JP6555869B2 - 静電容量型トランスデューサ - Google Patents
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Description
fc≦1/(2×π×Ng2×ΔRg×ΔCg) (1)
fc≦1/(2×π×Ns2×ΔRs×ΔCs) (2)
第二の静電容量型トランスデューサの構成は、第一の静電容量型トランスデューサにおいて各セル群が1つのセルからなるものと見做すこともできる。
以下に、本発明の実施形態について図を用いて説明する。図1(a)は、本実施形態の静電容量型トランスデューサの上面図であり、図1(b)は、図1(a)のA−B断面図である。また、図2は、図1(a)のC−D断面図であり、本実施形態の静電容量型トランスデューサの作製方法を示す。
fc≦1/(2×π×Ng2×ΔRg×ΔCg) (1)
V1/V2=cosh(N√(jωΔRΔC)) ω=2πf (4)
N√(2π(2fc)ΔRΔC)≦1.5 (5)
上記実施形態で説明したトランスデューサは、音響波を用いた被検体情報取得装置に適用することができる。被検体からの音響波をトランスデューサで受信し、出力される電気信号を用い、光吸収係数などの被検体の光学特性値を反映した被検体情報や音響インピーダンスの違いを反映した被検体情報を取得することができる。
(実施例1)
本発明の実施例1について図1を用いて説明する。図1(a)は、本実施例の静電容量型トランスデューサの上面図であり、図1(b)は、図1(a)のA−B断面図である。本実施例の静電容量型トランスデューサは、セル構造1を有する静電容量型トランスデューサ素子2を有している。図1では、1つの素子のみ記載しているが、素子数はいくつでも構わない。また、素子は、868個のセル構造から構成されている。本実施例の振動膜形状は、円形であるが、形状は四角形、六角形等でも構わない。
実施例2の静電容量型トランスデューサの構成を図4を用いて説明する。図4は、本実施例の静電容量型トランスデューサの上面図である。実施例2の静電容量型トランスデューサの構成は、実施例1とほぼ同様である。
実施例3の静電容量型トランスデューサの構成を図5を用いて説明する。図5は、本実施例の静電容量型トランスデューサの上面図である。実施例3の静電容量型トランスデューサの構成は、実施例1とほぼ同様である。
実施例4の静電容量型トランスデューサの構成を図6を用いて説明する。図6は、本実施例の静電容量型トランスデューサの上面図である。実施例4の静電容量型トランスデューサの構成は、実施例1とほぼ同様である。
fc≦1/(2×π×Ns2×ΔRs×ΔCs) (2)
Claims (16)
- 素子を1つ以上備える静電容量型トランスデューサであって、
前記素子は、間隙を隔てて設けられた一方の電極と他方の電極と、を含む一対の電極を備えるセルを複数有するセル群を、複数備え、
前記複数のセル群は、共通の信号取り出し電極に電気的に接続されており、
各セル群内では、各セルから前記信号取り出し電極までの配線長が等しく、
隣り合う2つのセル群間は配線で接続されており、
各セル群の静電容量をΔCg、隣り合う2つのセル群間の配線抵抗をΔRg、前記素子内のセル群の数をNg、前記素子の中心周波数をfcとしたとき、
fc≦1/(2×π×Ng2×ΔRg×ΔCg)
が満たされることを特徴とする静電容量型トランスデューサ。 - 複数の前記素子と、各素子毎に設けられた信号取り出し電極と、を備え、
前記一方の電極は素子間で電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項1に記載の静電容量型トランスデューサ。 - 前記他方の電極は素子間で電気的に接続されていることを特徴とする請求項2に記載の静電容量型トランスデューサ。
- 前記セルは振動可能に支持された振動膜を備え、
前記一方の電極は振動可能に支持された振動膜の一部であることを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載の静電容量型トランスデューサ。 - 前記一方の電極はアルミニウムとネオジウムの合金であることを特徴とする請求項4に記載の静電容量型トランスデューサ。
- 前記素子は、前記一方の電極同士を接続する電気配線を備え、
前記電気配線は、隣り合う異なるセル群のセル同士を接続し、同じセル群内ではセル同士を接続していないことを特徴とする請求項1から5の何れか1項に記載の静電容量型トランスデューサ。 - 前記複数のセル群は、隣り合う第一のセル群と第二のセル群とを含み、
前記電気配線は、前記第一のセル群内の1つのセルと、前記第二のセル群内の複数のセルと、を接続することを特徴とする請求項6に記載の静電容量型トランスデューサ。 - 前記電気配線はアルミニウムとネオジウムの合金であることを特徴とする請求項6または7に記載の静電容量型トランスデューサ。
- 前記他方の電極はアルミニウムとネオジウムの合金であることを特徴とする請求項1から8の何れか1項に記載の静電容量型トランスデューサ。
- 前記信号取り出し電極と、各セル群内の前記一方の電極と、を接続する、隣り合う2つの前記セル群間の配線とは別に設けられたバイパス配線を有し、
前記バイパス配線を平行射影する面が前記他方の電極の上に重ならないことを特徴とする請求項1から9の何れか1項に記載の静電容量型トランスデューサ。 - 複数の前記セル群の静電容量(複数の前記セル自体の静電容量と寄生容量を含むもの)が互いに等しく、隣り合う2つの前記セル群間の配線抵抗(並列的な複数の配線の合成抵抗)が互いに等しいことを特徴とする請求項1から10の何れか1項に記載の静電容量型トランスデューサ。
- 前記セル群の数が50個以上である請求項1から11の何れか1項に記載の静電容量型トランスデューサ。
- 被検体からの音響波を受信して電気信号に変換する静電容量型トランスデューサと、
前記電気信号を用いて前記被検体の情報を取得する取得部と、を有し、
前記静電容量型トランスデューサが請求項1から12の何れか1項に記載の静電容量型トランスデューサであることを特徴とする情報取得装置。 - 前記静電容量型トランスデューサは、前記静電容量型トランスデューサから前記被検体に音響波を送信し、前記被検体から反射された音響波を受信することを特徴とする請求項13に記載の情報取得装置。
- 前記静電容量型トランスデューサは、前記被検体に光を照射することにより発生する音響波を受信することを特徴とする請求項13または14に記載の情報取得装置。
- 前記被検体に光を照射する光源を有することを特徴とする請求項15に記載の情報取得装置。
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