JP6511424B2 - 積層体及び、その製造方法 - Google Patents
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Description
この発明は、銅を含む金属層とセラミックス基板とを積層してなる積層体及び、その製造方法に関するものであり、特には、金属層とセラミックス基板との所要の接合強度を確保するものである。
近年、自動車の電装化が進む傾向にあり、なかでも電気自動車が実用化されるに至っている。このような中、大電流が用いられるパワーデバイス等の素子が開発されており、当該電気自動車等に使用されつつある。
ここで、パワーデバイスは、セラミックス基板の少なくとも一方の表面、通常は両面のそれぞれに、ヒートシンクとして機能する銅製等の金属層が接合されてなる積層体を、ベース板（放熱板）上に固定し、そして、積層体上に、パワー半導体素子及び、その制御回路が形成されて構成される。
ここで、パワーデバイスは、セラミックス基板の少なくとも一方の表面、通常は両面のそれぞれに、ヒートシンクとして機能する銅製等の金属層が接合されてなる積層体を、ベース板（放熱板）上に固定し、そして、積層体上に、パワー半導体素子及び、その制御回路が形成されて構成される。
かかる積層体では一般に、銅等からなる金属層に接合させるセラミックス基板の材質として、当該金属層との直接接合が可能なアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）が用いられていたが、このアルミナ製セラミックス基板に代えて、特許文献１〜３等に記載されているような、優れた熱伝導性を有する窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等の窒化物セラミックス基板とすることが有効である。
特許文献１〜３に記載された積層体は、Ｃｕ導体層（金属層）又は窒化アルミニウム基板の表面に、蒸着、スパッタリングもしくはめっき等により、Ｔｉ等からなる薄膜の接合層を予め形成し、その接合層を介して、窒化アルミニウム基板又は銅層を接合することにより製造されるものである。
これによれば、金属との濡れ性に乏しい窒化アルミニウム基板と、Ｃｕ導体層との間に形成した上記の接合層が、窒化アルミニウム基板とＣｕ導体層とを有効に接合させることになる。その結果として、以前から使用されてきたアルミナに比して熱伝導性に優れる窒化アルミニウム基板により、半導体素子等が発する熱を有効に放散させることができる。
これによれば、金属との濡れ性に乏しい窒化アルミニウム基板と、Ｃｕ導体層との間に形成した上記の接合層が、窒化アルミニウム基板とＣｕ導体層とを有効に接合させることになる。その結果として、以前から使用されてきたアルミナに比して熱伝導性に優れる窒化アルミニウム基板により、半導体素子等が発する熱を有効に放散させることができる。
ところで、上記の特許文献１〜３に記載されたいずれの技術も、積層体を製造するに当り、Ｃｕ導体層と窒化アルミニウム基板との接合に先立って、それらの間にＴｉ等の接合層を形成するため、Ｃｕ導体層もしくは窒化アルミニウム基板に、蒸着、スパッタリングないしめっきを施す必要がある。それに起因して、製造工数の増大を余儀なくされて、積層体を安価かつ簡易に製造することができないという問題があった。
この発明は、このような問題を解決することを課題とするものであり、それの目的とするところは、主として銅からなる金属層と、窒化物セラミックス基板とを十分強固に接合するとともに、その製造工数を削減することのできる積層体及び、その製造方法を提供することにある。
発明者は、アルミナとの比較により、窒化アルミニウム等の窒化物セラミックス基板とＣｕ金属層との直接接合が困難となる理由や、上述したような、窒化アルミニウム基板とＣｕ金属層との間にＴｉ等の接合層を設けるとそれらを接合可能になるメカニズム等について鋭意検討した結果、Ｃｕ金属層を、所定の元素を含有する銅合金層とすることにより、そのような銅合金層と窒化物セラミックス基板とを、上記の接合層の介在なしに有効に接合できることを見出した。
このような新たな知見に基き、この発明の積層体は、窒化物セラミックス基板と、該窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に積層された銅合金層とを有し、前記銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を含有するものである。
また、この発明の積層体は、窒化物セラミックス基板と、該窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に積層された銅合金層とを有し、前記銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも二種類の元素を含有するものである。
ここで好ましくは、前記銅合金層が銅合金板または銅合金箔からなるものとする。
また、この発明の積層体は、窒化物セラミックス基板と、該窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に積層された銅合金層とを有し、前記銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも二種類の元素を含有するものである。
ここで好ましくは、前記銅合金層が銅合金板または銅合金箔からなるものとする。
銅合金層に含まれ得る、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆから選択される一種類以上の元素の合計の濃度は、窒化物セラミックス基板と銅合金層との接合強度をより適切にするため、０．０００１質量％以上であることが好ましく、０．００１質量％以上であることが好ましく、０．０１質量％以上であることが好ましく、０．５質量％以上であることが好ましく、９９．５質量％以下であることが好ましく、９５質量％以下であることが好ましく、９０質量％以下であることが好ましく、８０質量％以下であることが好ましく、７０質量％以下であることが好ましく、５０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以下であることが好ましい。
この発明の積層体では、前記銅合金層が、特に、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を含有するものとすることが好ましい。ここで、銅合金層が、Ｓｉを含有する場合はＳｉ濃度が０．０００１〜３．０質量％であり、Ｍｎを含有する場合はＭｎ濃度が０．０００１〜９５質量％であり、Ｈｆを含有する場合はＨｆ濃度が０．０００１〜２０質量％であることが好ましい。
また、銅合金層がＳｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆから選択される二種類以上の元素を含有する場合、当該のＳｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆから選択される二種類以上の元素の合計の濃度は、窒化物セラミックス基板と銅合金層との接合強度をより適切にするため、０．０００１〜９９.５質量％であることが好ましく、０．０００５〜９５質量％であることが好ましく、０．０００５〜７０質量％であることが好ましく、０．０００５〜５０質量％であることが好ましい。
またこの発明の積層体では、前記窒化物セラミックス基板が、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化チタン、窒化ホウ素、窒化インジウム又は窒化ガリウムを主成分とし、あるいは、炭化チタンと窒化チタンとの複合材料、又は、窒化ホウ素と炭化ケイ素との複合材料を主成分とするものであることが好ましい。
ここで、前記窒化物セラミックス基板が窒化アルミニウムを主成分とするものである場合、その窒化物セラミックス基板がさらに、Ｃａ、Ｙ、Ｏからなる群から選択される一種以上の元素を含有し、Ｃａを含む場合には、Ｃａ濃度は０．０００１〜３質量％であり、Ｙを含む場合にはＹ濃度は０．０００１〜１０質量％であり、Ｏを含む場合には、Ｏ濃度は０．０００１〜２０質量％であるものとすることができる。
また前記窒化物セラミックス基板のＯ含有濃度は０．０００１〜２０質量％であることが好ましい。
ここで、前記窒化物セラミックス基板が窒化アルミニウムを主成分とするものである場合、その窒化物セラミックス基板がさらに、Ｃａ、Ｙ、Ｏからなる群から選択される一種以上の元素を含有し、Ｃａを含む場合には、Ｃａ濃度は０．０００１〜３質量％であり、Ｙを含む場合にはＹ濃度は０．０００１〜１０質量％であり、Ｏを含む場合には、Ｏ濃度は０．０００１〜２０質量％であるものとすることができる。
また前記窒化物セラミックス基板のＯ含有濃度は０．０００１〜２０質量％であることが好ましい。
なおこの発明では、たとえば、前記銅合金層の厚みを、１μｍ〜７０００μｍとし、前記窒化物セラミックス基板の厚みを、１μｍ〜７０００μｍとすることができる。
またこの発明の放熱体は、上記のいずれかの積層体を有するものである。またこの発明のパワーデバイスは、上記のいずれかの積層体を有するものである。またこの発明の素子は、上記のいずれかの積層体を有するものである。また、この発明の電子部品は、上記のいずれかの積層体を有するものである。また、この発明の電子機器は、上記のいずれかの積層体を有するものである。また、この発明の車両は、上記のパワーデバイスまたは上記の素子または上記の電子部品を有するものである。
また、この発明の積層体の製造方法では、銅合金層と窒化物セラミックス基板との積層体を製造するに当り、前記銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を含有するものとし、窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に、前記銅合金層を、熱圧着により積層させる。
また、この発明の積層体の製造方法では、銅合金層と窒化物セラミックス基板との積層体を製造するに当り、前記銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも二種類の元素を含有するものとし、窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に、前記銅合金層を、熱圧着により積層させる。
また、この発明の積層体の製造方法では、銅合金層と窒化物セラミックス基板との積層体を製造するに当り、前記銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも二種類の元素を含有するものとし、窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に、前記銅合金層を、熱圧着により積層させる。
銅合金層に含まれる、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆから選択される一種類以上の元素の合計の濃度は、窒化物セラミックス基板と銅合金層との接合強度をより適切にするため、０．０００１質量％以上であることが好ましく、０．００１質量％以上であることが好ましく、０．０１質量％以上であることが好ましく、０．５質量％以上であることが好ましく、９９．５質量％以下であることが好ましく、９５質量％以下であることが好ましく、９０質量％以下であることが好ましく、８０質量％以下であることが好ましく、７０質量％以下であることが好ましく、５０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以下であることが好ましい。
この製造方法でもまた、前記銅合金層が、特に、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を含有することが好ましく、この場合、該銅合金層が、Ｓｉを含有する場合はＳｉ濃度が０．０００１〜３．０質量％であり、Ｍｎを含有する場合はＭｎ濃度が０．０００１〜９５質量％であり、Ｈｆを含有する場合はＨｆ濃度が０．０００１〜２０質量％であることが好ましい。
また、銅合金層がＳｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆから選択される二種類以上の元素を含有する場合、当該のＳｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆから選択される二種類以上の元素の合計の濃度は、窒化物セラミックス基板と銅合金層との接合強度をより適切にするため、０．０００１〜９９.５質量％であることが好ましく、０．０００５〜９５質量％であることが好ましく、０．０００５〜７０質量％であることが好ましく、０．０００５〜５０質量％であることが好ましい。
この発明の製造方法では、前記銅合金層と前記窒化物セラミックス基板とを接合するに際し、窒素またはアルゴン雰囲気中または真空中で、８００〜１０００℃の温度の下、０．６Ｎ／ｍｍ2〜１．５Ｎ／ｍｍ2の圧力を作用させることにより、前記銅合金層と前記窒化物セラミックス基板とを接合することが好ましい。
なおこの発明では、積層体の窒化物セラミックス基板と、その窒化物セラミックス基板の表面に積層された銅合金層とが、直接的に接合され、又は、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層の群から選択される一つ以上の層だけを介して間接的に接合されることになる。従って、銅合金層と窒化物セラミックス基板との間には、Ｔｉ等の接合層が存在しなくてもよい。
ここでいう「直接的に接合」とは、銅合金層自体の組成又はその酸化物からなる銅合金層表面と、窒化物セラミックス基板自体の組成又はその酸化物からなる基板表面とが、他の組成からなる層の介在なしに接触した状態で相互に固着されることをいう。すなわち、相互に積層された銅合金層と窒化物セラミックス基板との間には、その酸化皮膜は存在することがあっても、それら以外の組成からなる他の層が存在しないことを意味する。
また、銅合金層の表面には、たとえば有機物による防錆層等が形成されることがあるので、接合の強さに大きな悪影響を及ぼさない程度に、銅合金層の少なくとも窒化物セラミックス基板側の表面には、一般的に用いられる粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層の群から選択される一つ以上の層を施してもよい。この場合は、銅合金層と窒化物セラミックス層とが、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層の群から選択される一つ以上の層だけを介して間接的に接合される。
また、銅合金層の表面には、たとえば有機物による防錆層等が形成されることがあるので、接合の強さに大きな悪影響を及ぼさない程度に、銅合金層の少なくとも窒化物セラミックス基板側の表面には、一般的に用いられる粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層の群から選択される一つ以上の層を施してもよい。この場合は、銅合金層と窒化物セラミックス層とが、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層の群から選択される一つ以上の層だけを介して間接的に接合される。
この発明によれば、窒化物セラミックス基板に積層させる金属層を、上述した元素を含有する銅合金層としたことにより、該銅合金層と窒化物セラミックスとを所要の強度で接合できるとともに、従来技術のような接合層を形成する工程を要しないので、製造工数を削減することができる。
以下に、この発明の実施形態について詳細に例示説明する。
たとえば、所定の積層体は、窒化物セラミックス基板と、その窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に積層された銅合金箔等の銅合金層とを備え、この銅合金層が、Ｃｕの他、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｂ、Ｃ、Ｓｎ、Ｙ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｔｌ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を含有するものである。なお、銅合金層の導電率や熱伝導率をより良好なものとすることができるため、銅合金層において、Ｃｕが主成分であることが好ましい。
たとえば、所定の積層体は、窒化物セラミックス基板と、その窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に積層された銅合金箔等の銅合金層とを備え、この銅合金層が、Ｃｕの他、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｂ、Ｃ、Ｓｎ、Ｙ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｔｌ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を含有するものである。なお、銅合金層の導電率や熱伝導率をより良好なものとすることができるため、銅合金層において、Ｃｕが主成分であることが好ましい。
また、銅合金層に含まれる、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｂ、Ｃ、Ｓｎ、Ｙ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｔｌ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｈｆから選択される一種類以上の元素の合計の濃度は、窒化物セラミックス基板と銅合金層との接合強度をより適切にするため、０．０００１質量％以上であることが好ましく、０．００１質量％以上であることが好ましく、０．０１質量％以上であることが好ましく、０．５質量％以上であることが好ましく、９９．５質量％以下であることが好ましく、９５質量％以下であることが好ましく、９０質量％以下であることが好ましく、８０質量％以下であることが好ましく、７０質量％以下であることが好ましく、５０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以下であることが好ましい。
また、銅合金層は窒化物や酸化物等の化合物や無機物、上述した元素以外の元素を含む金属、上述以外の元素等を含んでもよい。
また、銅合金層は窒化物や酸化物等の化合物や無機物、上述した元素以外の元素を含む金属、上述以外の元素等を含んでもよい。
本発明では窒化物セラミックス基板とは、窒化物を含むセラミックス基板を意味する。窒化物セラミックス基板の窒化物の濃度は好ましくは５０質量％以上、好ましくは６０質量％以上、好ましくは７０質量％以上、好ましくは８０質量％以上、好ましくは９０質量％以上、好ましくは９５質量％以上である。窒化物セラミックス基板の窒化物の濃度の上限は設ける必要は無いが、典型的には、１００質量％以下、９９．９９９質量％以下、９９．９９質量％以下、９９．９質量％以下とすることができる。ここで、本願ではセラミックス基板は焼結体、及び／又は、多結晶体、及び／又は、単結晶体を含む基板であってもよく、焼結体、及び／又は、多結晶体、及び／又は、単結晶体からなる基板であってもよく、気相成長やエピタキシャル成長により得られる金属または化合物または半導体または導体の基板を含む概念である。
また、前記窒化物はＮと、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｂ、Ｃ、Ｓｎ、Ｙ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｔｌ、Ｃａ、Ｂ、Ｓｒ、ＨｆおよびＢａからなる群から選択される一種以上の元素とを含む化合物であることが好ましい。
また、前記窒化物はＮと、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｂ、Ｃ、Ｓｎ、Ｙ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｔｌ、Ｃａ、Ｂ、Ｓｒ、ＨｆおよびＢａからなる群から選択される一種以上の元素とからなる化合物であることがより好ましい。
また、前記窒化物はＮと、Ｓｉ、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ、ＩｎおよびＴｉからなる群から選択される一種以上の元素とを含む化合物であることがより好ましい。
また、前記窒化物はＮと、Ｓｉ、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ、ＩｎおよびＴｉからなる群から選択される一種以上の元素とからなる化合物であることがより好ましい。
また、前記窒化物はＮと、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｂ、Ｃ、Ｓｎ、Ｙ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｔｌ、Ｃａ、Ｂ、Ｓｒ、ＨｆおよびＢａからなる群から選択される一種以上の元素とからなる化合物であることがより好ましい。
また、前記窒化物はＮと、Ｓｉ、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ、ＩｎおよびＴｉからなる群から選択される一種以上の元素とを含む化合物であることがより好ましい。
また、前記窒化物はＮと、Ｓｉ、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ、ＩｎおよびＴｉからなる群から選択される一種以上の元素とからなる化合物であることがより好ましい。
ここで、窒化物セラミックス基板は、熱伝導性を高めて半導体素子等を有効に放熱させるとの観点から、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）又は窒化ガリウム（ＧａＮ）を主成分とし、あるいは、炭化チタンと窒化チタンとの複合材料（ＴｉＣ−ＴｉＮ）、又は、窒化ホウ素と炭化ケイ素との複合材料（ＢＮ−ＳｉＣ）を主体とする材質からなることが好ましい。また、窒化物セラミックス基板は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）および窒化ガリウム（ＧａＮ）からなる群から選択される一種以上の窒化物を含むことが好ましい。
なかでも、窒化アルミニウム及び窒化珪素はいずれも熱伝導率に優れ、しかも、窒化アルミニウムは熱膨張率が低く、この種の積層体のセラミックス基板として用いることが好適である。また、窒化珪素は、強度が高く、製造時に破損しにくいため、生産性の観点から好ましい。
なかでも、窒化アルミニウム及び窒化珪素はいずれも熱伝導率に優れ、しかも、窒化アルミニウムは熱膨張率が低く、この種の積層体のセラミックス基板として用いることが好適である。また、窒化珪素は、強度が高く、製造時に破損しにくいため、生産性の観点から好ましい。
窒化物セラミックス基板が窒化アルミニウムもしくは窒化珪素を主成分とする場合、その濃度（窒化アルミニウムの場合、窒素の濃度とアルミニウムの濃度を合計した濃度を窒化アルミニウムの濃度とする。また、窒化珪素の場合、窒素の濃度と珪素の濃度を合計した濃度を窒化珪素の濃度とする。）の下限は、５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上とすることができる。また、窒化アルミニウムもしくは窒化珪素の濃度の上限は特に設ける必要は無いが、例えば１００質量％以下、９９．９９９質量％以下、９９．９９質量％以下、９９．９質量％以下とすることができる。また、主として窒化アルミニウムからなる窒化物セラミックス基板は、Ｃａ、Ｙ、Ｏからなる群から選択される一種以上の元素を含有するものであってもよい。ここで、Ｃａを含有する場合は、Ｃａ濃度は０．０００１〜３質量％とすることができ、また、Ｙを含有する場合は、Ｙ濃度は０．０００１〜１０質量％とすることができる。また、Ｏ濃度は、たとえば０．０００１〜２０質量％、好ましくは０．００５〜１５質量％、より好ましくは０．０１〜１０質量％とすることができる。
本願において、例えば、Ａを「主成分とする」とは、Ａを５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上であることを意味する。また、窒化物の濃度は、窒素の濃度と、窒化物を構成する窒素以外の元素の濃度との合計の濃度とする。
本願において、例えば、Ａを「主成分とする」とは、Ａを５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上であることを意味する。また、窒化物の濃度は、窒素の濃度と、窒化物を構成する窒素以外の元素の濃度との合計の濃度とする。
このような窒化物セラミックス基板は、優れた熱伝導性を有する一方で、従来から用いられているような純Ｃｕ金属層との濡れ性に乏しく、一般に純Ｃｕ金属層と直接的に接合することは困難である。
このことに対し、発明者は以下の検討を行った。
このことに対し、発明者は以下の検討を行った。
（アルミナと銅との界面状態の検討）
アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）製のセラミックス基板は、純Ｃｕ金属層と所要の強度で直接接合することが可能である。この理由を検討するため、１０００℃の温度条件の下、酸素の量に応じて、アルミナと銅との界面で安定する各物質量の変化をシミュレーションした結果を、図１にグラフで示す。ここで、横軸は酸素の量を示し、縦軸は物質量を規格化した指標を示す。いずれも数値が大きいほど量が多いことを意味する。また、図１上に記載されている「Ａｌ2Ｏ3＋Ｃｕ＋＜Ａｌｐｈａ＞*Ｏ2」は物質量を規格化した指標で表した場合に、Ａｌ2Ｏ3が１、Ｃｕが１、Ｏ2がＡｌｐｈａ（図１の横軸）で存在する場合の、各物質量をシミュレーションした結果であることを意味する。
図１に示すところから、アルミナと銅との界面では、酸素の量の増減に伴い、Ｃｕ単体及びＡｌ2Ｏ3が減少又は増加する一方で、ＣｕとＡｌ2Ｏ3とで形成される複合酸化物（ＣｕＡｌ2Ｏ3）の量が増加又は減少することが解かり、この複合化合物が、アルミナと銅との密着力を向上させ、それらの接合に寄与していると考えられる。
アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）製のセラミックス基板は、純Ｃｕ金属層と所要の強度で直接接合することが可能である。この理由を検討するため、１０００℃の温度条件の下、酸素の量に応じて、アルミナと銅との界面で安定する各物質量の変化をシミュレーションした結果を、図１にグラフで示す。ここで、横軸は酸素の量を示し、縦軸は物質量を規格化した指標を示す。いずれも数値が大きいほど量が多いことを意味する。また、図１上に記載されている「Ａｌ2Ｏ3＋Ｃｕ＋＜Ａｌｐｈａ＞*Ｏ2」は物質量を規格化した指標で表した場合に、Ａｌ2Ｏ3が１、Ｃｕが１、Ｏ2がＡｌｐｈａ（図１の横軸）で存在する場合の、各物質量をシミュレーションした結果であることを意味する。
図１に示すところから、アルミナと銅との界面では、酸素の量の増減に伴い、Ｃｕ単体及びＡｌ2Ｏ3が減少又は増加する一方で、ＣｕとＡｌ2Ｏ3とで形成される複合酸化物（ＣｕＡｌ2Ｏ3）の量が増加又は減少することが解かり、この複合化合物が、アルミナと銅との密着力を向上させ、それらの接合に寄与していると考えられる。
（窒化アルミニウムと銅との界面状態の検討）
一方、窒化物セラミックスの代表例としての窒化アルミニウム（ＡｌＮ）のセラミックス基板は、純Ｃｕ金属層と直接的に接合することが難しい。窒化アルミニウムと銅との同様のシミュレーション結果を図２にグラフに示す。
図２に示すところでは、酸素の量に関わらず、窒化アルミニウムと銅との間では化合物が形成されず、これにより、窒化アルミニウムと銅との接合が困難になると考えられる。
一方、窒化物セラミックスの代表例としての窒化アルミニウム（ＡｌＮ）のセラミックス基板は、純Ｃｕ金属層と直接的に接合することが難しい。窒化アルミニウムと銅との同様のシミュレーション結果を図２にグラフに示す。
図２に示すところでは、酸素の量に関わらず、窒化アルミニウムと銅との間では化合物が形成されず、これにより、窒化アルミニウムと銅との接合が困難になると考えられる。
（窒化アルミニウムと銅との間にチタンを介在させた場合の界面状態の検討）
窒化アルミニウムのセラミックス基板と純Ｃｕ金属層との間に、その表面へのスパッタリング等によってチタン接合層を形成した場合は、そのチタン接合層を介して、窒化アルミニウムのセラミックス基板と純Ｃｕ金属層とが接合されることになる。この場合の窒化アルミニウムとチタンとの界面状態を同様に図３にグラフで示す。
図３によれば、窒化アルミニウムとチタンとの界面には、ＴｉＮが形成されており、酸素の量が増加するに従って、このＴｉＮの量が増加する。また、酸素の量が増加するにつれて減少するが、窒化アルミニウムとチタンとの界面にはＴｉＡｌ3も、形成されることになる。チタンを介在させることにより、これらの化合物が形成されて、窒化アルミニウムと銅とが接合されると考えられる。
窒化アルミニウムのセラミックス基板と純Ｃｕ金属層との間に、その表面へのスパッタリング等によってチタン接合層を形成した場合は、そのチタン接合層を介して、窒化アルミニウムのセラミックス基板と純Ｃｕ金属層とが接合されることになる。この場合の窒化アルミニウムとチタンとの界面状態を同様に図３にグラフで示す。
図３によれば、窒化アルミニウムとチタンとの界面には、ＴｉＮが形成されており、酸素の量が増加するに従って、このＴｉＮの量が増加する。また、酸素の量が増加するにつれて減少するが、窒化アルミニウムとチタンとの界面にはＴｉＡｌ3も、形成されることになる。チタンを介在させることにより、これらの化合物が形成されて、窒化アルミニウムと銅とが接合されると考えられる。
以上の検討に基き、発明者は、Ｃｕ金属層を、上述したチタンのような、窒化アルミニウムと銅との接合をもたらす元素を銅に含有させた銅合金層とすることにより、銅合金層に含まれる当該元素が、窒化物セラミックス基板との化合物を形成して、銅合金層と窒化物セラミックス基板との接合を実現できると考えた。
このことを検証するため、Ｔｉを３．１質量％で含有するチタン銅合金（Ｃｕ−Ｔｉ）と窒化アルミニウムとの界面状態につき、同様のシミュレーションを行ったところ、図４に示す結果を得た。
図４に示すシミュレーション結果から、チタン銅合金に含まれるＴｉと、窒化アルミニウムのＮでＴｉＮが形成され、これが、チタン銅合金と窒化アルミニウムとの接合に有効に働くと考えられる。
このことを検証するため、Ｔｉを３．１質量％で含有するチタン銅合金（Ｃｕ−Ｔｉ）と窒化アルミニウムとの界面状態につき、同様のシミュレーションを行ったところ、図４に示す結果を得た。
図４に示すシミュレーション結果から、チタン銅合金に含まれるＴｉと、窒化アルミニウムのＮでＴｉＮが形成され、これが、チタン銅合金と窒化アルミニウムとの接合に有効に働くと考えられる。
また発明者は、窒素と結びついて化合物（窒化物）を形成する元素であって、かつ銅合金に含有させることのできる元素を検討し、窒化物を形成する元素であってかつＣｕに固溶する元素として、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｆｅ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｂ、Ｃ、Ｓｎ、Ｍｏ、Ｈｆがあり、また、窒化物を形成する元素であって、かつＣｕに固溶はしないかまたはほとんど固溶しないがＣｕとの状態図が存在する元素（すなわちＣｕとの化合物が存在する元素）として、Ｙ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｔｌ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａがあることから、Ｔｉだけでなく、これらの元素を含有する銅合金は、窒化物セラミックス基板と接合される銅合金層に用いることができると考えた。
この知見により、窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に接合させる銅合金層は、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｂ、Ｃ、Ｓｎ、Ｍｏ、Ｙ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｔｌ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を含有するものとすることができる。
また、銅合金層に含まれる、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｂ、Ｃ、Ｓｎ、Ｙ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｔｌ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｈｆから選択される一種類以上の元素の合計の濃度は、窒化物セラミックス基板と銅合金層との接合強度をより適切にするため、０．０００１質量％以上であることが好ましく、０．００１質量％以上であることが好ましく、０．０１質量％以上であることが好ましく、０．５質量％以上であることが好ましく、９９．５質量％以下であることが好ましく、９５質量％以下であることが好ましく、９０質量％以下であることが好ましく、８０質量％以下であることが好ましく、７０質量％以下であることが好ましく、５０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以下であることが好ましい。
特に、これらのなかでも、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｈｆは、窒化物セラミックス基板との接合性等の観点から好ましいので、銅合金層は、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を含有することが好適である。
たとえば、銅合金層がＳｉを含有する場合は、そのＳｉ濃度の下限値は、好ましくは０．０００１質量％、より好ましくは０．０５質量％とし、より好ましくは０．１質量％、より好ましくは０．２質量％とする。また、Ｓｉ濃度の上限値は、３．０質量％、なかでも２．７質量％とすることが好ましく、特に２．４質量％、さらには２．０質量％がより一層好適である。
銅合金層がＭｎを含有する場合は、そのＭｎ濃度の下限値は０．０００１質量％、より好ましくは０．０５質量％、より好ましくは０．１質量％、より好ましくは０．２質量％とする。Ｍｎ濃度の上限値は、好ましくは９５質量％、より好ましくは８０質量％、より好ましくは５０質量％、より好ましくは４０質量％、より好ましくは３０質量％とする。
銅合金層がＭｎを含有する場合は、そのＭｎ濃度の下限値は０．０００１質量％、より好ましくは０．０５質量％、より好ましくは０．１質量％、より好ましくは０．２質量％とする。Ｍｎ濃度の上限値は、好ましくは９５質量％、より好ましくは８０質量％、より好ましくは５０質量％、より好ましくは４０質量％、より好ましくは３０質量％とする。
銅合金層がＮｉを含有する場合は、そのＮｉ濃度の下限値は０．０００１質量％、より好ましくは０．０５質量％、より好ましくは０．１質量％、より好ましくは０．２質量％とする。Ｎｉ濃度の上限値は、好ましくは９５質量％、より好ましくは８０質量％、より好ましくは５０質量％、より好ましくは４０質量％、より好ましくは３０質量％とする。
銅合金層がＴｉを含有する場合は、そのＴｉ濃度の下限値は、好ましくは０．０００１質量％、より好ましくは０．０５質量％、より好ましくは０．１質量％、より好ましくは０．２質量％とする。Ｔｉ濃度の上限値は、好ましくは８．５質量％、より好ましくは８．０質量％、より好ましくは７．７質量％、より好ましくは７．５質量％とする。
銅合金層がＺｒを含有する場合は、そのＺｒ濃度は０．０００１〜８．０質量％とすることができ、好ましくは０．０１〜７．０質量％、より好ましくは０．０５〜５．０質量％である。
銅合金層がＣｅを含有する場合は、そのＣｅ濃度は、たとえば０．０００１〜６０質量％とすることができ、好ましくは０．００１〜５０質量％、より好ましくは０．０１〜４０質量％、より好ましくは０．０１〜１０質量％、より好ましくは０．０１〜５質量％とする。
銅合金層がＨｆを含有する場合は、そのＨｆ濃度は、たとえば０．０００１〜２０質量％とすることができ、好ましくは０．００１〜１５質量％、より好ましくは０．０１〜１０質量％、より好ましくは０．０１〜８質量％、より好ましくは０．０１〜５質量％とする。
銅合金層がＴｉを含有する場合は、そのＴｉ濃度の下限値は、好ましくは０．０００１質量％、より好ましくは０．０５質量％、より好ましくは０．１質量％、より好ましくは０．２質量％とする。Ｔｉ濃度の上限値は、好ましくは８．５質量％、より好ましくは８．０質量％、より好ましくは７．７質量％、より好ましくは７．５質量％とする。
銅合金層がＺｒを含有する場合は、そのＺｒ濃度は０．０００１〜８．０質量％とすることができ、好ましくは０．０１〜７．０質量％、より好ましくは０．０５〜５．０質量％である。
銅合金層がＣｅを含有する場合は、そのＣｅ濃度は、たとえば０．０００１〜６０質量％とすることができ、好ましくは０．００１〜５０質量％、より好ましくは０．０１〜４０質量％、より好ましくは０．０１〜１０質量％、より好ましくは０．０１〜５質量％とする。
銅合金層がＨｆを含有する場合は、そのＨｆ濃度は、たとえば０．０００１〜２０質量％とすることができ、好ましくは０．００１〜１５質量％、より好ましくは０．０１〜１０質量％、より好ましくは０．０１〜８質量％、より好ましくは０．０１〜５質量％とする。
また、銅合金層がＳｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｈｆから選択される二種類以上の元素を含有する場合、当該のＳｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｈｆから選択される二種類以上の元素の合計の濃度は、窒化物セラミックス基板と銅合金層との接合強度をより適切にするため、０．０００１〜９９.５質量％であることが好ましく、０．０００５〜９５質量％であることが好ましく、０．０００５〜７０質量％であることが好ましく、０．０００５〜５０質量％であることが好ましい。
この積層体では、銅合金層と窒化物セラミックス基板とを接合させることができるので、銅合金層と窒化物セラミックス基板との間には、それらの組成及び酸化物並びに、耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層とは異なる、たとえばＴｉのみの層等が存在しなくてもよいことになる。
それにより、銅合金層と窒化物セラミックス基板との間に他の接合層等を形成するための工程が不要となって、製造工数を減らすことができる。また、接合層等を形成するためのスパッタリング等を行う設備、材料等も不要となって製造コストを小さく抑えることができる。
それにより、銅合金層と窒化物セラミックス基板との間に他の接合層等を形成するための工程が不要となって、製造工数を減らすことができる。また、接合層等を形成するためのスパッタリング等を行う設備、材料等も不要となって製造コストを小さく抑えることができる。
なお、この積層体では、銅合金層と窒化物セラミックス基板との間には、銅合金層と窒化物セラミックス基板との接合の程度に大きな悪影響を及ぼさない範囲で、銅合金層と窒化物セラミックス基板からの元素及び／またはその酸化物並びに、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層等が存在してもよい。
銅合金層と窒化物セラミックス基板との間に、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層の群から選択される一つ以上の層が存在する場合は、その粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層の群から選択される一つ以上の層の厚みは合計０．７μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下とすることができる。また、銅合金層と窒化物セラミックス基板との間に、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層の群から選択される一つ以上の層が存在する場合は、その粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層の群から選択される一つ以上の層の合計付着量は７００００μｇ／ｄｍ2以下、好ましくは４００００μｇ／ｄｍ2以下、好ましくは２００００μｇ／ｄｍ2以下、好ましくは１００００μｇ／ｄｍ2以下、好ましくは５０００μｇ／ｄｍ2以下とすることができる。かかる層がこの程度の厚みまたは付着量であれば、銅合金層と窒化物セラミックス層との接合には悪影響を及ぼさない。
また発明者は、窒化アルミニウムから窒素を奪って窒化物を形成し得る元素を、銅合金層に含有させることにより、窒化物セラミックス基板との強固な接合を実現できるとの考えの下、窒化物のエリンガムダイアグラムを用いて、たとえば窒化アルミニウムを基準とし、生成ギブスエネルギーが低く窒化物として安定するＣｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆが有効であると考えた。
この観点からは、銅合金層が、Ｃｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を含有することが好ましい。
この観点からは、銅合金層が、Ｃｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を含有することが好ましい。
このような窒化物セラミックス基板と銅合金層とが互いに積層されてなる積層体は、銅合金層と窒化物セラミックス基板との剥離強度を１５ｋＮ／ｍ以上とすることができ、これにより、たとえばパワーデバイス等に有効に用いることができる。この剥離強度は２０ｋＮ／ｍ以上であることが好ましく、さらには３０ｋＮ／ｍ以上であることがより好ましい。
なお、このような積層体では、たとえば、銅合金層の厚みを、０．０１μｍ〜７０００μｍとすることができ、または、０．１μｍ〜７０００μｍとすることができ、または、１μｍ〜７０００μｍとすることができる。銅合金層の厚みは、５μｍ以上２０００μｍ以下とすることが好ましく、より好ましくは１０μｍ以上１５００μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以上１２００μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以上１１００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以上１０５０μｍ以下、好ましくは２００μｍ以上１０００μｍ以下とする。
また、前記窒化物セラミックス基板の厚みは、１μｍ〜１５０００μｍ、１μｍ〜７０００μｍとすることができ、好ましくは５μｍ以上２０００μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上１５００μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以上１２００μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以上１１００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以上１０５０μｍ以下、より好ましくは２００μｍ以上１０００μｍ以下とすることができる。
また、前記窒化物セラミックス基板の厚みは、１μｍ〜１５０００μｍ、１μｍ〜７０００μｍとすることができ、好ましくは５μｍ以上２０００μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上１５００μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以上１２００μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以上１１００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以上１０５０μｍ以下、より好ましくは２００μｍ以上１０００μｍ以下とすることができる。
また、より強固な接合を実現するとの観点から、銅合金層の、少なくとも窒化物セラミックス基板との接合表面（すなわち、銅合金層の窒化物セラミックス基板に積層する側の表面）の表面粗さＲａは、０．３０μｍ以下とすることができ、好ましくは０．２５μｍ以下、より好ましくは０．２０μｍ以下、より好ましくは０．１５μｍ以下とする。この表面粗さＲａの下限の好ましい値は特にないが、たとえば、０．００１μｍ以上、０．００５μｍ以上、０．００７μｍ以上とすることができる。
銅合金層の上記表面粗さは、たとえば、圧延ロールの表面粗さ及び／又は圧延時の油膜当量を制御して冷間圧延をすることによって調整することが可能である。
銅合金層の上記表面粗さは、たとえば、圧延ロールの表面粗さ及び／又は圧延時の油膜当量を制御して冷間圧延をすることによって調整することが可能である。
窒化物セラミックス基板の、少なくとも銅合金層との接合表面（すなわち、窒化物セラミックス基板の銅合金層を積層する側の表面）の表面粗さＲａは、３．０μｍ以下とすることができ、好ましくは２．５μｍ以下、より好ましくは２．０μｍ以下、より好ましくは１．７μｍ以下、より好ましくは１．５μｍ以下とする。
この窒化物セラミックス基板の表面粗さは、ショットブラスト等によって調整可能である。
この窒化物セラミックス基板の表面粗さは、ショットブラスト等によって調整可能である。
この発明の実施形態の放熱体、パワーデバイス、素子、電子部品、電子機器は、上述したような積層体を有するものである。なおここで、放熱体は放熱機能を有する物体であり、放熱板、ヒートシンク、放熱機能を有する半導体素子や、放熱機能を有する素子等を含む。また、放熱体はどのような形状を有してもよい。例えば放熱体は帯、板、箔、条、線、棒、直方体、立方体、円錐、円筒、曲線、回路、配線、多角形、四角、円形、平面または曲面あるいは平面と曲面で構成される形状等の形状を有していてもよい。
そして、この発明の実施形態の車両は、上記のパワーデバイスまたは素子または電子部品を有するものである。
そして、この発明の実施形態の車両は、上記のパワーデバイスまたは素子または電子部品を有するものである。
以上に述べた積層体を製造することのできる方法の一例は以下のとおりである。
はじめに、Ｃｕを含有し、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｂ、Ｃ、Ｓｎ、Ｙ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｔｌ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を含有する銅合金層、及び、窒化アルミニウムもしくは窒化珪素その他の窒化物セラミックス基板をそれぞれ用意する。なお、銅合金層の導電率や熱伝導率をより良好なものとすることができるため、銅合金層に含まれるＣｕは主成分であることが好ましい。
この場合、銅合金層は、上記の元素のなかでも、先述したように、銅合金として安定し、かつ窒化物セラミックスとの強固な直接接合を実現できるＳｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を含有することが好ましい。
はじめに、Ｃｕを含有し、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｂ、Ｃ、Ｓｎ、Ｙ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｔｌ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を含有する銅合金層、及び、窒化アルミニウムもしくは窒化珪素その他の窒化物セラミックス基板をそれぞれ用意する。なお、銅合金層の導電率や熱伝導率をより良好なものとすることができるため、銅合金層に含まれるＣｕは主成分であることが好ましい。
この場合、銅合金層は、上記の元素のなかでも、先述したように、銅合金として安定し、かつ窒化物セラミックスとの強固な直接接合を実現できるＳｉ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を含有することが好ましい。
次いで、窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面、一般には両面に、上記の銅合金層を、それらの酸化物や防錆層等を除く他の組成の層の介在なしに、熱圧着により接合させる。
ここでは、温度条件を、好ましくは８００〜１０００℃、より好ましくは８５０〜９５０℃とし、互いに重ね合せた窒化物セラミックス基板と銅合金層を挟んで両側から、好ましくは０．６Ｎ／ｍｍ2〜１．５Ｎ／ｍｍ2の圧力を作用させて、それらの窒化物セラミックス基板と銅合金層とを相互に、固相接合等によって接合する。上記の圧力は、たとえば、０．０８３時間〜５時間、好ましくは０．１６７時間〜４時間、より好ましくは０．５〜３時間にわたって作用させることができる。
ここでは、温度条件を、好ましくは８００〜１０００℃、より好ましくは８５０〜９５０℃とし、互いに重ね合せた窒化物セラミックス基板と銅合金層を挟んで両側から、好ましくは０．６Ｎ／ｍｍ2〜１．５Ｎ／ｍｍ2の圧力を作用させて、それらの窒化物セラミックス基板と銅合金層とを相互に、固相接合等によって接合する。上記の圧力は、たとえば、０．０８３時間〜５時間、好ましくは０．１６７時間〜４時間、より好ましくは０．５〜３時間にわたって作用させることができる。
またここでの接合は、窒素もしくはアルゴン雰囲気中または真空中で行うことが好ましい。ここでいう真空中とは、周囲の圧力が５．０×１０-3Ｔｏｒｒ以下、好ましくは７．０×１０-4Ｔｏｒｒ以下、より好ましくは３．０×１０-4Ｔｏｒｒ以下、より好ましくは５．０×１０-5Ｔｏｒｒ以下の圧力である条件をいう。
このことによれば、たとえば、銅合金層と窒化物セラミックス基板との界面で、銅合金層に含まれる上記の元素が、窒化物セラミックス基板の元素との化合物を形成すること等により、銅合金層と窒化物セラミックス基板とが所要の強度で十分強固に接合されることになる。
その結果として、蒸着、スパッタリング、めっきその他の処理を施すことなしに、銅合金層と窒化物セラミックス基板を接合できるので、そのような処理を施す工程を経ることに起因する工数の増大を有効に防止することができ、積層体を安価にして容易に製造することができる。なお、蒸着、スパッタリング、めっきその他の処理を銅合金層または窒化物セラミックス基板に行ってもよい。
その結果として、蒸着、スパッタリング、めっきその他の処理を施すことなしに、銅合金層と窒化物セラミックス基板を接合できるので、そのような処理を施す工程を経ることに起因する工数の増大を有効に防止することができ、積層体を安価にして容易に製造することができる。なお、蒸着、スパッタリング、めっきその他の処理を銅合金層または窒化物セラミックス基板に行ってもよい。
ここで、熱圧着時の温度が低すぎると、接合不良となるおそれがあり、この一方で、温度が高すぎると、銅合金層が溶融し、損傷する可能性がある。また、重ね合せた窒化物セラミックス基板と銅合金層に作用される圧力が低すぎると、接合不良となり、また、当該圧力が高すぎると窒化物セラミックス基板または銅合金層が損傷する場合がある。
なお、銅合金層はどのような形状を有していてもよい。例えば銅合金層は帯、板、箔、条、線、棒、直方体、立方体、円錐、円筒、曲線、回路、配線、多角形、四角、円形、平面または曲面あるいは平面と曲面で構成される形状等の形状を有していてもよい。
なお、本発明に係る銅合金層は、銅合金板や銅合金箔であることが好ましい。また本発明に係る銅合金層は、圧延加工により製造された圧延銅合金板、圧延銅合金箔や、電解めっきや無電解めっき等の湿式めっきにより形成された、電解銅合金板、電解銅合金箔であることが好ましい。銅合金板や銅合金箔を用いることで、窒化物セラミックス基板へスパッタリング等の方法により、銅合金層を形成するよりも、生産性が高く、製造コストを低減することができる。
なお、本発明に係る銅合金層は、銅合金板や銅合金箔であることが好ましい。また本発明に係る銅合金層は、圧延加工により製造された圧延銅合金板、圧延銅合金箔や、電解めっきや無電解めっき等の湿式めっきにより形成された、電解銅合金板、電解銅合金箔であることが好ましい。銅合金板や銅合金箔を用いることで、窒化物セラミックス基板へスパッタリング等の方法により、銅合金層を形成するよりも、生産性が高く、製造コストを低減することができる。
次に、この発明の積層体を試作し、その性能を評価したので以下に説明する。但し、ここでの説明は単なる例示を目的とするものであって、それに限定されることを意図するものではない。
（製造条件）
表１、表２に示す組成及び形態、厚みの銅合金層を、同表に示す組成の窒化物セラミックス基板に重ね合わせ、０．９８Ｎ／ｍｍ2の圧力を作用させて窒素中（圧力：７６０Ｔｏｒｒ）またはアルゴン中（圧力：７６０Ｔｏｒｒ）または真空中（圧力：３．０×１０-4Ｔｏｒｒ）で８３０℃の温度で１０分間にわたって加熱して積層させた。
実施例１６、参考例８、２９は窒素中にて上記加熱・積層を行い、参考例９はアルゴン中にて上記加熱・積層を行い、実施例１６及び参考例８、９及び２９以外は真空中にて上記加熱・積層を行った。
表１、表２に示す組成及び形態、厚みの銅合金層を、同表に示す組成の窒化物セラミックス基板に重ね合わせ、０．９８Ｎ／ｍｍ2の圧力を作用させて窒素中（圧力：７６０Ｔｏｒｒ）またはアルゴン中（圧力：７６０Ｔｏｒｒ）または真空中（圧力：３．０×１０-4Ｔｏｒｒ）で８３０℃の温度で１０分間にわたって加熱して積層させた。
実施例１６、参考例８、２９は窒素中にて上記加熱・積層を行い、参考例９はアルゴン中にて上記加熱・積層を行い、実施例１６及び参考例８、９及び２９以外は真空中にて上記加熱・積層を行った。
（圧延箔）
なお、圧延箔は表１、表２に記載の組成となるように成分を調整した後に、溶解・鋳造を行ってインゴットを製造した後に、表１、表２の板厚となるまで焼鈍と圧延を繰り返し行うことで製造した。
なお、圧延箔は表１、表２に記載の組成となるように成分を調整した後に、溶解・鋳造を行ってインゴットを製造した後に、表１、表２の板厚となるまで焼鈍と圧延を繰り返し行うことで製造した。
（電解箔）
また、電解箔は電解槽とチタン製の陰極回転ドラムとドラムの周囲に５ｍｍ程度の極間距離を置いて電極（アノード）を配置した電解箔製造装置を用いて、以下の条件で表１、表２の記載の厚みとなるまで電気めっきによる析出を行って製造した。
また、電解箔は電解槽とチタン製の陰極回転ドラムとドラムの周囲に５ｍｍ程度の極間距離を置いて電極（アノード）を配置した電解箔製造装置を用いて、以下の条件で表１、表２の記載の厚みとなるまで電気めっきによる析出を行って製造した。
実施例６、３２の電解箔は下記の条件で製造した。
＜めっき液組成＞
ＮａＣＮ：１０〜３０ｇ／Ｌ
ＮａＯＨ：４０〜１００ｇ／Ｌ
ＣｕＣＮ：６０〜１２０ｇ／Ｌ
Ｚｎ（ＣＮ）2：５〜４０ｇ／Ｌ
＜めっき条件＞
めっき液温度：６０〜８０℃
電流密度：１〜１０Ａ／ｄｍ2
ｐＨ：１０〜１３
＜めっき液組成＞
ＮａＣＮ：１０〜３０ｇ／Ｌ
ＮａＯＨ：４０〜１００ｇ／Ｌ
ＣｕＣＮ：６０〜１２０ｇ／Ｌ
Ｚｎ（ＣＮ）2：５〜４０ｇ／Ｌ
＜めっき条件＞
めっき液温度：６０〜８０℃
電流密度：１〜１０Ａ／ｄｍ2
ｐＨ：１０〜１３
参考例６、２７の電解箔は下記の条件で製造した。
＜めっき液組成＞
銅濃度：６０〜１２０ｇ／Ｌ
ニッケル濃度：１〜１０ｇ／Ｌ
＜めっき条件＞
めっき液温度：４５〜８０℃
電流密度：１〜１０Ａ／ｄｍ2
ｐＨ：１〜４
＜めっき液組成＞
銅濃度：６０〜１２０ｇ／Ｌ
ニッケル濃度：１〜１０ｇ／Ｌ
＜めっき条件＞
めっき液温度：４５〜８０℃
電流密度：１〜１０Ａ／ｄｍ2
ｐＨ：１〜４
比較例２の電解箔は下記の条件で製造した。
＜めっき液組成＞
銅濃度：８０〜１００ｇ／Ｌ
硫酸濃度：７０〜９０ｇ／Ｌ
＜めっき条件＞
めっき液温度：４５〜６５℃
電流密度：５０〜７０Ａ／ｄｍ2
＜めっき液組成＞
銅濃度：８０〜１００ｇ／Ｌ
硫酸濃度：７０〜９０ｇ／Ｌ
＜めっき条件＞
めっき液温度：４５〜６５℃
電流密度：５０〜７０Ａ／ｄｍ2
(防錆層、クロメート処理層の形成方法)
なお、参考例１０については、銅合金層の窒化物セラミックス基板に積層される側の表面に以下の条件で防錆処理を行い、防錆層を形成した銅合金層を用いた。形成された防錆皮膜の厚みは５０〜５００Åである。
＜防錆処理液＞
ベンゾトリアゾール０．１質量％
ベンゾトリアゾール・モノエタノールアミン塩０．２質量％
イソプロピルアルコール１０質量％
残部水
＜防錆処理条件＞
防錆処理液温度：３０℃
処理（浸漬）時間：６０秒
なお、参考例１０については、銅合金層の窒化物セラミックス基板に積層される側の表面に以下の条件で防錆処理を行い、防錆層を形成した銅合金層を用いた。形成された防錆皮膜の厚みは５０〜５００Åである。
＜防錆処理液＞
ベンゾトリアゾール０．１質量％
ベンゾトリアゾール・モノエタノールアミン塩０．２質量％
イソプロピルアルコール１０質量％
残部水
＜防錆処理条件＞
防錆処理液温度：３０℃
処理（浸漬）時間：６０秒
また、参考例１１については、銅合金層の窒化物セラミックス基板に積層される側の表面に以下の条件で防錆層を形成した後、クロメート処理層を形成した銅合金層を用いた。
＜防錆層＞
・めっき液
Ｚｎ：５〜５０ｇ／Ｌ
Ｎｉ：５〜５０ｇ／Ｌ
・めっき条件
ｐＨ：２．５〜４
温度：３０〜６０℃
電流密度：０．５〜５Ａ／ｄｍ2
めっき時間：６〜６０秒
・付着量
Ｚｎ：３００〜１５００μｇ／ｄｍ2
Ｎｉ：３００〜１５００μｇ／ｄｍ2
＜クロメート処理層＞
・クロメート処理液
Ｋ2Ｃｒ2Ｏ7：２〜１０ｇ／Ｌ
ＮａＯＨ：１０〜５０ｇ／Ｌ
ＺｎＳＯ4・７Ｈ2Ｏ：０．０５〜１０ｇ／Ｌ
・クロメート処理条件
ｐＨ：７〜１３
浴温：２０〜８０℃
電流密度：０．０５〜５ Ａ／ｄｍ2
時間：５〜５０秒
・付着量
Ｃｒ付着量：１５〜１００μｇ／ｄｍ2
Ｚｎ付着量：３０〜２００μｇ／ｄｍ2
＜防錆層＞
・めっき液
Ｚｎ：５〜５０ｇ／Ｌ
Ｎｉ：５〜５０ｇ／Ｌ
・めっき条件
ｐＨ：２．５〜４
温度：３０〜６０℃
電流密度：０．５〜５Ａ／ｄｍ2
めっき時間：６〜６０秒
・付着量
Ｚｎ：３００〜１５００μｇ／ｄｍ2
Ｎｉ：３００〜１５００μｇ／ｄｍ2
＜クロメート処理層＞
・クロメート処理液
Ｋ2Ｃｒ2Ｏ7：２〜１０ｇ／Ｌ
ＮａＯＨ：１０〜５０ｇ／Ｌ
ＺｎＳＯ4・７Ｈ2Ｏ：０．０５〜１０ｇ／Ｌ
・クロメート処理条件
ｐＨ：７〜１３
浴温：２０〜８０℃
電流密度：０．０５〜５ Ａ／ｄｍ2
時間：５〜５０秒
・付着量
Ｃｒ付着量：１５〜１００μｇ／ｄｍ2
Ｚｎ付着量：３０〜２００μｇ／ｄｍ2
（窒化物セラミックス基板）
参考例１〜１５及び実施例５、６、８、１０、１２、１３、１６、１７、４４、４５、４８、５０〜５５ならびに、比較例１〜８のそれぞれで銅合金層に積層させた窒化物セラミックスとしてのＡｌＮは、一般に市販されているものを用いた。
参考例１〜１５及び実施例５、６、８、１０、１２、１３、１６、１７、４４、４５、４８、５０〜５５ならびに、比較例１〜８のそれぞれで銅合金層に積層させた窒化物セラミックスとしてのＡｌＮは、一般に市販されているものを用いた。
参考例１６〜１８、２６、３０〜３２及び実施例３１、３２のそれぞれで銅合金層に積層させた窒化物セラミックスとしてのＡｌＮは下記のものを用いた。
平均粒径１．４μｍのＡｌＮ粉末に、Ｙを含む例においては、Ｙ源として平均粒径０．８μｍのＹ2Ｏ3粉末を用い、Ｃａを含む例においてはＣａ源として平均粒径１．８μｍのＣａＯ粉末を用い、表２に記載のＹ濃度、Ｃａ濃度となるように、Ｙ2Ｏ3粉末とＣａＯ粉末を添加し、また参考例３２においては表２のＯ濃度となるように平均粒径１．５μｍのＡ2Ｏ3粉末を添加し、ボールミルを用いて粉砕、混合して原料調整した。
次ぎにこの原料にパラフィンワックス６重量％を添加して造粒した後、１０００ｋｇ／ｃｍ2の圧力でプレス成形し、４５ｍｍ×４５ｍｍ×３ｍｍの圧粉体とした。この圧粉体を窒素ガス雰囲気中で、まず３００℃まで加熱して脱脂した。
その後、前記脱脂済み圧粉体をカーボン型中に収納し、窒素ガス雰囲気中、１８００℃で０．５時間常圧焼結することでＡｌＮを主体とした窒化物セラミックス基板を製造した。
平均粒径１．４μｍのＡｌＮ粉末に、Ｙを含む例においては、Ｙ源として平均粒径０．８μｍのＹ2Ｏ3粉末を用い、Ｃａを含む例においてはＣａ源として平均粒径１．８μｍのＣａＯ粉末を用い、表２に記載のＹ濃度、Ｃａ濃度となるように、Ｙ2Ｏ3粉末とＣａＯ粉末を添加し、また参考例３２においては表２のＯ濃度となるように平均粒径１．５μｍのＡ2Ｏ3粉末を添加し、ボールミルを用いて粉砕、混合して原料調整した。
次ぎにこの原料にパラフィンワックス６重量％を添加して造粒した後、１０００ｋｇ／ｃｍ2の圧力でプレス成形し、４５ｍｍ×４５ｍｍ×３ｍｍの圧粉体とした。この圧粉体を窒素ガス雰囲気中で、まず３００℃まで加熱して脱脂した。
その後、前記脱脂済み圧粉体をカーボン型中に収納し、窒素ガス雰囲気中、１８００℃で０．５時間常圧焼結することでＡｌＮを主体とした窒化物セラミックス基板を製造した。
参考例１９〜２５、２７〜２９及び実施例３４、３６、３８、３９のそれぞれで銅合金層に積層させた窒化物セラミックスとしてのＴｉＣ・ＴｉＮ（サーメット）、ＴｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＢＮ、ＢＮ・ＳｉＣ、ＩｎＮ、ＧａＮとしてはそれぞれ下記のものを用いた。なお、必要に応じて研磨等を行い厚みを調節した。
ＴｉＣ・ＴｉＮ（サーメット）、Ｓｉ3Ｎ4、ＢＮ、ＢＮ・ＳｉＣ、ＧａＮについてはそれぞれ、一般に市販されているものを用いた。
ＴｉＮについては、純チタンの板（Ｔｉ濃度９９質量％以上）を、１ｖｏｌ％の水素を含んだ窒素中で１０００℃で加熱することで作製した。
ＴｉＮについては、純チタンの板（Ｔｉ濃度９９質量％以上）を、１ｖｏｌ％の水素を含んだ窒素中で１０００℃で加熱することで作製した。
ＩｎＮについては、下記（１）〜（６）に記載した手順に従って製造して窒化インジウムを得た。
（１）サファイア基板を有機洗浄し、基板の昇温性を改善するために裏面に高融点金属モリブデンを蒸着したサファイア基板を、真空に保たれているＭＢＥ成長室内の基板ヒーターに設置する。そして、基板を８００℃程度まで昇温して、そのまま３０分間保持し、サファイア基板表面の高温クリーニングを行う。その後、同温度で基板にＲＦプラズマで窒素ガスを分解して得た窒素ラジカルを照射してサファイア基板表面を３０分間窒化し、表面に薄い窒化アルミニウムを形成する。
（２）ＲＦプラズマセルのシャッターを閉じて基板表面への窒素ラジカルの照射を中断し、基板温度を３５０℃まで降温する。
（３）その後、ＧａセルとＲＦプラズマセルのシャッターを同時に開けて、ＧａＮバッファ層を膜厚２０ｎｍとなるまで成長させる。
（４）Ｇａセルのシャッターを閉じると同時にＩｎセルのシャッターを開き、基板温度３５０℃のままで、ＩｎＮバッファ層を膜厚１０ｎｍとなるまで成長させる。
（５）ＩｎＮバッファ層の成長終了後、Ｉｎセルのシャッターを閉じ、ＲＦプラズマセルのシャッターを開け、窒素ラジカルだけを試料表面に照射しつづけながら基板を４７０℃に昇温する。
（６）基板温度が４７０℃に達したらＩｎセルのシャッターを開き、基板温度４７０℃でＩｎＮ層を膜厚２０００ｎｍとなるまで成長させる。
（１）サファイア基板を有機洗浄し、基板の昇温性を改善するために裏面に高融点金属モリブデンを蒸着したサファイア基板を、真空に保たれているＭＢＥ成長室内の基板ヒーターに設置する。そして、基板を８００℃程度まで昇温して、そのまま３０分間保持し、サファイア基板表面の高温クリーニングを行う。その後、同温度で基板にＲＦプラズマで窒素ガスを分解して得た窒素ラジカルを照射してサファイア基板表面を３０分間窒化し、表面に薄い窒化アルミニウムを形成する。
（２）ＲＦプラズマセルのシャッターを閉じて基板表面への窒素ラジカルの照射を中断し、基板温度を３５０℃まで降温する。
（３）その後、ＧａセルとＲＦプラズマセルのシャッターを同時に開けて、ＧａＮバッファ層を膜厚２０ｎｍとなるまで成長させる。
（４）Ｇａセルのシャッターを閉じると同時にＩｎセルのシャッターを開き、基板温度３５０℃のままで、ＩｎＮバッファ層を膜厚１０ｎｍとなるまで成長させる。
（５）ＩｎＮバッファ層の成長終了後、Ｉｎセルのシャッターを閉じ、ＲＦプラズマセルのシャッターを開け、窒素ラジカルだけを試料表面に照射しつづけながら基板を４７０℃に昇温する。
（６）基板温度が４７０℃に達したらＩｎセルのシャッターを開き、基板温度４７０℃でＩｎＮ層を膜厚２０００ｎｍとなるまで成長させる。
（各濃度の測定方法）
なお、以上に述べた実施例、参考例及び比較例において、銅合金層および窒化物セラミックス基板中の各元素の濃度は、銅合金層または窒化物セラミックス基板を切断または粉砕した後、一般的に銅合金層または窒化物セラミックス基板を溶かすために用いられる液（例えば硝酸、フッ酸、塩酸またはこれらを混合した酸等）を用いて溶解を行った後に、原子吸光法により定量することができる。また、銅合金層および窒化物セラミックス基板中の酸素濃度、窒素濃度については、銅合金層または窒化物セラミックス基板を切断または粉砕し、ＬＥＣＯ社製のＯ／Ｎ同時分析計（ＴＣ−３００、ＴＣ−４００、ＴＣ−４３６、ＴＣ−５００等）にて定量することができる。酸素濃度、窒素濃度が高い場合には、測定する試料の量を少なく（例えば０．０１〜０．１ｇ等）して、酸素濃度、窒素濃度を測定すると良い。
なお、以上に述べた実施例、参考例及び比較例において、銅合金層および窒化物セラミックス基板中の各元素の濃度は、銅合金層または窒化物セラミックス基板を切断または粉砕した後、一般的に銅合金層または窒化物セラミックス基板を溶かすために用いられる液（例えば硝酸、フッ酸、塩酸またはこれらを混合した酸等）を用いて溶解を行った後に、原子吸光法により定量することができる。また、銅合金層および窒化物セラミックス基板中の酸素濃度、窒素濃度については、銅合金層または窒化物セラミックス基板を切断または粉砕し、ＬＥＣＯ社製のＯ／Ｎ同時分析計（ＴＣ−３００、ＴＣ−４００、ＴＣ−４３６、ＴＣ−５００等）にて定量することができる。酸素濃度、窒素濃度が高い場合には、測定する試料の量を少なく（例えば０．０１〜０．１ｇ等）して、酸素濃度、窒素濃度を測定すると良い。
（剥離強度の評価方法）
このようにして作製した積層体で銅合金層と窒化物セラミックス基板の接合強度を評価するためにピ−ル強度試験を行った。ピ−ル強度試験は、銅板の一端部が基板の外部に５ｍｍ程度突出するように、また、接合面積を１０ｍｍ×１０ｍｍとして接合し、これを５０ｍｍ／ｍｉｎの速度で９０度上方に引張り上げるのに要する単位幅当りの力（剥離強度）を算出し、評価した。この結果を表１に示す。
ここで剥離強度は、１０ｋＮ／ｍ未満の場合は不良品であり、１０ｋＮ／ｍ以上１５ｋＮ／ｍ未満の場合は一般的な大きさの強度であると評価する。また、剥離強度が１５ｋＮ／ｍ以上２０ｋＮ／ｍ未満の場合は、積層体として用いるに適しており、２０ｋＮ／ｍ以上３０ｋＮ／ｍ未満の場合はより良く、さらに、３０ｋＮ／ｍ以上の場合はさらに良いと考えられる。
このようにして作製した積層体で銅合金層と窒化物セラミックス基板の接合強度を評価するためにピ−ル強度試験を行った。ピ−ル強度試験は、銅板の一端部が基板の外部に５ｍｍ程度突出するように、また、接合面積を１０ｍｍ×１０ｍｍとして接合し、これを５０ｍｍ／ｍｉｎの速度で９０度上方に引張り上げるのに要する単位幅当りの力（剥離強度）を算出し、評価した。この結果を表１に示す。
ここで剥離強度は、１０ｋＮ／ｍ未満の場合は不良品であり、１０ｋＮ／ｍ以上１５ｋＮ／ｍ未満の場合は一般的な大きさの強度であると評価する。また、剥離強度が１５ｋＮ／ｍ以上２０ｋＮ／ｍ未満の場合は、積層体として用いるに適しており、２０ｋＮ／ｍ以上３０ｋＮ／ｍ未満の場合はより良く、さらに、３０ｋＮ／ｍ以上の場合はさらに良いと考えられる。
なお、銅合金層の厚みが０．１５ｍｍよりも小さい例については、銅めっきをして厚みを厚くして０．１５ｍｍとした後に、上記ピール強度を測定した。また、銅合金層の厚みが０．１５ｍｍよりも大きい例についてはエッチングにより銅合金層の厚みを薄くして０．１５ｍｍとした後に、上記ピール強度を測定した。
表１及び表２に示すところから、所定の元素を含有する銅合金層とした例では、１５ｋＮ／ｍ以上の剥離強度が発揮されていることから、銅合金層と窒化物セラミックス基板とが十分に接合されていることが解かる。一方、所定の元素を含有しない銅合金層とした比較例１〜８では、銅合金層が窒化物セラミックス基板とそもそも接合しなかった。
従って、所定の銅合金層は、窒化物セラミックス基板と積層させて、パワーデバイス等の積層体に用いることができることが解った。
従って、所定の銅合金層は、窒化物セラミックス基板と積層させて、パワーデバイス等の積層体に用いることができることが解った。
Claims (20)
- 窒化物セラミックス基板と、該窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に積層された銅合金層とを有し、前記銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を含有する、積層体。
- 窒化物セラミックス基板と、該窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に積層された銅合金層とを有し、前記銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも二種類の元素を含有する、積層体。
- 前記銅合金層が銅合金板または銅合金箔からなる、請求項１又は２に記載の積層体。
- 前記銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を含有し、該銅合金層が、Ｓｉを含有する場合はＳｉ濃度が０．０００１〜３．０質量％であり、Ｍｎを含有する場合はＭｎ濃度が０．０００１〜９５質量％であり、Ｈｆを含有する場合はＨｆ濃度が０．０００１〜２０質量％である、請求項１に記載の積層体。
- 前記銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を含有し、該銅合金層が、Ｓｉを含有する場合はＳｉ濃度が０．０００１〜３．０質量％であり、Ｍｎを含有する場合はＭｎ濃度が０．０００１〜９５質量％であり、Ｔｉを含有する場合はＴｉ濃度が０．０００１〜８．５質量％であり、Ｚｒを含有する場合はＺｒ濃度が０．０００１〜８．０質量％であり、Ｈｆを含有する場合はＨｆ濃度が０．０００１〜２０質量％である、請求項２に記載の積層体。
- 前記窒化物セラミックス基板が、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化チタン、窒化ホウ素、窒化インジウム又は窒化ガリウムを主成分とし、あるいは、炭化チタンと窒化チタンとの複合材料、又は、窒化ホウ素と炭化ケイ素との複合材料を主成分としてなる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の積層体。
- 窒化アルミニウムを主成分とする前記窒化物セラミックス基板が、Ｃａ、Ｙ、Ｏからなる群から選択される一種以上の元素を含有し、Ｃａを含む場合には、Ｃａ濃度は０．０００１〜３質量％であり、Ｙを含む場合にはＹ濃度は０．０００１〜１０質量％であり、Ｏを含む場合には、Ｏ濃度は０．０００１〜２０質量％である、請求項６に記載の積層体。
- 前記窒化物セラミックス基板のＯ含有濃度が０．０００１〜２０質量％である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の積層体。
- 前記銅合金層の厚みを、１μｍ〜７０００μｍとし、前記窒化物セラミックス基板の厚みを、１μｍ〜７０００μｍとしてなる、請求項１〜８のいずれか一項に記載の積層体。
- 請求項１〜９のいずれか一項に記載の積層体を有する放熱体。
- 請求項１〜９のいずれか一項に記載の積層体を有するパワーデバイス。
- 請求項１〜９のいずれか一項に記載の積層体を有する素子。
- 請求項１〜９のいずれか一項に記載の積層体を有する電子部品。
- 請求項１〜９のいずれか一項に記載の積層体を有する電子機器。
- 請求項１１に記載のパワーデバイスまたは請求項１２に記載の素子または請求項１３に記載の電子部品を有する車両。
- 銅合金層と窒化物セラミックス基板との積層体を製造するに当り、前記銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を含有するものとし、窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に、前記銅合金層を、熱圧着により積層させる、積層体の製造方法。
- 銅合金層と窒化物セラミックス基板との積層体を製造するに当り、前記銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｂ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｖ、Ｗ、Ｃａ、Ｂａ、Ｈｆから選択される少なくとも二種類の元素を含有するものとし、窒化物セラミックス基板の少なくとも一方の表面に、前記銅合金層を、熱圧着により積層させる、積層体の製造方法。
- 前記銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を含有し、該銅合金層が、Ｓｉを含有する場合はＳｉ濃度が０．０００１〜３．０質量％であり、Ｍｎを含有する場合はＭｎ濃度が０．０００１〜９５質量％であり、Ｈｆを含有する場合はＨｆ濃度が０．０００１〜２０質量％である、請求項１６に記載の積層体の製造方法。
- 前記銅合金層が、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆから選択される少なくとも一種類の元素を含有し、該銅合金層が、Ｓｉを含有する場合はＳｉ濃度が０．０００１〜３．０質量％であり、Ｍｎを含有する場合はＭｎ濃度が０．０００１〜９５質量％であり、Ｔｉを含有する場合はＴｉ濃度が０．０００１〜８．５質量％であり、Ｚｒを含有する場合はＺｒ濃度が０．０００１〜８．０質量％であり、Ｈｆを含有する場合はＨｆ濃度が０．０００１〜２０質量％である、請求項１７に記載の積層体の製造方法。
- 前記銅合金層と前記窒化物セラミックス基板とを接合するに際し、窒素もしくはアルゴン雰囲気中または真空中で、８００〜１０００℃の温度の下、０．６Ｎ／ｍｍ2〜１.５Ｎ／ｍｍ2の圧力を作用させることにより、前記銅合金層と前記窒化物セラミックス基板とを接合する、請求項１６〜１９のいずれか一項に記載の積層体の製造方法。
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