JP4979534B2 - 光モジュール - Google Patents

Description

本発明は、光信号を送信または受信する光モジュールに関し、特に小型かつ高速でデータを伝送する光モジュールに関する。

光モジュール内には、高速信号伝送を行う高周波部品が複数あり、これらの高周波部品の接続用端子部または高周波信号を伝送する基板と、他の高周波部品の接続用端子部または高周波信号を伝送する基板の接続に用いられる接続基板には、高周波特性を劣化させずに伝送する伝送線路構造が求められ、ストリップ線路、マイクロストリップ線路、コプレーナ線路、グランド付きコプレーナ線路が用いられてきた。

数十ＧＨｚの周波数帯域における信号伝達特性の良好な伝送線路構造としては、特許文献１に示されている信号線路に直交するように伝送線路の端面に導体を設ける方法、特許文献２に示されている３層構造または２層構造のフレキシブル基板のグランド層にＶ字形状の切り込みを入れる方法が知られている。

図１を参照して、第１の高周波部品の接続用端子部と、第２の高周波部品の接続用端子部との接続に用いられるフレキシブルプリント基板の構造を説明する。ここで、図１は接続体の２面図および断面図である。特に、図１（ａ）は接続体の上面図であり、（ｂ）は下面図であり、（ｃ）はＡ−Ａ断面図であり、（ｄ）はＢ−Ｂ断面図であり、（ｅ）はＣ−Ｃ拡大断面図であり、（ｆ）はＤ−Ｄ拡大断面図である。なお、断面図は断面部分のみ図示する。

図１（ａ）において、接続体１０は、第１の高周波部品の接続用端子部１−１と、フレキシブルプリント基板２と、第２の高周波部品の接続用端子部１−２と、から構成される。紙面内において上下対象なので、以下の説明では、第１の高周波部品の接続用端子部１−１と、フレキシブルプリント基板２と、第２の高周波部品の接続用端子部１−２とを区別せず、単に高周波部品の接続用端子部１と記載する。高周波部品の接続用端子部１の高周波端子の構造は、グランド付きコプレーナ線路である。接続用端子部１の高周波信号端子の近傍には、高周波部品の制御電圧用の端子がある。

図１（ａ）、（ｂ）等に示すように、接続用端子部１は、誘電体１０１と、誘電体１０１の上面に配置された信号配線１０２と、信号配線１０２の両脇のグランド配線１０３と、信号伝送線路１０２、１０３に隣接した制御用電圧配線１０４と、その他の制御電圧配線１０５と、誘電体１０１の下面に配置されたグランド導体平面１０６とを有する。グランド配線１０３は、誘電体１０１に形成されたビアホール１０７を介してグランド導体平面１０６に接続される。

第１の高周波部品の接続用端子部１−１と、第２の高周波部品の接続用端子部１−２の接続に用いられるフレキシブルプリント基板２の高周波伝送線路構造は、グランド付きコプレーナ線路である。この高周波伝送線路の近傍に高周波部品の制御電圧用の配線がある。

図１（ａ）、（ｂ）等に示すように、フレキシブルプリント基板２は、誘電体２０１と、誘電体２０１の下面に配置された信号配線２０２と、信号配線２０２の両脇のグランド配線２０３と、信号伝送線路２０２、２０３に隣接した制御用電圧配線２０４と、その他の制御電圧配線２０５と、誘電体２０１の上面に配置されたグランド導体平面２０６とを有する。図１（ｄ）、（ｅ）に示すように、２本のグランド配線２０３は、共に誘電体２０１に形成された複数のビアホール２０７を介してグランド導体平面２０６に接続される。
図１（ｅ）に示すように、接続用端子部１の端子と、フレキシブルプリント基板２の端子とは、はんだ２１０で接続されている。

図１に示す構造を用いて、高周波信号により信号伝送を行う場合、特に、数十ＧＨｚの周波数帯域において、信号伝達特性が劣化する。これを図２を参照して説明する。図２は信号伝達特性を表わす透過率の周波数特性のグラフである。

図２において、図１のフレキシブルプリント基板を用いた場合、１０.５ＧＨｚの周波数で局所的に透過率が大幅に悪化している。高周波伝送では、一般に３倍高調波まで考慮すれば良いので、１０.５ＧＨｚでの特性劣化は、７Ｇｂｉｔ／ｓ（基本波３.５ＧＨｚ）以上で問題となる。なお、図２に示した信号伝達特性は３次元電磁界シミュレーションにより求めた結果である。

図２に示した特性劣化は、図１（ｆ）に矢印で示す電気力線で示すように、信号伝送線路を伝達していた高周波信号は、接続用端子部１とフレキシブルプリント基板２の接続部で、信号伝送線路に隣接した制御用電圧配線２０４に漏れ込み、信号伝送線路に隣接した制御用電圧配線２０４と、グランド配線２０３およびグランド導体平面２０６の間に閉じ込められ、１０.５ＧＨｚで共振現象を起こしていたと考えられる。

一方、光ファイバ通信分野では、光伝送モジュール仕様の標準化により、ユーザの利便性を向上するマルチソース・アグリーメント（ＭＳＡ）が多数締結されている。さらに、このＭＳＡ光伝送モジュール用の部品であるレーザダイオードを搭載したTransmitter Optical Sub−Assembly（ＴＯＳＡ）およびフォトダイオードを搭載したReceiver Optical Sub−Assembly（ＲＯＳＡ）についてもＭＳＡが締結され、ＴＯＳＡ／ＲＯＳＡの性能、外形寸法、実装レイアウトおよびピン配置が標準化されている。なお、ＴＯＳＡの電気信号入力部と、ＲＯＳＡの電気信号出力部とは、フレキシブルプリント基板を用いる。これは、レセプタクルに対するコネクタの挿抜によるＴＯＳＡ／ＲＯＳＡの移動をフレキシブルプリント基板の曲げ量で吸収するためである。

特開２００４−２４７９８０号公報 特開２００５−０２６８０１号公報

数十ＧＨｚの周波数帯域において、信号伝達特性特性が劣化する理由は、信号配線２０２と２本のグラント配線２０３とグランド導体平面２０６で構成される信号伝送線路を伝達していた高周波信号が、その近傍にある、接続部で信号伝送線路に隣接した制御用電圧配線２０４に漏れ込み、その内の特定の周波数成分のエネルギーが、接続部で信号伝送線路に隣接した制御用電圧配線２０４とグラント配線２０３またはグランド導体平面２０６の間に閉じ込められることにより共振現象を起こし、信号伝送線路を伝達する割合が大幅に減少するためである。

この問題を解決するには、信号伝送線路に隣接した制御用電圧配線４０４を、信号配線４０２から、信号配線幅の５倍以上離し、高周波信号の漏れ込みが十分に起こらないようにすれば良い。しかし、その場合、フレキシブルプリント基板の全幅が大幅に大きくなり、前述したＭＳＡのＴＯＳＡ／ＲＯＳＡの外形寸法から外れてしまう。

本発明の目的は、高周波を伝送する基板の共振周波数成分を使用帯域外とする光モジュールを提供することにある。

上述した課題は、ケースに収容された光高周波部品と、この光高周波部品に電気信号を伝搬または光高周波部品からの電気信号を伝搬する高周波線路とこの高周波線路に隣接する制御用配線とを形成され、かつケースと接続された基板とからなり、基板は、光高周波部品の動作周波数における高周波線路と制御用配線との間の共振を低減するように、制御用配線を配置しているモジュールにより、達成できる。

また、ケースに収容された光高周波部品と、この光高周波部品に電気信号を伝搬または光高周波部品からの電気信号を伝搬する高周波線路とこの高周波線路に隣接する制御用配線とを形成され、かつケースと接続された基板とからなり、制御用配線は、ケースとの接続部の近傍で４５度以上の角度で、高周波線路から遠ざけられてい光モジュールにより、達成できる。

さらに、第１のレセプタクルと、レーザダイオードを収容する第１のケースと、この第１のケースと基板とを接続する第１のフレキシブル基板とからなる第１のアッセンブリと、第２のレセプタクルと、フォトダイオードを収容する第２のケースと、この第２のケースと基板とを接続する第２のフレキシブル基板とからなる第２のアッセンブリと、レーザダイオードを駆動する駆動ＩＣと、フォトダイオードの出力を増幅するアンプとを搭載する基板とからなり、第１のフレキシブル基板は、レーザダイオードに電気信号を伝搬する第１の高周波線路と、この第１の高周波線路に隣接する第１の制御用配線とが形成され、レーザダイオードの動作周波数における第１の高周波線路と第１の制御用配線との間の共振を低減するように、第１の制御用配線を配置し、第２のフレキシブル基板は、フォトダイオードからの電気信号を伝搬する第２の高周波線路と、この第２の高周波線路に隣接する第２の制御用配線とが形成され、フォトダイオードの動作周波数における第２の高周波線路と第２の制御用配線との間の共振を低減するように、第２の制御用配線を配置している光モジュールにより、達成できる。

本発明によれば、高周波を伝送する基板の共振周波数成分を使用帯域外とする光モジュールを提供することができる。

以下本発明の実施の形態について、実施例を用い図面を参照しながら説明する。なお、実質同一部位には同じ参照番号を振り、説明は繰り返さない。
まず、図３を参照して、光送受信モジュールの構成を説明する。ここで、図３は光送受信モジュールのブロック図である。図３において、光送受信モジュール１０００は、ＴＯＳＡ３００と、ＲＯＳＡ４００と、ＴＯＳＡ３００とＲＯＳＡ４００とを接続された基板９００と、基板９００上に実装されたドライバーＩＣ７００とポストアンプ８００とから構成される。また、ＴＯＳＡ３００は、レセプタクル３３０と、ケース３２０と、ケース３２０の伝送線路と基板９００の伝送線路を接続するフレキシブルプリント基板３１０とから構成される。さらに、ＲＯＳＡ４００は、レセプタクル４３０と、ケース４２０と、ケース４２０の伝送線路と基板９００の伝送線路を接続するフレキシブルプリント基板４１０とから構成される。

基板９００のカードエッジ端子部９１０から入力された送信電気信号は、ドライバーＩＣ７００でレーザダイオード駆動電気信号に変換される。レーザダイオード駆動電気信号は、フレキシブルプリント基板３１０を介して、ケース３２０に収容された図示しないレーザダイオードを駆動する。レーザダイオードが出力する１０Ｇｂｉｔ／ｓの光信号は、レセプタクル３３０から出射される。

一方、レセプタクル４３０に接続された図示しない光ファイバから入力された１０Ｇｂｉｔ／ｓの光信号は、ケース４２０に収容された図示しないフォトダイオードによって、電気信号に変換される。この電気信号は、ケース４２０に収容された図示しないプリアンプによって前置増幅され、フレキシブルプリント基板４１０から出力される。ポストアンプ８００は、プリアンプが増幅した電気信号を更に増幅し、基板９００のカードエッジ端子部９１０から出力する。

なお、図３では、光モジュールとして光送受信モジュールを説明したが、光送信モジュール／光受信モジュールも光モジュールである。ＴＯＳＡ／ＲＯＳＡも光モジュールである。レーザダイオードの光を変調する光変調器モジュールも、高周波部品を搭載する光モジュールである。ここでは、光モジュールを例示したが、光モジュールはこれらに限られない。
さらに、光高周波部品として、レーザダイオード、フォトダイオード、光変調素子等があり、これらに限られない。

図４を参照して、ＴＯＳＡの構成を説明する。ここで、図４はＴＯＳＡのブロック図である。図４において、ＴＯＳＡ３００は、レーザダイオード（ＬＤ）素子３４０と、ＬＤ素子３４０の出力を変調する電界吸収型変調器（ＥＡ）素子３５０と、ＬＤ素子３４０の後方出力光をモニタするフォトダイオード（ＰＤ）素子３６０と、ＬＤ素子３４０の素子温度をモニタするサーミスタ３７０と、ＬＤ素子３４０の温度を制御する電気的温度制御装置（ＴＥＣ：Thermoelectric Cooler）３８０とから構成される。なお、ＴＥＣ３８０は、必ずしも冷却するとは限らない。ＬＤバイアス電圧端子３４１、信号入力端子３５１、ＰＤバイアス電圧端子３６１、サーミスタ端子３７１、ＴＥＣ電圧端子３８１、３８２は、フレキシブルプリント基板３１０に接続される。

図５を参照して、ＲＯＳＡの構成を説明する。ここで、図５はＲＯＳＡのブロック図である。図５において、ＲＯＳＡ４００は、ＰＤ素子４５０と、Ｐｒｅ−Ａｍｐ素子４６０とから構成される。ＰＤ素子４５０のＰＤバイアス電圧端子４５１、Ｐｒｅ−Ａｍｐ素子４６０の電源端子４６１と、その正相出力端子４６２と、負相出力端子４６３とは、フレキシブルプリント基板４１０に接続される。

図４および図５において、信号端入力端子３５１および信号出力端子４６２、４６３に接続された配線が、図１の信号配線２０２に該当する。また、それ以外の端子に接続された配線が、図１の信号配線２０３〜２０６に相当する。

図６を参照して、第１の高周波部品の接続用端子部と、第２の高周波部品の接続用端子部との接続に用いられるフレキシブルプリント基板の構造を説明する。ここで、図６は接続体の２面図および断面図である。特に、図６（ａ）は接続体の上面図であり、（ｂ）は下面図であり、（ｃ）はＪ−Ｊ断面図であり、（ｄ）はＫ−Ｋ断面図であり、（ｅ）はＬ−Ｌ拡大断面図であり、（ｆ）はＭ−Ｍ拡大断面図であり、（ｇ）はＮ−Ｎ拡大断面図であり、（ｈ）はＰ−Ｐ拡大断面図である。なお、断面図は断面部分のみ図示する。

図６（ａ）において、接続体１０は、第１の高周波部品の接続用端子部５−１と、フレキシブルプリント基板３１０、４１０と、第２の高周波部品の接続用端子部５−２と、から構成される。紙面内において上下対象なので、以下の説明では、第１の高周波部品の接続用端子部５−１と、フレキシブルプリント基板３１０、４１０と、第２の高周波部品の接続用端子部５−２とを区別せず、単に高周波部品の接続用端子部５と記載する。高周波部品の接続用端子部５の高周波端子の構造は、グランド付きコプレーナ線路である。接続用端子部５の高周波信号端子の近傍には、高周波部品の制御電圧用の端子がある。なお、接続用端子部５は、図３のフレキシブルプリント基板３１０または４１０が接続される基板９００、ＴＯＳＡ３００、ＲＯＳＡ４００の図示しない端子部である。

図６（ａ）、（ｂ）等に示すように、接続用端子部５は、誘電体５０１と、誘電体５０１の上面に配置された信号配線５０２と、信号配線５０２の両脇のグランド配線５０３と、信号伝送線路５０２、５０３に隣接した制御用電圧配線５０４と、その他の制御電圧配線５０５と、誘電体５０１の下面に配置されたグランド導体平面５０６とを有する。グランド配線５０３は、誘電体５０１に形成されたビアホール５０７を介してグランド導体平面５０６に接続される。

第１の高周波部品の接続用端子部５−１と、第２の高周波部品の接続用端子部５−２との接続に用いられるフレキシブルプリント基板３１０、４１０の高周波伝送線路構造は、グランド付きコプレーナ線路である。この高周波伝送線路の近傍に高周波部品の制御電圧用の配線がある。

図６（ａ）、（ｂ）等に示すように、フレキシブルプリント基板３１０、４１０は、誘電体６０１と、誘電体６０１の下面に配置された信号配線６０２と、信号配線６０２の両脇のグランド配線６０３と、信号伝送線路６０２、６０３に隣接した一組の制御用電圧配線６０４と、その他の一組の制御電圧配線６０５と、誘電体６０１の上面に配置されたグランド導体平面６０６とを有する。図６（ｄ）、（ｅ）に示すように、２本のグランド配線６０３は、共に誘電体６０１に形成された複数のビアホール６０７を介してグランド導体平面６０６に接続される。
図６（ｅ）に示すように、接続用端子部５の端子と、フレキシブルプリント基板３１０、４１０の端子とは、はんだ６１０で接続されている。これらのはんだ６１０は、接続用端子部５とフレキシブルプリント基板３１０、４１０の導体間を電気的および機械的に接続する。また、はんだ接続部において、フレキシブルプリント基板３１０、４１０の各裏面端子６０２〜６０５は、ビアホール６２０を介して、各表面端子６０２ａ〜６０５ａと接続されている。

このフレキシブルプリント基板３１０、４１０に形成された伝送線路構造を更に詳細に説明する。
図６（ｂ）において、フレキシブルプリント基板３１０、４１０の下面に配置された、接続部で信号伝送線路６０２、６０３に隣接した制御用電圧配線６０４は、接続用端子部５とフレキシブルプリント基板３１０、４１０の接続部近傍で、直角に伝送線路６０２、６０３から遠ざかる方向に曲げ、伝送線路配線６０２、６０３から３Ｗだけ離れた位置に配する。ここで、Ｗはラインとスペースとの幅（Ｗ＝ライン幅＝スペース幅）である。図６（ｇ）において、制御用電圧配線６０４の外側の制御電圧配線６０５は、接続用端子部５とフレキシブルプリント基板３１０、４１０の接続部近傍でビアホール６０８を介して、誘電体６０１の制御用電圧配線（表層）６０５ａに接続する。

これにより、接続部で信号伝送線路に隣接した制御用電圧配線６０４とその他の制御電圧用配線６０５は電気的に接触することを防ぎ、また電気的に接触することを防ぐためにフレキシブルプリント基板３１０、４１０を大きくすることを必要とせず、下面の空いた領域に、接続部で信号伝送線路６０２、６０３に隣接した制御用電圧配線６０４を配置する。この結果、制御用電圧配線６０４を、信号伝送線路６０２、６０３から十分離すことができる。

なお、図６（ｂ）に示したように、接続部で信号伝送線路に隣接した制御用電圧配線６０４の曲げ位置Ｌ１と、曲げ量Ｌ２は、フレキシブルプリント基板３１０、４１０の長さをＬ、使用周波数範囲の最大周波数ｆｍに対する波長をλとすると、共振による信号劣化を防ぐため、それぞれ、Ｌ１＜λ／２、Ｌ２＞＝２Ｗとすることが、好ましい。なお、信号の速度をｖとすると、λ＝ｖ／ｆｍである。このように設定することによって、３倍高調波まで考慮した評価が可能である。

図６を参照して説明したフレキシブルプリント基板３１０、４１０では、図６（ｆ）、（ｈ）に矢印で示す電気力線で明らかなように、フレキシブルプリント基板３１０、４１０の大きさが大きくならないよう、接続用端子部５とフレキシブルプリント基板３１０、４１０の接続部は、ＭＳＡの規格と同じ配置と大きさにしており、信号伝送線路を伝達していた高周波信号は、接続用端子部５とフレキシブルプリント基板３１０、４１０の接続部で、その近傍にある接続部で信号伝送線路に隣接した制御用電圧配線６０４に漏れ込む。しかし、接続部で信号伝送線路に隣接した制御用電圧配線６０４を、接続用端子部５とフレキシブルプリント基板３１０、４１０の接続部近傍で、直角または直角に近い角度で急激に曲げ、伝送線路配線から十分離れた位置に配し、接続部で信号伝送線路に隣接した制御用電圧配線６０４と、グランド配線６０３およびグランド導体平面６０６の間において、共振現象を起こす特定の周波数成分のエネルギーの閉じ込めを弱くし、共振現象を大幅に抑制している。

図７を参照して、本実施例の信号伝達特性を説明する。ここで、図７は信号伝達特性を表わす透過率の周波数特性のグラフである。図２では、１０.５ＧＨｚの周波数で局所的に透過率が大幅に悪化していた。しかし、図７では、１０ＧＨｚの周波数での局所的な透過率の悪化が抑制されており、透過率特性の向上を実現している。

なお、図７に示した信号伝達特性は３次元電磁界シミュレーションにより求めた結果である。シミュレーションに用いた形状、材質のうち主な数値は、表１に記載の通りである。また、この信号伝達特性では、２０ＧＨｚに急激な落ち込みがある。これはＬ１寸法として、３ｍｍを選択したため、２０ＧＨｚで共振しているためである。１０Ｇｂｉｔ／ｓのとき、特性評価すべき周波数は１５ＧＨｚ程度でよく、大幅な特性改善と言える。

表１ シミュレーション条件表
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諸 元 シミュレーション条件
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誘電体５０１の厚さ： ３５０μｍ
誘電体５０１の比誘電率： ３.７
誘電体５０１の長さ： ２ｍｍ
誘電体６０１の厚さ： ５０μｍ
誘電体６０１の比誘電率： ３.３
誘電体６０１の長さ： １２ｍｍ
Ｌ−Ｌ断面部での導体５０２、５０３、５０４、５０５の幅： ３５０μｍ
Ｌ−Ｌ断面部での導体６０２、６０３、６０４、６０５の幅： ３５０μｍ
Ｍ−Ｍ断面部での導体６０２の幅： １００μｍ
Ｍ−Ｍ断面部での導体６０３の幅： ５７５μｍ
Ｍ−Ｍ断面部での導体６０６の幅： １６５０μｍ
全ての導体の厚さ： ３０μｍ
全ての導体の導電率： 無限大
Ｌ１寸法： ３ｍｍ
Ｌ２寸法： １ｍｍ
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なお、上述した実施例では、フレキシブルプリント基板３１０、４１０の高周波伝送線路構造は、グランド付きコプレーナ線路としたが、ストリップ線路、マイクロストリップ線路またはコプレーナ線路であっても良い。また、制御電圧配線６０５を表層に移動して、制御電圧配線６０４を裏層面内で信号伝送線路から遠ざけたが、制御電圧配線６０４を表層に移動して、表層面内で信号伝送線路から遠ざけても良い。さらに、フレキシブルプリント基板３１０、４１０は、２層としたが、２層を超えても良い。基板３１０、４１０は、可撓性がなくとも良い。

高周波伝送線路に隣接する制御用電圧配線は、直角（９０度）に折り曲げて、高周波伝送線路から遠ざけたが、少なくとも４５度で折り曲げても良い。さらに、好ましくは６０度以上の角度で折り曲げてもよい。最も好ましくは８０度以上である。

本実施例によると、高周波部品の接続用端子部と、他の高周波部品の接続用端子部との接続に用いられる接続基板において、接続基板を大きくすることなく、特定の周波数での共振現象を抑制することができる。また、小型で、信号伝達特性の向上した光伝送モジュールを提供することができる。

接続体の２面図および断面図である。 信号伝達特性を表わす透過率の周波数特性のグラフである。 光送受信モジュールのブロック図である。 ＴＯＳＡのブロック図である。 ＲＯＳＡのブロック図である。 接続体の２面図および断面図である。 信号伝達特性を表わす透過率の周波数特性のグラフである。

符号の説明

１…接続用端子部、２…フレキシブルプリント基板、５…接続用端子部、１０…接続体、２０…接続体、１０１…誘電体、１０２…信号配線、１０３…グランド配線、１０４…制御用電圧配線、１０５…制御用電圧配線、１０６…グランド導体平面、１０７…ビアホール、２０１…誘電体、２０２…信号配線、２０３…グランド配線、２０４…制御用電圧配線、２０５…制御用電圧配線、２０６…グランド導体平面、２０７…ビアホール、２１０…はんだ、３００…ＴＯＳＡ、３１０…フレキシブルプリント基板、３２０…ケース、３３０…レセプタクル、４００…ＲＯＳＡ、４１０…フレキシブルプリント基板、４２０…ケース、４４０…レセプタクル、５０１…誘電体、５０２…信号配線、５０３…グランド配線、５０４…制御用電圧配線、５０５…制御用電圧配線、５０６…グランド導体平面、５０７…ビアホール、６０１…誘電体、６０２…信号配線、６０３…グランド配線、６０４…制御用電圧配線、６０５…制御用電圧配線、６０６…グランド導体平面、６０７…ビアホール、６０８…ビアホール、６２０…ビアホール、７００…ドライバーＩＣ、８００…ポストアンプ、９００…基板、９１０…カードエッジ端子部、１０００…光送受信モジュール。

Claims (7)

1. ケースに収納された光高周波部品と、基板と、前記ケースと前記基板とを接続しているフレキシブル基板と、を備えた光モジュールであって、
   前記フレキシブル基板は、前記光高周波部品に電気信号を伝播または前記光高周波部品からの電気信号を伝播する高周波線路と、前記高周波線路の片側もしくは両側に配された複数の制御用配線とを備え、
   前記制御用配線は、
   前記高周波線路に隣接しており、前記ケースとの接続部の近傍および前記基板との接続部の近傍で、前記高周波線路から遠ざけて配された第１の制御用配線と、
   前記ケースとの接続部の近傍および前記基板との接続部の近傍で、前記フレキシブル基板に設けられたビアホールを介して前記高周波線路が配置されている面の裏面に接続されて導通する第２の制御用配線とを含んでいることを特徴とする光モジュール。
2. 請求項１に記載の光モジュールであって、
   前記第１の制御用配線は、前記ケースとの接続部の近傍および前記基板との接続部の近傍で４５度以上の角度で折り曲げられて前記高周波線路から遠ざけられていることを特徴とする光モジュール。
3. 請求項１に記載の光モジュールであって、
   前記第１の制御用配線は、前記ケースとの接続部の近傍および前記基板との接続部の近傍で６０度以上の角度で折り曲げられて前記高周波線路から遠ざけられていることを特徴とする光モジュール。
4. ケースに収納された光高周波部品と、基板と、前記ケースと前記基板とを接続しているフレキシブル基板と、を備えた光モジュールであって、
   前記フレキシブル基板は、前記光高周波部品に電気信号を伝播または前記光高周波部品からの電気信号を伝播する高周波線路と、前記高周波線路の片側もしくは両側に配された複数の制御用配線とを備え、
   前記制御用配線は、前記高周波線路に隣接しており、前記ケースとの接続部の近傍および前記基板との接続部の近傍で、前記フレキシブル基板に設けられたビアホールを介して前記高周波線路が配置されている面の裏面に接続されて導通し、前記裏面上にて前記高周波線路から遠ざけて配された第１の制御用配線を含んでいることを特徴とする光モジュール。
5. 請求項１から４のいずれかに記載の光モジュールであって、
   前記高周波線路は、ストリップ線路、マイクロストリップ線路、コプレーナ線路、またはグランド付きコプレーナ線路のいずれかであることを特徴とする光モジュール。
6. 請求項１から請求項５のいずれかに記載の光モジュールであって、
   前記電気信号のビットレートは、１０Ｇｂｉｔ／ｓ以上であることを特徴とする光モジュール。
7. 第１のレセプタクルと、レーザダイオードを収容する第１のケースと、この第１のケースと基板とを接続する第１のフレキシブル基板とからなる第１のアッセンブリと、
   第２のレセプタクルと、フォトダイオードを収容する第２のケースと、この第２のケースと前記基板とを接続する第２のフレキシブル基板とからなる第２のアッセンブリと、
   前記レーザダイオードを駆動する駆動ＩＣと、前記フォトダイオードの出力を増幅するアンプとを搭載する前記基板と、を備えた光モジュールであって、
   前記第１のフレキシブル基板は、前記レーザダイオードに電気信号を伝搬する第１の高周波線路と、前記第１の高周波線路の片側もしくは両側に配された複数の制御用配線とを備え、
   前記第１のフレキシブル基板に備えられた前記複数の制御用配線は、
   前記第１の高周波線路に隣接しており、前記第１のケースとの接続部の近傍および前記基板との接続部の近傍で、前記第１の高周波線路から遠ざけて配された第１の制御用配線と、
   前記第１のケースとの接続部の近傍および前記基板との接続部の近傍で、前記第１のフレキシブル基板に設けられたビアホールを介して前記第１の高周波線路が配置されている面の裏面に接続されて導通する第２の制御用配線とを備え、
   前記第２のフレキシブル基板は、前記フォトダイオードからの電気信号を伝搬する第２の高周波線路と、前記第２の高周波線路の片側もしくは両側に配された複数の制御用配線とを備え、
   前記第２のフレキシブル基板に備えられた前記複数の制御用配線は、
   前記第２の高周波線路に隣接しており、前記第２のケースとの接続部の近傍および前記基板との接続部の近傍で、前記第２の高周波線路から遠ざけて配された第３の制御用配線と、
   前記第２のケースとの接続部の近傍および前記基板との接続部の近傍で、前記第２のフレキシブル基板に設けられたビアホールを介して前記第２の高周波線路が配置されている面の裏面に接続されて導通する第４の制御用配線とを備えていることを特徴とする光モジュール。

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