JP2006245241A - 半導体回路基板及び光送受信モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】電磁波ノイズの放射を低減した半導体回路基板を提供する
【解決手段】半導体回路基板１はシリコン基板２を備え、シリコン基板２に形成した導体パターン３にスタブ４を備える。スタブ４は、一端は電源または接地用ラインを構成する導体パターン３と接続していると共に、他端は開放しており、スタブ４の長さＬは、半導体素子５等により発生する電磁波ノイズの周波数の１／４波長、あるいは１／４波長以下の長さで構成される。
【選択図】 図１

Description

本発明は、シリコン基板に半導体素子が搭載された半導体回路基板及び光送受信モジュールに関する。詳しくは、電磁波ノイズとなる高周波成分を打ち消す長さを有するスタブを電源または接地ラインに備えることで、電磁波ノイズを低減させるものである。

光信号を送受信する光送受信機は、電気信号を光信号に変換する発光素子を備えた送信部と、光信号を電気信号に変換する受光素子を備えた受信部を、同一のパッケージ内に実装している。

このような光送受信機では、伝送信号の高速化に伴い、送信部の高周波回路部から放射された電磁波ノイズが受信部側へ伝搬され、送受信干渉を起こす可能性がある。

このため、電磁波ノイズを低減させる手段として、従来は電磁波吸収体を備える技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特許文献１では、送信部におけるノイズ放射レベルの大きい部分に電磁波吸収体を設けることにより、受信感度が光受信機単体に比べ劣化することを防止している。

すなわち、送信部側の回路の半導体部品に電波吸収体を設けることで、電磁波ノイズを低減させることにより、受信部側の半導体部品へのノイズの回り込みを防止している。

また、電磁波ノイズを低減させる手段として、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）を備える技術が提案されている（例えば、特許文献２参照）。

特許文献２では、マイクロ波集積回路からなる十分広帯域な分布増幅器と、これに直列に接続した所望の中心周波数及び周波数帯域幅のマイクロストリップ線路で形成したバンドパスフィルタを設けて、高周波数領域での所望帯域幅の増幅器を実現している。そして、信号の伝送路に対し、マイクロストリップ線路で形成されるスタブを設けることにより、バンドパスフィルタを形成し、所望の周波数帯域の電磁ノイズを低減させるものである。

特開２００２−１８５４０８号公報 特許第２７５２８８３号公報

しかし、電磁波吸収体は、電磁波の入射する角度によっては電磁波が乱反射する可能性が高い。この場合、吸収すべき電磁波に対し所望の減衰量を得ることができずに受信系半導体部品に電磁波ノイズの回り込みを防御することができない。

電磁波吸収体は、電磁波を吸収する面に対し、垂直に電磁波が入射されることを想定しており、光送受信機のように電磁波の反射経路が多数あるような構造では、電波吸収体の使用は適していない。

また、信号の伝送路上にスタブを設けた場合は、例えば１０Ｇｂｐｓ程度の高速伝送する光送受信機では、ＤＣ〜１５ＧＨｚまでをフラットな通過特性と、フラットな郡遅延特性を確保しなければならない。

スタブは、ある特定周波数に対し、短絡する特性を持っており、ＤＣ〜１５ＧＨｚまで全域においてフラットな通過特性及び郡遅延特性を得ることが困難となり、ジッタ増加や反射特性の劣化等、伝送波形を劣化させる要因となる。

また、信号を高速伝送する伝送路に対してスタブを設けることは、通信品質を劣化させるという問題がある。

本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、電磁波ノイズを低減できる半導体回路基板及び光送受信モジュールを提供することを目的とする。

上述した課題を解決するため、本発明に係る半導体回路基板は、導体パターンが形成されると共に、半導体素子が実装されたシリコン基板を備え、電磁波ノイズとなる高周波成分を打ち消す長さを有する少なくとも１本のスタブを、導体パターンを形成する電源または接地ラインに備えたことを特徴とする。

本発明に係る半導体回路基板では、半導体素子等で発生し、導体パターンを伝搬される電磁波ノイズは、スタブにより打ち消されることで電界強度が弱くなり、電磁波ノイズの放射量が低減される。

また、上述した課題を解決するため、本発明に係る光送受信モジュールは、導体パターンが形成されたシリコン基板と、シリコン基板に実装される光素子と、光素子を駆動する半導体素子と、光素子と光学的に結合した光導波路とを備え、電磁波ノイズとなる高周波成分を打ち消す長さを有する少なくとも１本のスタブを、導体パターンを形成する電源または接地ラインに備えたことを特徴とする。

本発明に係る光送受信モジュールでは、半導体素子により光素子が駆動されると、光素子から出力された光信号が光導波路に結合し、光導波路を伝搬される。光素子を駆動することで半導体素子等で発生し、導体パターンを伝搬される電磁波ノイズは、スタブにより打ち消されることで電界強度が弱くなり、電磁波ノイズの放射量が低減される。

本発明の半導体回路基板によれば、シリコン基板の表面に形成した電源または接地ラインに、電磁波ノイズとなる高周波成分を打ち消す長さを有するスタブを備えたので、電波吸収体等を用いることなく、電磁波ノイズを低減することができる。

また、半導体回路基板自体で電磁波ノイズを低減することで、電磁波ノイズの空気中への放射量も低減することができ、ＥＭＩ（electro magnetic interference）対策としての効果を得ることができる。

本発明の光送受信モジュールによれば、送信系半導体素子の電磁波ノイズの放射量を低減して、受信系半導体素子への回り込みを防ぐことができ、送受信干渉を起こすことなく、高密度実装を実現できる。

また、信号の伝送路に対してスタブを設けないため、信号の高速伝送が行われる光送受信モジュールにおいて、通信品質を劣化させることなく電磁波ノイズを低減できる。

以下、図面を参照して本発明の半導体回路基板及び光送受信モジュールの実施の形態について説明する。

＜本実施の形態の半導体回路基板の構成例＞
図１は本実施の形態の半導体回路基板の概要を示す構成図である。本実施の形態の半導体回路基板１はシリコン基板２を備え、シリコン基板２に形成した導体パターン３にスタブ４を備えて、電磁波ノイズを低減させる。

シリコン基板２は、上面の所定の位置に半導体素子５が実装される。半導体素子５は、例えば高出力の増幅器や発振器等であり、電磁波ノイズの発生源となる。導体パターン３は、シリコン基板２の上面に銅メッキ等で構成され、図１の例では、半導体素子５の接地用の導体パターン３を図示しており、半導体素子５の図示しない接地端子と導体パターン３が電気的に接続している。

スタブ４は、一端は導体パターン３と接続していると共に、他端は開放しており、オープンスタブと称される。スタブ４の長さＬは、半導体素子５等により発生する電磁波ノイズの周波数の１／４波長、あるいは１／４波長以下の長さで構成される。

図２は本実施の形態の半導体回路基板の一例を示す等価回路である。半導体回路基板１は、増幅器等の半導体素子５が電源Ｖ及び接地ＧＮＤに接続され、信号入力ラインＤｉｎから入力した信号を増幅して、信号出力ラインＤｏｕｔへ出力する。

そして、半導体回路基板１は、図１に示す導体パターン３を構成し、接地ＧＮＤに接続されるラインにスタブ４を備える。なお、図２に破線で示すように、電源Ｖに接続されるラインにスタブ４を備えても良い。但し、信号が伝送される信号出力ラインＤｏｕｔ等にはスタブを備えない。

さて、スタブ４がオープンスタブの場合、スタブ４の入力インピーダンスＺｉｎは式（１）で表せる。
Ｚｉｎ＝−ｊＺ₀ｃｏｔ（β×Ｌ）・・・（１）

ここで、Ｚ₀は正規化インピーダンスである。また、Ｌはスタブ長である。更に、βは位相定数と呼ばれ、伝送線路上で波が単位長進む間に変化する位相角を表し、単位は［ｒａｄ／ｍ］である。

よって、式（１）の（β×Ｌ）は、スタブ５の電気長を表しており、式（１）は以下の式（２）のように変換することができる。
Ｚｉｎ＝−ｊＺ₀ｃｏｔθ・・・（２）

ここで、β＝２π／λで、λは伝送路上での波長である。

式（２）より、Ｚｉｎは、スタブ長と共に変化し、Ｌ＜λ／４でキャパシタ、λ／４＜Ｌ＜λ／２の範囲でインダクタとして働くことが判る。

例えば、Ｌ＝λ／４のスタブ４を設けた場合、伝搬する周波数成分の位相が開放端で１８０度反転して、最も電界強度が強いところで打ち消しあう効果を持っている。

これにより、スタブ４が図１に示すシリコン基板２の表面に集中した電界強度を打ち消す効果を持つことが判る。

図３〜図５は基板表面に伝搬される電界強度のシミュレーション例で、電界強度の分布を模式的に示している。ここで、図３は電磁波ノイズの１／４波長の長さのスタブを設けた場合、図４は電磁波ノイズの１／８波長の長さのスタブを設けた場合である。これに対して、図５は、比較例としてスタブを設けていない場合である。

シミュレーション対象の基板６は、誘電体としてシリコンを用い、導体として銅を用いた２層基板であり、基板６のサイズは、長手方向の長さを３ｍｍ、短手方向の長さを２ｍｍ、厚さを０．５ｍｍとした。また、導体の厚さは０．０４ｍｍとした。

基板６の上面には、一端に導体による入力ポート７を形成し、他端に出力ポート８を形成した。図３及び図４に示す例では、入力ポート７にオープンスタブ９を形成し、オープンスタブ９の幅は０．０７ｍｍとした。また、基板６の下面は全面に導体を形成した。更に、電磁波ノイズの周波数は２０ＧＨｚとした。

まず、基板６の厚さに応じて、電磁波ノイズが基板内を伝搬する伝搬モードが異なることが判った。すなわち、基板６が厚くなると、例えば入力ポート７側で発生した電磁波ノイズは、電界強度がほとんど減衰することなく、基板内を伝搬する。

これに対して、基板６を薄くしていくと、電界の伝搬モードが変換されて伝搬関数が低減されるが、基板表面に電界が集中することが判った。

図３〜図５において、基板６の表面における電界強度の強い範囲をハッチングで示す。図５に示すように、スタブを設けていない場合は、電界強度の強さは２〜２．５ｅ＋００５（Ｖ／ｍ）程度と強く、電界が強く励起されることが判る。このため、入力ポート７に半導体素子を実装すると、強い電磁波ノイズの影響を受ける。また、強い電磁波が励起されるため、基板外部に対しても電磁放射が漏れてしまう。このため、ＥＭＩ等の対策を電波吸収体等で行わなければならなくなる。

これに対して、図３に示すように、電磁波ノイズの１／４波長の長さのオープンスタブ９を設けた場合、電界強度の大きさは１〜２ｅ＋００４（Ｖ／ｍ）程度であり、電界強度が弱くなっていることが判る。これにより、入力ポート７に半導体素子を実装しても、電磁波ノイズの影響を低減することができる。また、強い電磁波の励起が抑えられることで、空気中への電磁放射も低減される。

また、図４に示すように、電磁波ノイズの１／８波長の長さのオープンスタブ９を設けた場合、電界強度の大きさは３〜５ｅ＋００４（Ｖ／ｍ）程度であり、同様に電界強度が弱くなっていることが判る。

以上により、図１に示すように、電磁波ノイズを発生するような増幅器や発振器等の半導体素子５の電源や接地ラインに対して、電磁波ノイズの１／４波長以下の長さを有するスタブ４を設けることで、半導体回路基板１から発生する電界強度が弱まり、電磁波ノイズを低減させることができる。

＜本実施の形態の光送受信モジュールの構成例＞
図６は本実施の形態の光送受信モジュールの一例を示す構成図で、次に、本実施の形態の半導体回路基板の具体例として、光送受信モジュールを例に説明する。ここで、図６（ａ）は光送受信モジュール１１の平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）に示す光送受信モジュール１１のＡ−Ａ断面図である。

本実施の形態の光送受信モジュール１１は、平面型の光導波路を構成する導波路シート１２と、導波路シート１２を支持する実装基板１３を備える。導波路シート１２は、例えば高分子材料で構成され、第１のコア１４ａ及び第２のコア１４ｂと、クラッド層１５を構成する下部クラッド１５ａ及び上部クラッド１５ｂを備えて、コア・クラッド構造を有する。

第１のコア１４ａ及び第２のコア１４ｂは、屈折率がクラッド層１５より若干大きくなるように構成されて、光が第１のコア１４ａ及び第２のコア１４ｂに閉じ込められて伝搬される。

導波路シート１２は、対向する２辺の間を第１のコア１４ａが直線状に延在し、第１のコア１４ａの一方の端部側の辺にファイバ位置決め溝１６を備える。また、導波路シート１２は、第１のコア１４ａの他方の端部と交差する辺に第１の傾斜端面１７ａを備える。

更に、導波路シート１２は、第２のコア１４ｂが第１のコア１４ａから分岐して直線状に延在し、第２のコア１４ｂの一方の端部と交差する辺に第２の傾斜端面１７ｂを備える。

ここで、第１のコア１４ａと第２のコア１４ｂの交差角は鋭角で、例えば４５度である。そして、各コアと導波路シート１２の辺は直交しているので、導波路シート１２は、変形した五角形となる。

ファイバ位置決め溝１６は、導波路シート１２に接続される光ファイバ１８が嵌る形状を有する上面が開口した溝が、導波路シート１２の端面から第１のコア１４ａと平行な向きで形成され、ファイバ位置決め溝１６の先端には、第１のコア１４ａの一方の端面が露出する。

ファイバ位置決め溝１６は、断面形状が例えば四角状で、その幅は、光ファイバ１８の芯線の直径と略同じに設定される。また、光ファイバ１８をファイバ位置決め溝１６に嵌めると、導波路シート１２の第１のコア１４ａに、光ファイバ１８のコア１８ａの位置が合うように、ファイバ位置決め溝１６の形成位置が設定される。

これにより、光ファイバ１８を導波路シート１２のファイバ位置決め溝１６に嵌めると、導波路シート１２の第１のコア１４ａに、光ファイバ１８のコア１８ａの位置が合うように調芯され、導波路シート１２の第１のコア１４ａの一方の端面と、光ファイバ１８のコア１８ａが対向する。

ファイバ位置決め溝１６に挿入された光ファイバ１８は、ファイバ押え蓋１６ｂにより押さえて接着固定される。ファイバ押え蓋１６ｂは、透明な例えばガラス板で構成され、ファイバ位置決め溝１６の上面開口を覆う大きさを有する。

第１の傾斜端面１７ａは、導波路シート１２の下面に対して４５度に傾斜しており、第１のコア１４ａの他方の端面が、第１の傾斜端面１７ａと同一平面に露出している。そして、第１の傾斜端面１７ａに露出した第１のコア１４ａの端面により、第１の反射面１９ａが構成される。

同様に、第２の傾斜端面１７ｂは、導波路シート１２の下面に対して４５度に傾斜しており、第２のコア１４ｂの一方の端面が、第２の傾斜端面１７ｂと同一平面に露出している。そして、第２の傾斜端面１７ｂに露出した第２のコア１４ｂの端面により、第２の反射面１９ｂが構成される。

導波路シート１２は、第１のコア１４ａと第２のコア１４ｂの分岐点にフィルタ挿入溝２０を備え、フィルタ挿入溝２０に波長選択フィルタ２１が挿入される。フィルタ挿入溝２０は、第１のコア１４ａと第２のコア１４ｂの分岐点を横切る位置に形成され、フィルタ挿入溝２０の対向する側壁面の一方に、第１のコア１４ａ及び第２のコア１４ｂの端面が露出すると共に、他方の側壁面に第１のコア１４ａの端面が露出する。

波長選択フィルタ２１は、任意の波長領域における光を選択的に反射及び透過させる機能を有し、例えば波長λ１の光は反射し、波長λ２の光は透過するように構成される。

波長選択フィルタ２１は、フィルタ挿入溝２０に挿入され、導波路シート１２に接着固定される。波長選択フィルタ２１は、第１のコア１４ａと第２のコア１４ｂの分岐点を横切る位置に挿入されており、第１のコア１４ａ及び第２のコア１４ｂを伝搬される光の波長に応じて光路を切り替える。

実装基板１３はシリコン基板であり、表面に導波路シート１２が実装される。また、実装基板１３は、面型発光素子（ＶＣＳＥＬ）２２と、面型受光素子（ＰＤ）２３と、電子部品２４等が実装される。

更に、実装基板１３は、導波路シート１２の第１の反射面１９ａに対向させて面型発光素子２２を実装するために第１の実装凹部２５ａを備えると共に、導波路シート１２の第２の反射面１９ｂに対向させて面型受光素子２３を実装するために第２の実装凹部２５ｂを備える。

第１の実装凹部２５ａ及び第２の実装凹部２５ｂは、実装基板１３の表面の一部を凹状にして形成され、第１の実装凹部２５ａの底面には導体パターン２６ａを備え、第２の実装凹部２５ｂの底面には導体パターン２６ｂを備える。

更に、実装基板１３は、例えば導体パターン２６ａにスタブ２６ｃを備える。スタブ２６ｃは、一端は導体パターン２６ａと接続していると共に、他端は開放しており、オープンスタブである。スタブ２６ｃの長さＬは、上述したように電磁波ノイズの周波数の１／４波長、あるいは１／４波長以下の長さで構成され、本例では、スタブ２６ｃは、第１の実装凹部２５ａの端面から実装基板１３の表面に第１のコア１４ａと平行に延在している。

スタブ２６ｃが接続される導体パターン２６ａは、電源または接地と接続されるものであり、信号の伝送ラインにはスタブを設けない。

面型発光素子２２は、発光部が導波路シート１２の第１の反射面１９ａと対向するように第１の実装凹部２５ａにベアチップ実装され、導体パターン２６ａと電気的に接続される。

面型受光素子２３は、受光部が導波路シート１２の第２の反射面１９ｂと対向するように第２の実装凹部２５ｂに実装され、導体パターン２６ｂと電気的に接続される。

実装基板１３は回路基板２７に実装される。回路基板２７は、実装基板１３の第１の実装凹部２５ａの近傍に半導体素子として増幅回路等を有する駆動素子２８が実装され、面型発光素子２２と駆動素子２８がボンディングワイヤ等を介して電気的に接続される。

＜本実施の形態の光送受信モジュールの動作例＞
光送受信モジュール１１は、図示しない対向機器からの入力信号が波長λ１（例えば、λ１＝７９０ｎｍ）の光信号で光ファイバ１８から入力される。光ファイバ１８は、ファイバ位置決め溝１６に挿入されて導波路シート１２に固定されることで、上述したように、光ファイバ１８のコア１８ａと、導波路シート１２の第１のコア１４ａが光学的に結合している。これにより、光ファイバ１８を伝搬される入力光信号は、導波路シート１２の第１のコア１４ａに入射して、第１のコア１４ａを伝搬される。

導波路シート１２の第１のコア１４ａを伝搬される入力光信号は、波長選択フィルタ２１に入射する。波長選択フィルタ２１は、本例では波長λ１の光は反射するので、第１のコア１４ａを伝搬される波長λ１の入力光信号は、波長選択フィルタ２１で反射して、第２のコア１４ｂに入射し、第２のコア１４ｂを伝搬される。

導波路シート１２の第２のコア１４ｂを伝搬される入力光信号は、第２の反射面１９ｂで反射することで光の伝搬方向が９０度変換され、導波路シート１２の第２の傾斜端面１７ｂの下面側から出射し、対向する面型受光素子２３の受光部で受光されて、面型受光素子２３で電気信号に変換される。

一方、光送受信モジュール１１では、駆動素子２８により面型発光素子２２が駆動され、電気信号が面型発光素子２２で光信号に変換される。ここで、面型発光素子２２の発振波長はλ２（例えば、λ２＝８５０ｎｍ）とする。

面型発光素子２２の発光部から出射された出力光信号は、導波路シート１２の第１の傾斜端面１７ａの下面側から入射し、第１の反射面１９ａで反射することで光の伝搬方向が９０度変換されて、導波路シート１２の第１のコア１４ａを伝搬される。

導波路シート１２の第１のコア１４ａを伝搬される出力光信号は、波長選択フィルタ２１に入射する。波長選択フィルタ２１は、上述したように波長λ２の光は透過するので、第１のコア１４ａを伝搬される波長λ２の出力光信号は、波長選択フィルタ２１を透過して第１のコア１４ａに入射し、更に第１のコア１４ａを伝搬される。そして、導波路シート１２の第１のコア１４ａを伝搬された出力光信号は、光ファイバ１８に入射して、光ファイバ１８を伝搬されて図示しない対向機器で受光される。

図示しない対向機器では、光送受信モジュール１１と対になる光送受信モジュールとして、光送受信モジュール１１と同じ構成で、かつ、波長λ２の光は反射し、波長λ１の光は透過する波長選択フィルタと、発振波長λ１の面型発光素子を備えた光送受信モジュールを用いることで、複数の異なる波長の光信号の分離多重化を行って、１本の光ファイバに複数の異なる波長の光信号を伝送させることが可能となる。

これにより、光送受信モジュール１１を備えることで、波長多重双方向光通信（ＷＤＭ）が行われるシステムの構築が可能となる。

さて、光送受信モジュール１１では、送信系半導体素子となる面型発光素子２２や駆動素子２８等と接続される導体パターン２６ａにスタブ２６ｃを備えることで、図３及び図４に示すように、送信系半導体素子の電磁波ノイズの放射量を低減させることができる。これにより、電波吸収体等を用いることなく、面型受光素子２３や信号処理回路等の受信系半導体素子への電磁波ノイズの回り込みを防ぐことができる。

従って、実装基板１３の長さを３〜４ｍｍ程度とし、一端側に送信系半導体素子を実装し、他端側に受信系半導体素子を実装しても、送受信干渉を起こすことがなく、小型高密度実装を実現することができる。

また、電磁波ノイズを実装基板１３自体で低減させることから、空気中への放射量も低減することができる。よって、ＥＭＩ対策としても効果を得ることができる。

更に、本例では、信号の伝送路に対してスタブ２６ｃを設けないため、通信品質を劣化させることはない。なお、受信系半導体素子と接続される導体パターン６ｂにもスタブを設けることで、送信側から回り込んだ電磁波ノイズを打ち消して低減することができる。

また、スタブの本数は１本に限るものではないが、共振を防ぐため、複数のスタブを設ける場合は、互いを直交する方向で配置すると良い。

本発明は、電子機器のボード間やチップ間の光通信モジュールや、光ファイバを利用した通信ケーブルのコネクタ等に適用される。

本実施の形態の半導体回路基板の概要を示す構成図である。 本実施の形態の半導体回路基板の一例を示す等価回路である。 １／４波長のスタブを設けた場合の基板表面に伝搬される電界強度のシミュレーション例である。 １／８波長のスタブを設けた場合の基板表面に伝搬される電界強度のシミュレーション例である。 スタブを設けない場合の基板表面に伝搬される電界強度のシミュレーション例である。 本実施の形態の光送受信モジュールの一例を示す構成図である。

符号の説明

１・・・半導体回路基板、２・・・シリコン基板、３・・・導体パターン、４・・・スタブ、５・・・半導体素子、６・・・基板、７・・・入力ポート、８・・・出力ポート、９・・・オープンスタブ、１１・・・光送受信モジュール、１２・・・導波路シート、１３・・・実装基板、１４ａ・・・第１のコア、１４ｂ・・・第２のコア、１５・・・クラッド層、１５ａ・・・下部クラッド、１５ｂ・・・上部クラッド、１６・・・ファイバ位置決め溝、１６ｂ・・・ファイバ押え蓋、１７ａ・・・第１の傾斜端面、１７ｂ・・・第２の傾斜端面、１８・・・光ファイバ、１８ａ・・・コア、１９ａ・・・第１の反射面、１９ｂ・・・第２の反射面、２０・・・フィルタ挿入溝、２１・・・波長選択フィルタ、２２・・・面型発光素子、２３・・・面型受光素子、２４・・・電子部品、２５ａ・・・第１の実装凹部、２５ｂ・・・第２の実装凹部、２６ａ・・・導体パターン、１６ｂ・・・導体パターン、２６ｃ・・・スタブ、２７・・・回路基板、２８・・・駆動素子

Claims (6)

1. 導体パターンが形成されると共に、半導体素子が実装されたシリコン基板を備え、
   電磁波ノイズとなる高周波成分を打ち消す長さを有する少なくとも１本のスタブを、前記導体パターンを形成する電源または接地ラインに備えた
   ことを特徴とする半導体回路基板。
2. 前記半導体素子は、発振器または増幅器である
   ことを特徴とする請求項１記載の半導体回路基板。
3. 前記半導体素子に駆動される光素子を備えた
   ことを特徴とする請求項１記載の半導体回路基板。
4. 導体パターンが形成されたシリコン基板と、
   前記シリコン基板に実装される光素子と、
   前記光素子を駆動する半導体素子と、
   前記光素子と光学的に結合した光導波路とを備え、
   電磁波ノイズとなる高周波成分を打ち消す長さを有する少なくとも１本のスタブを、前記導体パターンを形成する電源または接地ラインに備えた
   ことを特徴とする光送受信モジュール。
5. 前記光導波路は、少なくとも１本のコアと、前記コアと交差する辺に傾斜端面を形成し、前記傾斜端面に露出させた前記コアの端面により形成された反射面とを備え、
   前記反射面と対向する位置に、前記光素子として面型光素子を実装して、前記面型光素子を、前記反射面を介して前記コアと光結合させた
   ことを特徴とする請求項４記載の光送受信モジュール。
6. 前記光導波路は、前記コアから少なくとも１本のコアが分岐し、前記コアの分岐位置に波長選択フィルタを備えると共に、前記分岐したコアと交差する辺に、前記傾斜端面による前記反射面が形成され、
   一方のコアの前記反射面と対向して面型光素子が実装されると共に、分岐した他方のコアの前記反射面と対向して面型光素子が実装され、
   前記面型光素子の一方は発光素子で、他方は受光素子である
   ことを特徴とする請求項５記載の光送受信モジュール。
   

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