JP5606920B2 - エピタキシャル成長膜形成用高分子積層基板およびその製造方法 - Google Patents

エピタキシャル成長膜形成用高分子積層基板およびその製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、エピタキシャル成長膜を形成させるための高分子積層基板とその製造方法に関する。
従来、エピタキシャル成長膜形成用の基板としては、結晶配向性の優れた単結晶シリコン（Ｓｉ）、単結晶ＧａＡｓ、単結晶サファイヤ（Ａｌ２Ｏ３）などの単結晶ウェハーが使用されてきた。
しかし、これら単結晶ウェハーは、サイズが大きくても３００ｍｍφ程度の切り板であり、リール・トゥ・リール方式のような連続的な生産方式での成膜はできない。
また、Ｓｉなどは強度もなく、製造工程での搬送中、ハンドリングが容易でなく注意が必要である。
また、上記単結晶ウェハーでは、基板にフレキシブル性を付与できないことから、使用する用途も限定される。
上記単結晶ウェハー以外に、エピタキシャル成長膜を形成させる基板としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ若しくはこれらの合金を高圧下率で冷間圧延し、材料全体に均一な歪みを与えた後、熱処理により再結晶させ、高度な２軸結晶配向性を形成させた金属基板が知られている。
中でも、特許文献１〜５に示すように、ＮｉやＮｉ−Ｗ合金と他の金属材料とのクラッド材が提案されているが、これらの材料は中間層や超電導体層の成膜が６００℃以上の高温下で行われることや飽和磁化を低くし、且つ表面を（２００）面に結晶配向させた材料であり、一般普及しておらず、特殊で高価な材料である。
特許第３６０１８３０号公報 特許第３５８７９５６号公報 ＷＯ２００４／０８８６７７公報 特開２００６−２８６２１２公報 特開２００７−２００８３１公報
上記説明のとおり、エピタキシャル成長膜の形成用の単結晶ウェハー基板は以下の問題点が挙げられる。
すなわち、高価な単結晶基板が使用されていること、単結晶基板はサイズも小さいこと、枚葉式の工程処理を行わなければいけないこと、基板が固く、フレキシブル性を持たせることができず、応用面が限定されていること、などである。
そこで、本発明は、上記の問題をすべて解決すべく、高度に結晶配向した表面を持つエピタキシャル成長膜形成用の高分子積層基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
（１）本発明のエピタキシャル成長膜形成用高分子積層基板の製造方法は、高分子板の少なくとも一方の表面を活性化する工程と、圧下率９０％以上で冷間圧延されたＣｕ若しくはＣｕ合金からなる金属箔の少なくとも一方の表面を活性化する工程と、前記高分子板の活性化表面と、前記金属箔の活性化表面を向かい合わせて積層し圧下率10%以下の冷間圧延を行うことにより、圧下率90%以上で冷間圧延された状態を保ったままの金属箔と高分子板とからなる積層体を得る工程と、圧下率90%以上で冷間圧延された状態を保ったままの金属箔を有する前記積層体を１５０度以上４００度以下で熱処理することにより、前記金属箔をΔφが6°以下かつ(200)面結晶配向率が99%以上となるように2軸結晶配向させる工程と、を有することを特徴とする。
（２）本発明のエピタキシャル成長膜形成用高分子積層基板の製造方法は、高分子板の少なくと
も一方の表面にスパッタリングにより金属層を形成する工程と、圧下率９０％以上で冷間圧延されたＣｕ若しくはＣｕ合金からなる金属箔の少なくとも一方の表面を活性化する工程と、前記高分子板の金属層表面と、前記金属箔の活性化表面を向かい合わせて積層し圧下率10%以下の冷間圧延を行うことにより、圧下率90%以上で冷間圧延された状態を保ったままの金属箔と高分子板とからなる積層体を得る工程と、圧下率90%以上で冷間圧延された状態を保ったままの金属箔を有する前記積層体を１５０度以上４００度以下で熱処理することにより、前記金属箔をΔφが6°以下かつ(200)面結晶配向率が99%以上となるように2軸結晶配向させる工程と、を有することを特徴とする。
（３）本発明のエピタキシャル成長膜形成用高分子積層基板の製造方法は、前記（１）又は（２）において、前記積層時の冷間圧延の圧下率は１０％以下であることを特徴とする。
（４）本発明のエピタキシャル成長膜形成用高分子積層基板の製造方法は、前記（１）〜（３）のいずれかにおいて、前記金属箔側表面の表面粗度をＲａで１ｎｍ以上４０ｎｍ以下に調整した２軸結晶配向させたことを特徴とする。
（５）本発明のエピタキシャル成長膜形成用高分子積層基板の製造方法は、前記（１）〜（４）のいずれかにおいて、前記金属箔の厚みが７μｍ以上５０μｍ以下のものであることを特徴とする。
（６）本発明のエピタキシャル成長膜形成用高分子積層基板の製造方法は、前記（１）〜（５）のいずれかにおいて、前記熱処理温度が１５０℃以上４００℃以下であることを特徴とする。
（７）本発明のエピタキシャル成長膜形成用高分子積層基板の製造方法は、前記（１）〜（６）のいずれかにおいて、前記金属箔が、Ａｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｏ、Ｎのトータルで０．０１％以上１％以下含まれることを特徴とする。
（８）本発明のエピタキシャル成長膜形成用高分子積層基板の製造方法は、前記（１）〜（７）のいずれかにおいて、前記高分子積層基板の製造方法により製造された高分子積層基板の金属面上に、さらに保護膜を形成することを特徴とする。
（９）本発明のエピタキシャル成長膜形成用高分子積層基板は、前記（１）〜（８）のいずれかのエピタキシャル成長膜形成用高分子積層基板の製造方法により製造されたものであることを特徴とする。
本発明のエピタキシャル成長膜形成用高分子積層基板は、高分子を基板としているのでフレキシブル性を有しており、高度に結晶配向した表面を持つので、エピタキシャル成長膜形成用の基板として優れている。
図１は、本発明のエピタキシャル成長膜形成用高分子積層基板５Ａの構成を示す概略断面図である。
図１に示すように、高分子積層基板５Ａは、高分子板Ｔ１と、高分子板Ｔ１の上に積層された金属箔Ｔ２からなる。
高分子板Ｔ１としては、その使用目的によって選定されるが、貼り合わせる金属箔Ｔ２の再結晶熱処理温度１５０℃〜４００℃に耐えられるものであれば適用できるが、中でも、耐熱性に優れ、また一般に普及しているポリイミド、液晶ポリマー、アラミドなどの樹脂フィルムが、高温耐熱性に優れているので好ましく挙げられる。
高分子板Ｔ１の厚みは、強度が確保され、幅広で長尺なコイル状態で提供されるものであれば特定するものではないが、コスト面や普及しているアラミドフィルム、ポリイミドフィルムや液晶ポリマーフィルムを考慮すると、３μｍ以上２００μｍ以下のものが望ましい。
金属箔Ｔ２としてはＣｕ箔若しくはＣｕ合金箔（本明細書では両者併せてＣｕ合金箔ということがある）が、好ましい素材として挙げられる。
Ｃｕ合金箔Ｔ２は、前もって熱処理により結晶配向させた状態で使用しても良いが、ハンドリング中、歪みが入り、結晶配向性を劣化させる危険性があるので、高分子板Ｔ１と積層して高分子積層基板としてから高度な結晶配向性を持たせることが望ましい。
従って、本発明のＣｕ合金箔Ｔ２は、高分子板Ｔ１との積層前は、圧下率９０％以上の強加工により形成された均一な圧延集合組織のままの状態であることが好ましい。
圧下率９０％未満であると後に行う熱処理においてＣｕが配向しないおそれがあるからである。
このような高圧下圧延Ｃｕ合金箔は、フレキシブル実装基板用途において高屈曲性を持たせるために開発され普及し容易に入手できる。
例えば日鉱マテリアルズ社製高圧下圧延Ｃｕ箔（ＨＡ箔（商品名））や日立電線社製高圧下圧延Ｃｕ箔（ＨＸ箔（商品名））などが挙げられる。
本発明において、上記のような市販品の高圧下圧延Ｃｕ合金箔は、結晶配向性に優れているため、使用することが望ましい。
厚みは７μｍ以上５０μｍ以下のものが望ましい。より好ましくは１２μｍ〜１８μｍである。厚みを７μｍ以上とする理由はＣｕ合金箔Ｔ２の強度の確保であり、５０μｍ以下とする理由はＣｕ合金箔Ｔ２の加工性確保のためである。
Ｃｕ合金箔Ｔ２の結晶配向は、高分子板Ｔ１との接合時又は接合後の目的のエピタキシャル成長膜形成工程で、高分子積層基板の温度を１５０℃以上にすることによって、接合時や目的のエピタキシャル成長膜形成工程中にＣｕ合金箔を再結晶化し、高度な結晶配向性を付与することができる。
しかし、接合時、または接合後の目的のエピタキシャル成長膜形成工程で、高分子積層基板の温度を１５０℃より低温で処理する場合や、１５０℃以上で工程を通過させても連続工程での処理時間が短い場合には、Ｃｕ合金箔の再結晶化が抑制され、高度な結晶配向性を付与することができなくなるので、前もって熱処理により高分子積層基板上のＣｕ合金箔を結晶配向させておくことが好ましい。
熱処理温度は、Ｃｕ合金箔の再結晶が完了する温度以上であればよいが、接合相手が高分子板であり、その耐熱性や結晶配向性を９９％以上の高配向率にすることなどを考慮すると、１５０℃以上４００℃以下とすることが望ましい。
上記Ｃｕ合金箔は、熱処理で（２００）面結晶配向率９９％以上に配向させやすくするような元素であれば、どのような添加元素でもよいが、Ａｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｏ、Ｎが微量に添加され、トータルで０．０１％以上１％以下含まれるものとする。
添加元素をトータルで１％以下とする理由は、添加元素とＣｕは固溶体を形成しているが、トータルで１％を超えると固溶体以外の酸化物等の不純物が増加してしまい、配向に影響がでる可能性があるからである。
よって、好ましくは、トータルで０．０１％以上０．１％以下である。
上記説明した高分子板とＣｕ合金箔とを接合することにより、高分子積層基板を完成させる。
なお、図２に、高分子板Ｔ１の両面に金属箔Ｔ２を接合した実施形態の高分子積層基板５Ｂ示す。
図２の高分子積層基板５Ｂは、フレキシブルな高分子板Ｔ１の両面に結晶配向金属層が積層されているので、両面にエピタキシャル成長膜を成長させる基板とすることができる。
高分子板とＣｕ合金箔との接合方法としては、幅広で長尺なコイルを長手方向に均一に接合できればどのような手段でもよく、接着剤を用いて双ロールを通し圧着する手段や、接着剤を用いずに直接、高分子板とＣｕ合金箔とを接合するキャスト方式などが挙げられる。
また、接合後にも安定な結晶配向性が得られる表面活性化接合法を用いることも望ましい。
表面活性化接合法としては、例えば図５〜図６に示す真空表面活性化接合装置Ｄ１が挙げられる。表面活性化接合とは、スパッタエッチング等の方法により表面の酸化物や汚れ等を除去することで積層する高分子板や金属箔の表面の活性化し、活性化した表面を他の積層物に当接させて冷間圧延することである。また、高分子板の表面にスパッタにより金属層を設けてもよい。
図５に示すように、高分子板２４及びＣｕ合金箔２６を、幅１５０ｍｍ〜６００ｍｍの長尺コイルとして用意し、表面活性化接合装置Ｄ１のリコイラー部６２，６４のそれぞれに設置する。
リコイラー部６２，６４から搬送された高分子板２４及びＣｕ合金箔２６は、連続的に表面活性化処理工程へ搬送され、そこで接合する２つの面を予め活性化処理した後、冷間圧接する。
表面活性化処理工程では、１０〜１×１０―２Ｐａの極低圧不活性ガス雰囲気中で、接合面を有する高分子板２４とＣｕ合金箔２６をそれぞれアース接地した一方の電極Ａ（７２、８２）とし、絶縁支持された他の電極Ｂ（７４、７６および８４、８６）との間に１〜５０ＭＨｚの交流を印加してグロー放電を発生させ、且つグロー放電によって生じたプラズマ中に露出される電極の面積が電極Ｂの面積の１／３以下でスパッタエッチング処理することで行われる。
不活性ガスとしては、アルゴン、ネオン、キセノン、クリプトンなどや、これらを少なくとも１種類含む混合気体を適用することができる。
スパッタエッチング処理では、高分子板２４及びＣｕ合金箔２６の接合する面を不活性ガスによりスパッタすることにより、表面吸着層及び表面酸化膜を除去し、接合する面を活性化させる。このスパッタエッチング処理中は、電極Ａ（７２、８２）が冷却ロールの形をとっており、各搬送材料の温度上昇を防いでいる。
その後、連続的に圧接ロール工程（６０）に搬送し、活性化された面同士を圧接する。圧接下の雰囲気は、Ｏ２ガスなどが存在すると、搬送中、活性化処理された面が再酸化され、密着に影響を及ぼす。そのため、１×１０―３Ｐａ以下の高真空下で行われることが望ましい。また圧下率は、低いほど厚み精度に優れたものとなるため、且つ、金属箔の状態を崩さないようにするため１０％以下が好ましい。さらに好ましくは、２％以下である。
上記圧接工程を通って密着させた積層体は、巻き取り工程（６６）まで搬送され、そこで巻き取られる。
また、高分子板とＣｕ合金箔の密着性を上げるため、高分子板を電極Ｂ（７４）でスパッタエッチング後、電極Ｃ（７６）においては、図６に示すように、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｃｒ合金またはＮｉ−Ｃｕ合金などのターゲット（９０）を設置し、電圧を電極Ｂと逆に掛けることで、高分子板の接合面側に金属中間層を成膜することも有効である。
なお、図３に示すように、Ｃｕ合金箔上に目的のものを成膜する上で密着性が確保できない場合や、直接Ｃｕ上へのエピタキシャル成長が難しい場合には、高分子積層基板上に、中間層として保護膜を成膜することができる。
例えば、青色発光ダイオード用に、エピタキシャル成長膜としてＧａＮ膜を半導体化合物として形成する場合、ＩｎＧａＮ層又はＺｎＯ層をＣｕ合金箔上に保護膜として形成し、その上にＧａＮを成膜することができる。
保護膜の厚みは、下地のＣｕの拡散防止として機能させるため、０．１μｍ以上あればよい。また、エピタキシャル成長膜を維持するためには、１０μｍ以下にすることが好ましい。
保護膜としての形成方法は、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法、電解メッキ法、無電解メッキ法など考えられるが、何れの方法でもよい。保護膜をＮｉなどの金属にする場合は、電解メッキ法が経済的に好ましい。また酸化物や窒化物を保護膜とする場合には、比較的基板温度が低温で成膜できるスパッタ法やＭＯＣＶＤ法など好ましい。
また、図４は、高分子板Ｔ１の両面に金属箔Ｔ２を接合し、それぞれの金属箔Ｔ２の上に保護膜Ｔ３を形成した実施形態の高分子積層基板１０Ｂ示す。
図４の高分子積層基板１０Ｂは、フレキシブルな高分子板Ｔ１の両面に結晶配向金属層が積層され、それぞれの金属箔Ｔ２の上に保護膜Ｔ３を形成しているので、両面にエピタキシャル成長膜を成長させる基板とすることができる。
なお、エピタキシャル成長膜の形成手段としては、電解メッキ法、無電解メッキ法、真空蒸着法、スパッタ成膜法など、公知の手段を用いることができる。
エピタキシャル成長膜の膜厚は、エピタキシャル成長した膜にする必要があり、１ｎｍ以上１０μｍ以下が望ましい。
エピタキシャル成長膜の膜厚の膜厚が１ｎｍ未満の場合は成膜するものの密着性が確保できす、１０μｍを超える場合は過剰な厚みとなるからである。
次に、高分子積層基板上の結晶配向させたＣｕ合金箔の面粗度について説明する。
Ｃｕ合金箔の表面粗度が購入時、表面粗度Ｒａで４０ｎｍ以下であれば問題ないが、表面粗度Ｒａが１００ｎｍを超えるものもある。
Ｃｕ合金箔の表面粗度（平均表面粗さのことをいう）Ｒａが１００ｎｍでも基板として十分な性能を有するが、表面粗度Ｒａは低いほど、結晶配向性はよくなるため、Ｒａで１００ｎｍのような表面粗度状態の場合は、表面活性化接合後、表面粗度Ｒａを４０ｎｍ以下に調整する処理をする。
表面粗度を低下させる方法としては、圧延ロールによる圧下、バフ研磨、電解研磨や電解砥粒研磨など考えられるが何れの方法でもよい。表面粗度は鏡面が望ましいが、現状の手法及び経済性を考慮し、Ｒａで１ｎｍ以上１０ｎｍ以下にすることが望ましい。
上記のような表面粗度調整を行うことで、より優れたエピタキシャル成長膜用の高分子積層基板となり、このような基板上に高性能な機能性膜を形成することができる。
上記のようにしてエピタキシャル成長膜用の高分子板を製造することで、Ｃｕ金属箔の高圧下率で冷間圧延した状態を保ったまま界面が平滑な状態で高分子板に積層できる。その後の加熱をして金属箔を２軸結晶配向させるときに、Ｃｕ金属箔の高圧下率で冷間圧延した状態を保っていないと、必要な２軸結晶配向が発現しない。また、界面が平滑でないと２軸結晶配向が崩れてしまうことがある。
さらに、表面活性化接合を用いて積層する場合には、積層後の加熱によっても変形等が生じる可能性が少ないので、２軸結晶配向が崩れてしまう可能性が少なく、接着剤等を用いる場合よりも有利である。
以下、本発明の実施例を示し、得られれた高分子積層基板の特性を説明する。
それぞれ２００ｍｍ幅の１８μｍ厚の高圧下圧延Ｃｕ箔と２５μｍ厚のポリイミドフィルムおよび液晶ポリマーフィルムとを常温表面活性化接合法にて接合後、２００℃で５分間熱処理して高分子積層基板を得た。
表１には、このときのＣｕ（２００）面がＣｕ箔表面と平行になっている割合、つまり結晶配向率（Ｘ線回折により測定したθ／２θ回折ピークの（２００）面の回折ピーク強度率：Ｉ（２００）／ΣＩ（ｈｋｌ）×１００（％）））と、この（２００）面が長手方向〈００１〉に平行であることを表す値として２軸配向性指標のΔφ°（Ｘ線回折によるＮｉ(１１１)極点図で得られるφスキャンピーク（α＝３５°の４本のピークの半値幅の平均値））を示す。
比較例として、熱処理を１３０℃で処理したとき、および一般の高圧下でない１６μｍ厚の圧延Ｃｕ箔を前記常温活性化接合法にて接合後、２００℃で５分間熱処理したときのピーク強度率を示す。
表１から分かるように、高圧下圧延Ｃｕ箔は積層した高分子板の種類に関わらず、熱処理温度が１３０℃×５分では結晶配向率は９３％であり、まだ十分とはいえないが、２００℃−５分間保持で（２００）面結晶配向率は９９％以上となる。
また、比較例として示す通常の圧延Ｃｕ箔を用いた場合は、熱処理しても結晶配向率は７０％以下であった。
また９９％以上結晶配向している実施例のΔφは６°と、かなり高度な２軸結晶配向度を示している。
Figure 0005606920
なお、上記測定値は、２００ｍｍの幅方向で板の両端付近と中央の計３点を測定した平均値であり、幅方向での値にほとんど差は見られなかった。
本発明の高分子積層基板は、Ｃｕ箔表面に均一な結晶配向性を保ったまま幅広で且つ長尺コイルとして製造されるため、様々なエピタキシャル成長膜用の基板としての応用が期待できる。
エピタキシャル成長膜の形成方法としてはメッキ法、物理蒸着（ＰＶＤ）法、化学蒸着（ＣＶＤ）法、分子ビーム（ＭＢＥ）法などある。
上記エピタキシャル成長膜の形成方法は、年々発展し、例えばＣＶＤ法では、これまで成膜基板温度を４００〜８００℃に上げて行われていた方法に代えて、ＲＦプラズマを用いることで、基板温度を２００℃程度で成膜できるような方法が開発され、多結晶Ｓｉ膜やＧａＮなどの低温成膜が可能となってきている。
本発明による高分子積層基板は、上記低温成膜の技術により、太陽電池用多結晶シリコン（Ｓｉ）膜、発光ダイオード用窒化ガリウム（ＧａＮ）膜、触媒・光電効果などが期待できるＴｉＯ２膜など、様々なエピタキシャル成長膜用の基板として用いることができる。
本発明のエピタキシャル成長膜形成用高分子積層基板の製造方法は、長尺コイルを使うことで、リール・トゥ・リール方式での連続成膜工程とすることができる。
さらに、太陽電池用多結晶シリコン膜の結晶配向化、軽量化やフレキシブル性の付与、発光ダイオード用ＧａＮ素子の低価格化などに寄与でき、これまで検討されていない分野でのエピタキシャル成長膜用の新素材として応用が可能となり、産業上極めて有用である。
本発明の実施形態の高分子積層基板５Ａの構成を示す概略断面図である。 本発明の実施形態の高分子積層基板５Ｂの構成を示す概略断面図である。 本発明の実施形態の高分子積層基板１０Ａの構成を示す概略断面図である。 本発明の実施形態の高分子積層基板１０Ｂの構成を示す概略断面図である。 表面活性化接合装置Ｄ１の概略図である。
Ｔ１ 高分子板
Ｔ２ Ｃｕ箔若しくはＣｕ合金箔
Ｔ３ 保護膜
５Ａ、５Ｂ、１０Ａ、１０Ｂ 高分子積層基板

Claims (9)

  1. 高分子板の少なくとも一方の表面を活性化する工程と、
    圧下率９０％以上で冷間圧延されたＣｕ若しくはＣｕ合金からなる金属箔の少なくとも一方の表面を活性化する工程と、
    前記高分子板の活性化表面と、前記金属箔の活性化表面を向かい合わせて積層し圧下率10%以下の冷間圧延を行うことにより、圧下率90%以上で冷間圧延された状態を保ったままの金属箔と高分子板とからなる積層体を得る工程と、
    圧下率90%以上で冷間圧延された状態を保ったままの金属箔を有する前記積層体を１５０度以上４００度以下で熱処理することにより、前記金属箔をΔφが6°以下かつ(200)面結晶配向率が99%以上となるように2軸結晶配向させる工程と、
    を有するエピタキシャル成長膜形成用高分子積層基板の製造方法。
  2. 高分子板の少なくとも一方の表面にスパッタリングにより金属層を形成する工程と、
    圧下率９０％以上で冷間圧延されたＣｕ若しくはＣｕ合金からなる金属箔の少なくとも一方の表面を活性化する工程と、
    前記高分子板の金属層表面と、前記金属箔の活性化表面を向かい合わせて積層し圧下率10%以下の冷間圧延を行うことにより、圧下率90%以上で冷間圧延された状態を保ったままの金属箔と高分子板とからなる積層体を得る工程と、
    圧下率90%以上で冷間圧延された状態を保ったままの金属箔を有する前記積層体を１５０度以上４００度以下で熱処理することにより、前記金属箔をΔφが6°以下かつ(200)面結晶配向率が99%以上となるように2軸結晶配向させる工程と、
    を有するエピタキシャル成長膜形成用高分子積層基板の製造方法。
  3. 前記積層時の冷間圧延の圧下率は１０％以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載のエピタキシャル成長膜形成用高分子積層基板の製造方法。
  4. 前記金属箔側表面の表面粗度をＲａで１ｎｍ以上４０ｎｍ以下に調整した２軸結晶配向させたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のエピタキシャル成長膜形成用高分子積層基板の製造方法。
  5. 前記金属箔の厚みが７μｍ以上５０μｍ以下のものであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のエピタキシャル成長膜形成用高分子積層基板の製造方法。
  6. 前記熱処理温度が１５０℃以上４００℃以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のエピタキシャル成長膜形成用高分子積層基板の製造方法。
  7. 前記金属箔が、Ａｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｏ、Ｎのトータルで０．０１％以上１％以下含まれることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のエピタキシャル成長膜形成用高分子積層基板の製造方法。
  8. 前記高分子積層基板の製造方法により製造された高分子積層基板の金属面上に、さらに保護膜を形成することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のエピタキシャル成長膜形成用高分子積層基板の製造方法。
  9. 請求項１〜８のいずれかに記載のエピタキシャル成長膜形成用高分子積層基板の製造方法により製造されたエピタキシャル成長膜形成用高分子積層基板。
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