JP5723773B2 - 酸化物超電導線材用金属積層基板の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、酸化物超電導線材用金属積層基板の製造方法に関する。
優れた高温酸化物超電導線材を得るためには、金属基板上に結晶配向性の高い中間層（ＣｅＯ２やジルコニア添加酸化イットリウム（ＹＳＺ））と超電導膜（ＲＥ１２３膜：ＲＥ：Ｙ、Ｇｄ、Ｈｏなど）を形成する必要がある。
これらの酸化物膜の成膜方法には、従来、イオン・アシスト・ビーム成膜法（ＩＢＡＤ法）や、予め結晶配向させた金属基板上に酸化物を成膜していくＲＡＢＩＴＳ法が知られている。
これらの酸化物膜の成膜方法には、従来、イオン・アシスト・ビーム成膜法（ＩＢＡＤ法）や、予め結晶配向させた金属基板上に酸化物を成膜していくＲＡＢＩＴＳ法が知られている。
成膜速度など、将来の生産効率を考えた場合、ＲＡＢＩＴＳ法により製造する酸化物超電導線材は有利であるが、超電導特性を向上させるには金属基板を高度に結晶配向させておくことが重要である。
このような金属基板としては、ステンレス基板に銅を積層して銅を高度に結晶配向させ、その上にニッケルの中間層を積層する基板が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
また、このような金属基板の製造方法として、高圧下された銅を加熱処理して高度に結晶配向させ、これをステンレス基板に冷間圧延により積層し、その上にニッケル層を積層する技術が開示されている（例えば、特許文献２参照）。
しかしながら、特許文献１に開示の製造方法は、ステンレス基板に積層された銅の配向性が十分でなく、表面に傷や溝が生成するおそれがあるという問題がある。
また、特許文献２に開示の製造方法は、銅を結晶配向させてから冷間圧延によりステンレス基板に積層する手段を採用しており、結晶配向した銅を圧延することになるので、この圧延により銅の配向の低下や銅の表面に傷や溝ができる場合が有る。このため、その上に積層するニッケル層、超伝導層等の配向が低下してしまい、超伝導体の特性が低下するおそれがあるという問題がある。
また、特許文献２に開示の製造方法は、銅を結晶配向させてから冷間圧延によりステンレス基板に積層する手段を採用しており、結晶配向した銅を圧延することになるので、この圧延により銅の配向の低下や銅の表面に傷や溝ができる場合が有る。このため、その上に積層するニッケル層、超伝導層等の配向が低下してしまい、超伝導体の特性が低下するおそれがあるという問題がある。
本発明は、このような課題を解決し、銅を高度に配向させ、表面に傷や溝が生成するのを防止することが可能な酸化物超電導線材用金属積層基板の製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明の他の目的は、銅の圧下状態の変化を少なくして銅を基板に積層でき、その後の加熱処理により圧下された銅を配向させるときに銅を高度に配向させることができる、酸化物超電導線材用金属積層基板の製造方法を提供することである。
さらに、本発明の他の目的は、加圧条件を制御することで基板に求められる密着力を銅の高配向と同時に実現できる、酸化物超電導線材用金属積層基板の製造方法を提供することである。
また、本発明の他の目的は、銅の圧下状態の変化を少なくして銅を基板に積層でき、その後の加熱処理により圧下された銅を配向させるときに銅を高度に配向させることができる、酸化物超電導線材用金属積層基板の製造方法を提供することである。
さらに、本発明の他の目的は、加圧条件を制御することで基板に求められる密着力を銅の高配向と同時に実現できる、酸化物超電導線材用金属積層基板の製造方法を提供することである。
（１）本発明の酸化物超電導線材用金属積層基板の製造方法は、
圧下率９０％以上で圧延加工された銅箔を結晶配向温度未満に保った状態で銅箔の表面をスパッタエッチングして表面の吸着物を除去する工程と、
非磁性の金属板の表面をスパッタエッチングして表面の吸着物を除去する工程と、
前記銅箔と前記金属板とを圧延ロールにより３００ＭＰａ〜１５００ＭＰａの加圧で接合する工程と、
前記接合した積層体を銅の結晶配向温度以上の温度に加熱して前記銅を結晶配向させる工程と、
前記積層体の銅側表面上に保護層をコーティングする工程と、を有することを特徴とする。
（２）本発明の酸化物超電導線材用金属積層基板の製造方法は、前記（１）において、前記銅箔のスパッタエッチングは、１５０℃未満の温度で実施することを特徴とする。
（３）本発明の酸化物超電導線材用金属積層基板の製造方法は、前記（１）又は（２）において、前記非磁性の金属板のスパッタエッチングする工程は、銅箔の結晶配向温度未満に保った状態で基板の表面をスパッタエッチングして表面の吸着物を除去することを特徴とする。
圧下率９０％以上で圧延加工された銅箔を結晶配向温度未満に保った状態で銅箔の表面をスパッタエッチングして表面の吸着物を除去する工程と、
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（２）本発明の酸化物超電導線材用金属積層基板の製造方法は、前記（１）において、前記銅箔のスパッタエッチングは、１５０℃未満の温度で実施することを特徴とする。
（３）本発明の酸化物超電導線材用金属積層基板の製造方法は、前記（１）又は（２）において、前記非磁性の金属板のスパッタエッチングする工程は、銅箔の結晶配向温度未満に保った状態で基板の表面をスパッタエッチングして表面の吸着物を除去することを特徴とする。
本発明によれば、銅を基板に積層した後に加熱処理をして銅の結晶配向を行うので、従来技術に比べて、銅を高度に配向させ、表面に傷や溝が生成するのを防止することが可能となる。
さらに、銅の結晶配向温度未満で銅箔及び非磁性金属板の表面をスパッタエッチングすることにより、銅箔を再結晶させることなくエッチング前の銅箔と同程度の結晶状態を保ったまま吸着物を除去することができ、且つ圧下条件を制御することにより銅箔の結晶状態をエッチング前の銅箔と同程度に保持したまま十分な密着力を確保することが可能となる。このように接合条件を制御することにより、積層後もエッチング前の銅箔と同程度の結晶状態を保持することができるため、その後の加熱処理により銅を高度に結晶配向させることができる。
さらに、銅の結晶配向温度未満で銅箔及び非磁性金属板の表面をスパッタエッチングすることにより、銅箔を再結晶させることなくエッチング前の銅箔と同程度の結晶状態を保ったまま吸着物を除去することができ、且つ圧下条件を制御することにより銅箔の結晶状態をエッチング前の銅箔と同程度に保持したまま十分な密着力を確保することが可能となる。このように接合条件を制御することにより、積層後もエッチング前の銅箔と同程度の結晶状態を保持することができるため、その後の加熱処理により銅を高度に結晶配向させることができる。
本発明の実施形態の酸化物超電導線材用金属積層基板の製造方法においては、圧下率９０％以上で圧延加工された銅箔を結晶配向温度未満に保った状態で銅箔の表面をスパッタエッチングして表面の吸着物を除去し、
非磁性の金属板の表面をスパッタエッチングして表面の吸着物を除去し、
銅箔と金属板とを圧延ロールにより３００ＭＰａ〜１５００ＭＰａの加圧で接合し、接合した積層体を銅の結晶配向温度以上の温度に加熱して銅を結晶配向させ、積層体の銅側表面上に保護層をコーティングする。
非磁性の金属板の表面をスパッタエッチングして表面の吸着物を除去し、
銅箔と金属板とを圧延ロールにより３００ＭＰａ〜１５００ＭＰａの加圧で接合し、接合した積層体を銅の結晶配向温度以上の温度に加熱して銅を結晶配向させ、積層体の銅側表面上に保護層をコーティングする。
図１は、本発明の製造方法で得られる酸化物超電導線材用金属積層基板５Ａの構成を示す概略断面図である。
図１に示すように、酸化物超電導線材用金属積層基板５Ａは、金属基板となる非磁性金属板Ｔ１、非磁性金属板Ｔ１の上に積層された銅箔Ｔ２（銅層）、銅箔Ｔ２の上にコーティングしたＮｉ層（保護層）Ｔ３からなる。
図１に示すように、酸化物超電導線材用金属積層基板５Ａは、金属基板となる非磁性金属板Ｔ１、非磁性金属板Ｔ１の上に積層された銅箔Ｔ２（銅層）、銅箔Ｔ２の上にコーティングしたＮｉ層（保護層）Ｔ３からなる。
＜非磁性金属板＞
非磁性金属板Ｔ１としては、銅箔の補強板の役割のために用いられ、酸化物超電導線材が使用される７７Ｋ下で非磁性（反強磁性体または常磁性体）の銅箔より高強度のものが挙げられる。
また、非磁性金属板Ｔ１は、極力軟化した状態、いわゆる焼鈍材（Ｏ材）が好ましい。
この理由は、接合相手である銅箔が高圧下率で冷間圧延され硬化したものを使用するため、上述した接合界面の接触面積を極力低圧下で確保させ、圧延後の反りを低減させるためである。
非磁性金属板Ｔ１の具体例として、例えばＳＵＳ３１６Ｌなどのステンレス鋼板の焼鈍材などが挙げられ、例えば、その厚みを０．０５ｍｍ以上０．２ｍｍ以下のものとすることが好ましい。
０．０５ｍｍ以上とする理由は非磁性金属板Ｔ１の強度の確保であり、０．２ｍｍ以下とする理由は超伝導材を加工するときの加工性確保のためである。
非磁性金属板Ｔ１としては、銅箔の補強板の役割のために用いられ、酸化物超電導線材が使用される７７Ｋ下で非磁性（反強磁性体または常磁性体）の銅箔より高強度のものが挙げられる。
また、非磁性金属板Ｔ１は、極力軟化した状態、いわゆる焼鈍材（Ｏ材）が好ましい。
この理由は、接合相手である銅箔が高圧下率で冷間圧延され硬化したものを使用するため、上述した接合界面の接触面積を極力低圧下で確保させ、圧延後の反りを低減させるためである。
非磁性金属板Ｔ１の具体例として、例えばＳＵＳ３１６Ｌなどのステンレス鋼板の焼鈍材などが挙げられ、例えば、その厚みを０．０５ｍｍ以上０．２ｍｍ以下のものとすることが好ましい。
０．０５ｍｍ以上とする理由は非磁性金属板Ｔ１の強度の確保であり、０．２ｍｍ以下とする理由は超伝導材を加工するときの加工性確保のためである。
＜銅箔＞
銅箔Ｔ２は、圧下率９０％以上で冷間圧延された銅若しくは銅合金（本明細書においては両者を併せて銅箔という場合がある）からなる、いわゆるフルハード材を用いることが好ましい。
圧下率９０％以上とする理由は、圧下率９０％未満の銅箔は、後に行う熱処理においてＣｕが配向しないおそれがあるからである。
また、銅箔Ｔ２の厚みは、強度面や加工性の点から、厚み７μｍ以上５０μｍ以下のものが好ましい。
銅箔Ｔ２は、圧下率９０％以上で冷間圧延された銅若しくは銅合金（本明細書においては両者を併せて銅箔という場合がある）からなる、いわゆるフルハード材を用いることが好ましい。
圧下率９０％以上とする理由は、圧下率９０％未満の銅箔は、後に行う熱処理においてＣｕが配向しないおそれがあるからである。
また、銅箔Ｔ２の厚みは、強度面や加工性の点から、厚み７μｍ以上５０μｍ以下のものが好ましい。
なお、銅箔の組成は、Ｃｕ基地中に、Ａｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｏ、Ｎなどの添加元素をトータルで１００ｐｐｍ以上、１％以下添加したものであることが好ましい。
これらの元素を１００ｐｐｍ以上添加することで、Ｃｕを固溶強化するとともに、結晶配向性が純銅に比べ向上し、同じ圧下率で、より高い２軸配向性を得ることができる。しかしながら、これらの添加元素のトータル添加量が１％を超えると、Ｃｕ基地中に酸化物などが形成され、表面清浄性に悪影響を及ぼす。また、結晶配向性が悪くなる場合もある。
さらに、上記添加元素の中でも、Ａｇ添加の効果は結晶配向性の向上に特に効果があり、Ａｇ添加量を２００ｐｐｍ〜３００ｐｐｍとすることが好ましい。
これらの元素を１００ｐｐｍ以上添加することで、Ｃｕを固溶強化するとともに、結晶配向性が純銅に比べ向上し、同じ圧下率で、より高い２軸配向性を得ることができる。しかしながら、これらの添加元素のトータル添加量が１％を超えると、Ｃｕ基地中に酸化物などが形成され、表面清浄性に悪影響を及ぼす。また、結晶配向性が悪くなる場合もある。
さらに、上記添加元素の中でも、Ａｇ添加の効果は結晶配向性の向上に特に効果があり、Ａｇ添加量を２００ｐｐｍ〜３００ｐｐｍとすることが好ましい。
＜保護層＞
本実施形態の製造方法によって製造される金属積層基板は、酸化物超電導線材用であり、後の工程にてＣｅＯ２やＹＳＺなどの酸化物中間層が６００℃以上の高温酸化雰囲気中で成膜される。そのため、直接銅表面上に上記酸化物中間層をコーティングすることは、銅の表面酸化が起因で密着性を均一に確保することが困難となる場合があり、上記熱処理後に銅箔表面上にＮｉ層をコーティングすることが好ましい。
本実施形態の製造方法によって製造される金属積層基板は、酸化物超電導線材用であり、後の工程にてＣｅＯ２やＹＳＺなどの酸化物中間層が６００℃以上の高温酸化雰囲気中で成膜される。そのため、直接銅表面上に上記酸化物中間層をコーティングすることは、銅の表面酸化が起因で密着性を均一に確保することが困難となる場合があり、上記熱処理後に銅箔表面上にＮｉ層をコーティングすることが好ましい。
上記Ｎｉ層のコーティングの方法は、銅箔の高度な２軸結晶配向性を引き継ぐよう、エピタキシャル成長する方法であれば何でもよいが、生産性を考慮すると、電解Ｎｉメッキ法が好ましい。
電解Ｎｉメッキ浴は、通常のワット浴、塩化物浴やスルファミン酸浴などの無光沢メッキおよび半光沢メッキであれば何れの浴を用いて実施してもよい。
電解Ｎｉメッキ浴は、通常のワット浴、塩化物浴やスルファミン酸浴などの無光沢メッキおよび半光沢メッキであれば何れの浴を用いて実施してもよい。
Ｎｉが強磁性体であるため、Ｎｉメッキ層の厚みは極力薄いほうがよく、後の酸化物中間層を成膜する際、下地の金属拡散を防止する必要があり、１μｍ〜３μｍとすることが好ましい。なお、本明細書においてはＮｉ膜にはＮｉ合金膜も含まれる。
＜製造方法＞
図１に示す酸化物超電導線材用金属積層基板５Ａは、非磁性金属板Ｔ１と銅箔Ｔ２とを洗浄後、圧延ロールで接合して積層する。
洗浄方法は、乾式、湿式、湿式・乾式併用、いずれの方法で行っても良い。
乾式の場合、真空中での不活性ガス（Ａｒ、Ｎｅなど）によるスパッタ、イオンビームによるエッチングなどの処理を実行することが好ましい。
湿式の場合、一般の硫酸酸洗、アルカリ洗浄液などへのディップした後、電解による脱脂処理後、水洗、乾燥するようにする。
なお、金属板と銅箔との接合処理の生産性を考えると、図５に示すような真空クラッド連続装置Ｄ１で、圧延ロールによる圧下前に連続的に乾式エッチングを行い、表面の吸着層や酸化膜層を除去する方法が好ましく採用される。
図１に示す酸化物超電導線材用金属積層基板５Ａは、非磁性金属板Ｔ１と銅箔Ｔ２とを洗浄後、圧延ロールで接合して積層する。
洗浄方法は、乾式、湿式、湿式・乾式併用、いずれの方法で行っても良い。
乾式の場合、真空中での不活性ガス（Ａｒ、Ｎｅなど）によるスパッタ、イオンビームによるエッチングなどの処理を実行することが好ましい。
湿式の場合、一般の硫酸酸洗、アルカリ洗浄液などへのディップした後、電解による脱脂処理後、水洗、乾燥するようにする。
なお、金属板と銅箔との接合処理の生産性を考えると、図５に示すような真空クラッド連続装置Ｄ１で、圧延ロールによる圧下前に連続的に乾式エッチングを行い、表面の吸着層や酸化膜層を除去する方法が好ましく採用される。
図５に示すように、非磁性の金属板Ｌ１および銅箔Ｌ２を、幅１５０ｍｍ〜６００ｍｍの長尺コイルとして用意し、表面活性化接合装置Ｄ１のリコイラー部Ｓ１，Ｓ２のそれぞれに設置する。リコイラー部Ｓ１，Ｓ２から搬送された非磁性の金属板Ｌ１および銅箔Ｌ２は、連続的に表面活性化処理工程へ搬送され、そこで接合する２つの面を予め活性化処理した後、冷間圧接する。
表面活性化処理工程では、接合面を有する非磁性の金属板Ｌ１と銅箔Ｌ２をそれぞれアース接地した一方の電極Ａ（Ｓ３）とし、絶縁支持された他の電極Ｂ（Ｓ４）との間に１〜５０ＭＨｚの交流を印加してグロー放電を発生させ、且つグロー放電によって生じたプラズマ中に露出される電極の面積が電極Ｂの面積の１／３以下でスパッタエッチング処理することで行われる。不活性ガスとしては、アルゴン、ネオン、キセノン、クリプトンなどや、これらを少なくとも１種類含む混合気体を適用することができる。
スパッタエッチング処理では、非磁性の金属板Ｌ１および銅箔Ｌ２の接合する面を不活性ガスによりスパッタすることにより、表面吸着層および表面酸化膜を除去し、接合する面を活性化させる。このスパッタエッチング処理中は、電極Ａ（Ｓ３）が冷却ロールの形をとっており、各搬送材料の温度上昇を防いでいる。
その後、連続的に圧接ロール工程（Ｓ５）に搬送し、活性化された面同士を圧接する。圧接下の雰囲気は、Ｏ２ガスなど存在すると、搬送中、活性化処理された面が再酸化され密着に影響を及ぼす。上記圧接工程を通って密着させた積層体は、巻き取り工程（Ｓ６）まで搬送され、そこで巻き取られる。
なお、上記非磁性の金属板表面のスパッタエッチング工程において、接合面の吸着物は完全に除去するが、表面酸化層は完全に除去する必要はない。表面全体に酸化層が残留していても、接合工程で圧下率を上げ、接合面での摩擦により素地を露出させることで、金属板と銅箔との接合性を確保することができるからである。
また、乾式エッチングで酸化層を完全に除去しようとすると、高プラズマ出力、または長時間のエッチングが必要となり、材料温度が上昇してしまう。銅箔の再結晶開始温度は１５０℃付近であるので、スパッタエッチング処理中において、銅箔温度が１５０℃以上に上昇すると銅箔の再結晶が起こり、銅箔は接合前に結晶配向してしまうこととなる。結晶配向した銅箔を圧延すると、銅箔に歪が導入され、銅箔の２軸結晶配向性が劣化する。この場合、圧延で導入された歪が軽微なため、後の熱処理を行っても高度に結晶配向させることはできない。
このような理由から、スパッタエッチング工程では、銅箔の温度を１５０℃未満に保持する必要がある。好ましくは、常温〜１００℃以下に保持する。
このような理由から、スパッタエッチング工程では、銅箔の温度を１５０℃未満に保持する必要がある。好ましくは、常温〜１００℃以下に保持する。
また、非磁性の金属板をスパッタエッチングする処理においても、高プラズマ出力で処理したり、時間をかけ金属板温度を１５０℃以上にしたりすると、真空条件によっては金属板が加熱され、圧延時の銅箔との接触で銅箔温度が上昇し、圧延と同時に銅箔の再結晶が起こり、２軸結晶配向性が劣化するおそれがある。
このため、非磁性の金属板のスパッタエッチング工程においても、金属板の温度を１５０℃未満に保つことが望ましい。好ましくは常温〜１００℃に保つことがよい。 この時の真空度は、表面への再吸着物を防止するため高い方が好ましいが、１０−５Ｐａ以上１０−２Ｐａ以下であればよい。
このため、非磁性の金属板のスパッタエッチング工程においても、金属板の温度を１５０℃未満に保つことが望ましい。好ましくは常温〜１００℃に保つことがよい。 この時の真空度は、表面への再吸着物を防止するため高い方が好ましいが、１０−５Ｐａ以上１０−２Ｐａ以下であればよい。
また、非磁性の金属板表面や銅箔表面への酸素の再吸着によって両者間の接合性が低下するので、非酸化雰囲気中、例えばＡｒなどの不活性ガス雰囲気中で加圧接合を行うことも好ましい。
圧延ロールによる加圧は、接合界面の密着面積の確保、および一部表面酸化膜層を圧下時の接合界面で起こる摩擦により剥離させ、素地を露出させるために行い、３００ＭＰａ以上加えることが好ましい。
スパッタエッチングにより吸着物層を除去し、３００ＭＰａ以上の加圧により、接合の密着強度は１８０°ピール強度で０．１Ｎ／ｃｍ以上を得ることができる。
特に、金属板は強度補強材であり、貼り合わせる銅箔もフルハードとなっており、両材料とも硬い。そのため６００ＭＰａ以上１．５ＧＰａ以下での加圧が好ましい。
加圧はこれ以上かけてもよく、圧下率で３０％までは後の熱処理後に結晶配向性が劣化しないことは確認している。
しかしながら、これ以上の加工を加えると、銅箔表面にクラックが発生するとともに圧延、熱処理後の銅箔の結晶配向性が悪くなる。
スパッタエッチングにより吸着物層を除去し、３００ＭＰａ以上の加圧により、接合の密着強度は１８０°ピール強度で０．１Ｎ／ｃｍ以上を得ることができる。
特に、金属板は強度補強材であり、貼り合わせる銅箔もフルハードとなっており、両材料とも硬い。そのため６００ＭＰａ以上１．５ＧＰａ以下での加圧が好ましい。
加圧はこれ以上かけてもよく、圧下率で３０％までは後の熱処理後に結晶配向性が劣化しないことは確認している。
しかしながら、これ以上の加工を加えると、銅箔表面にクラックが発生するとともに圧延、熱処理後の銅箔の結晶配向性が悪くなる。
圧延ロールによる銅箔と非磁性の金属板を接合工程後、銅箔を結晶配向させるため、積層体を熱処理し、銅箔Ｔ２を２軸結晶配向させた後、銅箔Ｔ２側表面に、保護層Ｔ３を形成させる。熱処理温度は、銅箔と非磁性の金属板間の密着が十分に取れていれば１５０℃以上の温度で行えばよい。
本実施形態では、非磁性の金属板としてステンレス鋼板の焼鈍材を用いた場合、熱処理で強度はほとんど変化しない。
また、焼鈍を行わない圧延材を用いた場合でも、６００℃以上の高温においても熱処理時間が１分〜１０分程度では大きな強度低下はなく、強度補強材としての役割を十分果たす。
本実施形態では、非磁性の金属板としてステンレス鋼板の焼鈍材を用いた場合、熱処理で強度はほとんど変化しない。
また、焼鈍を行わない圧延材を用いた場合でも、６００℃以上の高温においても熱処理時間が１分〜１０分程度では大きな強度低下はなく、強度補強材としての役割を十分果たす。
以下、実施例によって、本発明の酸化物超電導線材用金属積層基板の製造方法をさらに詳細に説明する。
表１は、幅２００ｍｍで厚み１８μｍのＡｇが２００ｐｐｍ添加された高圧下銅箔および１００μｍ厚のＳＵＳ３１６Ｌ（焼鈍材）を、図５のような表面活性化接合装置を用い、通板させたときのＡｒスパッタエッチング時間とその後の接合工程での圧延ロールでの加圧と接合した材料の密着強度（１８０°ピール強度）との関係を示している。
スパッタエッチングは、０．１Ｐａ下で、プラズマ出力を２００Ｗとし、通板速度を変化させ接合面へのスパッタ照射時間を変化させた。
また圧延ロールでの加圧を１００ＭＰａ〜１５００ＭＰａと変化させて接合を行った。また、銅がスパッタエッチング中、温度上昇し、結晶構造が変化しなかったかを確認するため、接合後のサンプルは、Ｘ線回折によるθ／２θ測定により、（２００）面のＣ軸結晶配向を測定した。
ここでは接合後、（２００）面結晶配向率３０％までを結晶配向（再結晶）発生なしとし、それ以上の場合を（２００）面結晶配向が発生したと判断した。
表１は、幅２００ｍｍで厚み１８μｍのＡｇが２００ｐｐｍ添加された高圧下銅箔および１００μｍ厚のＳＵＳ３１６Ｌ（焼鈍材）を、図５のような表面活性化接合装置を用い、通板させたときのＡｒスパッタエッチング時間とその後の接合工程での圧延ロールでの加圧と接合した材料の密着強度（１８０°ピール強度）との関係を示している。
スパッタエッチングは、０．１Ｐａ下で、プラズマ出力を２００Ｗとし、通板速度を変化させ接合面へのスパッタ照射時間を変化させた。
また圧延ロールでの加圧を１００ＭＰａ〜１５００ＭＰａと変化させて接合を行った。また、銅がスパッタエッチング中、温度上昇し、結晶構造が変化しなかったかを確認するため、接合後のサンプルは、Ｘ線回折によるθ／２θ測定により、（２００）面のＣ軸結晶配向を測定した。
ここでは接合後、（２００）面結晶配向率３０％までを結晶配向（再結晶）発生なしとし、それ以上の場合を（２００）面結晶配向が発生したと判断した。
ここで、接合後のサンプルを、Ｘ線回折によるθ／２θ測定により、（２００）面のＣ軸結晶配向を測定した理由を、図６を用いて説明する。
図６は、２００ｐｐｍＡｇ添加の圧延銅箔（２００）面の、結晶配向率と熱処理保持時間との関係を示している。
熱処理後、結晶配向率は、Ｘ線回折装置にてθ／２θ測定を行い、（２００）面のＣ軸配向について測定を行った。
Ｃ軸配向は、（１１１）面、（２００）面、（２２０）面および（３１１）面のＸ線回折強度のトータル（ΣＩ（ｈｋｌ）と表す）の（２００）面のＸ線回折強度（Ｉ（２００）と表す）の割合を示し、（２００）面結晶配向率＝Ｉ（２００）／ΣＩ×１００（％）で表される。
本実施例で用いる銅箔では、熱処理なしの圧延加工状態では、（２００）面は２０％〜３０％程度である。
図６より、１５０℃より低い熱処理において、１分程度保持では結晶配向に変化はないことが分かる。
しかしながら、それ以上保持した場合、特に１５０℃以上の温度では、銅の再結晶は急速に進行し、（２００）面が急激に増加していく。
図６は、２００ｐｐｍＡｇ添加の圧延銅箔（２００）面の、結晶配向率と熱処理保持時間との関係を示している。
熱処理後、結晶配向率は、Ｘ線回折装置にてθ／２θ測定を行い、（２００）面のＣ軸配向について測定を行った。
Ｃ軸配向は、（１１１）面、（２００）面、（２２０）面および（３１１）面のＸ線回折強度のトータル（ΣＩ（ｈｋｌ）と表す）の（２００）面のＸ線回折強度（Ｉ（２００）と表す）の割合を示し、（２００）面結晶配向率＝Ｉ（２００）／ΣＩ×１００（％）で表される。
本実施例で用いる銅箔では、熱処理なしの圧延加工状態では、（２００）面は２０％〜３０％程度である。
図６より、１５０℃より低い熱処理において、１分程度保持では結晶配向に変化はないことが分かる。
しかしながら、それ以上保持した場合、特に１５０℃以上の温度では、銅の再結晶は急速に進行し、（２００）面が急激に増加していく。
このことから、以下のことが言える。
すなわち、本発明における製造方法において、銅箔と金属基板の接合を、接合前、スパッタエッチングを行う場合、高出力で処理時間が長くなると、プラズマで銅箔温度が上昇し、銅箔が再結晶を起こし、接合前に結晶配向してしまうおそれがある。
その場合、圧接工程のロール圧延で銅箔に歪みが導入され結晶配向が劣化してしまう。一旦高圧下で加工した銅箔が再結晶によって高結晶配向状態が得られても、その後に歪が導入され、配向が劣化すると、熱処理などにより結晶配向を回復させようとしても難しい。
よって、スパッタエッチングにおいては、少なくとも１５０℃未満に保持され、極力短時間で処理することが必要となる。
すなわち、本発明における製造方法において、銅箔と金属基板の接合を、接合前、スパッタエッチングを行う場合、高出力で処理時間が長くなると、プラズマで銅箔温度が上昇し、銅箔が再結晶を起こし、接合前に結晶配向してしまうおそれがある。
その場合、圧接工程のロール圧延で銅箔に歪みが導入され結晶配向が劣化してしまう。一旦高圧下で加工した銅箔が再結晶によって高結晶配向状態が得られても、その後に歪が導入され、配向が劣化すると、熱処理などにより結晶配向を回復させようとしても難しい。
よって、スパッタエッチングにおいては、少なくとも１５０℃未満に保持され、極力短時間で処理することが必要となる。
次に、Ｎｉ層コーティング前のＣｕ／ＳＵＳ３１６Ｌ積層金属基板の特性結果を比較例とともに示す。
表１から次のようなことがわかる。すなわち、スパッタエッチングをかけない場合（０秒）や、また２秒と短時間で吸着物が完全に除去できていない場合は、加圧を１５００ＭＰａまで上げても密着しない（密着強度＝０）。この結果を、比較実験例１〜４に示す。
表１から次のようなことがわかる。すなわち、スパッタエッチングをかけない場合（０秒）や、また２秒と短時間で吸着物が完全に除去できていない場合は、加圧を１５００ＭＰａまで上げても密着しない（密着強度＝０）。この結果を、比較実験例１〜４に示す。
また、エッチング時間を延ばし（２０秒）、酸化膜は残留するものの、吸着物を完全に除去した状態にした場合、圧延ロールによる加圧が１００ＭＰａと低い場合においても密着強度はほとんどない（密着強度＝０）。
この結果を、比較実験例５に示す。
この結果を、比較実験例５に示す。
加圧を３００ＭＰａ以上にすると、銅箔とステンレス鋼板とは、密着強度は低いものの（密着強度＝０．１〜３．０）密着し、加圧力を増加させるとともに密着強度も上昇する。この結果を、実験例１〜３に示す。
また、比較実験例６〜７のようにスパッタエッチング時間を６０秒、３００秒と長くし、吸着物及び表面酸化物層を除去していくと、密着強度は高くなっていくものの、スパッタエッチング中に銅が再結晶を起こし、結晶配向が起こってしまう。
上記のような状況でクラッド圧接されると、銅箔に歪みが再導入され、一旦揃った結晶配向性が劣化してしまう。
ここで、本実験に使用した銅箔及びステンレス鋼板の酸化皮膜厚みは、接合前、Ａｕｇｅｒ電子顕微鏡により厚み測定し、それぞれ５ｎｍ、１０ｎｍであった。
ＲＦ出力２００ＷでのＡｒスパッタ速度は、Ｓｉのスパッタを標準測定し、スパッタリング率により銅及びステンレスのスパッタ速度を求めた。
例えば、ステンレス表面の酸化膜を完全に除去するには、本接合装置中のスパッタ装置ではＲＦ出力２００Ｗで５分であった。
表１の備考欄に記載の表面状態は、このようなことからスパッタエッチング後の表面状態が想定される。
このようなスパッタ技術について、装置の取扱い、膜の測定、評価法などについて以下の文献を参考にした。
参考文献：スパッタ法による薄膜作成技術（装置の取扱い・膜の測定・評価と各種応用の実際）Ｐ．２９、
発行所：経営開発センター出版（１９８５年）
ＲＦ出力２００ＷでのＡｒスパッタ速度は、Ｓｉのスパッタを標準測定し、スパッタリング率により銅及びステンレスのスパッタ速度を求めた。
例えば、ステンレス表面の酸化膜を完全に除去するには、本接合装置中のスパッタ装置ではＲＦ出力２００Ｗで５分であった。
表１の備考欄に記載の表面状態は、このようなことからスパッタエッチング後の表面状態が想定される。
このようなスパッタ技術について、装置の取扱い、膜の測定、評価法などについて以下の文献を参考にした。
参考文献：スパッタ法による薄膜作成技術（装置の取扱い・膜の測定・評価と各種応用の実際）Ｐ．２９、
発行所：経営開発センター出版（１９８５年）
表２は、実施例１で示したＣｕ／ＳＵＳ３１６Ｌ積層基板を非酸化雰囲気中で１５０℃〜９５０℃で、５分〜４時間保持後の銅箔側の（２００）面結晶配向度、ならびに熱処理後、銅箔表面側に１μｍ厚のＮｉメッキを施したときの保護層（Ｎｉ層）の（２００）面結晶配向度およびＣ軸結晶配向率を比較実験例とともに示している。
Ｎｉメッキは、一般のワット浴を使用し、電流密度を４Ａ／ｄｍ２、浴温度を６０℃、ｐＨ３で行った。また、結晶配向度は、Ｘ線回折装置を用い、Ｃｕ（１１１）およびＮｉ（１１１）の極点図を測定し、α＝３５°に現れる４本ピークの半値幅△Φ（°）を測定した。
Ｎｉメッキは、一般のワット浴を使用し、電流密度を４Ａ／ｄｍ２、浴温度を６０℃、ｐＨ３で行った。また、結晶配向度は、Ｘ線回折装置を用い、Ｃｕ（１１１）およびＮｉ（１１１）の極点図を測定し、α＝３５°に現れる４本ピークの半値幅△Φ（°）を測定した。
表２の結果からつぎのようなことが分かる。
すなわち、実施例１で示した良好な条件（スパッタ時間２０秒、加圧６００ＭＰａ）で作製したＣｕ／ＳＵＳ３１６Ｌ積層金属板を１００℃で１分間熱処理しても銅は再結晶しないため、２軸結晶配向は起こらないが、１５０℃では３０分以上、それ以上の温度ではさらに短時間の保持でΔΦは６°以下となる。
特に、１５０℃と低温で熱処理する場合は、保持時間を長時間するとΔΦは低下、つまり２軸結晶配向性は向上する。
また、高温短時間で熱処理する場合では、温度の上昇とともにΔΦは低下し、２軸結晶配向性が向上していく。
すなわち、実施例１で示した良好な条件（スパッタ時間２０秒、加圧６００ＭＰａ）で作製したＣｕ／ＳＵＳ３１６Ｌ積層金属板を１００℃で１分間熱処理しても銅は再結晶しないため、２軸結晶配向は起こらないが、１５０℃では３０分以上、それ以上の温度ではさらに短時間の保持でΔΦは６°以下となる。
特に、１５０℃と低温で熱処理する場合は、保持時間を長時間するとΔΦは低下、つまり２軸結晶配向性は向上する。
また、高温短時間で熱処理する場合では、温度の上昇とともにΔΦは低下し、２軸結晶配向性が向上していく。
比較例として、実施例１で示した比較実験例１−５（スパッタ時間１２０秒、加圧３００ＭＰａ）の金属積層基板を熱処理したときの銅のΔΦも示す。
このサンプルは、接合前に一度結晶配向を起こし、その後接合工程で３００ＭＰａの加圧がなされているため、歪が導入されている。
そのため、熱処理後においても２軸結晶配向性は劣化しており、ΔΦは６°以上の値を示している。
また、このサンプルを８５０℃と比較的高温で熱処理すると、歪導入が原因で２次再結晶が発生し、結晶配向性が大きく崩れてしまう。
＜本発明の参考形態＞
このサンプルは、接合前に一度結晶配向を起こし、その後接合工程で３００ＭＰａの加圧がなされているため、歪が導入されている。
そのため、熱処理後においても２軸結晶配向性は劣化しており、ΔΦは６°以上の値を示している。
また、このサンプルを８５０℃と比較的高温で熱処理すると、歪導入が原因で２次再結晶が発生し、結晶配向性が大きく崩れてしまう。
＜本発明の参考形態＞
以下に、本発明の製造方法を用いて製造した参考形態を示す。
図２は、図１の酸化物超電導線材用金属積層基板５Ａ上に、中間層Ｔ４、酸化物超電導体層Ｔ５、保護膜Ｔ６を、順次積層した酸化物超電導線材１０Ａの構成を示す概略断面図である。
酸化物超電導線材１０Ａは、保護層Ｔ３上に、ＣｅＯ２、ＹＳＺ、ＳｒＴｉＯ３、ＭｇＯなどの中間層をスパッタ法など用いてエピタキシャル成膜し、Ｙ１２３系薄膜などの超電導体層をレーザーアブレージョン法などにより成膜し、この超電導体層の上にさらに保護膜としてＡｇ、Ｃｕなどを積層することにより製造される。
図２は、図１の酸化物超電導線材用金属積層基板５Ａ上に、中間層Ｔ４、酸化物超電導体層Ｔ５、保護膜Ｔ６を、順次積層した酸化物超電導線材１０Ａの構成を示す概略断面図である。
酸化物超電導線材１０Ａは、保護層Ｔ３上に、ＣｅＯ２、ＹＳＺ、ＳｒＴｉＯ３、ＭｇＯなどの中間層をスパッタ法など用いてエピタキシャル成膜し、Ｙ１２３系薄膜などの超電導体層をレーザーアブレージョン法などにより成膜し、この超電導体層の上にさらに保護膜としてＡｇ、Ｃｕなどを積層することにより製造される。
図３は、酸化物超電導線材用金属積層板であり、非磁性金属板Ｔ１の両面に表面活性化接合にて銅箔Ｔ２を貼り、熱処理後、両面にＮｉ層の保護層Ｔ３を付与させて形成した酸化物超電導線材用金属積層板５Ｂの構成を示す概略断面図である。
図４は、図３の酸化物超電導線材用金属積層板を用いた酸化物超電導線材１０Ｂの構成を示す概略断面図である。
本発明によれば、銅を基板に積層した後に加熱処理をして銅の結晶配向を行うので、従来技術に比べて、銅を高度に配向させ、表面に傷や溝が生成するのを防止することが可能であり、銅の結晶開始温度未満の温度に保って銅をスパッタエッチングすることで銅の圧下状態の変化を従来技術よりも、少なくして銅を基板に積層でき、その後の加熱処理により圧下された銅を配向させるときに従来技術に比べて銅を高度に配向させることができる。さらに、銅の結晶開始温度未満の温度に保って銅をスパッタエッチングするので銅表面に酸化層が残留する可能性が高く、従来技術であれば銅と基板との密着が低下しやすいが、本発明では加圧条件を制御することで基板に求められる密着力を銅の高配向と同時に実現でき、産業上の利用可能性が極めて高い。
Ｔ１、Ｌ１ 非磁性金属板、
Ｔ２、Ｌ２ 銅箔、
Ｔ３ 保護層（Ｎｉ層）、
Ｔ４ 中間層、
Ｔ５ 酸化物超電導体層、
Ｔ６ 保護膜、
Ｄ１ 表面活性化接合装置、
Ｓ１，Ｓ２ リコイラー部、
Ｓ３ 電極Ａ、
Ｓ４ 電極Ｂ、
Ｓ５ 圧接ロール工程、
Ｓ６ 巻き取り工程、
５Ａ 金属積層基板、
５Ｂ 金属積層板、
１０Ａ、１０Ｂ 酸化物超電導線材
Ｔ２、Ｌ２ 銅箔、
Ｔ３ 保護層（Ｎｉ層）、
Ｔ４ 中間層、
Ｔ５ 酸化物超電導体層、
Ｔ６ 保護膜、
Ｄ１ 表面活性化接合装置、
Ｓ１，Ｓ２ リコイラー部、
Ｓ３ 電極Ａ、
Ｓ４ 電極Ｂ、
Ｓ５ 圧接ロール工程、
Ｓ６ 巻き取り工程、
５Ａ 金属積層基板、
５Ｂ 金属積層板、
１０Ａ、１０Ｂ 酸化物超電導線材
Claims (3)
- 圧下率９０％以上で圧延加工された銅箔を結晶配向温度未満に保った状態で銅箔の表面を スパッタエッチングして表面の吸着物を除去する工程と、
非磁性の金属板の表面をスパッタエッチングして表面の吸着物を除去する工程と、
前記銅箔と前記金属板とを圧延ロールにより３００ＭＰａ〜１５００ＭＰａの加圧で接合 する工程と、
前記接合した積層体を銅の結晶配向温度以上の温度に加熱して前記銅を結晶配向させる工 程と、
前記積層体の銅側表面上に保護層をコーティングする工程と、を有することを特徴とする 酸化物超電導線材用金属積層基板の製造方法。 - 前記銅箔のスパッタエッチングは、１５０℃未満の温度で実施することを特徴とする請求 項１に記載の酸化物超電導線材用金属積層基板の製造方法。
- 前記非磁性の金属板のスパッタエッチングする工程は、銅箔の結晶配向温度未満に保った 状態で基板の表面をスパッタエッチングして表面の吸着物を除去することを特徴とする請 求項１又は２記載の酸化物超電導線材用金属積層基板の製造方法。
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