JP6502844B2 - 光半導体装置 - Google Patents
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Description
図3、4は第1の実施形態の光半導体装置の構成を示す図である。図3(a)はEA−DFBレーザ搭載前の高周波接続線路基板の上面図であり、図3(b)はEA−DFBレーザの上面図である。図4(a)はEA−DFBレーザを搭載した高周波接続線路基板の上面図であり、図4(b)、(c)はそれぞれ図4(a)のA−A’断面図、B−B’断面図である。
EA−DFBレーザ1は、図3(b)および図4(c)に示すように、EA変調器領域1aと、DFBレーザ領域1bとが、グランド電極1−1およびEA素子構造体1−3に挟まれた導電性半導体基板となるn型InP基板1−2上にモノリシック形成されている。EA−DFBレーザ1の表面(紙面裏側)にEA電極1−4と、DFB電極1−5とがそれぞれ形成され、裏面(紙面表側)にはグランド電極1−1が形成されている。
次に第2の実施形態について説明する。第2の実施形態は、第1の実施形態の光半導体装置の高周波信号線路9−1の分岐箇所に2本のスタブを形成した構成である。図7、8は本実施形態の光半導体装置の構成を示す図である。図7(a)はEA−DFBレーザ搭載前の高周波接続線路基板の上面図であり、図7(b)はEA−DFBレーザの上面図である。図8(a)はEA−DFBレーザを搭載した高周波接続線路基板の上面図であり、図8(b)、(c)はそれぞれ図8(a)のA−A’断面図、B−B’断面図である。
8 石英ガラス基板
9−7 スタブ
11、12 ボンディングワイヤ
100 信号源
101 高周波線路
102 直列抵抗(Rseries)
103 終端抵抗
104 EA変調器
Claims (3)
- レーザ発振を行なうDFB領域とレーザ出力の高周波変調を行うEA領域とが基板上にモノリシックに形成されたEA−DFBレーザであって、前記基板の一面のDFB領域に設けられたDC電極と前記基板の一面のEA領域に設けられた高周波電極と、前記基板の他面に設けられた電極層を有するEA−DFBレーザと、
前記EA−DFBレーザをレーザ発振するためのDC駆動信号用のDC配線と高周波変調するための高周波信号用の高周波配線とを有する配線基板とを備え、
前記EA−DFBレーザの前記一面の前記DC電極および前記高周波電極が前記配線基板のDC配線および高周波配線と電気的に接続するように前記EA−DFBレーザがフェースダウンで前記配線基板上にフリップチップ搭載されるとともに、前記EA−DFBレーザの他面と前記DC配線および前記高周波配線とが導体細線により電気的に接続されており、EA領域から前記EA領域に設けられた導体細線に向かうパスのインピーダンスが、DFB領域から前記DFB領域に設けられた導体細線に向かうパスのインピーダンスよりも低くなるように、前記EA−DFBレーザの他面の前記EA領域に設けられた導体細線の本数が前記DFB領域に設けられた導体細線の本数よりも多いことを特徴とする光半導体装置。 - 前記高周波配線は、フリップチップ搭載された前記EA−DFBレーザの近傍に位置する領域で、少なくとも2本以上に分岐されており、分岐された前記高周波線路が終端抵抗と電気的に接続され、前記終端抵抗までの線路が持つ特性インピーダンスが前記EA領域が持つ特性インピーダンスよりも高く設定されることを特徴とする、請求項1に記載の光半導体装置。
- 前記分岐された高周波線路において、前記終端抵抗と接続されておらず、かつ前記EA−DFBレーザが備える前記高周波電極と電気的に接続されていない前記高周波線路には、分岐点を始点としてその長さ、互いのなす角度がそれぞれ異なる様に配置された、容量性スタブ、誘導性スタブが形成されていることを特徴とする、請求項2に記載の光半導体装置。
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