JP6395390B2 - 静電容量型トランスデューサおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
間隙を隔てて形成された一対の電極と、前記一対の電極のうちの一方の電極を含む振動膜とを含むセルを、複数有する素子を備えた静電容量型トランスデューサであって、
前記素子の端部のセルにおける前記一対の電極間の距離は、前記素子の中央部のセルにおける前記一対の電極間の距離より広く、
前記素子の端部のセルにおける前記振動膜のばね定数は、前記素子の中央部のセルにおける前記振動膜のばね定数より小さいことを特徴とする静電容量型トランスデューサである。
本発明はまた、以下の構成を採用する。すなわち、
間隙を隔てて形成された一対の電極と、前記一対の電極のうちの一方の電極を含む振動膜とを含むセルを、複数有する素子を備えた静電容量型トランスデューサであって、
前記素子の端部のセルにおける前記一対の電極間の距離は、前記素子の中央部のセルにおける前記一対の電極間の距離より広く、
前記素子の端部のセルにおける前記振動膜による復元力と静電引力の総和と、前記素子の中央部のセルにおける前記振動膜による復元力と静電引力の総和とが等しい
ことを特徴とする静電容量型トランスデューサである。
複数のセルを有する素子を備えた静電容量型トランスデューサの製造方法であって、
複数の第一の電極を形成するステップと、
前記複数の第一の電極とそれぞれ対応する複数の第二の電極を含む振動膜を振動可能に形成することにより、一対の前記第一の電極および前記第二の電極からなる前記セルを複数形成するステップと、
を有し、
前記セルを複数形成するステップでは、前記素子の端部のセルにおける前記第一の電極と前記第二の電極の距離は、前記素子の中央部のセルにおける前記第一の電極と前記第二の電極の距離より広くなり、かつ、前記素子の端部のセルにおける振動膜のばね定数は、前記素子の中央部のセルにおける振動膜のばね定数より小さくなるように、前記セルの形成を行う
ことを特徴とする静電容量型トランスデューサの製造方法である。
本発明はまた、以下の構成を採用する。すなわち、
複数のセルを有する素子を備えた静電容量型トランスデューサの製造方法であって、
複数の第一の電極を形成するステップと、
前記複数の第一の電極とそれぞれ一対となる複数の第二の電極を含む振動膜を振動可能に形成することにより、一対の前記第一の電極および前記第二の電極を備える前記セルを複数形成するステップと、
を有し、
前記セルを複数形成するステップでは、前記素子の端部のセルにおける前記第一の電極と前記第二の電極との距離は、前記素子の中央部のセルにおける前記第一の電極と前記第二の電極との距離より広くなり、かつ、前記素子の端部のセルにおける振動膜による復元力と静電引力の総和と、前記素子の中央部のセルにおける振動膜による復元力と静電引力の総和とが等しくなるように、前記セルの形成を行う
ことを特徴とする静電容量型トランスデューサの製造方法である。
用いた保持が好適である。
本発明でいう超音波は、音波、弾性波とも呼ばれる音響波の典型例として挙げられたものであり、波長などを限定するものではない。
。
FM=kM・x…(1)
ここで、KMは振動膜のばね定数であり、xは振動膜の変位量である。
また、静電力FEは(2)式のように記述できる。
エッチング孔の封止工程と第二のメンブレンを形成する工程を別工程とすることもできる。第二のメンブレンを形成してから封止部を形成する、あるいは、封止部を形成してから第二のメンブレンを形成することもできる。
本工程の後、図示しない工程により、第一の電極、第二の電極と接続する配線を形成する。配線材料はアルミ等でよい。
以下、より具体的な実施例を挙げて本発明を詳細に説明する。
以下に、本発明の実施の形態について図1を用いて説明する。図1(a)は、本発明の静電容量型トランスデューサの上面図であり、図1(b)は、図1(a)のA−B断面図である。本発明の静電容量型トランスデューサの素子14は、15個のセル12で構成される。図1では、静電容量型トランスデューサに含まれる素子数は1であるが、いくつであっても構わない。
ン酸化膜である。第二の絶縁膜15は、Prasma Enhanced Chemical Vapor Deposition(PE−CVD)により形成した、0.1μm厚さのシリコン酸化膜である。第一の電極は厚さが50nmのアルミであり、第二の電極4は厚さが100nmのアルミである。第一のメンブレン7、第二のメンブレン8はPE−CVDにより作製した窒化シリコン膜であり、200MPa以下の引張り応力で形成する。また、第一のメンブレン7、第二のメンブレン8の直径は、25μmであり、それぞれの厚さは、0.4μm、0.7μmである。
素子の端部のセルの一対の電極間隔や素子の中央部のセルの一対の電極間隔は、形成したい超音波ビームの形状に依存して設計すればよい。例えば、ガウシアンビームにするのであれば、その分布に合わせて、設計すればよい。
実施例2の静電容量型トランスデューサの構成を、図2を用いて説明する。図2(a)は、本発明の静電容量型トランスデューサの上面図であり、実施例2の静電容量型トランスデューサの構成は、実施例1とほぼ同様である。よって、違う点を中心に説明する。
エッチング路34、封止部36、第一のメンブレン36、第二のメンブレン37、振動膜39、基板40、第一の絶縁膜41、セル42、素子44、第二の絶縁膜45を含む。
上記の静電容量型トランスデューサは、それを用いて音響波を受信または送信するプローブに適用できる。例えば図4において、プローブ402は複数の素子403を備えている。情報処理部406の指令により送信部405が送信音響波の制御を行うことで、各素子から音響波が発生する。一方、受信時には、各素子から出力された電気信号が、信号処理部404による処理(例えば増幅やAD変換)を施される。
まず特性情報として、被検体401の内部の光吸収体が、光源(不図示)からの光を吸収して光音響波を発生させた場合について説明する。このとき光音響波は被検体内部を伝搬し、素子にて受信される。素子から出力された電気信号は信号処理部に入力され、信号処理が施される。情報処理部は、信号処理部から入力された信号に基づき、既知の画像再構成処理により被検体内の初期音圧分布、吸収係数分布などを生成する。また診断の際は、必要に応じてこれらの情報を画像データ化して表示部407に表示しても良い。なお、本明細書においては、信号処理部と情報処理部とからなる構成を処理部と称する場合もある。
装置の場合、音響波を送信するプローブは受信するプローブと別に設けても良い。
さらに、光音響波を用いた装置とエコー波を用いた装置の機能を兼ね備えた装置にも、本発明の静電容量型トランスデューサは適用できる。
Claims (16)
- 間隙を隔てて形成された一対の電極と、前記一対の電極のうちの一方の電極を含む振動膜とを含むセルを、複数有する素子を備えた静電容量型トランスデューサであって、
前記素子の端部のセルにおける前記一対の電極間の距離は、前記素子の中央部のセルにおける前記一対の電極間の距離より広く、
前記素子の端部のセルにおける前記振動膜のばね定数は、前記素子の中央部のセルにおける前記振動膜のばね定数より小さい
ことを特徴とする静電容量型トランスデューサ。 - 間隙を隔てて形成された一対の電極と、前記一対の電極のうちの一方の電極を含む振動膜とを含むセルを、複数有する素子を備えた静電容量型トランスデューサであって、
前記素子の端部のセルにおける前記一対の電極間の距離は、前記素子の中央部のセルにおける前記一対の電極間の距離より広く、
前記素子の端部のセルにおける前記振動膜による復元力と静電引力の総和と、前記素子の中央部のセルにおける前記振動膜による復元力と静電引力の総和とが等しい
ことを特徴とする静電容量型トランスデューサ。 - 前記振動膜の形状は、円形、四角形および六角形のいずれかである
ことを特徴とする請求項1または2に記載の静電容量型トランスデューサ。 - 前記一方の電極と前記間隙との間に、シリコン酸化膜または窒化シリコン膜が設けられている
ことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の静電容量型トランスデューサ。 - 前記一方の電極と異なる他方の電極と、前記間隙との間に、シリコン酸化膜または窒化シリコン膜が設けられている
ことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の静電容量型トランスデューサ。 - 前記素子に含まれる複数の前記セルは、互いに同じ形状である
ことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の静電容量型トランスデューサ。 - 前記素子に含まれる複数の前記セルにおいて、前記一方の電極が共通である
ことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載の静電容量型トランスデューサ。 - 前記素子に含まれる複数の前記セルにおいて、前記一方の電極と異なる他方の電極が共通である
ことを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1項に記載の静電容量型トランスデューサ。 - 前記素子に含まれる複数の前記セルにおいて、前記振動膜のサイズは互いに同じであることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか1項に記載の静電容量型トランスデューサ。
- 前記素子に含まれる複数の前記セルの放射インピーダンスは互いに同じである
ことを特徴とする請求項1ないし8のいずれか1項に記載の静電容量型トランスデューサ。 - 請求項1ないし10のいずれか1項に記載の静電容量型トランスデューサを備えるプローブ。
- 請求項1ないし10のいずれか1項に記載の静電容量型トランスデューサと、
被検体から伝搬する音響波が前記振動膜に入射することにより前記静電容量型トランスデューサより出力される電気信号を用いて前記被検体内の特性情報を取得する処理部と、を有することを特徴とする被検体情報取得装置。 - 前記一対の電極に電圧を印加することで前記振動膜を振動させて音響波を送信させる送信部をさらに備え、
前記音響波は、前記送信された音響波が前記被検体内部で反射したものである
ことを特徴とする請求項12に記載の被検体情報取得装置。 - 光源をさらに備え、
前記音響波は、前記光源からの光を照射された前記被検体から発生する光音響波であることを特徴とする請求項12に記載の被検体情報取得装置。 - 複数のセルを有する素子を備えた静電容量型トランスデューサの製造方法であって、
複数の第一の電極を形成するステップと、
前記複数の第一の電極とそれぞれ一対となる複数の第二の電極を含む振動膜を振動可能に形成することにより、一対の前記第一の電極および前記第二の電極を備える前記セルを複数形成するステップと、
を有し、
前記セルを複数形成するステップでは、前記素子の端部のセルにおける前記第一の電極と前記第二の電極との距離は、前記素子の中央部のセルにおける前記第一の電極と前記第二の電極との距離より広くなり、かつ、前記素子の端部のセルにおける振動膜のばね定数は、前記素子の中央部のセルにおける振動膜のばね定数より小さくなるように、前記セルの形成を行う
ことを特徴とする静電容量型トランスデューサの製造方法。 - 複数のセルを有する素子を備えた静電容量型トランスデューサの製造方法であって、
複数の第一の電極を形成するステップと、
前記複数の第一の電極とそれぞれ一対となる複数の第二の電極を含む振動膜を振動可能に形成することにより、一対の前記第一の電極および前記第二の電極を備える前記セルを複数形成するステップと、
を有し、
前記セルを複数形成するステップでは、前記素子の端部のセルにおける前記第一の電極と前記第二の電極との距離は、前記素子の中央部のセルにおける前記第一の電極と前記第二の電極との距離より広くなり、かつ、前記素子の端部のセルにおける振動膜による復元力と静電引力の総和と、前記素子の中央部のセルにおける振動膜による復元力と静電引力の総和とが等しくなるように、前記セルの形成を行う
ことを特徴とする静電容量型トランスデューサの製造方法。
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