JP6550738B2 - 高周波増幅器 - Google Patents
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Description
図1は第1の実施形態に係わる高周波増幅器1の全体構成を示す半導体のレイアウト図である。図2は図1のA−A’間の断面図であり、図3は図1のD−D’間の断面図である。高周波増幅器1は、使用する高周波信号が入力側2から入力され、入力された高周波信号を分配する分配回路3と、分配された高周波信号を増幅し出力する並列に接続された複数の増幅器6と、複数の増幅器6によって増幅された高周波信号を合成して出力側7から出力する合成回路8と、増幅器6が配置されるベース基板4と、各々の増幅器6の接地側に接続された導体パターン9と、接地電極11とを備えている。各々の増幅器6は複数のトランジスタ5からなる。複数の増幅器6は、分配回路3および合成回路8に接続されることにより、入力側2および出力側7に対して並列に接続されている。分配回路3、増幅器6および合成回路8はベース基板4の一方の面上に形成され、接地電極11はベース基板4の他方の面上に形成されている。
第2の実施形態について、上記第1の実施形態に対する追加構成部分についてのみ説明する。具体的には、第2の実施形態の高周波増幅器は、図1に示すスロット14の平面視形状の矩形の長辺の長さが、使用する高周波信号の周波数に対して1/2波長以下になっている。一般的にスロット14を設けると使用する高周波信号の周波数に対して共振が生じてしまい、スロット14において発振が引き起こされる。しかし、スロット長を使用する高周波信号の周波数の1/2波長以下にすることで共振が生じなくなるため、スロット14を設けたことによる発振を引き起こすことはなくなる。
第3の実施形態について、上記第1の実施形態とは構成が異なる部分について説明する。具体的には、第3の実施形態の高周波増幅器300は、隣り合う増幅器6にそれぞれ接続された2つの導体パターン9の間にスロット14と並列に接続された抵抗素子16を備え、隣り合う増幅器6同士が導体パターン9と抵抗素子16を介して接続されている。図4は上面から見た高周波増幅器300のレイアウト図である。図5は図4のB−B’間の断面図である。図4、5に示すように、抵抗素子16はスロット14の下層(ベース基板4の上面)に形成され、抵抗素子16は、隣り合う増幅器6にそれぞれ接続された2つの導体パターン9にビア10Cにより接続されている。抵抗素子16はスロット14と並列に接続されていればスロット14の真下に配置されなくても良い。抵抗素子16の抵抗値については、増幅器6の接地側に戻ってくる高周波信号の大きさに応じて適宜設定すればよい。
第4の実施形態について、上記第1の実施形態とは構成が異なる部分について説明する。具体的には、第4の実施形態の高周波増幅器400は、隣り合う増幅器6にそれぞれ接続された2つの導体パターン9の間にスロット14と並列に接続された共振回路18を備え、隣り合う増幅器6同士が導体パターン9と共振回路18を介して接続されている。図6は上面から見た高周波増幅器400のレイアウト図である。図7は図6のC−C’間の断面図である。図6、7に示すように、共振回路18はスロット14の下層に形成され、共振回路18は、隣り合う増幅器6にそれぞれ接続された2つの導体パターン9にビア10Cにより接続されている。共振回路18はローパスフィルタを構成し、使用する高周波信号の高調波成分を減衰させる。共振回路18はスロット14と並列に接続されていればスロット14の真下に配置されなくても良い。
第5の実施形態について、上記第4の実施形態とは構成が異なる部分について説明する。具体的には、第5の実施形態の高周波増幅器は、第4の実施形態の高周波増幅器400における共振回路18がノッチ型フィルタを構成し、ノッチ型フィルタの共振点は使用する高周波信号の周波数となっている。共振回路18は、例えばLとCを並列共振させるような共振器によるノッチ型フィルタが好ましい。
第6の実施形態について、上記第1の実施形態とは構成が異なる部分について説明する。具体的には、第6の実施形態の高周波増幅器は、スロット14内部が、スロット14の周囲で使用されている絶縁材料15よりも誘電率が低い絶縁材料で埋められている。スロット14内部を埋める絶縁材料はLow−k材などの誘電率が3.0以下の絶縁材料が好ましい。スロット14内部を誘電率の低い絶縁材料で埋めることで、増幅器間の発振ループ経路を流れる高周波信号に対する絶縁性が高くなり、スロット14において高周波信号が伝わりにくくなるため、ループ発振をより抑制可能となる。またスロット14内部を低誘電率の材料で埋めることにより、波長短縮効果が作用し、スロット14の幅も短くできるため、高周波増幅器を小型にすることが可能となる。
上記第1の実施形態から第5の実施形態に係る高周波増幅器と、比較例として第1の実施形態の高周波増幅器1に対しスロット14が無く、それ以外の構成が同一の高周波増幅器の構成に対して、Agilent Technology社のAdvanced Design System(ADS)を用いて、隣り合う増幅器6間のアイソレーションのシミュレーションを行った。その結果を図8に示す。抵抗素子16、共振回路18は各々ADSの理想素子でシミュレーションしている。図8に示すfoscが使用する高周波信号の周波数である。
2 入力側
3 分配回路
4 ベース基板
5 トランジスタ
6 増幅器
7 出力側
8 合成回路
9 導体パターン
10A、10B、10C ビア
11 接地電極
14 スロット
15 絶縁材料
16 抵抗素子
18 共振回路
Claims (5)
- 入力された高周波信号を分配する分配回路と、
前記分配回路によって分配された高周波信号を増幅し出力する並列に接続された複数の増幅器と、
前記複数の増幅器によって増幅された高周波信号を合成する合成回路と、
前記増幅器が配置される基板と、
各々の前記増幅器の接地側に接続された導体パターンと、
接地電極と
を備え、
前記導体パターンは、前記増幅器が隣り合う方向に伸びる第1の導体部分と、隣り合う前記増幅器の間において前記第1の導体部分とは異なる方向に伸びる第2の導体部分を有し、
隣り合う前記増幅器にそれぞれ接続された2つの前記導体パターンの間にスロットが設けられ、
隣り合う前記増幅器の間において、前記基板を貫通する2つのビアが前記スロットを挟んで設けられ、
隣り合う前記増幅器にそれぞれ接続された前記2つの導体パターンの一方が、前記2つのビアの一方により前記接地電極に接続され、隣り合う前記増幅器にそれぞれ接続された前記2つの導体パターンの他方が、前記2つのビアの他方により前記接地電極に接続され、
隣り合う前記増幅器にそれぞれ接続された前記2つの導体パターンの前記第2の導体部分は互いに離間する方向に伸び、前記第2の導体部分に前記ビアが接続されていることを特徴とする高周波増幅器。 - 入力された高周波信号を分配する分配回路と、
前記分配回路によって分配された高周波信号を増幅し出力する並列に接続された複数の増幅器と、
前記複数の増幅器によって増幅された高周波信号を合成する合成回路と、
前記増幅器が配置される基板と、
各々の前記増幅器の接地側に接続された導体パターンと、
接地電極と
を備え、
前記導体パターンは、前記増幅器が隣り合う方向に伸びる第1の導体部分を有し、
隣り合う前記増幅器にそれぞれ接続された2つの前記導体パターンの間にスロットが設けられ、
隣り合う前記増幅器の間において、前記基板を貫通する2つのビアが前記スロットを挟んで設けられ、
隣り合う前記増幅器にそれぞれ接続された前記2つの導体パターンの一方が、前記2つのビアの一方により前記接地電極に接続され、隣り合う前記増幅器にそれぞれ接続された前記2つの導体パターンの他方が、前記2つのビアの他方により前記接地電極に接続され、
前記スロットの長さは使用する高周波信号の周波数に対して概ね1/2波長以下であることを特徴とする高周波増幅器。 - 入力された高周波信号を分配する分配回路と、
前記分配回路によって分配された高周波信号を増幅し出力する並列に接続された複数の増幅器と、
前記複数の増幅器によって増幅された高周波信号を合成する合成回路と、
前記増幅器が配置される基板と、
各々の前記増幅器の接地側に接続された導体パターンと、
接地電極と
を備え、
前記導体パターンは、前記増幅器が隣り合う方向に伸びる第1の導体部分を有し、
隣り合う前記増幅器にそれぞれ接続された2つの前記導体パターンの間にスロットが設けられ、
隣り合う前記増幅器の間において、前記基板を貫通する2つのビアが前記スロットを挟んで設けられ、
隣り合う前記増幅器にそれぞれ接続された前記2つの導体パターンの一方が、前記2つのビアの一方により前記接地電極に接続され、隣り合う前記増幅器にそれぞれ接続された前記2つの導体パターンの他方が、前記2つのビアの他方により前記接地電極に接続され、
隣り合う前記増幅器にそれぞれ接続された前記2つの導体パターンの間に前記スロットと並列に接続された抵抗素子を備え、隣り合う前記増幅器同士が前記導体パターンと前記抵抗素子を介して接続されていることを特徴とする高周波増幅器。 - 入力された高周波信号を分配する分配回路と、
前記分配回路によって分配された高周波信号を増幅し出力する並列に接続された複数の増幅器と、
前記複数の増幅器によって増幅された高周波信号を合成する合成回路と、
前記増幅器が配置される基板と、
各々の前記増幅器の接地側に接続された導体パターンと、
接地電極と
を備え、
前記導体パターンは、前記増幅器が隣り合う方向に伸びる第1の導体部分を有し、
隣り合う前記増幅器にそれぞれ接続された2つの前記導体パターンの間にスロットが設けられ、
隣り合う前記増幅器の間において、前記基板を貫通する2つのビアが前記スロットを挟んで設けられ、
隣り合う前記増幅器にそれぞれ接続された前記2つの導体パターンの一方が、前記2つのビアの一方により前記接地電極に接続され、隣り合う前記増幅器にそれぞれ接続された前記2つの導体パターンの他方が、前記2つのビアの他方により前記接地電極に接続され、
隣り合う前記増幅器にそれぞれ接続された前記2つの導体パターンの間に前記スロットと並列に接続された共振回路を備え、隣り合う前記増幅器同士が前記導体パターンと前記共振回路を介して接続され、前記共振回路がローパスフィルタを構成していることを特徴とする高周波増幅器。 - 入力された高周波信号を分配する分配回路と、
前記分配回路によって分配された高周波信号を増幅し出力する並列に接続された複数の増幅器と、
前記複数の増幅器によって増幅された高周波信号を合成する合成回路と、
前記増幅器が配置される基板と、
各々の前記増幅器の接地側に接続された導体パターンと、
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を備え、
前記導体パターンは、前記増幅器が隣り合う方向に伸びる第1の導体部分を有し、
隣り合う前記増幅器にそれぞれ接続された2つの前記導体パターンの間にスロットが設けられ、
隣り合う前記増幅器の間において、前記基板を貫通する2つのビアが前記スロットを挟んで設けられ、
隣り合う前記増幅器にそれぞれ接続された前記2つの導体パターンの一方が、前記2つのビアの一方により前記接地電極に接続され、隣り合う前記増幅器にそれぞれ接続された前記2つの導体パターンの他方が、前記2つのビアの他方により前記接地電極に接続され、
隣り合う前記増幅器にそれぞれ接続された前記2つの導体パターンの間に前記スロットと並列に接続された共振回路を備え、隣り合う前記増幅器同士が前記導体パターンと前記共振回路を介して接続され、前記共振回路がノッチ型フィルタを構成し、前記ノッチ型フィルタの共振点は使用する高周波信号の周波数であることを特徴とする高周波増幅器。
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