JP6529823B2 - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、複数個の半導体デバイスを、ダイステージの同一平面上に接合した半導体装置およびその製造方法に関するものである。

これまでに、複数個の半導体デバイスを内蔵した様々な半導体装置、いわゆる半導体パッケージが提案されている。

近年、その中でも、バンドギャップが大きく、ヘテロ接合による高い電子濃度を実現し得るＧａＮ（窒素ガリウム）系パワーデバイスを備えた半導体装置が注目されている。

このようなＧａＮ系パワーデバイスを備えた半導体装置の構造については、特許文献１に記載されており、具体的には、ＧａＮ系の高電子移動度トランジスタ（ＧａＮ−ＨＥＭＴ：ＧａＮ−Ｈｉｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）と、金属酸化膜半導体型電界効果トランジスタ（ＭＯＳ−ＦＥＴ：Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ−Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）とが、何れもハンダペーストによって同一ダイステージ（以下、ダイパッド部と称する）上に接合され、互いにカスコード接続された半導体装置について記載されている。

このような特許文献１に開示されている構成においては、以下のような問題点がある。

例えば、狭いダイパッド部に、ＭＯＳ−ＦＥＴおよびＧａＮ−ＨＥＭＴが、ハンダにより同時に接合される場合、ＭＯＳ−ＦＥＴとＧａＮ−ＨＥＭＴとは比較的近い距離に接合されるので、ハンダ同士がドッキングすることがある。このドッキングにより、ＭＯＳ−ＦＥＴとＧａＮ−ＨＥＭＴとの移動、すなわち位置ずれが発生しやすい。そして、位置ずれにより、装置（ワイヤーボンダ等）の位置認識機構による位置認識を困難にし、アルミ線や金線などの電気的な接続の形成を困難にする。そればかりでなく、接続後の状態により信頼性が損われることもある。

あるいは、例えば、ＭＯＳ−ＦＥＴおよびＧａＮ−ＨＥＭＴが、ハンダにより別々に接合される場合、先に接合したハンダが、後に接合するハンダを接合するときの熱で、再溶融することがある。再溶融した先に接合したハンダは、ダイパッド上に広がっているハンダを吸い上げると同時に、空気を巻き込み、空胞（いわゆるボイド）を形成しやすい。この空胞は、ハンダの接合の信頼性を低下させるだけではなく、熱経路を遮断する方向に働くので、熱抵抗の上昇、許容損失の低下となり、デバイス性能を下げることにつながってしまう。

そこで、ＧａＮ-ＨＥＭＴとＭＯＳ−ＦＥＴとのそれぞれを、異なるダイアタッチ材を用いて、同一ダイパッド部上に接合した半導体装置も提案されている。

例えば図７は、外観を示す、従来の半導体装置１１０の概略図である。図７の（ａ）が上面図であり、図７の（ｂ）が側面図である。半導体装置１１０は、一般にＴＯ−２２０と呼ばれる規格化された半導体装置であり、パワー系デバイスにもよく用いられている。

半導体装置１１０の外形は、半導体デバイスを保護する封止部１１７と、半導体デバイス上の端子と接続されたアウターリード部１０４と、放熱用にねじ止めを行うための丸孔１０９を有するフィン部１０８とによって形作られている。アウターリード部１０４は図面左側から、ゲート用リード端子１０４Ｇとソース用リード端子１０４Ｓとドレイン用リード端子１０４Ｄとの３本の端子から成り、外部と接続される。

図８は、封止部１１７を除いた、図７に示した従来の半導体装置１１０の概略図である。図８の（ａ）が上面図であり、図８の（ｂ）が側面図である。図８に示すように、半導体装置１１０においては、ダイボンダを用いて、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１１がハンダ１１２でダイパッド部１０２上の銀メッキ領域１０５に接合されており、その隣に、ＧａＮ−ＨＥＭＴ１１３が銀ペースト１１４で銀メッキ領域１０５に接合されている。

ハンダ１１２は、Ｐｂ（鉛）−Ａｇ（銀）−Ｃｕ系の高融点ハンダである。銀ペースト１１４は、銀のフィラーを含有したエポキシ系樹脂であり導電性である。従って、ハンダ１１２の融点は銀ペースト１１４の融点より高い。

ダイボンダを用いて、ハンダ１１２によりＭＯＳ−ＦＥＴ１１１が銀メッキ領域１０５にダイボンド（接合，固定）されるとき、ダイパッド部１０２は３５０℃程度にまで加熱される必要がある。先に、銀ペースト１１４でＧａＮ−ＨＥＭＴ１１３を接合した場合、この加熱により、銀ペースト１１４を構成するエポキシ系樹脂が分解される恐れがある。このため、ハンダ１１２でＭＯＳ−ＦＥＴ１１１を接合した後に、銀ペースト１１４でＧａＮ−ＨＥＭＴ１１３を接合するのが一般的である。

ＭＯＳ−ＦＥＴ１１１とＧａＮ−ＨＥＭＴ１１３とが比較的近い距離に接合されるので（図８では０．６ｍｍの距離を想定）、ハンダ１１２の上に銀ペースト１１４の一部が乗り上げ、真上からの平面視においてハンダ１１２と銀ペースト１１４とが重なる。

図９は、カスコード回路１の回路図である。カスコード回路１は、ドレイン、ゲート、およびソースの役割をそれぞれ担う端子Ｄ、Ｇ、およびＳと、カスコード接続されたＧａＮ−ＭＥＭＴおよびＭＯＳ−ＦＥＴとから成る。

図９に示す回路構成になるように、図８に図示されたリードフレーム１１８のインナーリード部１０３とＭＯＳ−ＦＥＴ１１１とＧａＮ−ＨＥＭＴ１１３とは、アルミ線１１５および金線１１６により、ワイヤーボンダを用いて、ワイヤボンド（接続）されている。アルミ線１１５は、大きな電流の流れる部分を接続しており、３００μｍ径であり、ドレイン用リード端子１０４Ｄと一体であるインナーリード部１０３をＧａＮ−ＨＥＭＴ１１３のドレインパッド（Ｄ）に接続し、ＧａＮ−ＨＥＭＴ１１３のソースパッド（Ｓ）をＭＯＳ−ＦＥＴ１１１のドレインパッド（Ｄ）に接続している。金線１１６は信号伝達のみで小さな電流しか流れない部分を接続しており、３０μｍ径であり、ＧａＮ−ＨＥＭＴ１１３のゲートパッド（Ｇ）をＭＯＳ−ＦＥＴ１１１のソースパッド（Ｓ）に接続し、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１１のゲートパッド（Ｇ）をゲート用リード端子１０４Ｇと一体であるインナーリード部１０３に接続している。

ソース用リード端子１０４Ｓはダイパッド部１０２と一体である。また、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１１のソースパッド（Ｓ）とＭＯＳ−ＦＥＴ１１１の裏面とは、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１の内部で同電位となるように、接続されている。このため、ダイパッド部１０２およびハンダ１１２を通じて、ソース用リード端子１０４Ｓは、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１１のソースパッド（Ｓ）に接続しており、電位が等しい。

図１０は、複数個多連状態となっているリードフレーム２００を示す概略図である。リードフレーム２００は、図７および図８に示した半導体装置１１０を製作するために用いるリードフレーム１１８が複数個多連状態となっている半製品である。リードフレーム２００は、銀メッキ領域１０５に銀メッキが施されたダイパッド部１０２と、インナーリード部１０３と、アウターリード部１０４と、丸孔１０９を有するフィン部１０８とを備えている。

図１０に示すような、多連状態となっているリードフレーム２００においては一般的に、Ｃｕ（銅）系合金またはＦｅ（鉄）系合金である金属を、型で打ち抜くかまたは化学的にエッチングを行って、所望のパターンが形成されている。また、必要に応じて該所望のパターンに対して曲げ加工を行って、半導体デバイスを多連状態で加工していく連続パターンを有するようになっている。

特開２０１３−１５３０２７号公報（２０１３年８月８日公開）

しかしながら、上記特許文献１に開示された構成の問題点を改善するために提案された図８に図示した半導体装置１１０の構成によれば、ハンダ同士のドッキングの問題やハンダの再溶融の問題は改善できるが、以下のような問題がある。

ＧａＮ−ＨＥＭＴ１１３は、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１１と比較して発熱しやすいので、銀ペースト１１４を通じて放熱する。一方、銀ペースト１１４は、前述のようにエポキシ系樹脂を含む。このため、温度変化が繰り返されることにより、ダイパッド部１０２と銀ペースト１１４との接合界面、ＧａＮ−ＨＥＭＴ１１３と銀ペースト１１４の接合界面、または銀ペースト１１４の内部でクラックが発生し、進行する。この現象は、温度サイクル試験（例えば−５５℃から１５０℃、１５０℃から−５５℃の１０００サイクル繰返し温度変化）の実験により、確認されている。

このクラックは断熱層として、ＧａＮ−ＨＥＭＴ１１３で発生した熱が逃げる放熱経路を遮断するので、ＧａＮ−ＨＥＭＴ１１３の放熱経路の熱抵抗が上昇し、ＧａＮ−ＨＥＭＴ１１３の許容損失が低下してしまう。このため、半導体装置１１０のデバイス性能が下がるだけではなく、構造的な信頼性レベルが低下してしまう。

本発明の目的は、複数の互いに異なる半導体デバイスを搭載させた半導体装置において、熱伝導および電気伝導の観点から、半導体デバイスの接合の信頼性を向上させた半導体装置およびその製造方法を提供することにある。

本発明の半導体装置は、上記課題を解決するために、ダイパッド部、第１半導体デバイス、及び第２半導体デバイスを含む半導体装置であって、上記第１半導体デバイスは、ハンダにより上記ダイパッド部に接合され、上記第２半導体デバイスは、焼結後の融点が上記ハンダの融点より高い焼結金属により上記ダイパッド部に接合され、上記ダイパッド部は、所定面上に金属メッキされた第１領域、及び金属メッキされていない第２領域を有し、上記第１半導体デバイスおよび上記第２半導体デバイスは上記第１領域に接合され、上記第２領域は、平面視において、少なくとも、上記第１半導体デバイスおよび上記第２半導体デバイスの間に位置しており、上記ダイパッド部と上記焼結金属との間には、上記ハンダが挟まれてないことを特徴としている。

上記構成によれば、上記第１半導体デバイスは、ハンダにより上記ダイパッド部に接合され、上記第２半導体デバイスは、焼結金属により上記ダイパッド部に接合されている。焼結金属の場合、エポキシ系樹脂などを含む従来の銀ペーストなどと比べると、熱伝導率そのものが高く、クラックが発生しでも、クラックのない部分を経路として熱を逃がすことができるので、熱伝導率を高く維持できる。

また、エポキシ系樹脂などを含む従来の銀ペーストの融点はハンダの融点より低かったのに対し、上記構成によれば、上記第２半導体デバイスの上記ダイパッド部への接合には、焼結後の融点が上記ハンダの融点より高い焼結金属が用いられており、上記ダイパッド部と上記焼結金属との間に、上記ハンダが挟まれない構成となっている。したがって、ハンダの上に形成された焼結金属がハンダとの密着力が極めて小さいことに基因して生じる信頼性の問題は生じない。

また、上記第１半導体デバイスは、クラックが発生しないハンダにより上記ダイパッド部に接合されているので、ハンダを介して電流を流すという観点から、信頼性を向上させることができる。

よって、上記構成によれば、複数の互いに異なる半導体デバイスを搭載させた半導体装置において、熱伝導および電気伝導の観点から、半導体デバイスの接合の信頼性を向上させた半導体装置を実現できる。

本発明の別の半導体装置の製造方法は、上記課題を解決するために、ダイパッド部、第１半導体デバイス、及び第２半導体デバイスを含む半導体装置の製造方法であって、上記第１半導体デバイスをハンダにより上記ダイパッド部の所定面に接合する第１工程と、上記第２半導体デバイスを焼結後の融点が上記ハンダの融点より高い焼結金属により上記ダイパッド部の上記所定面に接合する第２工程と、を含み、上記第２工程の後に、上記第１工程を行うことを特徴とする。

上記方法によれば、上記第２工程の後に、上記第１工程を行うので、ハンダの上に焼結金属が乗り上げることはないので、ハンダの上に形成された焼結金属がハンダとの密着力が極めて小さいことに基因して生じる信頼性の問題は生じない。

よって、上記方法によれば、複数の互いに異なる半導体デバイスを搭載させた半導体装置において、熱伝導および電気伝導の観点から、半導体デバイスの接合の信頼性を向上させた半導体装置の製造方法を実現できる。

複数の互いに異なる半導体デバイスを搭載させた半導体装置において、熱伝導および電気伝導の観点から、半導体デバイスの接合の信頼性を向上させた半導体装置を実現できる。

本発明の一実施形態に係る半導体装置のリードフレームの上面図である。 封止部を除いた、本発明の一実施形態に係る半導体装置の概略図である。 本発明の別の一実施形態に係る半導体装置のリードフレームの上面図である。 封止部を除いた、本発明の別の一実施形態に係る半導体装置の概略図である。 本発明のさらに別の一実施形態に係る半導体装置のリードフレームの上面図である。 封止部を除いた、本発明のさらに別の一実施形態に係る半導体装置の概略図である。 外観を示す、従来の半導体装置の概略図である。 封止部を除いた、図７に示した従来の半導体装置の概略図である。 カスコード回路の回路図である。 複数個多連状態となっているリードフレームを示す概略図である。

以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について詳しく説明する。ただし、この実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などはあくまで一実施形態に過ぎず、これらによってこの発明の範囲が限定解釈されるべきではない。

本発明の実施の形態を図１〜図１０に基づいて説明すれば以下のとおりである。

〔実施の形態１〕
以下、本発明の一実施形態について、図１〜２および図９に基づいて説明する。
（リードフレーム）
図１は、本実施形態に係る半導体装置のリードフレーム１８の上面図である。リードフレーム１８は、１枚の金属板から打ち抜かれ、曲げ加工を施されたものであり、ダイパッド部２、インナーリード部３、アウターリード部４、フィン部８から成る。

ダイパッド部２の厚さは約１．２７ｍｍであり、ダイパッド部２の上面（所定面）は、約５μｍの厚さに銀メッキされた銀メッキ領域５ａ，５ｂ（第１領域）と銀メッキされていない非銀メッキ領域６ａ（第２領域）に別れている。言い換えると、線状の非銀メッキ領域６ａにより、銀メッキ領域５ａ，５ｂは独立した島状にそれぞれ形成されている。

インナーリード部３は、上面が約５μｍの厚さに銀メッキされている３つの部分からなる。アウターリード部４は、半導体装置を外部の回路に電気的に接続するための端子であって、図面左側のゲート用リード端子４Ｇ、図面中央のソース用リード端子４Ｓ、および図面右側のドレイン用リード端子４Ｄの３本の端子から成る。

ゲート用リード端子４Ｇは、インナーリード部３の図面左側の部分と一体かつ等電位であり、外部の回路にゲートの役割を担って接続される。ソース用リード端子４Ｓは、インナーリード部３の図面中央の部分およびダイパッド部２と一体かつ等電位であり、外部の回路にソースの役割を担って接続される。ドレイン用リード端子４Ｄは、インナーリード部３の図面右側の部分と一体かつ等電位であり、外部の回路にドレインの役割を担って接続される。

フィン部８は、ダイパッド部２と一体であり、ねじ止めのための丸孔９を有する。このねじ止めは、ねじを通じてフィン部８から外部の基板へ放熱するため、およびリードフレーム１８を備える半導体装置を外部の基板に固定するために行われる。

インナーリード部３および銀メッキ領域５ａ、５ｂの銀メッキは、リードフレーム１８を打ち抜く前の金属板に、ストライプメッキと呼ばれる方法で形成された。なお、他のメッキ法、あるいはメッキ以外の方法を用いて、インナーリード部３および銀メッキ領域５ａ、５ｂに銀の表層を形成してもよい。

なお、リードフレーム１８は打ち抜きに限らず、化学的なエッチングにより形成されてもよい。化学的なエッチングによりリードフレーム１８が形成される場合、銀メッキに影響しないように、化学的なエッチングの後に銀メッキされることが好ましい。また、リードフレーム１８を形成する金属は、銅系合金および鉄系合金が好ましい。

なお、ダイパッド部２の厚さは上述に限らない。また、インナーリード部３および銀メッキ領域５ａ、５ｂの銀メッキの厚さは上述に限らない。

（半導体装置）
図２は、封止部を除いた、本実施形態に係る半導体装置１０の概略図である。図２の（ａ）が上面図であり、図２の（ｂ）が側面図である。図７に示した従来の半導体装置１１０が封止部１１７を含むのと同様に、半導体装置１０も半導体デバイスを保護するための封止部を含む。しかしながら、樹脂で形成された封止部は非透明であり、その内部が肉眼では見えない。このため、封止部の内部を図示しながら説明するために、封止部を完全に除いて、半導体装置１０を示す。

図２に示すように、半導体装置１０は、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタであるＭＯＳ−ＦＥＴ１１（第１半導体デバイス）、ハンダ１２、窒化ガリウム高電子移動度トランジスタであるＧａＮ−ＨＥＭＴ１３（第２半導体デバイス）、焼結銀１４、アルミ線１５、金線１６、および図示しない封止部を含む。

ＭＯＳ−ＦＥＴ１１は、厚さ約０．２ｍｍであり、上面にドレインパッド（Ｄ）とゲートパッド（Ｇ）とソースパッド（Ｓ）とを有する。また、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１の裏面は、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１のソースパッド（Ｓ）に内部で接続しているので、ソースパッド（Ｓ）と等電位である。また、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１の裏面は、ハンダ１２で接合されるために、銀メッキされている。

ハンダ１２は、Ｐｂ−Ａｇ−Ｃｕ（鉛−銀−銅）系の高融点ハンダである。ハンダ１２において、熱伝導率は約４０Ｗ／ｍ・Ｋであり、電気抵抗率（体積抵抗率）は２０×１０^−６Ω・ｃｍであり、融点は２８０度〜３００度である。融点を考慮して、ダイボンダを用いてハンダ１２でＭＯＳ−ＦＥＴ１１を銀メッキ領域５ａに接合するとき、ハンダ１２は３５０度前後に加熱される。

ハンダ１２の電気抵抗率が低いので、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１の裏面とダイパッド部２との間は電流が流れやすい。これにより、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１の裏面とダイパッド部２との間に大量の電流が流れることができ、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１の裏面とダイパッド部２とが等電位になる。したがって、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１のソースパッド（Ｓ）は、ダイパッド部２と等電位である。

ＧａＮ−ＨＥＭＴ１３は、厚さ約０．２５ｍｍであり、上面にドレインパッド（Ｄ）とゲートパッド（Ｇ）とソースパッド（Ｓ）とを有する。ＧａＮ−ＨＥＭＴ１３はＭＯＳ−ＦＥＴ１１と比較して発熱する割合が高いので、ＧａＮ−ＨＥＭＴ１３の裏面からは、大量の熱が放熱される。また、ＧａＮ−ＨＥＭＴ１３の裏面は、焼結銀１４で接合されるために、銀メッキされている。

焼結銀１４は、ナノサイズの銀粒子を焼結（焼成）した緻密な銀塊状態の導電体である。焼結銀１４において、熱伝導率は約１５０Ｗ／ｍ・Ｋであり、電気抵抗率（体積抵抗率）は８×１０^−６Ω・ｃｍであり、焼結した焼結温度は２００度〜２５０度であり、焼結した後の融点は約９６０度である。ＧａＮ−ＨＥＭＴ１３が銀メッキ領域５ｂに焼結用銀ペーストにより接着された後、ＧａＮ−ＨＥＭＴ１３を載せたリードフレーム１８がオーブンへ入れられ、焼結用銀ペーストが焼結して、焼結銀１４になった。

焼結用銀ペーストは、ナノサイズの銀粒子に微量の結合剤を加えたペーストであり、結合剤の種類は上記焼結温度での熱処理後には、残存しないものを選択する必要がある。焼結用銀ペーストが焼結するとき、焼結用銀ペースト中のナノサイズの銀粒子は、接合面であるＧａＮ−ＨＥＭＴ１３の裏面および銀メッキ領域５ｂの銀メッキと一体となって、焼結する。これにより、ダイパッド部２とＧａＮ−ＨＥＭＴ１３との間の焼結銀１４による接合の機械的信頼性が高い。

また、焼結用銀ペーストとしては、ペーストとして用いることができる所定の粘度を有するように調整されたナノサイズの銀粒子を所定の溶媒に分散させたものを用いてもよい。

なお、ＧａＮ−ＨＥＭＴ１３の裏面および銀メッキ領域５ｂは、銀メッキに限らず、焼結用銀ペーストが一体となって焼結すればよい。例えば、ＧａＮ−ＨＥＭＴ１３の裏面および銀メッキ領域５ｂは、金、パラジウム、およびプラチナなどによるメタライズ（金属化）がされても良い。さらに、焼結銀１４を他の焼結金属に替えてもよい。この場合、当該焼結金属との相性を鑑みて、ＧａＮ−ＨＥＭＴ１３の裏面および銀メッキ領域５ｂをメタライズする金属の種類を選択すればよい。また、当該焼結金属の融点と焼結温度とを鑑みて、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１を接合するハンダの種類を選択すればよい。

エポキシ系樹脂を含む従来の銀ペーストより、焼結銀１４は熱伝導率が高い。このため、焼結銀１４においては、断熱層となるクラックが生じた場合であっても、クラックの無い部分を通り、熱がクラックを速やかに迂回して逃げることができる。したがって、クラックが生じた後も、焼結銀１４は全体的な熱伝導率を高く維持できる。これにより、ＧａＮ−ＨＥＭＴ１３の裏面からダイパッド部２へ、焼結銀１４を通って熱が逃げやすい。したがって、ＧａＮ−ＨＥＭＴ１３から外部の基板へ速やかに放熱され、ＧａＮ−ＨＥＭＴ１３が高温になることが防がれる。

アルミ線１５は、３００μｍ径であり、大きな電流の流れる部分を接続している。具体的には、アルミ線１５は、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１のドレインパッドをＧａＮ−ＨＥＭＴ１３のソースパッドに接続し、ＧａＮ−ＨＥＭＴ１３のドレインパッドをドレイン用リード端子４Ｄと一体であるインナーリード部３に接続している。

金線１６は、３０μｍ径であり、信号伝達のために小さな電流が流れる部分を接続している。具体的には、金線１６は、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１のゲートパッドをゲート用リード端子４Ｇと一体であるインナーリード部３に接続し、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１のソースパッドをＧａＮ−ＨＥＭＴ１３のゲートパッドに接続している。

（カスコード回路）
図９は、カスコード回路１の回路図である。図２に示す半導体装置１０には、カスコード回路１が形成されている。

カスコード回路１は、ドレイン端子Ｄ、ゲート端子Ｇ、ソース端子Ｓ、ＭＯＳ−ＦＥＴ、およびＧａＮ−ＨＥＭＴを含む。図２におけるドレイン用リード端子４Ｄ、ゲート用リード端子４Ｇ、ソース用リード端子４Ｓ、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１、およびＧａＮ−ＨＥＭＴ１３は、図９におけるドレイン端子Ｄ、ゲート端子Ｇ、ソース端子Ｓ、ＭＯＳ−ＦＥＴ、およびＧａＮ−ＨＥＭＴにそれぞれ相当する。

ＭＯＳ−ＦＥＴにおいて、ドレインはＧａＮ−ＨＥＭＴのソースに接続され、ゲートはゲート端子Ｇに接続され、ソースはソース端子ＳおよびＧａＮ−ＨＥＭＴのゲートに接続される。

ＧａＮ−ＨＥＭＴにおいて、ドレインはドレイン端子Ｄに接続される。

（非銀メッキ領域）
図２に示すように、非銀メッキ領域６ａは、ハンダ１２の上に焼結銀１４が乗り上げるのを防ぐために形成され、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１とＧａＮ−ＨＥＭＴ１３との間に位置する。一般に、半導体装置の小型化のために、半導体装置に含まれる複数の半導体デバイスは近接して配置される。例えば、図２において、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１とＧａＮ−ＨＥＭＴ１３との距離は、０．６ｍｍである。

このため、仮に非銀メッキ領域６ａがないと、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１を接合するハンダ１２とＧａＮ−ＨＥＭＴ１３を接合する焼結銀１４とは、平面視において重なる恐れがある。半導体装置１０においては、銀メッキ領域５ａ、５ｂと非銀メッキ領域６ａの境界が、ハンダ１２および焼結銀１４になる焼結用銀ペーストが流れ出すのを止める。

焼結銀１４となる焼結用銀ペーストは、銀メッキ領域５ｂおよびＧａＮ−ＨＥＭＴ１３の裏面の銀メッキと一体に焼結して、焼結銀１４になる。同時に、焼結銀１４となる焼結用銀ペーストは、ハンダ１２とはほとんど焼結しない。従って、仮に、硬化したハンダ１２の上に焼結銀１４となる焼結用銀ペーストが乗り上げた場合、ハンダ１２と焼結銀１４とは単純に接触しているのみなので、ハンダ１２と焼結銀１４と間の接合力は極めて小さい。さらに、この場合、ダイパッド部２とＧａＮ−ＨＥＭＴ１３との接合の実効面積も小さい。

このため、仮に、硬化したハンダ１２の上に焼結銀１４となる焼結用銀ペーストが乗り上げた場合、温度変化による各材料の熱膨張係数の差による歪みの応力により、焼結銀１４が剥離しやすいという問題が生じる。したがって、ハンダ１２の上に焼結銀１４が乗り上げないために、非銀メッキ領域６ａが必要である。また、非銀メッキ領域６ａは、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１とＧａＮ−ＨＥＭＴ１３との間に位置する必要がある。

なお、逆に、焼結された焼結銀１４の上にハンダ１２が乗り上げて硬化した場合、問題は生じない。なぜならば、銀メッキ領域５ａおよびＭＯＳ−ＦＥＴ１１の裏面の銀メッキに接合するのと同様に、ハンダ１２は焼結銀１４に接合するからである。したがって、ハンダ１２およびＭＯＳ−ＦＥＴ１１は、問題なく安定する。

なお、別の方法で、硬化したハンダ１２の上に焼結銀１４が乗り上げないようにしてもよい。

（焼結銀）
近接する２つの半導体デバイスをハンダによりダイパッド部に接合すると、ハンダのドッキングおよび再溶融などの問題が発生する。この問題を回避するために、近接する半導体デバイスの一方をハンダにより接合し、他方を熱伝導性のある樹脂により接合すると、別の２つの問題が発生する。

１つは、温度変化が繰り返されることにより、熱伝導性のある樹脂の接合面または内部で断熱層となるクラックが発生し、進行することである。このため、徐々に、熱伝導性のある樹脂の熱伝導率が実質的に低下する。もう１つは、工程の順序が制限されることである。ハンダにより接合するときの熱で、熱伝導性のある樹脂を構成する樹脂が熱分解される恐れがある。このため、ハンダによる接合などの高温になる工程の後に、熱伝導性のある樹脂による接合が行われる必要がある。

本実施形態では、上述の問題を解決するために、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１がハンダ１２で接合され、ＧａＮ−ＨＥＭＴ１３が焼結銀１４で接合される。

例えば、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１が先にハンダ１２により接合され、ＧａＮ−ＨＥＭＴ１３が後に焼結銀１４により接合される場合を考える。この場合、焼結銀１４が焼結した焼結温度は、ハンダ１２が融ける融点より低いので、焼結銀１４となる焼結用銀ペーストが焼結するときにハンダ１２は再溶融しない。

例えば、ＧａＮ−ＨＥＭＴ１３が先に焼結銀１４により接合され、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１が後にハンダ１２により接合される場合を考える。この場合、ハンダ１２が融ける融点は、焼結銀１４が融ける融点より低いので、ハンダ１２でＭＯＳ−ＦＥＴ１１が接合されるとき焼結銀１４は溶融しない。

また、温度変化が繰り返されると、焼結銀１４の接合面および内部には、断熱層となるクラックが形成される。温度サイクル試験（例えば−５５℃から１５０℃、１５０℃から−５５℃の１０００サイクル繰返し温度変化）の実験により、焼結銀１４においてクラックの発生と進行が確認されている。しかしながら、エポキシ系樹脂などを含む従来の銀ペーストなどのような熱伝導性のある樹脂と異なり、焼結銀１４において熱はクラックを速やかに迂回することができる。したがって焼結銀１４において、熱抵抗率の上昇すなわち熱伝導率の低下はおきない。

上述の熱伝導の差異は、熱伝導性のある樹脂が、熱伝導率の低い樹脂に、金属のフィラーなどの熱伝導率の高い材料を添加した構成であることに由来する。熱伝導性のある樹脂は、主に熱伝導率の低い樹脂により構成されているため、熱がクラックを迂回するのに時間がかかる。対照的に、焼結銀１４は、熱伝導率の高い銀塊であるため、熱がクラックを迂回するのに時間がかからない。

焼結銀１４の電気抵抗率がハンダ１２の電気抵抗率より低いので、一見、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１も焼結銀１４で接合することが好ましく見える。しかしながら、温度変化が繰り返されるとクラックが形成され、焼結銀１４の電気伝導性の信頼性は損なわれる。したがって、大量の電流が流れる部分を、焼結銀１４で接合することは好ましくない。このため、大量の電流が流れるＭＯＳ−ＦＥＴ１１とダイパッド部２との接合は、ハンダ１２により接合する。

（効果）
半導体装置１０では、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１がハンダ１２でダイパッド部２に接合され、ＧａＮ−ＨＥＭＴ１３が焼結銀１４でダイパッド部２に接合される。また、硬化したハンダ１２の上に焼結銀１４となる焼結用銀ペーストが乗り上げないように、非銀メッキ領域６ａが形成される。

上記構成により、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１の接合とＧａＮ−ＨＥＭＴ１３の接合とは、別々に行われる。また、焼結銀１４が融ける融点は、ハンダ１２の融ける融点より高く、ハンダ１２の融ける融点は、焼結銀１４が焼結する焼結温度より高い。

このため、ハンダ１２と焼結銀１４とのドッキングが発生せず、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１とＧａＮ−ＨＥＭＴ１３との位置ずれが発生しにくい。したがって、位置ずれによる接続不良も発生しにくい。また、ハンダ１２の再溶融または焼結銀１４の溶融が発生せず、ハンダ１２と焼結銀１４とに空胞が形成されない。したがって、空胞が接合の機械的信頼性が損なうことがなく、空胞が接合を通じた熱伝導および電気伝導を妨げることもない。

また、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１の接合とＧａＮ−ＨＥＭＴ１３の接合との順序が自由である。したがって、半導体装置１０の生産工程の自由度が増す。

上記構成により、温度変化が繰り返されてもハンダ１２の電気抵抗率は低いので、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１のソースとダイパッド部２とは、高い信頼性で、等電位を維持する。また、温度変化が繰り返されても焼結銀１４の熱抵抗率は低いので、ＧａＮ−ＨＥＭＴ１３からダイパッド部２へ、高い信頼性で、速やかな放熱を維持する。

このため、半導体装置１０が使用され、ＧａＮ−ＨＥＭＴ１３が発熱を繰り返した後でも、半導体装置１０のデバイス性能は高いままであり、半導体装置１０のデバイス性能の信頼性は高い。言い換えると、半導体装置１０は、電気伝導と熱伝導と機械的接続との観点から、半導体デバイス（ＭＯＳ−ＦＥＴ１１とＧａＮ−ＨＥＭＴ１３）とダイアタッチ材（ハンダ１２と焼結銀１４）の組み合わせにおいて優れている。

上記構成により、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１とＧａＮ−ＨＥＭＴ１３とは、安定に接合される。また、温度変化が繰り返されても、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１とＧａＮ−ＨＥＭＴ１３との接合は信頼できる。このため、半導体装置１０の生産における歩留りは高く、温度変化が繰り返されても半導体装置１０のデバイス性能の信頼性は高い。

なお、焼結銀１４と銀メッキ領域５ｂの銀メッキとは、他の焼結金属と他の金属によるメタライズとに替えても良い。同時に、製造費用および普及度を鑑みて、焼結銀１４と銀メッキ領域５ｂの銀メッキとが最も実用的である。

〔実施の形態２〕
以下、本発明の別の一実施形態について、図３〜４に基づいて説明する。

なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。

（リードフレーム）
図３は、本実施形態に係る半導体装置のリードフレーム２８の上面図である。リードフレーム２８は、１枚の金属板から打ち抜かれ、曲げ加工を施されたものであり、ダイパッド部２、インナーリード部３、アウターリード部４、フィン部８から成る。

ダイパッド部２の上面は、上記実施の形態１と異なり、約５μｍの厚さに銀メッキされた銀メッキ領域５ｃ，５ｄと銀メッキされていない非銀メッキ領域６ｂに別れている。

（半導体装置）
図４は、封止部を除いた、本実施形態に係る半導体装置２０の概略図である。図４の（ａ）が上面図であり、図４の（ｂ）が側面図である。図２と同様に、封止部の内部を図示しながら説明するために、封止部を完全に除いて、半導体装置２０を示す。

図４に示すように、半導体装置２０は、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１（半導体デバイス）、ハンダ１２、ＧａＮ−ＨＥＭＴ１３（半導体デバイス）、焼結銀１４、アルミ線１５、金線１６、および図示しない封止部を含む。

ＭＯＳ−ＦＥＴ１１は、上記実施の形態１と異なり、ダイパッド部２の銀メッキ領域５ｃに接合されている。

ＧａＮ−ＨＥＭＴ１３は、上記実施の形態１と異なり、ダイパッド部２の銀メッキ領域５ｄに接合されている。

非銀メッキ領域６ｂにより、銀メッキ領域５ｃ、５ｄは独立した島状にそれぞれ形成されている。銀メッキ領域５ｃがハンダ１２で濡れやすく広がりやすいのに対し、非銀メッキ領域６ｂが濡れにくく広がりにくいために、結果として銀メッキ領域５ｃと非銀メッキ領域６ｂとの境界において溶融したハンダ１２の流れを、実施の形態１と同様に止めることができる。また、銀メッキ領域５ｃは、図２に示す銀メッキ領域５ａより小さい。このため、銀メッキ領域５ｃを濡らして広がるハンダ１２の流れは、銀メッキ領域５ａを濡らして広がるハンダ１２の流れより精度良く制御される。したがって、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１が接合される位置を精度良く制御できる。また、接合に用いるハンダ１２の量が精度良く制御されるので、半導体装置２０の軽量化および低コスト化を図ることができる。

〔実施の形態３〕
以下、本発明の別の一実施形態について、図５〜６に基づいて説明する。

なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。

（リードフレーム）
図５は、本実施形態に係る半導体装置のリードフレーム３８の上面図である。リードフレーム３８は、１枚の金属板から打ち抜かれ、曲げ加工を施されたものであり、ダイパッド部２、インナーリード部３、アウターリード部４、フィン部８から成る。

ダイパッド部２の上面は全て、上記実施の形態１と異なり、約５μｍの厚さに銀メッキされた銀メッキ領域５に覆われている。

（半導体装置）
図６は、封止部を除いた、本実施形態に係る半導体装置３０の上面図および側面図である。図２と同様に、封止部の内部を図示しながら説明するために、封止部を完全に除いて、半導体装置３０を示す。

図６に示すように、半導体装置３０は、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１（半導体デバイス）、ハンダ１２、ＧａＮ−ＨＥＭＴ１３（半導体デバイス）、焼結銀１４、アルミ線１５、金線１６、および図示しない封止部を含む。

ＭＯＳ−ＦＥＴ１１とＧａＮ−ＨＥＭＴ１３とは、上記実施の形態１，２と異なり、ダイパッド部２の銀メッキ領域５に接合されている。

（非銀メッキ領域）
図５に示すように、リードフレーム３８は非銀メッキ領域を有さない。さらに、図６において、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１とＧａＮ−ＨＥＭＴ１３との距離は、わずか０．６ｍｍである。これらにより、ハンダ１２と焼結銀１４とは、平面視において重なっている。同時に、ハンダ１２の上に焼結銀１４が乗り上げていないので、ＧａＮ−ＨＥＭＴ１３は焼結銀１４で安定して接合されている。

半導体装置３０の製造工程においては、非銀メッキ領域を形成しないため、焼結銀１４でＧａＮ−ＨＥＭＴ１３が接合された後に、ハンダ１２でＭＯＳ−ＦＥＴ１１が接合される。これにより、焼結した焼結銀１４の上に、ハンダ１２が乗り上げて硬化する。銀メッキ領域５がＭＯＳ−ＦＥＴ１１の裏面の銀メッキに接合するのと同様に、ハンダ１２は焼結銀１４に接合するので、ハンダ１２と焼結銀１４との境界面は信頼でき、ハンダ１２およびＭＯＳ−ＦＥＴ１１は、問題なく安定する。

（効果）
半導体装置３０では、リードフレーム３８は非銀メッキ領域を有さない。

上記構成により、リードフレーム３８を形成する工程において、銀メッキ工程のマスキング処理を増やさずに済む。このため、リードフレーム３８の生産コストの上昇を抑えることができる。

半導体装置３０では、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１がハンダ１２でダイパッド部２に接合され、ＧａＮ−ＨＥＭＴ１３が焼結銀１４によりダイパッド部２に接合される。

（補足）
カスコード接続されたＭＯＳ−ＦＥＴ１１とＧａＮ−ＨＥＭＴ１３とを含む半導体装置１０、２０、３０について上述では説明したが、本発明はこれに限らない。裏面とダイパッド部との間に電流が流れる半導体デバイスと、裏面とダイパッド部との間で熱が移動する半導体デバイスとを含む半導体装置に、本発明は有用である。なお、半導体デバイスの裏面は、ダイパッド部に接合される接合面である。

上述では、ハンダ１２は、Ｐｂ−Ａｇ−Ｃｕ（鉛−銀−銅）系の高融点ハンダであり、焼結銀１４は、焼結用銀ペーストを焼結（焼成）した緻密な銀塊であるが、本発明はこれに限られない。

上述では、リードフレーム１８、２８、３８のインナーリード部３と、ダイパッド部２の銀メッキ領域５ａ〜５ｄ、５とは、銀メッキされているが、本発明はこれに限られない。リードフレームのインナーリード部は、ワイヤボンド（接続）されるためにメタライズ（金属化）されればよい。リードフレームのダイパッド部の半導体デバイスがハンダにより接合される領域は、ダイボンド（接合）されるためにメタライズされればよい。リードフレームのダイパッド部の半導体デバイスが焼結金属により接合される領域は、焼結金属により接合されるためにメタライズされればよい。なお、電気伝導性および熱伝導性および費用の観点から、焼結銀により接合する場合、銀メッキが好ましい。また、焼結金属に応じてメタライズする金属を選択する必要がある。

上述では、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１の裏面とＧａＮ−ＨＥＭＴ１３の裏面とは、銀メッキされているが、本発明はこれに限られない。ＭＯＳ−ＦＥＴ１１の裏面は、ハンダによりダイボンド（接合）されるためにメタライズされればよい。ＧａＮ−ＨＥＭＴ１３の裏面は、焼結金属により接合されるためにメタライズされればよい。なお、電気伝導性および熱伝導性および費用の観点から、焼結銀により接合する場合、銀メッキが好ましい。また、焼結金属に応じてメタライズする金属を選択する必要がある。

上述では、リードフレーム１８、２８、３８はフィン部８を含むが、本発明はこれに限られない。リードフレームから外部の基板への放熱経路が確保されていればよい。

上述では、ＭＯＳ−ＦＥＴ１１とＧａＮ−ＨＥＭＴ１３とが近接しているが、本発明はこれに限らない。半導体装置に含まれる複数の半導体デバイスが互いに離れていてもよい。

〔まとめ〕
本発明の態様１における半導体装置（１０、２０、３０）は、ダイパッド部（２）、第１半導体デバイス（ＭＯＳ−ＦＥＴ１１）、及び第２半導体デバイス（ＧａＮ−ＨＥＭＴ１３）を含む半導体装置（１０、２０、３０）であって、上記第１半導体デバイスは、ハンダ（１２）により上記ダイパッド部に接合され、上記第２半導体デバイスは、焼結後の融点が上記ハンダの融点より高い焼結金属（焼結銀１４）により上記ダイパッド部に接合され、上記ダイパッド部と上記焼結金属との間には、上記ハンダが挟まれてないことを特徴としている。

上記構成によれば、第１半導体デバイスはハンダにより接合されている。このため、第１半導体デバイスとダイパッド部との間の接合は、熱伝導及び電気伝導の観点から、温度変化を繰り返した後も、高い信頼性を維持できる。また、第２半導体デバイスは焼結金属により接合されている。このため、第２半導体デバイスとダイパッド部との間の接合は、熱伝導の観点から、温度変化を繰り返した後も、高い信頼性を維持できる。

上記構成によれば、焼結金属がハンダの上に焼結することはない。このため、このため、第２半導体デバイスとダイパッド部との間の接合は、機械的強度の観点から、温度変化を繰り返した後も、高い信頼性を維持できる。なお、ハンダは焼結金属に十分な機械的強度で接合するので、第１半導体デバイスとダイパッド部との間の接合は、機械的強度の観点から、温度変化を繰り返した後も、高い信頼性を維持できる。

上述により、複数の互いに異なる半導体デバイス（第１半導体デバイスと第２半導体デバイス）を搭載させた半導体装置において、熱伝導および電気伝導の観点から、半導体デバイスの接合の信頼性を向上させることができる。

本発明の態様２における半導体装置（１０、２０）は、態様１に記載の半導体装置であって、上記ダイパッド部は、所定面上に金属メッキされた第１領域（銀メッキ領域５ａ〜５ｄ）、及び金属メッキされていない第２領域（非銀メッキ領域６ａ、６ｂ）を有し、上記第１半導体デバイスおよび上記第２半導体デバイスは上記第１領域に接合され、上記第２領域は、平面視において、少なくとも、上記第１半導体デバイスおよび上記第２半導体デバイスの間に位置することを特徴としている。

上記構成によれば、ハンダ及び焼結前の焼結金属は第１領域に広がりやすいため、第２領域を超えて広がることを防止できる。このため、ハンダによる接合と焼結金属による接合との前後に関らず、ダイパッド部と焼結金属との間にハンダが挟まれてない構成を、容易に実現できる。

本発明の態様３における半導体装置（１０、２０）は、態様２に記載の半導体装置であって、上記金属メッキが銀を含有することを特徴としている。

上記構成によれば、ハンダが接合しやすく、焼結金属が焼結しやすい。

本発明の態様４における半導体装置（１０、２０）は、態様２又は３に記載の半導体装置であって、上記焼結金属を焼結した焼結温度が、上記ハンダの融点より低いことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置ことを特徴としている。

上記構成によれば、焼結金属を焼結するときにハンダが再溶融しないので、ハンダによる接合を形成した後に焼結金属による接合を形成することができる。

本発明の態様５における半導体装置（１０、２０）は、態様１〜４の何れか１態様に記載の半導体装置であって、上記焼結金属が、焼結銀であることを特徴としている。

上記構成によれば、銀の電気伝導性及び熱伝導性が優れて高いため、熱伝導性が高い接合を形成することができる。

本発明の態様６における半導体装置（１０、２０）は、態様１〜５の何れか１態様に記載の半導体装置であって、上記第１半導体デバイスは、上記第１半導体デバイスにおける上記ダイパッド部と対向する面の少なくとも一部を介して電流を流すデバイスであり、上記第２半導体デバイスは、上記第１半導体デバイスより発熱量が大きいデバイスであることを特徴としている。

上記構成によれば、温度変化を繰り返した後も、第１半導体デバイスとダイパッド部との間の電気伝導率並びに第２半導体デバイスとダイパッド部との間の熱伝導率の低下を抑制することができる。したがって、半導体デバイス（第１半導体デバイスと第２半導体デバイス）に対するダイアタッチ材（ハンダと焼結金属）の選択と組み合わせとにおいて、電気伝導と熱伝導との観点から、上記構成は優れている。

このため、本態様における半導体装置は、構造的な信頼性が高く、温度変化を繰り返した後も高いデバイス性能を維持することができる。

本発明の態様７における半導体装置（１０、２０）は、態様１〜６の何れか１態様に記載の半導体装置であって、上記第１半導体デバイスは金属酸化膜半導体電界効果トランジスタであり、上記第２半導体デバイスは窒化ガリウム高電子移動度トランジスタであることを特徴としている。

上記構成によれば、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタをハンダにより接合し、窒化ガリウム高電子移動度トランジスタを焼結金属により接合した半導体装置を実現することができる。

本発明の態様８における半導体装置は、態様１〜７の何れか１態様に記載の半導体装置であって、上記第１半導体デバイスと上記第２半導体デバイスとがカスコード接続している（カスコード回路１の接続）ことを特徴としている。

上記構成によれば、カスコード回路を備える半導体装置を実現することができる。

本発明の態様９における半導体装置（１０、２０）の製造方法は、ダイパッド部（２）、第１半導体デバイス（ＭＯＳ−ＦＥＴ１１）、及び第２半導体デバイス（ＧａＮ−ＨＥＭＴ１３）を含む半導体装置（１０、２０）の製造方法であって、上記ダイパッド部の所定面上に、金属メッキされた第１領域（銀メッキ領域５ａ〜５ｄ）、及び、平面視において、少なくとも、上記第１半導体デバイスおよび上記第２半導体デバイスの間に位置する金属メッキされていない第２領域（非銀メッキ領域６ａ、６ｂ）を形成する第１工程と、上記第１半導体デバイスをハンダ（１２）により上記第１領域に接合する第２工程と、上記第２半導体デバイスを焼結金属（焼結銀１４）により上記第１領域に接合する第３工程と、を含み、上記第１工程は、上記第２工程及び上記第３工程より先に行い、上記ハンダの融点が上記焼結金属を焼結した焼結温度より高い場合には、上記第２工程の後に上記第３工程を行い、上記焼結金属を焼結した焼結温度が上記ハンダの融点より高い場合には、上記第３工程の後に上記第２工程を行い、上記焼結金属の融点が上記ハンダの融点より高く、かつ、上記ハンダの融点が上記焼結金属を焼結した焼結温度より高い場合には、上記第２工程及び上記第３工程が前後してよいことを特徴としている。

上記方法によれば、多様な焼結温度や融点を有する焼結金属を用いることができる。

本発明の態様１０における半導体装置（３０）の製造方法は、ダイパッド部（２）、第１半導体デバイス（ＭＯＳ−ＦＥＴ１１）、及び第２半導体デバイス（ＧａＮ−ＨＥＭＴ１３）を含む半導体装置（３０）の製造方法であって、上記第１半導体デバイスをハンダ（１２）により上記ダイパッド部の所定面（銀メッキ領域５）に接合する第１工程と、上記第２半導体デバイスを焼結後の融点が上記ハンダの融点より高い焼結金属（焼結銀１４）により上記ダイパッド部の上記所定面に接合する第２工程と、を含み、上記第２工程の後に、上記第１工程を行うことを特徴としている。

上記方法によれば、非銀メッキ領域を形成しないので、生産コストを抑えることができる。

尚、本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

本発明は、複数の半導体デバイスを、ダイステージの同一面上に接合した半導体装置に好適に用いることができる。

１ カスコード回路
２、１０２ ダイパッド部
３、１０３ インナーリード部
４、１０４ アウターリード部
４Ｄ、１０４Ｄ ドレイン用リード端子
４Ｇ、１０４Ｇ ゲート用リード端子
４Ｓ、１０４Ｓ ソース用リード端子
５、５ａ〜ｃ、１０５ 銀メッキ領域
６ａ、６ｂ 非銀メッキ領域
８、１０８ フィン部
９、１０９ 丸孔
１０、２０、３０、１１０ 半導体装置
１１、１１１ ＭＯＳ−ＦＥＴ
１２、１１２ ハンダ
１３、１１３ ＧａＮ−ＨＥＭＴ
１４、１１４ 焼結銀
１５、１１５ アルミ線
１６、１１６ 金線
１８、２８、３８、１１８ リードフレーム
１１７ 封止部
２００ 複数個多連状態となっているリードフレーム

Claims (4)

1. ダイパッド部、第１半導体デバイス、及び第２半導体デバイスを含む半導体装置であって、
   上記第１半導体デバイスは、ハンダにより上記ダイパッド部に接合され、
   上記第２半導体デバイスは、焼結後の融点が上記ハンダの融点より高い焼結金属により上記ダイパッド部に接合され、
   上記ダイパッド部は、所定面上に金属メッキされた第１領域、及び金属メッキされていない第２領域を有し、
   上記第１半導体デバイスおよび上記第２半導体デバイスは上記第１領域に接合され、
   上記第２領域は、平面視において、少なくとも、上記第１半導体デバイスおよび上記第２半導体デバイスの間に位置しており、
   上記ダイパッド部と上記焼結金属との間には、上記ハンダが挟まれてないことを特徴とする半導体装置。
2. 上記焼結金属を焼結した焼結温度が、上記ハンダの融点より低いことを特徴とする請求
   項１に記載の半導体装置。
3. 上記第１半導体デバイスは、上記第１半導体デバイスにおける上記ダイパッド部と対向する面の少なくとも一部を介して電流を流すデバイスであり、
   上記第２半導体デバイスは、上記第１半導体デバイスより発熱量が大きいデバイスであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
4. ダイパッド部、第１半導体デバイス、及び第２半導体デバイスを含む半導体装置の製造方法であって、
   上記第１半導体デバイスをハンダにより上記ダイパッド部の所定面に接合する第１工程と、
   上記第２半導体デバイスを焼結後の融点が上記ハンダの融点より高い焼結金属により上記ダイパッド部の上記所定面に接合する第２工程と、を含み、
   上記第２工程の後に、上記第１工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

Images