JP6547146B1 - 加工装置 - Google Patents
加工装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6547146B1 JP6547146B1 JP2018091794A JP2018091794A JP6547146B1 JP 6547146 B1 JP6547146 B1 JP 6547146B1 JP 2018091794 A JP2018091794 A JP 2018091794A JP 2018091794 A JP2018091794 A JP 2018091794A JP 6547146 B1 JP6547146 B1 JP 6547146B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ultraviolet light
- workpiece
- catalyst
- processing
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 108
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 68
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 49
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 5
- 230000008602 contraction Effects 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 12
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 5
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 239000002101 nanobubble Substances 0.000 description 3
- 239000002574 poison Substances 0.000 description 3
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 3
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 2
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000002683 reaction inhibitor Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000009958 sewing Methods 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Weting (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
図1には触媒基準平坦加工装置の垂直断面図を示す。図1において、基台1上に平行レール11が設けられ、当該平行レール11上にこれに沿って図1の左右方向へ移動可能に矩形の支持板2が架設されている。支持板2上には平行レール11と直交する方向へ三本のレール21が等間隔で平行に設けられ、これらレール21上にこれに沿って図1の紙面前後方向へ移動可能に矩形の定盤3が架設されている。
図5には本発明の第2実施形態を示す。本実施形態では支持板2およびこれに載置された定盤3を、支持板2の移動方向へ延長し、加工液Lを貯留する容器4も支持板2の移動方向へ延長拡大されている。そして、支持板移動方向の、容器4の一端半部の底壁を構成する定盤3上に第1実施形態と同様のパッド9が設けられている。また、容器4の他端半部の底壁を構成する定盤3上には第1実施形態と同様のヒートシンク6と、その上に、紫外線発光用のLED8を埋設した保持体7およびガラス板71が積載されている。他の構成は第1実施形態と同様である。
図7には本発明の第3実施形態を示す。基本構造は第1実施形態と同様であるが、本実施形態では支持板7(ガラス板71)上のパッド9が、特許第4680314号公報に示されるような補助板20上に載置されている。補助板20は支持板7上からパッド9を取り外すに際しての当該パッド9の損傷を防止してパッド9の再利用を可能にするものである。補助板20は支持板7と同形の矩形の平板部201を有する(図8)とともに、その周縁には全周に、ガラス板71の外周に嵌着される(図7参照)周壁202が形成されている。取り付けスペースによっては、周壁202は無くても良く、補助板20と支持板7の固定はネジ止めでも良い。
図10において、定盤3上にこれとは別体の、枠壁41と底壁42を備える容器4が固定されており、容器4内には加工液Lが貯留されている。容器4内の底壁42上には第2実施形態で説明したと同様の補助板20が設けられて、補助板20上にパッド9が載置されている。加工液L中に位置するパッド9の上面には上方からウェハWが当接ないし近接させてあり、ウェハWは主軸10の下端に設けられたホルダ101に支持されている。そして本実施形態では、円形のホルダ101の下面外周部に、紫外線発光素子たる発光ダイオード(LED)8が埋設されて、パッド9の上面外周部に向けて紫外線が出力される(矢印)ようになっている。他の構造は第1実施形態と同様である。
なお、本発明は容器内に加工液を貯留した構造に限られず、パッド上に加工液をノズルから供給するようにした、いわゆる滴下型の平坦加工装置にも適用可能である。
上記第2実施形態では容器4を移動させるようにしたが、主軸10を移動させるようにしても良い。
上記第1実施形態において、供給パイプ51と排出パイプ52の配置は図2に示すものに限られず、例えば容器4の枠壁41に側方から連結されるような構造であっても良い。また、ヒートシンク6は必ずしも必要なものではない。容器4の底壁を定盤3で兼用せず、定盤3とは別体の容器体を定盤3上に載置する構造でも良い。
なお、被加工物Wはウェハ、エピタキシャル成長膜や成膜面、3元素混晶、4元素混晶に限定されず、凹凸形状、円筒、四角、孔の部分、長物、複雑な任意形状でも構わない。被加工物Wは例えばSi成分C成分Al成分N成分Ga成分、O成分、In成分の少なくともいずれかを含む材質やSiCやGaNやアルミニウムガリウムナイトライドや酸化ガリウムやダイヤモンド、サファイアである。触媒体は被加工物表面を加工可能な板形状や円形状や球形状や細長い形状のものでも良い。ガラス板71は石英や被加工物との関係で使用出来るようであれば紫外線の波長を落としてサファイアが使用できる。
加工ムラを押さえる目的とLEDの使用個数を減らす目的で図4の二点鎖線の矩形枠E,F内にある貫通穴のみから紫外線を照射するようにしても良い。この場合、その他の穴加工部は穴である必要は無くパッド表面は溝加工がされていても良い。図4の貫通穴全部から光を出そうとしたら、穴径と穴ピッチによってはLEDの取り付けスペースが確保できずLEDを搭載出来ないケースがある。その場合に上記方法は有効な方法で、図4のようにLEDとLEDの距離を離して設置しても良い。この場合、揺動できる距離は、被加工物が等速でLED上を通過できるのが好ましいので、被加工物外径の2倍以上ある方が好ましい。一例として、被加工物を保持するヘッド直径の2倍の長さと光を照射する矩形枠E,F内の貫通穴の直径長さぶん揺動できる方が好ましい。
定盤3は必ずしも水平振動させる必要は無く、図13に示すような平坦加工装置で多用されている、相対的に大径の定盤401を回転させ、その外周部で相対的に小径のホルダ402を回転させるようないわゆる回転方式の装置にも本発明を適用することが可能である。なお、この場合は図13のように光照射上を被加工物が通過してくれるため、例えば図13の二点鎖線の矩形枠E、Fに図4の二点鎖線の矩形枠E、Fで示したような貫通穴がそれぞれ設けられていてそこから紫外線が照射されていても、被加工物全面に同じ時間紫外線が照射されるように貫通穴を配置すれば被加工物はムラが少なく加工が進む。なお、矩形枠E、Fはそろって配置されていても良い。また矩形枠E、Fはそれぞれ複数配置されていても良い。この場合も、LEDから発熱する熱で加工液の加温が可能である。
Claims (5)
- 被加工物の表面に向けて紫外線を出力する紫外線発光素子を設け、当該紫外線発光素子から発せられる熱が前記被加工物を加工する加工液に放散されて当該加工液が加温されると同時に前記紫外線発光素子が冷却されるように構成されており、少なくとも表面に触媒層を有する触媒体を備えて、触媒反応を促進する前記加工液の存在下で、前記被加工物と前記触媒体の各表面を互いに当接ないし近接させて、これらを触媒反応による前記被加工物の表面の平坦化が可能な量だけ相対移動させるようにした加工装置であって、前記紫外線発光素子は前記被加工物の表面に向けて紫外線を出力するものであり、前記触媒体は加工液を貯留する容器内に設置されており、前記紫外線発光素子は、前記被加工物側から見て前記触媒体と同一位置で前記容器内に位置する保持体内に設けられている加工装置。
- 被加工物の表面に向けて紫外線を出力する紫外線発光素子を設け、当該紫外線発光素子から発せられる熱が前記被加工物を加工する加工液に放散されて当該加工液が加温されると同時に前記紫外線発光素子が冷却されるように構成されており、少なくとも表面に触媒層を有する触媒体を備えて、触媒反応を促進する前記加工液の存在下で、前記被加工物と前記触媒体の各表面を互いに当接ないし近接させて、これらを触媒反応による前記被加工物の表面の平坦化が可能な量だけ相対移動させるようにした加工装置であって、前記紫外線発光素子は前記被加工物の表面に向けて紫外線を出力するものであり、前記触媒体は加工液を貯留する容器内に設置されており、前記紫外線発光素子は、前記被加工物側から見て前記触媒体と異なる位置で前記容器内に設置された保持体内に設けられていて、前記被加工物が前記触媒体に対向する位置と前記保持体に対向する位置に相対移動するように構成されている加工装置。
- 前記触媒体は補助板上に載置されており、前記補助板に一方の電極が設けられるとともに、前記被加工物の背後に他方の電極が設けられて、これら電極間に電界が生じるように構成されている請求項1又は2に記載の加工装置。
- 前記紫外線発光素子は紫外線発光ダイオードである請求項1ないし3のいずれかに記載の加工装置。
- 常温から加工時の温度上昇に伴う熱収縮に耐性がある共有結合、イオン結合、金属結合のいずれかによって構成されている請求項1ないし4のいずれかに記載の加工装置に使用される触媒体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018091794A JP6547146B1 (ja) | 2018-05-11 | 2018-05-11 | 加工装置 |
PCT/JP2019/017234 WO2019216203A1 (ja) | 2018-05-11 | 2019-04-23 | 加工装置 |
TW108114784A TW202002127A (zh) | 2018-05-11 | 2019-04-26 | 加工裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018091794A JP6547146B1 (ja) | 2018-05-11 | 2018-05-11 | 加工装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019081556A Division JP6620291B2 (ja) | 2019-04-23 | 2019-04-23 | 加工装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6547146B1 true JP6547146B1 (ja) | 2019-07-24 |
JP2019197841A JP2019197841A (ja) | 2019-11-14 |
Family
ID=67390350
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018091794A Active JP6547146B1 (ja) | 2018-05-11 | 2018-05-11 | 加工装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6547146B1 (ja) |
TW (1) | TW202002127A (ja) |
WO (1) | WO2019216203A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7479668B2 (ja) | 2020-01-28 | 2024-05-09 | 株式会社東邦鋼機製作所 | 触媒パッド、その製造方法および製造装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4753596B2 (ja) * | 2004-05-19 | 2011-08-24 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP5403359B2 (ja) * | 2009-12-15 | 2014-01-29 | 国立大学法人大阪大学 | 研磨具及び研磨装置 |
JP4680314B1 (ja) * | 2010-02-04 | 2011-05-11 | 東邦エンジニアリング株式会社 | 研磨パッド用補助板およびそれを用いた研磨パッドの再生方法 |
JP6206847B2 (ja) * | 2014-03-12 | 2017-10-04 | 国立大学法人大阪大学 | ワイドバンドギャップ半導体基板の加工方法及びその装置 |
JP6266680B2 (ja) * | 2016-03-28 | 2018-01-24 | 株式会社トクヤマ | 洗浄方法および洗浄液 |
-
2018
- 2018-05-11 JP JP2018091794A patent/JP6547146B1/ja active Active
-
2019
- 2019-04-23 WO PCT/JP2019/017234 patent/WO2019216203A1/ja active Application Filing
- 2019-04-26 TW TW108114784A patent/TW202002127A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019216203A1 (ja) | 2019-11-14 |
JP2019197841A (ja) | 2019-11-14 |
TW202002127A (zh) | 2020-01-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7034683B2 (ja) | 剥離装置 | |
CN110349885B (zh) | 基板支承单元和具有该基板支承单元的基板处理装置 | |
JP5861696B2 (ja) | 光照射装置 | |
US20190181024A1 (en) | Wafer producing apparatus and carrying tray | |
JP7123583B2 (ja) | ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置 | |
JP6959120B2 (ja) | 剥離装置 | |
JP2019175907A (ja) | ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置 | |
JP6547146B1 (ja) | 加工装置 | |
CN105493235B (zh) | 光照射装置 | |
JPWO2017110121A1 (ja) | ラインビーム光源およびラインビーム照射装置ならびにレーザリフトオフ方法 | |
WO2011016427A1 (ja) | エネルギー付与装置およびエネルギー付与方法 | |
JP6620291B2 (ja) | 加工装置 | |
JP2011177781A (ja) | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 | |
JP6145761B2 (ja) | 加工方法及び加工装置 | |
JP2006224252A (ja) | 研磨装置 | |
JP2020178085A (ja) | 表面除去加工装置 | |
US20220168866A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method using photocatalyst | |
KR20180127137A (ko) | 기판 연마 장치 및 기판 연마 방법 | |
JP2019067895A (ja) | 光電気化学エッチングによるSiCウェハの加工方法 | |
JP2017100264A (ja) | ワイヤ放電加工装置 | |
JP4196806B2 (ja) | 紫外光照射装置 | |
KR20230172173A (ko) | 열제어 기판 및 그 제조방법 | |
CN117564815A (zh) | 一种光电芬顿复合磁流变抛光装置及使用方法 | |
JP6757011B2 (ja) | 触媒基準装置 | |
JP2009152386A (ja) | 紫外線照射装置及び紫外線照射方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180912 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20180912 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20181225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190108 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20190228 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190423 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190521 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190529 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6547146 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |