー、YTZ)のビーズミル処理(20パス)を行った以外は、実施例8と同様に薄片状の粒子材料を作製した。得られた粒子材料の大きさと厚みの平均値、Ti、Al、C、N量、表面電気抵抗値、IPAスラリーのIPA中の平均粒子径を実施例1と同様に測定し、表1に示した。得られた剥離した状態の粒子材料のSEM観察を行い実施例2で示す図2と同等であった。
ビーズ径30μm(ニイミNZビーズ30、ニイミ産業)のビーズミル処理(20パス)を行った以外は、実施例8と同様に薄片状の粒子材料を作製した。得られた粒子材料の大きさと厚みの平均値、Ti、AL、C、N量、表面電気抵抗値、IPAスラリーのIPA中の平均粒子径を実施例1と同様に測定し、表1に示した。得られた剥離した状態の粒子材料のSEM観察を行い実施例2で示す図2と同等であった。
Ti(35μm、高純度化学)、TiN(3μm、レアメタリック)、Al(30μm、高純度化学)の混合粉末(Ti:TiN:Al=1:2:1モル)を用いた以外は実施例8と同様に薄片状の粒子材料を作製した。得られた粒子材料の大きさと厚みの平均値、Ti、Al、N量、表面電気抵抗値、IPA中の平均粒子径を実施例8と同様に測定し、表1に示した。
実施例1と同様にTi3AlC2粉末を作製し。実施例8と同様に、酸処理、IPA置換を行い、2mg/cc濃度のIPAスラリーを作製した。そのスラリーを用いて、超音波ホモジナイザーにより、振幅40μm、周波数19.5kHz、出力150Wで3秒間超音波照射、1秒間休止の条件で、30分間超音波照射による剥離を行ない、粒子材料を作製した。得られた粒子材料の大きさと厚みの平均値、Ti、Al、C量、表面電気抵抗値、真密度、IPAスラリーのIPA中の平均粒子径を実施例1と同様に測定し、表1に示した。超音波照射で剥離を試みた後の粒子材料のSEM写真を図6に示した。
超音波ホモジナイザーにより、振幅40μm、周波数19.5kHz、出力150Wで3時間超音波照射による剥離を行った以外は、比較例1と同様に粒子材料を作製した。得られた粒子材料の大きさと厚みの平均値、Ti、Al、C、N量、表面電気抵抗値、真密度、IPAスラリーのIPA中の平均粒子径を実施例1と同様に測定し、表1に示した。超音波照射で剥離を試みた後の粒子材料のSEM写真を図7に示した。
ビーズ径500μm(ニッカトー、YTZ)のビーズミル処理(20パス)を行った以外は、実施例8と同様に粒子材料を作製した。得られた粒子材料の大きさと厚みの平均値、Ti、Al、C、N量、表面電気抵抗値、真密度、IPAスラリーのIPA中の平均粒子径を実施例1と同様に測定し、表1に示した。ビーズ径500μmのビーズを用いたビーズミル処理で剥離を試みた後の粒子材料のSEM写真を図8に示した。
圧力200MPa、クロスノズルの湿式ジェットミル(30パス)による剥離を行った以外は、比較例1と同様に粒子材料を作製した。得られた粒子材料の大きさと厚みの平均値、Ti、Al、C、N量、表面電気抵抗値、真密度、IPAスラリーのIPA中の平均粒子径を実施例1と同様に測定し、表1に示した。湿式ジェットミルで剥離を試みた後の粒子材料のSEM写真を図9に示した。
実施例1と同様に、Ti3AlC2粉末を作製し、前処理工程において、10%HF水溶液、20℃から30℃に制御した水溶液温度で30時間処理し、実施例8と同様に粒子材料を作製した。得られた粒子材料の大きさと厚みの平均値、Ti、Al、C、N量、表面電気抵抗値、真密度、IPAスラリーのIPA中の平均粒子径を実施例1と同様に測定し、表1に示した。
KF14.9g、6M HCl 300mLの混合溶液にゆっくりTi3AlC2粉末を投入した後、35℃〜40℃の水溶液温度で、30時間撹拌しながら放置した以外は、比較例5と同様に粒子材料を作製した。得られた粒子材料の大きさと厚みの平均値、Ti、Al、C、N量、表面電気抵抗値、真密度、IPAスラリーのIPA中の平均粒子径を実施例1と同様に測定し、表1に示した。
実施例1において、粉末10gをKF14.9gと6M HCl 300mLの混合溶液で酸処理し、IPAに置換した後、室温で風乾し、粒子材料を得た後、10μm〜300μmのビーズを用いたビーズミルによる剥離操作に代えて、少量の粒子材料をセルガードメンブランに挟み、応力を加えることによりローラーを用いて本比較例のフィルムを作製した。得られたフィルムの外観写真を図16に示した。得られたフィルムをIPAに投入し、超音波照射(振幅40μm、周波数19.5kHz、出力150W)を30分間行い均一に液中分散したスラリーを作製した。スラリーをSi製ウエハーにごく微量滴下し、乾燥後SEM観察し、粒子材料の剥離状況をSEMにより調べた(図16)。
(1)MAX相セラミックスの作製方法について
(a)Ti3Al(C0.5N0.5)2については、混合原料をCIPで1t/cm2から3t/cm2の圧力範囲で圧粉体破砕片を作製し、1500℃から1550℃不活性雰囲気中で焼成することで得られた。焼成温度を1500℃以上とすることで未反応生成物と中間生成物の残留が抑制でき、1550℃以下にすることでMAX相セラミックスが分解せずに回収できた。
酸処理を行う前処理工程において、20℃から30℃で制御した水溶液温度範囲で、10%以上のHF水溶液に24時間以上浸漬するとAlは完全に除去された(従来技術)。また35℃から45℃で、LiF+HClあるいはKF+HCl水溶液に、24時間以上浸漬してもAlは完全に除去された(従来技術)。いずれも酸処理工程で一部表面酸化が進行し、電気抵抗が増加することが分かった。
剥離する方法として従来は超音波照射やローラーによる方法を用いていた。超音波照射による剥離方法について検討を行った結果、剥離して薄片状の粒子材料を製造するのは困難であることが分かった。超音波照射によって層間を剥離する速度は極めて遅い上に、超音波照射によっては剥離しない場合もあった。またローラーによる方法でも剥離はほとんど進行しなかった。
エタノール、IPA、その他のアルコール、N−メチルピロリドン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、プロピレングリコール、モノメチルエーテルを分散媒として用いて実施例の薄片状の粒子材料を液中に分散したスラリーを調整できた。
Claims (9)
- MaAlbXc、式中のMはTi、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Taからなる群から選択される1種類以上の元素であり、XはC、[C(1.0−x)Nx(0<x≦1.0)]、からなる群から選択される1以上の構造からなる。aは2又は3、bは0.02超、cはaが2の時には0.8から1.2、aが3の時には1.8から2.6、で表される組成を持つ粒子材料からなり、
厚みの平均値が3.5nm以上20nm以下、大きさ[(長辺+短辺)/2]の平均値が50nm以上300nm以下である粒子材料。 - MがTiであって、下記(1)〜(4)のうちいずれか1つを満たす請求項1に記載の粒子材料。
(1)XがCからなり、a=2、0.65≧b≧0.03、1.2≧c≧0.8、
(2)Xが[C(1.0−x)Nx(0<x≦1.0)]からなり、a=2、0.65≧b≧0.03、1.2≧c≧0.8、
(3)XがCからなり、a=3、0.65≧b≧0.03、2.6≧c≧1.8、
(4)Xが[C(1.0−x)Nx(0<x≦1.0)]からなり、a=3、0.65≧b≧0.03、2.6≧c≧1.8。 - 圧粉体の表面抵抗が0.1Ω/□以上300Ω/□以下である請求項1又は請求項2に記載の粒子材料。
- MがTiであって、下記(1)と(2)のうちいずれか1つを満たす請求項1から3のうちのいずれか1項に記載の粒子材料。
(1)XがCからなり、aが2の時、真密度が3.36g/cm3から3.50g/cm3、aが3の時、真密度が3.70g/cm3から4.45g/cm3、
(2)Xが[C(1.0−x)Nx(0<x≦1.0)]からなり、aが2の時、真密度が3.36g/cm3から3.50g/cm3、aが3の時、真密度が3.70g/cm3から4.45g/cm3。 - 請求項1から4のうちのいずれか1項に記載の粒子材料と、
前記粒子材料を分散する液状の有機材料と、
を有し、
前記粒子材料は前記有機材料中の粒子径分布におけるD50%が50nm以上500nm以下であるスラリー。 - 請求項1〜4のうちのいずれか1項に記載の粒子材料を電極活物質材料として有する二次電池。
- 請求項1〜4のうちのいずれか1項に記載の粒子材料を導電材料として有する透明電極。
- MaAlbXc、式中のMはTi、V、Cr、Sc、Zr、Nb、Mo、Hf、Taからなる群から選択される1種類以上の元素である。XはC、[C(1.0−x)Nx(0<x≦1.0)]、からなる群から選択される1以上の構造からなる。aは2又は3、bは0.02超、cはaが2の時には0.8から1.2、aが3の時には1.8から2.6、で表される組成を持つ原料から粒子材料を製造する製造方法であって、
10μm〜300μmのビーズを用いたビーズミルによる剥離処理により、厚みの平均値が3.5nm以上20nm以下、大きさ[(長辺+短辺)/2]の平均値が50nm以上300nm以下である粒子材料を前記原料から製造する剥離工程を有する粒子材料の製造方法。 - MaAldXc、式中のMはTi、V、Cr、Sc、Zr、Nb、Mo、Hf、Taからなる群から選択される1種類以上の元素である。XはC、[C(1.0−x)Nx(0<x≦1.0)]、からなる群から選択される元素からなる。aは2又は3、dは1、cはaが2の時には1、3の時には2で、表される組成を持つMAX相セラミックス粉末に対し、フッ化塩と塩酸との組み合わせでなる酸性物質を20℃から30℃に制御された状態で反応させて、含有するAl元素の一部を除去することで前記原料を製造する前処理工程を有する請求項8に記載の粒子材料の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110808266A (zh) * | 2019-10-15 | 2020-02-18 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 具有透明电极的显示基板及其制备方法 |
WO2022032750A1 (zh) * | 2020-08-14 | 2022-02-17 | 五邑大学 | 一种阵列状SnS2/MXene复合材料的制备方法 |
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WO2022060837A1 (en) * | 2020-09-15 | 2022-03-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Trench electrode structure for biosignal measurement |
CN112593134B (zh) * | 2020-11-25 | 2021-11-23 | 燕山大学 | 一种铌掺杂二维层状碳化钛复合材料及其制备方法与应用 |
CN116745864A (zh) * | 2021-01-13 | 2023-09-12 | 株式会社村田制作所 | 导电性膜及其制造方法 |
KR102528394B1 (ko) * | 2021-03-03 | 2023-05-04 | 주식회사 이노맥신 | 맥스 전구체 및 맥신 나노 잉크의 제조 방법 |
WO2022239209A1 (ja) * | 2021-05-13 | 2022-11-17 | 株式会社アドマテックス | 複合粉末材料及びその製造方法、並びに電極材料 |
WO2022239210A1 (ja) * | 2021-05-13 | 2022-11-17 | 株式会社アドマテックス | 新規なMXeneナノシートからなる粒子材料、その粒子材料を含有する分散液、及びその製造方法 |
CN113205904B (zh) * | 2021-05-20 | 2023-03-21 | 青岛大学 | 基于植物叶脉的复合透明导电薄膜及其制备方法 |
CN113248260A (zh) * | 2021-05-21 | 2021-08-13 | 北京航空航天大学 | 含氮新型max相材料和二维材料的制备方法及用途 |
CN113533449B (zh) * | 2021-07-05 | 2023-08-25 | 广西师范大学 | 一种MXene石墨烯复合结构气体传感器的制备方法 |
WO2023089739A1 (ja) * | 2021-11-18 | 2023-05-25 | 株式会社アドマテックス | 複合粒子材料及びその製造方法、並びに電極 |
KR102672658B1 (ko) * | 2021-11-25 | 2024-06-05 | 연세대학교 산학협력단 | 산화 안정성 및 유연성이 우수한 전자제품용 맥신 전극 및 그 제조방법 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011136136A1 (ja) * | 2010-04-30 | 2011-11-03 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 配向性max相セラミック及びその製造方法 |
JP2016063171A (ja) * | 2014-09-22 | 2016-04-25 | 国立大学法人 東京大学 | 層状化合物を含む電極材料 |
JP2017076739A (ja) * | 2015-10-16 | 2017-04-20 | 国立大学法人 東京大学 | 層状化合物を含む電気化学キャパシタ用電極材料の製造方法 |
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---|---|---|---|---|
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US10826113B2 (en) * | 2015-04-13 | 2020-11-03 | Global Graphene Group, Inc. | Zinc ion-exchanging energy storage device |
KR102373455B1 (ko) | 2015-09-24 | 2022-03-11 | 삼성전자주식회사 | 멕신(MXene) 나노시트 및 그 제조방법 |
CN105463224B (zh) | 2015-11-25 | 2017-03-29 | 陕西理工学院 | 一种TiCx‑Al2O3‑TiAl3/Al基复合材料及其制备方法 |
CN105720246B (zh) * | 2015-12-25 | 2019-05-24 | 陕西科技大学 | 颗粒状二氧化锡/二维纳米碳化钛复合材料及应用 |
CN106430195A (zh) * | 2016-10-14 | 2017-02-22 | 北京大学 | 一种MXene材料及其制备方法和应用 |
CN107230560B (zh) * | 2017-07-12 | 2018-11-02 | 西北师范大学 | 一种微波辐射制备二氧化钛/层状碳复合材料的方法 |
CN107973920A (zh) * | 2017-11-15 | 2018-05-01 | 深圳大学 | 一种纤维素/二维层状材料复合水凝胶及其制备方法 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011136136A1 (ja) * | 2010-04-30 | 2011-11-03 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 配向性max相セラミック及びその製造方法 |
JP2016063171A (ja) * | 2014-09-22 | 2016-04-25 | 国立大学法人 東京大学 | 層状化合物を含む電極材料 |
JP2017076739A (ja) * | 2015-10-16 | 2017-04-20 | 国立大学法人 東京大学 | 層状化合物を含む電気化学キャパシタ用電極材料の製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110808266A (zh) * | 2019-10-15 | 2020-02-18 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 具有透明电极的显示基板及其制备方法 |
US11335474B2 (en) | 2019-10-15 | 2022-05-17 | Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display substrate having transparent electrode and manufacturing method thereof |
WO2022032750A1 (zh) * | 2020-08-14 | 2022-02-17 | 五邑大学 | 一种阵列状SnS2/MXene复合材料的制备方法 |
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