JP6546492B2 - アルミニウム磁気ディスク基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ハードディスクといった磁気記録媒体の磁気記録媒体用基板として広く使用されている、アルミニウム磁気ディスク基板の製造方法に関する。特に、アルミニウム合金製の基板の表面に無電解ニッケル−リンめっき皮膜を形成した磁気記録媒体用アルミニウム磁気ディスク基板の製造方法に関する。

近年、ハードディスクは小型化・大容量化が進み、高記録密度化が求められている。そこで、高記録密度磁気信号の検出感度を向上させる必要があり、磁気ヘッドの浮上高さをより低下させ、単位記録密度を増大させる技術開発が進められている。磁気ディスク基板は、磁気ヘッドの浮上高さの低下と記録面積の確保に対応するため、平滑性および平坦性の向上（表面粗さ、うねり、端面ダレの低減）や表面欠陥低減（残留粒子、スクラッチ、突起、ピット等の低減）等の表面品質の向上が厳しく要求されている。

このような要求に対して、より平滑で、傷が少ないといった表面品質の向上と生産性の向上を両立させる観点から、磁気ディスク基板の製造方法においては、２段階以上の研磨工程を有する多段研磨方式が採用されることが多い。一般に、多段研磨方式の最終研磨工程、すなわち、仕上げ研磨工程では、表面粗さの低減、スクラッチ、突起、ピット等の傷の低減という要求を満たすために、コロイダルシリカを含む仕上げ用研磨剤組成物が使用され、仕上げ研磨工程より前の研磨工程（粗研磨工程）では、生産性向上の観点から、アルミナ粒子を含む研磨剤組成物が使用されてきた。

しかし、アルミニウム磁気ディスク基板の研磨を行う場合、粗研磨工程で使用されるアルミナ粒子はアルミニウム磁気ディスク基板の無電解ニッケル−リンめっき皮膜に比べてかなり硬度が高いため、アルミナ粒子が基板に突き刺さることがある。この突き刺さった粒子が後段の仕上げ研磨工程に悪影響を与えることが問題となっていた。

このような問題の解決策として、アルミナ粒子とシリカ粒子を組み合わせた研磨剤組成物が提案されている（特許文献１〜６）。また、アルミナ粒子を使用せず、シリカ粒子のみで研磨する方法が提案されている（特許文献７〜１３）。

特開２００９−１７６３９７号公報 特開２０１１−２０４３２７号公報 特開２０１２−４３４９３号公報 特開２０１４−２９７５２号公報 特開２０１４−２９７５３号公報 特開２０１４−３２７１８号公報 特表２０１１−５２７６４３号公報 特開２０１４−２９７５４号公報 特開２０１４−２９７５５号公報 特開２０１４−１１６０５７号公報 特開２０１４−２１０９１２号公報 特表２００３−５１４９５０号公報 特開２０１２−１５５７８５号公報

特許文献１〜３のように、アルミナ粒子とシリカ粒子を組み合わせることにより、基板に突き刺さったアルミナ粒子をある程度除去することは可能となる。しかしながら、このアルミナ粒子を含む研磨剤組成物を使用する限り、研磨剤組成物中に含まれるアルミナ粒子が基板に突き刺さる可能性は、依然として残っている。また、このような研磨剤組成物は、アルミナ粒子とシリカ粒子の両方を含むため、それぞれの粒子が有する特性を相互に打ち消し合い、研磨速度および表面平滑性が悪化するという問題が存在する。

また、特許文献４〜６では、最初にアルミナ粒子を使用して、その後リンス工程をはさんでシリカ粒子を使用するという方法が提案されているが、それでもアルミナ粒子の突き刺さりを完全に除去することは困難である。

そこで、アルミナ粒子を使用せずに、シリカ粒子のみで研磨する方法が提案されている。特許文献７では、コロイダルシリカと研磨促進剤の組み合わせが提案されている。特許文献８〜１１では、コロイダルシリカや、ヒュームドシリカ、表面修飾されたシリカ、水ガラス法で製造されたシリカ等による研磨、特に特殊な形状のコロイダルシリカを使用する方法が提案されている。しかしながら、これらの方法では研磨速度が不十分であり、改良が求められている。また、特許文献１２では、コロイダルシリカとヒュームドシリカを組み合わせて使用する方法が提案されている。しかしながら、この方法では、研磨速度の向上は見られるものの、ヒュームドシリカはかさ比重がとても小さいため、スラリー化等の作業性が非常に悪くなり、粉じんによる健康への影響の懸念もある。また、特許文献１３では、破砕シリカ粒子を使用することにより、アルミナに近い研磨速度を出す方法が提案されている。しかしながら、この方法では、表面平滑性が悪化するという問題があり、改良が求められている。

また、仕上げ研磨工程において、表面平滑性を向上させるために、微細な研磨材粒子を使用することが考えられるが、研磨速度が低下してしまうことが問題となる。さらに、アルミニウム磁気ディスク基板の製造において、多数の基板を連続して研磨する場合、研磨回数の増大に伴って研磨速度が顕著に低下し、生産性が悪化する。この仕上げ研磨工程における連続多数回研磨時の研磨速度低下の改善も生産性向上の課題となっていた。

本発明は、このような従来技術の有する問題点に鑑みてなされたものであり、その課題は、アルミナ粒子を使用することなく、高い研磨速度を実現すると同時に、良好な表面平滑性を得ることを可能にする特定の粗研磨工程と表面平滑性を向上させ、かつ生産性を向上することができる特定の仕上げ研磨工程とを組み合わせたアルミニウム磁気ディスク基板の研磨方法を提供することにある。

本発明者らは、上記課題を達成すべく鋭意検討した結果、粗研磨工程においては、粉砕工程を経て得られた湿式法シリカ粒子とコロイダルシリカを組み合わせて使用し、さらに粉砕工程を経て得られた湿式法シリカ粒子の平均粒径よりもコロイダルシリカの平均粒径を小さくすることにより、高い研磨速度と良好な表面平滑性を達成することが可能であることを見出し、優れた粗研磨工程を実現した。

そして、仕上げ研磨工程で使用する研磨剤組成物に水溶性高分子化合物を存在させることにより、多数の基板を連続して研磨する場合でも研磨速度の低下を抑制できることを見出し、前述の粗研磨工程と組み合わせることにより本発明を完成させた。

すなわち、本発明によれば、以下に示すアルミニウム磁気ディスク基板の製造方法が提供される。

［１］ 無電解ニッケル−リンめっき後のアルミニウム磁気ディスク基板の研磨において、粉砕工程を経て得られた湿式法シリカ粒子、第１のコロイダルシリカ、および水を含む第１の研磨剤組成物を用いて研磨する、最終段より前の粗研磨工程と、第２のコロイダルシリカ、水溶性高分子化合物、および水を含む第２の研磨剤組成物を用いて研磨する、最終段の仕上げ研磨工程と、を少なくとも含む２段階以上の研磨工程を有し、前記湿式法シリカ粒子の平均粒径よりも前記第１のコロイダルシリカの平均粒径が小さく、前記第１のコロイダルシリカの前記平均粒径よりも前記第２のコロイダルシリカの平均粒径が小さく、前記水溶性高分子化合物が、不飽和脂肪族カルボン酸に由来する構成単位を有し、疎水性単量体に由来する構成単位をさらに有する共重合体であり、前記粗研磨工程における前記第１の研磨剤組成物および前記仕上げ研磨工程における前記第２の研磨剤組成物のｐＨ値が、０．５〜３．０であるアルミニウム磁気ディスク基板の製造方法。

［２］ 前記粗研磨工程において、前記湿式法シリカ粒子の平均粒径が０．１〜１．０μｍであり、前記第１のコロイダルシリカの平均粒径が５〜２００ｎｍである前記［１］に記載のアルミニウム磁気ディスク基板の製造方法。

［３］ 前記粗研磨工程において、前記湿式法シリカ粒子と第１のコロイダルシリカの合計濃度が、前記第１の研磨剤組成物中１〜５０質量％であり、
前記第１の研磨剤組成物中のシリカ粒子全体に占める、前記湿式法シリカ粒子の割合が５〜９５質量％であり、前記第１のコロイダルシリカの割合が５〜９５質量％である前記［１］または［２］に記載のアルミニウム磁気ディスク基板の製造方法。

［４］ 前記仕上げ研磨工程において、前記第２のコロイダルシリカの平均粒径が１〜５０ｎｍであり、前記第２の研磨剤組成物に含まれる前記第２のコロイダルシリカの濃度が１〜５０質量％である前記［１］〜［３］のいずれかに記載のアルミニウム磁気ディスク基板の製造方法。

［５］ 前記仕上げ研磨工程において、前記水溶性高分子化合物の重量平均分子量が５００〜５００００であり、前記第２の研磨剤組成物中の前記水溶性高分子化合物の濃度が０．０００１〜１．０質量％である前記［１］〜［４］のいずれかに記載のアルミニウム磁気ディスク基板の製造方法。

本発明のアルミニウム磁気ディスク基板の研磨方法は、特定の粗研磨工程と特定の仕上げ研磨工程の組み合わせにより、高い研磨速度と良好な表面平滑性を実現できる。

以下、本発明の実施の形態について説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、以下の実施の形態に対し適宜変更、改良等が加えられたものも本発明の範囲に入ることが理解されるべきである。

本発明のアルミニウム磁気ディスク基板の製造方法は、アルミニウム合金製の基板の表面に無電解ニッケル−リンめっき皮膜を形成したアルミニウム磁気ディスク基板を研磨する工程（以下、「研磨工程」ともいう）に特徴を有するものである。本発明のアルミニウム磁気ディスク基板の製造方法において、研磨工程は、最終段より前の粗研磨工程と、最終段の仕上げ研磨工程と、を少なくとも含む２段階以上の研磨工程を含むものである。

１．粗研磨工程
本発明のアルミニウム磁気ディスク基板の製造方法において、粗研磨工程は、２段階以上の研磨工程において、最終段である仕上げ研磨工程より前に行われる研磨工程のうちの、少なくとも１つの工程である。

１−１．第１の研磨剤組成物
粗研磨工程は、粉砕工程を経て得られた湿式法シリカ粒子、第１のコロイダルシリカ、および水を含む第１の研磨剤組成物の存在下で行われる。

粗研磨工程においては、粉砕工程を経て得られた湿式法シリカ粒子の平均粒径よりも、平均粒径が小さい第１のコロイダルシリカを使用する。これにより、それぞれのシリカ粒子を単独使用した場合と比較して、予想外の高い研磨速度を達成すると同時に、良好な表面平滑性を達成するものである。粉砕工程を経て得られた湿式法シリカ粒子の平均粒径は０．１〜１．０μｍであることが好ましく、第１のコロイダルシリカの平均粒径は５〜２００ｎｍであることが好ましい。なお、本願における平均粒径とは、メディアン径（Ｄ５０）である。

一般的に、大粒径の粒子（本発明の場合の湿式法シリカ粒子）と小粒径の粒子（本発明の場合の第１のコロイダルシリカ）とを組み合わせて用いた場合、その研磨速度および表面平滑性は大粒径の粒子がもたらす研磨速度および表面平滑性に支配される傾向がある。すなわち、一般的に、研磨速度は大粒径の粒子による研磨速度を大きく超えることは無く、また、表面平滑性は大粒径の粒子の研磨による表面平滑性となり、小粒径の粒子による表面平滑性に劣る。ところが、本発明における粗研磨工程においては、湿式法シリカ粒子または第１のコロイダルシリカをそれぞれ単独使用した場合よりも、研磨速度が有意に高く、かつ、良好な表面平滑性を維持するものである。

以下、本発明の粗研磨工程に使用される湿式法シリカ粒子と第１のコロイダルシリカについて、さらに詳細に説明する。

１−２．湿式法シリカ粒子
湿式法シリカ粒子は、ケイ酸アルカリ水溶液と無機酸または無機酸水溶液とを反応容器に添加することにより、沈殿ケイ酸として得られる湿式法シリカから調製される粒子である。本発明において湿式法シリカ粒子には、コロイダルシリカは含まれない。

湿式法シリカの原料であるケイ酸アルカリ水溶液としては、ケイ酸ナトリウム水溶液、ケイ酸カリウム水溶液、ケイ酸リチウム水溶液等が挙げられる。これらケイ酸アルカリ水溶液の中で、一般的には、ケイ酸ナトリウム水溶液が好ましく使用される。無機酸としては、硫酸、塩酸、硝酸等を挙げることができる。これら無機酸の中で、一般的には、硫酸が好ましく使用される。反応終了後、反応液を濾過、水洗し、その後、乾燥機で水分が１０％以下になるように乾燥を行う。乾燥機は、静置乾燥機、噴霧乾燥機、流動乾燥機のいずれでも良い。その後、ジェットミル等の粉砕機で粉砕し、さらに分級を行い、湿式法シリカ粒子を得る。

このように粉砕により解砕された湿式法シリカ粒子の粒子形状は、角部を有しており、球状に近い粒子よりも研磨能力が高い。

湿式法シリカ粒子の平均粒径は、好ましくは０．１〜１．０μｍであり、より好ましくは０．２〜１．０μｍであり、さらに好ましくは０．２〜０．８μｍである。平均粒径が０．１μｍ以上であることにより、研磨速度の低下を抑制することができる。平均粒径が１．０μｍ以下であることにより、表面平滑性の悪化を抑制することができる。

１−３．第１のコロイダルシリカ
第１のコロイダルシリカの平均粒径は、好ましくは５〜２００ｎｍである。平均粒径が５ｎｍ以上であることにより、研磨速度の低下を抑制することができる。平均粒径が２００ｎｍ以下であることにより、表面平滑性の悪化を抑制することができる。第１のコロイダルシリカの平均粒径は、より好ましくは１０〜２００ｎｍであり、さらに好ましくは２０〜２００ｎｍである。

コロイダルシリカは球状、鎖状、金平糖型（表面に凸部を有する粒子状）、異形型等の形状が知られており、水中に一次粒子が単分散してコロイド状をなしている。本発明で使用されるコロイダルシリカとしては、球状、または球状に近いコロイダルシリカが特に好ましい。球状、または球状に近いコロイダルシリカを用いることで、表面平滑性をより向上させることができる。コロイダルシリカは、ケイ酸ナトリウムまたはケイ酸カリウムを原料とする水ガラス法、テトラエトキシシラン等のアルコキシシランを酸またはアルカリで加水分解する方法等によって得られる。

１−４．湿式法シリカ粒子と第１のコロイダルシリカ
湿式法シリカ粒子の平均粒径と第１のコロイダルシリカの平均粒径の比は、好ましくは２．０〜３０．０であり、より好ましくは２．５〜２０．０であり、さらに好ましくは３．０〜１６．０である。平均粒径の比が２．０以上であることにより、研磨速度を向上させることができる。平均粒径の比が３０．０以下であることにより、表面平滑性の悪化を抑制することができる。

湿式法シリカ粒子と第１のコロイダルシリカの合計濃度は、粗研磨工程で使用する研磨剤組成物全体の１〜５０質量％であることが好ましく、より好ましくは２〜４０質量％である。シリカ粒子の合計濃度が１質量％以上であることにより、研磨速度の低下を抑制することができる。シリカ粒子の合計濃度が５０質量％以下であることにより、必要以上のシリカ粒子を使用することなく、十分な研磨速度を維持することができる。

シリカ粒子全体に占める湿式法シリカ粒子の割合は、５〜９５質量％であることが好ましく、より好ましくは２０〜８０質量％である。湿式法シリカ粒子の割合が９５質量％以下であることにより、表面平滑性の悪化を抑制することができる。湿式法シリカ粒子の割合が５質量％以上であることにより、研磨速度の低下を抑制することができる。

シリカ粒子全体に占める第１のコロイダルシリカの割合は、５〜９５質量％であることが好ましく、より好ましくは２０〜８０質量％である。第１のコロイダルシリカの割合が５質量％以上であることにより、表面平滑性の悪化を抑制することができる。第１のコロイダルシリカの割合が９５質量％以下であることにより、研磨速度の低下を抑制することができる。

１−５．その他の成分
第１の研磨剤組成物には、酸および／またはその塩や、酸化剤を好ましく用いることができる。

酸としては無機酸または有機酸、あるいはその両方を存在させてもよい。無機酸として、具体的には、硝酸、硫酸、塩酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸が挙げられる。有機酸として、具体的には、２−アミノエチルホスホン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン−１，１−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸等の有機ホスホン酸、グルタミン酸、アスパラギン酸等のアミノカルボン酸、クエン酸、酒石酸、シュウ酸、ニトロ酢酸、マレイン酸、リンゴ酸、コハク酸等のカルボン酸が挙げられる。これらの酸を塩として用いる場合の対イオンとしては、特に限定はなく、具体的には、金属、アンモニウム、アルキルアンモニウム等の対イオンが挙げられる。

第１の研磨剤組成物に用いられる酸および／またはその塩の研磨剤組成物中の濃度は、第１の研磨剤組成物で設定されたｐＨに応じて決定することができる。

酸化剤としては、過酸化物、過マンガン酸またはその塩、クロム酸またはその塩等が挙げられる。具体例としては、過酸化水素、過酸化ナトリウム、過酸化バリウム、過マンガン酸カリウム等が挙げられる。中でも過酸化水素が好ましい。

第１の研磨剤組成物に用いられる酸化剤の研磨剤組成物中の濃度は、研磨速度向上の観点から、０．０１質量％以上が好ましく、さらに好ましくは０．１質量％以上であり、粗研磨時の表面平滑性向上の観点からは、６質量％以下が好ましく、さらに好ましくは４質量％以下である。

第１の研磨剤組成物に用いられる水は、媒体として使用されるものであり、蒸留水、イオン交換水、純水等が挙げられる。第１の研磨剤組成物中の水の含有量は、好ましくは、５０〜９９質量％であり、さらに好ましくは６０〜９８質量％である。

第１の研磨剤組成物のｐＨ値は、０．１〜４．０であり、好ましくは０．５〜３．０である。ｐＨ値が０．１以上であることにより、表面平滑性の悪化を抑制することができる。ｐＨ値が４．０以下であることにより、研磨速度の低下を抑制することができる。なお、一般的に、無電解ニッケル−リンめっきは、通常ｐＨ値４〜６の条件下で実施される。ｐＨ値が４以下の条件ではニッケルが溶解傾向に向かうため、めっきが進行しにくくなる。一方、研磨においては、ｐＨ４以下の条件下でニッケルが溶解傾向となるため、研磨速度を高めることが容易となる。

２．仕上げ研磨工程
本発明のアルミニウム磁気ディスク基板の製造方法において、仕上げ研磨工程は、２段階以上の研磨工程において、最終段として行われる研磨工程である。

２−１．第２の研磨剤組成物
仕上げ研磨工程は、第２のコロイダルシリカ、水溶性高分子化合物、および水を含む第２の研磨剤組成物の存在下で行われる。

２−２．第２のコロイダルシリカ
第２の研磨剤組成物に用いられる第２のコロイダルシリカの平均粒径は、好ましくは１〜５０ｎｍである。平均粒径が１ｎｍ以上であることにより、研磨速度の低下を抑制することができる。平均粒径が５０ｎｍ以下であることにより、表面平滑性の悪化を抑制することができる。第２のコロイダルシリカの平均粒径は、より好ましくは２〜４０ｎｍであり、さらに好ましくは３〜４０ｎｍである。

コロイダルシリカには、球状、鎖状、金平糖型（表面に凸部を有する粒子状）、異形型等の形状が知られており、水中に一次粒子が単分散してコロイド状をなしている。第２のコロイダルシリカとしては、球状、または球状に近いコロイダルシリカが好ましい。球状、または球状に近いコロイダルシリカを用いることで、表面平滑性をより向上させることができる。コロイダルシリカは、ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウムを原料とする水ガラス法、テトラエトキシシラン等のアルコキシシランを酸またはアルカリで加水分解する方法によって得られる。

粗研磨工程で使用する研磨剤組成物（第１の研磨剤組成物）に用いられる第１のコロイダルシリカの平均粒径よりも、仕上げ研磨工程で使用する研磨剤組成物（第２の研磨剤組成物）に用いられる第２のコロイダルシリカの平均粒径が小さい。これにより、仕上げ研磨工程後の表面平滑性が良好なものとなる。

第２のコロイダルシリカの濃度は、第２の研磨剤組成物全体の１〜５０質量％であることが好ましく、さらに好ましくは２〜４０質量％である。第２のコロイダルシリカの濃度が１質量％以上であることにより、研磨速度の低下を抑制することができる。第２のコロイダルシリカの濃度が５０質量％以下であることにより、必要以上のコロイダルシリカを使用することなく、十分な研磨速度を維持することができる。

２−３．水溶性高分子化合物
第２の研磨剤組成物に含有される水溶性高分子化合物は、不飽和脂肪族カルボン酸に由来する構成単位を有する重合体または共重合体である。即ち、水溶性高分子化合物は、不飽和脂肪族カルボン酸および／またはその塩を単量体として重合された高分子化合物であり、不飽和脂肪族カルボン酸に由来する構成単位を必須の構成単位とする高分子化合物である。不飽和脂肪族カルボン酸およびその塩としては、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、イタコン酸およびそれらの塩等が挙げられる。

不飽和脂肪族カルボン酸に由来する構成単位は、水溶性高分子化合物中、その少なくとも一部がカルボン酸の塩として含有されていても良い。カルボン酸の塩としては、ナトリウム塩、カリウム塩、マグネシウム塩、アンモニウム塩、アミン塩、アルキルアンモニウム塩等が挙げられる。

水溶性高分子化合物中、不飽和脂肪族カルボン酸に由来する構成単位を、カルボン酸として含有させるには、不飽和脂肪族カルボン酸を単量体として重合しても良いし、不飽和脂肪族カルボン酸の塩を単量体として重合した後、陽イオン交換することによりカルボン酸へと変換しても良い。また、水溶性高分子化合物中、不飽和脂肪族カルボン酸に由来する構成単位をカルボン酸の塩として含有させるには、不飽和脂肪族カルボン酸の塩を単量体として重合しても良いし、不飽和脂肪族カルボン酸を単量体として重合した後、塩基で中和することによりカルボン酸の塩を形成しても良い。

水溶性高分子化合物中、カルボン酸として含有される構成単位と、カルボン酸の塩として含有される構成単位との割合を評価するには、水溶性高分子化合物の水溶液のｐＨ値を用いることができる。水溶性高分子化合物水溶液のｐＨ値が低い場合には、カルボン酸として含有される構成単位の含有割合が高いと評価できる。一方、水溶性高分子化合物水溶液のｐＨ値が高い場合には、カルボン酸の塩として含有される構成単位の含有割合が高いと評価できる。本発明においては、例えば、濃度１０質量％の水溶性高分子化合物水溶液におけるｐＨ値が１〜１３の範囲の水溶性高分子化合物を用いることができる。

水溶性高分子化合物が不飽和脂肪族カルボン酸に由来する構成単位を有する共重合体である場合、不飽和脂肪族カルボン酸および／またはその塩と組み合わせて共重合に用いられる単量体として、例えば疎水性単量体が挙げられる。疎水性単量体としてはアクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、マレイン酸エステル、イタコン酸エステル等の不飽和脂肪族カルボン酸エステル、Ｎ−アルキルアクリルアミド、Ｎ−アルキルメタクリルアミド等のＮ−置換不飽和アミド（Ｎ−置換α，β−エチレン性不飽和アミド）、スチレン、α−メチルスチレン、ジビニルベンゼン、Ｎ−フェニルマレイミド等の芳香族単量体等が挙げられる。疎水性単量体の好ましい具体例としては、アクリル酸ｎ−ブチル、メタクリル酸ｎ−ブチル、アクリル酸イソブチル、メタクリル酸イソブチル、アクリル酸ｔ−ブチル、メタクリル酸ｔ−ブチル、アクリル酸ペンチル、メタクリル酸ペンチル、アクリル酸ヘキシル、メタクリル酸ヘキシル、アクリル酸ヘプチル、メタクリル酸ヘプチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、メタクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸シクロヘキシル、Ｎ−ｎ−ブチルアクリルアミド、Ｎ−ｉｓｏ−ブチルアクリルアミド、Ｎ−ｓｅｃ−ブチルアクリルアミド、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルアクリルアミド、Ｎ−ｎ−ブチルメタクリルアミド、Ｎ−ｉｓｏ−ブチルメタクリルアミド、Ｎ−ｓｅｃ−ブチルメタクリルアミド、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルメタクリルアミド等が挙げられる。なかでも、Ｎ−ｎ−ブチルアクリルアミド、Ｎ−ｉｓｏ−ブチルアクリルアミド、Ｎ−ｓｅｃ−ブチルアクリルアミド、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルアクリルアミド、Ｎ−ｎ−ブチルメタクリルアミド、Ｎ−ｉｓｏ−ブチルメタクリルアミド、Ｎ−ｓｅｃ−ブチルメタクリルアミド、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルメタクリルアミドが特に好ましい。

これらの単量体成分をいずれか単独または組み合わせて重合することにより、重合体または共重合体とすることが好ましい。共重合の組み合わせとしては、アクリル酸および／またはその塩とアクリル酸エステルの組み合わせ、アクリル酸および／またはその塩とメタクリル酸エステルの組み合わせ、アクリル酸および／またはその塩とＮ−アルキルアクリルアミドの組み合わせ、アクリル酸および／またはその塩とＮ−アルキルメタクリルアミドの組み合わせ、メタクリル酸および／またはその塩とアクリル酸エステルの組み合わせ、メタクリル酸および／またはその塩とメタクリル酸エステルの組み合わせ、メタクリル酸および／またはその塩とＮ−アルキルアクリルアミドの組み合わせ、メタクリル酸および／またはその塩とＮ−アルキルメタクリルアミドの組み合わせが好ましく用いられる。なかでも、アクリル酸および／またはその塩とＮ−アルキルアクリルアミドの組み合わせ、アクリル酸および／またはその塩とＮ−アルキルメタクリルアミドの組み合わせ、メタクリル酸および／またはその塩とＮ−アルキルアクリルアミドの組み合わせ、メタクリル酸および／またはその塩とＮ−アルキルメタクリルアミドの組み合わせが更に好ましく、Ｎ−アルキルアクリルアミドまたはＮ−アルキルメタクリルアミドのアルキル基が、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基からなる群より選択される少なくとも１つであるものが特に好ましく用いられる。

水溶性高分子化合物の重量平均分子量は、５００以上、５００００以下であることが好ましく、より好ましくは１０００以上、３００００以下である。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によりポリアクリル酸換算で測定したものである。

水溶性高分子化合物の研磨剤組成物中の濃度は、固形分換算で、０．０００１質量％以上、１．０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは０．００１質量％以上、０．５質量％以下であり、さらに好ましくは０．００５質量％以上、０．２質量％以下である。特に好ましくは０．０１質量％以上、０．１質量％以下である。

２−４．その他の成分
第２の研磨剤組成物には、酸および／またはその塩や、酸化剤を好ましく用いることができる。

酸としては無機酸または有機酸、あるいはその両方を存在させてもよい。無機酸として、具体的には、硝酸、硫酸、塩酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸が挙げられる。有機酸として、具体的には、２−アミノエチルホスホン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン−１，１−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸等の有機ホスホン酸、グルタミン酸、アスパラギン酸等のアミノカルボン酸、クエン酸、酒石酸、シュウ酸、ニトロ酢酸、マレイン酸、リンゴ酸、コハク酸等のカルボン酸が挙げられる。これらの酸を塩として用いる場合の対イオンとしては、特に限定はなく、具体的には、金属、アンモニウム、アルキルアンモニウム等の対イオンが挙げられる。

第２の研磨剤組成物に用いられる酸および／またはその塩の研磨剤組成物中の濃度は、第２の研磨剤組成物で設定されたｐＨに応じて決定することができる。

酸化剤としては、過酸化物、過マンガン酸またはその塩、クロム酸またはその塩等が挙げられる。具体例としては、過酸化水素、過酸化ナトリウム、過酸化バリウム、過マンガン酸カリウム等が挙げられる。中でも過酸化水素が好ましい。

第２の研磨剤組成物に用いられる酸化剤の研磨剤組成物中の濃度は、研磨速度向上の観点から、好ましくは０．０１質量％以上、さらに好ましくは０．１質量％以上であり、仕上げ研磨工程後の表面平滑性の観点から、好ましくは５質量％以下であり、さらに好ましくは３質量％以下である。

第２の研磨剤組成物に用いられる水は、媒体として使用されるものであり、蒸留水、イオン交換水、純水等が挙げられる。第２の研磨剤組成物中の水の含有量は、好ましくは、５０〜９９質量％、さらに好ましくは６０〜９８質量％である。

第２の研磨剤組成物のｐＨ値は、０．１〜４．０であり、好ましくは０．５〜３．０である。ｐＨ値が０．１以上であることにより、表面平滑性の悪化を抑制することができる。ｐＨ値が４．０以下であることにより、研磨速度の低下を抑制することができる。

３．粗研磨工程および仕上げ研磨工程の研磨方法
研磨方法としては、研磨機の定盤に研磨パッドを貼りつけ、アルミニウム磁気ディスク基板の研磨する表面または研磨パッドに研磨剤組成物を供給し、研磨する表面を研磨パッドで擦りつける方法（ポリッシングと呼ばれている）が一般的であり、片面研磨と両面研磨の両方法を採用することができる。

両面研磨の場合は、まず、研磨パッドを貼りつけた研磨定盤を２つ用意し、一方の研磨定盤の研磨パッドを基板のおもて面にあて、もう一方の研磨定盤の研磨パッドを基板の裏面にあてることにより、研磨パッドで基板を挟み込んだ状態とする。そして、この状態のままで、研磨パッドと基板の表面（おもて面または裏面）との間に研磨材を分散させたスラリー状の研磨剤組成物を供給し、同時に研磨定盤や基板を動かすことによって、基板の表面上を研磨パッドで擦る。片面研磨は、１つの研磨定盤を用いて、研磨パッドを基板のおもて面または裏面にあて、片面ずつ研磨する方法である。

この動作によって、研磨材が対象物の表面上を転がりながら、あるいは研磨パッドに保持された状態で動きながら、対象物の表面の凸状の部分を削り落としていく。その結果、基板のおもて面と基板の裏面が同時に研磨される。

研磨パッドは、ウレタンタイプ、スエードタイプ、不織布タイプ、これらを積層した二層タイプ等、その他いずれのタイプも使用することができる。また、研磨パッドにカーボン、セリア等の種々の添加剤を含有させたものも使用することができる。

本発明において、研磨工程は、最終段より前の粗研磨工程と、最終段の仕上げ研磨工程と、を少なくとも含む２段階以上の研磨工程を有するものである。すなわち、研磨工程は、最終段の仕上げ研磨工程より前に、少なくとも１つの粗研磨工程を有するものである。なお、最後の粗研磨工程における第１のコロイダルシリカの平均粒径よりも、仕上げ工程における第２のコロイダルシリカの平均粒径が小さいことが必要である。粗研磨工程の回数は特に制限されないが、作業効率の観点から、通常１〜３回である。

粗研磨工程と仕上げ研磨工程の間、すなわち、仕上げ研磨工程の前には、リンス工程および／または洗浄工程をはさんでも良い。リンス工程および／または洗浄工程をはさむことにより、粗研磨工程で発生した研磨屑や残留粒子等が除去され、仕上げ研磨工程の作業性を向上させることができる。また、リンス工程および／または洗浄工程は、同一研磨工程（粗研磨工程または仕上げ研磨工程）の途中で、研磨剤組成物をリンスまたは洗浄する目的で行うこともできる。例えば、任意の粗研磨工程において、第１の研磨剤組成物を用いて粗研磨し、リンス工程および／または洗浄工程を行い、その後、上記第１の研磨剤組成物と同一もしくは別の第１の研磨剤組成物を用いて、更に粗研磨することができる。或いは、仕上げ研磨工程において、第２の研磨剤組成物を用いて仕上げ研磨し、リンス工程および／または洗浄工程を行い、その後、上記第２の研磨剤組成物と同一もしくは別の第２の研磨剤組成物を用いて、更に仕上げ研磨することもできる。

以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。本発明はこれらの実施例に限定されるものでなく、本発明の技術的範囲に属する限り、種々の態様で実施することができる。

以下の各実施例および比較例における仕上げ研磨工程は、各々対応する実施例および比較例における粗研磨工程の条件で研磨された基板を用いて実施した。

［第１の研磨剤組成物の調製方法］
実施例１〜８および比較例１〜４で使用した粗研磨工程で使用する研磨剤組成物（第１の研磨剤組成物）は、下記の成分と水からなる研磨剤組成物である。これらの研磨剤組成物を用いて、研磨を実施した結果を表１に示す。

（実施例１、２、８および比較例１、４）
湿式法シリカ粒子（平均粒径（Ｄ５０）：０．３μｍ、市販の湿式法シリカ）３．０質量％、第１のコロイダルシリカ（平均粒径（Ｄ５０）：５１ｎｍ、市販のコロイダルシリカ）３．０質量％（湿式法シリカ粒子と第１のコロイダルシリカの質量比は５：５、合計濃度は６．０質量％）、硫酸０．７質量％、過酸化水素１．２質量％。

（実施例３）
湿式法シリカ粒子（平均粒径（Ｄ５０）：０．３μｍ、市販の湿式法シリカ）４．２質量％、第１のコロイダルシリカ（平均粒径（Ｄ５０）：５１ｎｍ、市販のコロイダルシリカ）１．８質量％（湿式法シリカ粒子と第１のコロイダルシリカの質量比は７：３、合計濃度は６．０質量％）、硫酸０．７質量％、過酸化水素１．２質量％。

（実施例４）
湿式法シリカ粒子（平均粒径（Ｄ５０）：０．３μｍ、市販の湿式法シリカ）１．８質量％、第１のコロイダルシリカ（平均粒径（Ｄ５０）：５１ｎｍ、市販のコロイダルシリカ）４．２質量％（湿式法シリカ粒子と第１のコロイダルシリカの質量比は３：７、合計濃度は６．０質量％）、硫酸０．７質量％、過酸化水素１．２質量％。

（実施例５）
湿式法シリカ粒子（平均粒径（Ｄ５０）：０．４μｍ、市販の湿式法シリカ）３．０質量％、第１のコロイダルシリカ（平均粒径（Ｄ５０）：５１ｎｍ、市販のコロイダルシリカ）３．０質量％（湿式法シリカ粒子と第１のコロイダルシリカの質量比は５：５、合計濃度は６．０質量％）、硫酸０．７質量％、過酸化水素１．２質量％。

（実施例６）
湿式法シリカ粒子（平均粒径（Ｄ５０）：０．８μｍ、市販の湿式法シリカ）３．０質量％、第１のコロイダルシリカ（平均粒径（Ｄ５０）：５１ｎｍ、市販のコロイダルシリカ）３．０質量％（湿式法シリカ粒子と第１のコロイダルシリカの質量比は５：５、合計濃度は６．０質量％）、硫酸０．７質量％、過酸化水素１．２質量％。

（実施例７）
湿式法シリカ粒子（平均粒径（Ｄ５０）：０．３μｍ、市販の湿式法シリカ）３．０質量％、第１のコロイダルシリカ（平均粒径（Ｄ５０）：８０ｎｍ、市販のコロイダルシリカ）３．０質量％（湿式法シリカ粒子と第１のコロイダルシリカの質量比は５：５、合計濃度は６．０質量％）、硫酸０．７質量％、過酸化水素１．２質量％。

（比較例２）
コロイダルシリカ（平均粒径（Ｄ５０）：５１ｎｍ、市販のコロイダルシリカ）６．０質量％、硫酸０．７質量％、過酸化水素１．２質量％。

（比較例３）
湿式法シリカ粒子（平均粒径（Ｄ５０）：０．３μｍ、市販の湿式法シリカ）６．０質量％、硫酸０．７質量％、過酸化水素１．２質量％。

［第２の研磨剤組成物の調製方法］
実施例１〜８および比較例１〜４で使用した仕上げ研磨工程で使用する研磨剤組成物（第２の研磨剤組成物）は、下記の成分と水からなる研磨剤組成物である。これら第２の研磨剤組成物を使用して、各々対応する実施例および比較例の粗研磨工程の条件で研磨された基板に対して、仕上げ研磨工程を実施した結果を表２に示す。

なお、仕上げ研磨工程では、予め所定の実施例または比較例の粗研磨工程の条件で研磨された基板１００枚を用意して、１枚目から１００枚目まで連続して仕上げ研磨を実施した。この連続仕上げ研磨における途中の１０枚目と５０枚目、および最後の１００枚目の基板について、仕上げ研磨した際の研磨速度とスクラッチの評価結果を表２に示し、各実施例および比較例における、仕上げ研磨工程の研磨速度とスクラッチの推移を比較した。

以下に水溶性高分子化合物として実施例に使用されるアクリルポリマーを示す。
アクリルポリマー１（アクリル酸／Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルアクリルアミド＝８６／１４（ｍｏｌ比）、重量平均分子量９０００）
アクリルポリマー１の１０質量％水溶液のｐＨ値は、通常３．８である。実施例１、３〜８、比較例２、４において、この通常のアクリルポリマー１を用いた。
アクリルポリマー２（アクリル酸／Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルアクリルアミド＝８６／１４（ｍｏｌ比）、重量平均分子量４０００）
アクリルポリマー２の１０質量％水溶液のｐＨ値は、通常３．４である。実施例２において、この通常のアクリルポリマー２を用いた。

（実施例１、３〜７および比較例２）
第２のコロイダルシリカ（平均粒径（Ｄ５０）：２９ｎｍ、市販のコロイダルシリカ）５．６質量％、リン酸２．０質量％、過酸化水素０．６質量％、アクリルポリマー１ ０．０２質量％。

（実施例２）
第２のコロイダルシリカ（平均粒径（Ｄ５０）：２９ｎｍ、市販のコロイダルシリカ）５．６質量％、リン酸２．０質量％、過酸化水素０．６質量％、アクリルポリマー２ ０．０２質量％。

（実施例８）
第２のコロイダルシリカ（平均粒径（Ｄ５０）：２１ｎｍ、市販のコロイダルシリカ）５．６質量％、リン酸２．０質量％、過酸化水素０．６質量％、アクリルポリマー１ ０．０２質量％。

（比較例１）
コロイダルシリカ（平均粒径（Ｄ５０）：２９ｎｍ、市販のコロイダルシリカ）５．６質量％、リン酸２．０質量％、過酸化水素０．６質量％。

（比較例３）
粗研磨でピット多発のため、仕上げ研磨工程は実施せず。

（比較例４）
コロイダルシリカ（平均粒径（Ｄ５０）：８０ｎｍ、市販のコロイダルシリカ）５．６質量％、リン酸２．０質量％、過酸化水素０．６質量％、アクリルポリマー１ ０．０２質量％。

表１および表２中、湿式法シリカ粒子の平均粒径、第１のコロイダルシリカ、第２のコロイダルシリカの平均粒径は、以下の方法で測定したものである。

湿式法シリカ粒子の平均粒径は、０．４μｍ以下の粒子については、動的光散乱式粒度分布測定装置（日機装（株）製、マイクロトラックＵＰＡ）を用いて測定した。また、０．４μｍより大きい粒子については、レーザー回折式粒度分布測定機（（株）島津製作所製、ＳＡＬＤ２２００）を用いて測定した。湿式法シリカ粒子の平均粒径は、体積を基準とした小粒径側からの積算粒径分布が５０％となる平均粒径（Ｄ５０）である。

コロイダルシリカの粒子径（Ｈｅｙｗｏｏｄ径）は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）（日本電子（株）製、透過型電子顕微鏡 ＪＥＭ２０００ＦＸ（２００ｋＶ））を用いて倍率１０万倍の視野の写真を撮影し、この写真を解析ソフト（マウンテック（株）製、Ｍａｃ−Ｖｉｅｗ Ｖｅｒ．４．０）を用いて解析することにより、Ｈｅｙｗｏｏｄ径（投射面積円相当径）として測定した。コロイダルシリカの平均粒径は前述の方法で２０００個程度のコロイダルシリカの粒子径を解析し、小粒径側からの積算粒径分布（累積体積基準）が５０％となる粒径を上記解析ソフト（マウンテック（株）製、Ｍａｃ−Ｖｉｅｗ Ｖｅｒ．４．０）を用いて算出した平均粒径（Ｄ５０）である。

［粗研磨工程の研磨条件］
無電解ニッケル−リンめっきした外径９５ｍｍのアルミニウム磁気ディスク基板を研磨対象として、下記研磨条件で研磨を行った。
研磨機：システム精工（株）製、９Ｂ両面研磨機
研磨パッド：（株）ＦＩＬＷＥＬ社製、Ｐ１用パッド
定盤回転数：上定盤 −１３．０ｍｉｎ^−１
下定盤 １６．０ｍｉｎ^−１
研磨剤組成物供給量： ７０ｍｌ／ｍｉｎ
研磨時間： 研磨量が１．２〜１．５μｍ／片面となる時間まで研磨する。
（１３０〜１５００秒）
加工圧力： １２ｋＰａ

［仕上げ研磨工程の研磨条件］
上記の粗研磨工程で研磨されたアルミニウム磁気ディスク基板を研磨対象として、下記研磨条件で研磨を行った。
研磨機：スピードファム（株）製、９Ｂ両面研磨機
研磨パッド：（株）ＦＩＬＷＥＬ社製 Ｐ２用パッド
定盤回転数：上定盤 −８．３ｍｉｎ^−１
下定盤 ２５．０ｍｉｎ^−１
研磨剤組成物供給量： １００ｍｌ／ｍｉｎ
研磨時間： ３００秒
加工圧力： １１ｋＰａ

［研磨したディスク表面の評価］
［研磨速度比（粗研磨工程、仕上げ研磨工程）］
研磨速度は、研磨後に減少したアルミニウム磁気ディスク基板の質量を測定し、下記式に基づいて算出した。
研磨速度（μｍ／ｍｉｎ）＝アルミニウム磁気ディスク基板の質量減少（ｇ）／研磨時間（ｍｉｎ）／アルミニウム磁気ディスク基板の片面の面積（ｃｍ^２）／無電解ニッケル−リンめっき皮膜の密度（ｇ／ｃｍ^３）／２×１０^４ ・・・（式）
（ただし、上記式中、アルミニウム磁気ディスク基板の片面の面積は６５．９ｃｍ^２，無電解ニッケル−リンめっき皮膜の密度は８．０ｇ／ｃｍ^３）
研磨速度比は、粗研磨工程（表１）においては、上記式を用いて求めた比較例２の研磨速度を１（基準）とした場合の相対値であり、仕上げ研磨工程（表２）においては、比較例１で１０枚目の基板を仕上げ研磨したときに上記式を用いて求めた研磨速度を１（基準）とした場合の相対値である。なお、粗研磨工程における比較例２の研磨速度は、０．１３１μｍ／ｍｉｎであり、仕上げ研磨工程における比較例１で１０枚目の基板を仕上げ研磨したときの研磨速度は、０．１０２μｍ／ｍｉｎであった。

［ピット（粗研磨工程）］
ピットはＺｙｇｏ社製の走査型白色干渉法を利用した三次元表面構造解析顕微鏡を用いて測定した。Ｚｙｇｏ社製の測定装置（Ｎｅｗ Ｖｉｅｗ ５０３２（レンズ：２．５倍、ズーム：０．５倍））とＺｙｇｏ社製の解析ソフト（Ｍｅｔｒｏ Ｐｒｏ）を用いて測定した。得られた形状プロファイルにおいて、ピットがほとんど認められない場合に「○（良）」と評価した。ピットが認められた場合に「×（不可）」と評価した。評価が「×（不可）」の場合には、目視でもピットを観察することができた。

［スクラッチ比（仕上げ研磨工程）］
スクラッチ本数は（有）ビジョンサイテック製のＭｉｃｒｏＭＡＸ ＶＭＸ−４１００を用いて、基板にあるスクラッチの本数を、測定条件チルト角 −５°、倍率２０倍で測定した。スクラッチ比は、比較例１で１０枚目の基板を仕上げ研磨したときのスクラッチ本数を１（基準）とした場合の相対値である。

［考察］
粗研磨工程（表１）において、実施例１と比較例２の対比、および実施例１と比較例３の対比から、第１の研磨剤組成物として、粉砕工程を経て得られた湿式法シリカ粒子とコロイダルシリカとを組み合わせて使用することにより、それぞれのシリカ粒子を単独使用した場合よりも研磨速度が向上し、ピットも良好であった。

仕上げ研磨工程（表２）において、実施例１と比較例１の対比、および実施例２と比較例１の対比から、第２の研磨剤組成物中に水溶性高分子化合物が存在することにより、研磨速度の初期値も向上し、かつ連続多数回研磨においても研磨速度の低下が抑制された。加えて、スクラッチが減少しており、面質改善効果も確認された。

本発明のアルミニウム磁気ディスク基板の製造方法において、水溶性高分子化合物が仕上げ研磨工程で使用する研磨剤組成物（第２の研磨剤組成物）中に存在することにより、研磨パッドの目詰まり等の汚れが抑制されたため、連続多数回研磨の場合でも研磨速度を高く維持できると推定される。

仕上げ研磨工程（表２）において、実施例１と比較例４の対比により、第２の研磨剤組成物に使用される第２のコロイダルシリカとして、粗研磨工程で使用される第１のコロイダルシリカよりも平均粒径の大きなコロイダルシリカを用いると、研磨速度の向上はみられるものの、スクラッチが大幅に悪化した。

以上のことから、特定の粗研磨工程と特定の仕上げ研磨工程との組み合わせにより、アルミニウム磁気ディスク基板の製品品質を悪化させずに研磨工程の生産性を向上できることがわかる。

本発明のアルミニウム磁気ディスク基板の製造方法は、アルミニウム合金基板の表面にニッケル−リンめっき皮膜を形成した磁気記録媒体用基板の表面研磨に使用することができる。

Claims (5)

1. 無電解ニッケル−リンめっき後のアルミニウム磁気ディスク基板の研磨において、
   粉砕工程を経て得られた湿式法シリカ粒子、第１のコロイダルシリカ、および水を含む第１の研磨剤組成物を用いて研磨する、最終段より前の粗研磨工程と、
   第２のコロイダルシリカ、水溶性高分子化合物、および水を含む第２の研磨剤組成物を用いて研磨する、最終段の仕上げ研磨工程と、
   を少なくとも含む２段階以上の研磨工程を有し、
   前記湿式法シリカ粒子の平均粒径よりも前記第１のコロイダルシリカの平均粒径が小さく、
   前記第１のコロイダルシリカの前記平均粒径よりも前記第２のコロイダルシリカの平均粒径が小さく、
   前記水溶性高分子化合物が、不飽和脂肪族カルボン酸に由来する構成単位を有し、疎水性単量体に由来する構成単位をさらに有する共重合体であり、
   前記粗研磨工程における前記第１の研磨剤組成物および前記仕上げ研磨工程における前記第２の研磨剤組成物のｐＨ値が、０．５〜３．０であるアルミニウム磁気ディスク基板の製造方法。
2. 前記粗研磨工程において、前記湿式法シリカ粒子の平均粒径が０．１〜１．０μｍであり、前記第１のコロイダルシリカの平均粒径が５〜２００ｎｍである請求項１に記載のアルミニウム磁気ディスク基板の製造方法。
3. 前記粗研磨工程において、前記湿式法シリカ粒子と第１のコロイダルシリカの合計濃度が、前記第１の研磨剤組成物中１〜５０質量％であり、
   前記第１の研磨剤組成物中のシリカ粒子全体に占める、前記湿式法シリカ粒子の割合が５〜９５質量％であり、前記第１のコロイダルシリカの割合が５〜９５質量％である請求項１または２に記載のアルミニウム磁気ディスク基板の製造方法。
4. 前記仕上げ研磨工程において、前記第２のコロイダルシリカの平均粒径が１〜５０ｎｍであり、前記第２の研磨剤組成物に含まれる前記第２のコロイダルシリカの濃度が１〜５０質量％である請求項１〜３のいずれか１項に記載のアルミニウム磁気ディスク基板の製造方法。
5. 前記仕上げ研磨工程において、前記水溶性高分子化合物の重量平均分子量が５００〜５００００であり、前記第２の研磨剤組成物中の前記水溶性高分子化合物の濃度が０．０００１〜１．０質量％である請求項１〜４のいずれか１項に記載のアルミニウム磁気ディスク基板の製造方法。