JP6501659B2 - 光電センサ - Google Patents
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Description
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1に係る光電センサの構成例を示す図である。
光電センサは、設定距離を用いて検出体の検出範囲を設定する距離設定型の光電センサである。以下では、光電センサとして、設定距離よりも近くに存在する検出体を検出するBGS型の光電センサを例に説明を行う。この光電センサは、図1に示すように、投光回路1、投光素子2、多分割フォトダイオード3、分流回路4、加算部5、IVアンプ6、IVアンプ7、演算回路8、弁別回路9、判定ロジック回路10、出力回路11、分流制御回路12及び制御ロジック回路13を備えている。
投光素子2は、投光回路1により生成された電流により駆動し、光を発光するものである。この投光素子2として、例えばLEDを用いる。この投光素子2により発光された光は、検出領域に投光される。そして、検出領域に検出体が存在する場合に、この検出体によって上記光が反射される。
IVアンプ7は、加算部5により加算された他方の電流を電圧に変換するものである。
この判定ロジック回路10では、弁別回路9により2値化された信号を信号処理する方法として、例えばデジタル積分方式(アップダウンカウント方式)を用いる。すなわち、判定ロジック回路10にアップダウンカウンタを設け、弁別回路9から取り込んだ信号がHのときはカウントアップし、信号がLのときはカウントダウンする。そして、例えば10段のアップダウンカウンタを用いた場合において、カウント値が0のときは遮光と判定し、カウント値が10のときは入光と判定し、カウント値がその間の場合には前の状態を保持する。これにより、耐ノイズ性を向上することができる。すなわち、ノイズ等ある場合には、入光状態でも常にHの信号が入り続けるとは限らず、たまにLとなることがあるが、アップダウンカウンタではカウンタ値が0にならなければ入光判定を維持することになるため、誤判定を回避することができる。
出力回路11は、判定ロジック回路10による判定結果を外部に出力するものである。
なお以下では、制御ロジック回路13は、外部のマイコン等からのデータを元に分流位置を設定して分流制御回路12に対する制御信号を生成する。
光電センサでは、投光素子2から検出領域に光が投光され、当該検出領域に存在する検出体により上記光が反射されると、例えば図2に示すように多分割フォトダイオード3上に光が受光される(受光スポット201)。この多分割フォトダイオード3を構成する各フォトダイオードPDには、分流回路4がそれぞれ接続されている。そして、この分流回路4を構成するトランジスタTr1,Tr2のベース電圧の差によって、フォトダイオードPDに流れる電流をIVアンプ6側とIVアンプ7側とに分けることができる。その後、各分流回路4により分流された電流をそれぞれ加算し、IVアンプ6,7で電圧変換した後、演算回路8で電圧差を検出する。ここで、多分割フォトダイオード3上の受光スポット201の位置は、検出体までの距離により変化する。よって、上記電圧差を用いることで、光量ではなく、距離による検出体の検出が可能となる。
分流制御回路12は、図4に示すように、複数の基準電圧生成用抵抗R1(R1_1〜R1_9)、複数の基準電圧出力線l1(l1_1〜l1_8)、制御電圧生成回路121、複数のスイッチsw1(sw1_0〜sw1_9)から成るスイッチ群122、複数の抵抗R2(R2_1〜R2_9)及び2つの抵抗R3(R3_1,R3_2)を備えている。
また、分流回路4のトランジスタTr1,Tr2には、図示はしていないが、応答速度を確保するためのバイアス電流を流す回路(トランジスタ)が接続される。このバイアス電流を流す回路が正しく動作するためには、基準電圧Vref及び制御電圧Vcntは、2×VBE(ベースエミッタ間電圧)≒1.4V以上の電圧が必要となる。そのため、IVアンプ6,7の入力端子の電圧は、今回のような8個のフォトダイオードPDで基準電圧差が0.1Vとすると、1.4+0.1×8=2.2V以上にしないと分流回路4が飽和領域となることがあり、正しく動作しなくなる。また、IVアンプ6,7の入力電圧範囲の上限もあり、入力電圧をあまり高くすることもできない。よって、これらを考慮して基準電圧Vref及び制御電圧Vcntを決める必要があり、また、VH,VLはこれらを考慮して決められる。
抵抗R3は、両端に位置する基準電圧生成用抵抗R1に直列接続されたものである。
制御電圧生成回路121は、一対の接続線l2(l2_1,l2_2)、複数の制御電圧生成用抵抗R4(R4_1〜R4_n)、複数のスイッチsw2(sw2_1〜sw2_n)から成るスイッチ群1211及び制御電圧出力線l3を備えている。
実施の形態2では、分流制御回路12の別の構成例について、図6を用いて説明する。図6の例では、8個の分流回路4に対する分流制御回路12の構成例を示している。
実施の形態2における分流制御回路12は、図6に示すように、複数の基準電圧生成用抵抗R5(R5_1〜R5_4)、制御電圧生成回路121、スイッチ切替え回路123、複数の基準電圧出力線l1(l1_1〜l1_8)、複数の抵抗R6(R6_1〜R6_5)及び2つの抵抗R7(R7_1,R7_2)を備えている。
抵抗R7は、両端に位置する基準電圧生成用抵抗R5(端部に制御電圧生成回路121が位置する場合には制御電圧生成回路121)に直列接続されたものである。
なお、図4に示す実施の形態1の分流制御回路12で基準電圧の電圧間隔を0.1Vとした場合、図6に示す実施の形態2の分流制御回路12において、電圧VR1〜VR6の電圧間隔を0.1Vとすることで、実施の形態1と同様の動作が可能となる。
同様に、制御電圧がVref6〜Vref7の間の電圧となる場合、図7(b)に示すように、基準電圧Vref1〜Vref3をVref4としても結果の誤差は無視できるレベルになる。
実施の形態3では、制御電圧生成回路121の別の構成例について、図8を用いて説明する。
実施の形態3における制御電圧生成回路121は、図8に示すように、一対の接続線l2(l2_1,l2_2)、複数の第1の制御電圧生成用抵抗R8(R8_1〜R8_8)、分圧回路1212及び、複数のスイッチsw3(sw3_0〜sw3_9)から成るスイッチ群1213を備えている。なお以下では、制御電圧生成回路121が実施の形態1の分流制御回路12に適用される場合を示す。
分圧回路1212は、一対の接続線l4(l4_1,l4_2)、複数の第2の制御電圧生成用抵抗R9(R9_1〜R9_n)、複数のスイッチsw4(sw4_1〜sw4_n)から成るスイッチ群12121及び制御電圧出力線l3を備えている。
実施の形態1〜3の分流制御回路12では、制御電圧及び基準電圧を、抵抗を用いた分圧により生成している。そのため、分流回路4に大きな電流が流れる場合には、分流回路4のトランジスタTr1,Tr2のベース電流が流れ、誤差が大きくなることがある。実施の形態4では、これを解消する構成を示す。
図9はこの発明の実施の形態4における分流制御回路12の構成例を示す図である。この図9に示す実施の形態4における分流制御回路12は、図6に示す実施の形態2における分流制御回路12に、バッファ回路124,125を設けたものである。その他の構成は同様であり、同一の符号を付してその説明を省略する。
電流源Is1は、定電流を流すものである。
トランジスタTr3は、ベース端子が基準電圧出力線l1に接続され、エミッタ端子が電流源Is1に接続され、コレクタ端子に電源電圧Vccが印加されるものである。
電流源Is2は、定電流を流すものである。
トランジスタTr4は、ベース端子が基準電圧出力線ls1に接続され、エミッタ端子が電流源Is2に接続され、コレクタ端子に電源電圧Vccが印加されるものである。
2 投光素子
3 多分割フォトダイオード
4 分流回路
5 加算部
6 IVアンプ
7 IVアンプ
8 演算回路
9 弁別回路
10 判定ロジック回路
11 出力回路
12 分流制御回路
13 制御ロジック回路
121 制御電圧生成回路
122 スイッチ群122
123 スイッチ切替え回路
124 バッファ回路
125 バッファ回路
1211 スイッチ群
1212 分圧回路
1213 スイッチ群
12121 スイッチ群
Claims (5)
- 複数のフォトダイオードが配列された多分割フォトダイオードと、前記フォトダイオード毎に接続され、基準電圧と制御電圧との差から分流比率が設定される複数の分流回路とを備え、設定距離を用いて検出体の検出範囲を設定する光電センサにおいて、
前記分流回路毎に、前記フォトダイオードの一方の配列方向に沿って、前段の前記分流回路に対する前記基準電圧の電圧値以上となる前記基準電圧をそれぞれ設定し、且つ、全ての前記分流回路に対して、全ての前記基準電圧を含む範囲の中から1つの共通の前記制御電圧を設定する分流制御回路を備え、
前記分流制御回路は、
2つの電圧間に直列接続された複数の基準電圧生成用抵抗と、
前記基準電圧生成用抵抗に直列接続され、前記基準電圧生成用抵抗の機能と、接続される電圧間から前記制御電圧を生成する機能とを有する制御電圧生成回路と、
前記基準電圧生成用抵抗及び前記制御電圧生成回路により分圧された電圧を、前記分流回路毎の前記基準電圧として振り分けるスイッチ切替え回路部とを備えた
ことを特徴とする光電センサ。 - 前記分流制御回路は、
前記制御電圧生成回路及び前記基準電圧生成用抵抗毎に並列接続された複数の抵抗を備えた
ことを特徴とする請求項1記載の光電センサ。 - 前記制御電圧生成回路は、
前記接続される電圧間に直列接続された複数の制御電圧生成用抵抗と、
前記制御電圧生成用抵抗により分圧された電圧のうちの1つを前記制御電圧として選択するスイッチ群とを備えた
ことを特徴とする請求項1又は請求項2記載の光電センサ。 - 前記制御電圧生成回路は、
前記接続される電圧間に直列接続された複数の第1の制御電圧生成用抵抗と、
接続される第2の電圧間から前記制御電圧を生成する機能を有する分圧回路と、
前記分圧回路をいずれかの前記第1の制御電圧生成用抵抗と置き換えるスイッチ群とを備え、
前記分圧回路は、
前記接続される第2の電圧間に直列接続された複数の第2の制御電圧生成用抵抗と、
前記第2の制御電圧生成用抵抗により分圧された電圧のうちの1つを前記制御電圧として選択するスイッチ群とを備えた
ことを特徴とする請求項1又は請求項2記載の光電センサ。 - 前記分流制御回路は、
前記基準電圧の出力に設けられたバッファ回路と、
前記制御電圧の出力に設けられたバッファ回路とを備えた
ことを特徴とする請求項1から請求項4のうちのいずれか1項記載の光電センサ。
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