JP6478231B2 - 分離可能なチップを有するマイクロ流体チップ・パッケージ又は組立体の製造 - Google Patents

Description

本発明は、一般にマイクロ流体チップ・パッケージ又は組立体の製造に関する。これは、具体的には、同じウェハ上で幾つかのマイクロ流体チップを製造する方法に向けられる。

マイクロフルイディクスは一般に、液体を、ポンプ輸送し、サンプリングし、混合し、分析し、及び適量を投与する（dose）ために用いられる微細加工された装置を指す。その顕著な特徴は、マイクロメートル長のスケールで液体が示す特有の挙動に起因する。マイクロフルイディクス内の液体の流れは、典型的には層流である。マイクロメートル域の横方向寸法を有する構造体を製造することにより、１ナノリットルより十分に小さい容積を達成することができる。大スケールにおいては（反応物の拡散により）制限される反応を、加速することができる。最後に、液体の平行流をおそらくは正確に且つ再現可能に制御することが可能であり、液体／液体及び液体／固体界面で化学反応及び勾配を生じさせることが可能になる。マイクロフルイディクスは、従って生命科学における様々な用途に使用される。マイクロ流体装置またはマイクロフルイディクスは、一般にマイクロ流体チップと呼ばれる。

例えば、マイクロ流体に基づくバイオアッセイは、液体試料をマイクロ流体流路の内側に通すことを必要とする。流れ条件（通過する体積及び流速）が、アッセイの結果に影響を及ぼすので重要である。マイクロ流体流路の内側に液体を流すための幾つかの方法及び装置が開発されているが、これらの方法は、自由度を欠くか、又は限られたタイプの試料及び流れ条件で動作する。

さらに、Ｓｉウェハのような半導体ウェハを用いたマイクロ流体チップの製造は魅力的であるように思わる。過去数十年間にわたって集積回路に関して恒常的に開発されてきた既存のプロセスの範囲から恩恵を受けて、正確なマイクロ流体構造体を得ることを期待することができる。しかし、半導体ウェハ加工において行われるのとは反対に、マイクロフルイディクスは、一般に深い構造体、即ち、およそ数マイクロメートル、２０マイクロメートルまで又はもっと深い構造体を有する。多くの場合、５マイクロメートルで既にマイクロ流体用途では浅い深さと見なされるが、その理由は、そうした浅い深さは、液体に対して大きな水圧抵抗を生じさせる場合があり、マイクロビーズ又は粒子を妨げるか又はそれらで詰まってしまう場合があり、そしてまた、そのような浅い深さは、細胞含有試料には不適合である場合もあるからである。結果として、既存の半導体ウェハ・プロセスは、マイクロ流体チップ製造に必要とされる要件に不適合ではないにしても、製造プロセス及び製造コストの両面で課題を抱えている。

本発明の課題は、上記の問題を克服するマイクロ流体チップ・パッケージ又は組立体の製造方法を提供することである。

第１の態様によれば、本発明は、マイクロ流体チップ・パッケージ又は組立体の製造方法であって、
基板の面上に１つ又は複数のマイクロ流体構造体含む少なくとも１つのブロックを有する基板を準備するステップと、
部分的切除部を得るように基板を部分的に切削し、その結果、部分的切削部のレベルにおける基板の残余の厚さがブロックの個片化を可能にするような厚さになる、ステップと、
ブロックを洗浄するステップと、
ブロックを被覆するようにカバーフィルムを貼付し、これにより被覆されたブロックが得られ、貼付されたカバーフィルムは、それでもなお、各々の被覆されたブロックの個片化を可能にするようになっており、各々の被覆されたブロックが個片化後のマイクロ流体チップに対応する、ステップと、
を含む方法によって具体化される。

典型的には、準備された基板は、各々が基板の面上にマイクロ流体構造体を含む複数のブロックを有し、貼付されたカバーフィルムは、複数のブロックを被覆し、部分的切削部及び貼付されたカバーフィルムは、ブロックの各々の個片化を可能にするようになっている。

好ましくは、基板内を部分的に切削するステップは、部分的切削後の基板の残余の厚さが、ブロックを手作業で、好ましくは劈開することによって分離できるような厚さとなるように行われる。

好ましい実施形態において、貼付されるカバーフィルムは、既存の又は後で製造されるマイクロ流体チップ組立体の構造体に対応するパターンを形成する開口を備える。

好ましくは、貼付されるカバーフィルムは、ドライフィルム・レジストであり、カバーフィルムは、エポキシ樹脂を含むこと、積層シートであること、及び、３乃至５ギガパスカルのヤング率を有すること、のうちの１つ又は複数の条件を満たす。

実施形態において、貼付されるドライフィルム・レジストの厚さは、１０乃至１００μｍ、好ましくは３０乃至７０μｍである。

好ましくは、カバーフィルムを貼付するステップは、カバーフィルム及びバッキング・フィルムを含む少なくとも２つの層を備えたフィルムを準備するステップと、カバーフィルムを、基板の面の露出表面に、バッキング・フィルムを押圧することにより、好ましくはバッキング・フィルムを貼り合わせることにより、貼付するステップと、バッキング・フィルムを除去するステップと、を含む。

好ましい実施形態において、フィルムを準備するステップは、パターン形成されたカバーフィルムを貼付する前に、カバーフィルムを、好ましくは、フォトリソグラフィ、切削、打抜き、又はレーザ・アブレーションのうちの１つによってパターン形成して、既存の又は後で製造されるマイクロ流体チップ組立体の構造体に対応するパターンを形成する開口を備えたカバーフィルムを得ることをさらに含む。

好ましくは、準備された基板のブロックは、面上にマイクロ流体マイクロチャネルを備え、マイクロチャネルの平均深さ又は断面直径は、５乃至５０マイクロメートル、好ましくは１０乃至２０マイクロメートルである。

実施形態において、本方法は、洗浄するステップの後で且つカバーフィルムを貼付するステップの前に、マイクロ流体構造体の中に試薬を入れるステップをさらに含み、試薬を入れるステップは、基板の少なくとも２つの異なるブロックのマイクロ流体構造体のそれぞれの中に、又は同じブロックの１つ又は複数のマイクロ構造体の中に、少なくとも２種類の試薬を入れるステップを含むことが好ましい。

別の態様によれば、本発明は、マイクロ流体チップ・パッケージ又は組立体であって、
各々のブロックが基板の面上にマイクロ流体構造体を含むブロックを有する基板であって、基板が、基板の厚さの中に延びる部分的切削部を含み、部分的切削部のレベルにおける基板の残余の厚さが、好ましくは手作業で、ブロックの各々の個片化を可能にするような厚さになっている、基板と、
ブロックを被覆し、それにより被覆されたブロックを形成するカバーフィルムであって、貼付されたカバーフィルムは、カバーされたブロックの各々の個片化を可能にするようなものであり、各々の被覆されたブロックが個片化後のマイクロ流体チップに対応する、カバーフィルムと、
を備えた、マイクロ流体チップ・パッケージ又は組立体として具体化される。

好ましい実施形態において、カバーフィルムは、ドライフィルム・レジストであり、２０乃至１００μｍ、好ましくは３０乃至７０μｍの厚さを有する。

好ましくは、カバーフィルムは、１つ又は複数のブロックのマイクロ流体構造体に対応するパターンを形成する開口を備え、マイクロ流体構造体は、
電気コンタクト開口、
液体装填パッド、及び
空気口、
のうちの１つ又は複数である。

さらに別の態様によれば、本発明は、かかるマイクロ流体チップ・パッケージ又は組立体の使用により具体化され、マイクロ流体チップ組立体は、受領者に提供され、受領者は、組立体から１つ又は複数のブロックの少なくとも１つを分離する。

最後の態様によれば、本発明は、上記の方法により、又は上記のマイクロ流体チップ・パッケージ又は組立体から、被覆されたブロックをパッケージ又は組立体から分離することによって得ることができるマイクロ流体チップとして具体化され、チップは、被覆されたブロックを含み、その外周に、劈開面又は分断破断部のような、部分的切削部の残りの痕及び個片化の残りの痕を示す。

次に、本発明を具体化する装置及び方法を、非限定的な例として、添付の図面を参照しながら説明する。図面に描かれた技術的特徴は必ずしも一定尺度で描かれていない。

実施形態による、製造方法の高次ステップを概略的に示す。ステップは、チップ・パッケージ又は組立体の、その１つのブロックに焦点を当てた略部分断面図を用いて示される。 図１に対応する立体（略）図である。 実施形態による、製造方法の高次ステップを概略的に示す。ステップは、チップ・パッケージ又は組立体の、その１つのブロックに焦点を当てた略部分断面図を用いて示される。 図２に対応する立体（略）図である。 実施形態による、製造方法の高次ステップを概略的に示す。ステップは、チップ・パッケージ又は組立体の、その１つのブロックに焦点を当てた略部分断面図を用いて示される。 実施形態による、製造方法の高次ステップを概略的に示す。ステップは、チップ・パッケージ又は組立体の、その１つのブロックに焦点を当てた略部分断面図を用いて示される。 実施形態による、製造方法の高次ステップを概略的に示す。ステップは、チップ・パッケージ又は組立体の、その１つのブロックに焦点を当てた略部分断面図を用いて示される。 実施形態による、製造方法の高次ステップを概略的に示す。ステップは、チップ・パッケージ又は組立体の、その１つのブロックに焦点を当てた略部分断面図を用いて示される。 図５に対応する立体（略）図である。 実施形態による、製造方法の高次ステップを概略的に示す。ステップは、チップ・パッケージ又は組立体の、その１つのブロックに焦点を当てた略部分断面図を用いて示される。 実施形態による、製造方法の高次ステップを概略的に示す。ステップは、チップ・パッケージ又は組立体の、その１つのブロックに焦点を当てた略部分断面図を用いて示される。 実施形態による、製造方法の高次ステップを概略的に示す。ステップは、チップ・パッケージ又は組立体の、その１つのブロックに焦点を当てた略部分断面図を用いて示される。 図８に対応する立体（略）図である。 図８に別に示され、実施形態に伴う、１つのチップの個片化を示す写真である。 （ａ）−（ｄ）は、それぞれ、実施形態に伴うステップＳ１、Ｓ３、Ｓ５及びＳ８（図１、図３、図５及び図８にも示される）を示す写真である。（ａ）カッティング・プロッタを用いてパターン形成されたドライフィルム・レジストが、（ｂ）部分的にダイシングされたウェハ上に位置合せされ、貼合せされ、これが（ｃ）手作業で劈開され、使用出来る状態の単一チップが得られる（ｄ）。 実施形態による、わずかに傾けられたマイク流体チップの画像であり、マイクロ流体チップのダイシングされた部分（上部）及び劈開された部分（底部）を示す。

以下の説明は、次の様に構成される。まず、一般的な実施形態及びハイ・レベルな変形を説明する（第１節）。次の節は、より具体的な実施形態及び技術的実装の詳細を扱う（第２節）。

１．一般的な実施形態及びハイ・レベルな変形
図１〜図１１を参照して、最初に、マイクロ流体チップ・パッケージ又は組立体１の製造方法に関する本発明の態様を説明する。本質的に、これらの方法は以下のステップを中心に展開する。
１．第１に、基板１０、３０が準備される（ステップＳ１）（図１、図１ａ）。基板は、１つ又は（多くの場合）複数のブロック１４、１４ａを呈示する。各ブロックは、基板の主面Ｆ上に見られる１つ又は複数のマイクロ流体構造体２０、２４、３４を含む。かかるマイクロ構造体は、既に機械工作されたものであるか、又はプロセスのこの段階で例えば当該分野で知られた方法に従ってパターン形成されるものであると仮定される。以下、特定のパッケージの製造に関する場合を除いて、一般に幾つかのブロックが存在するものと仮定する。幾つかのブロックが存在する場合、本製造方法は、マイクロ流体チップの組立体の製造に関するものとなる。「マイクロ流体構造体」（また「マイクロ構造体」又は「マイクロ流体構造部」とも）の概念は、本技術分野において、マイクロ流体マイクロチャネル２０、液体装填パッド２４、電気コンタクト開口、キャピラリ・ポンプ３４などのような構造部を示すのに広く用いられる。このようなマイクロ流体構造体の例は、特に図１ａに描かれたブロック内で見ることができる。
２．第２に、基板１０、３０を部分的に切削して（ステップＳ２）、部分的切削部（partial cut）１０ｃを得る（図２、図２ａ）。部分的ダイシングと言うこともできる。得られる部分的切削部１０ｃは、部分的切削部１０ｃのレベルにおける基板の残余の厚さ１０ｒがブロック１４、１４ａの個片化を可能にするようなものとされる。
３．次に、ブロック及びその中のマイクロ構造体が、任意の適切な方法を用いて洗浄される（ステップ４）（図４）。
４．最後に、カバーフィルム６２が、ブロック１４、１４ａを被覆するように、例えばブロック内のマイクロ構造体を封止するように貼付される（ステップＳ５−Ｓ７、図５−図７）。このカバーフィルムは、切削前にチップ組立体を保護するために用いることが所望される場合がある保護フィルムと混同すべきではない。具体的には、カバーフィルムは、マイクロ構造体の中に陥没することなくその上にテントを張るような状態になるのに十分に剛性なものとすべきである。このカバーフィルムは、その他の点ではマイクロ構造体を適宜完成させ、チップのマイクロ流体機能を損なわないようなものとすべきである。それでもなお、カバーフィルムは、貼付されたカバーフィルムが依然として各ブロックの個片化を可能にするように選択され、例えばその目的のために十分に脆性なものとすべきである。

この時点で、チップの組立体（又は、ブロックが１つしか存在しない場合にはパッケージ）が得られ、これをその後のブロックの個片化（ステップＳ８）のためにユーザに提供することができる。被覆された各ブロックは、個片化の後、１つのマイクロ流体チップ（おそらくは使用できる状態）に対応することになる。

ステップＳ２において、「切削（cutting）」は広く解釈すべきであり、部分的切削は、例えば、ダイシング・ソー（図２ａに示す）、ワイヤ・ソーなどを用いて機械的に鋸引きすることにより行うことができ、又は、さらにはスクライビング若しくはレーザ切断などによって行うことができる。切削ステップＳ２は、典型的には、基板の平均平面に対して横断するように切削することによって行われる。これにより、基板１０、３０の厚さの中へ延びる、特に主構成要素の厚さの中、例えば基板の本体１０の厚さの中へ延びる、部分的切削部１０ｃが生じる。

部分的切削は、上方から（図２ａに示すように）、マイクロ構造体を呈示するのと同じ側から行われることが好ましく、その場合、未切削の残余部分１０ｒは下部分である。より詳細には、シリコンのような不透明基板の場合、部分切削は、マイクロ構造体又はダイシング・マークに対してダイシングをより容易に位置合せするために、例えばダイシング・ツール内に存在するカメラの助けを借りて、上方から行うことが有利である。切削すべき領域は、マイクロチャネル又はマイクロ電極（存在する場合）の製造中に製作されたパターン（ダイシング・マーク）によって印を付けることができる。パイレックス、ガラスなどの透明な基板の場合は、ダイシング・マークが両側から見えるので、切削はどちら側から行うこともできる。この場合、基板の露出面Ｆを付加的な保護フィルムによって保護することは、ダイシング・テープが既にその役割を果たすことができるので、必ずしも必要ない。

そのうえ、ステップＳ２は、図２ａでよく分かるように、ブロックの外周に沿った、即ち後のそれらの個片化を可能にするための切削を暗黙的に伴う。しかし、基板用に選択された材料によっては、切削線１０ｃがその後のブロックの個片化を可能にする限り、ブロックの全外周にそって切削することは必ずしも必要ではない場合もある。例えば、切削部が貫通孔である又は貫通孔ではない連続した破線状の切削線で十分な場合もあるが、これは切削ステップを実質的に複雑にすることになるであろう。それゆえ、図２又は図２ａに示すように（そして通常のダイシングとは反対に）基板の厚さ内に部分的な、且つ、図２ａに示すようにブロックの全外周に沿って延びることが好ましいが少なくとも面内に部分的な、切削部１０ｃを得る（ステップＳ２）ことが好ましい。図２ａに示すように、最も効率的なのは、ブロック１４、１４ａの境界を定める配列を形成する線に沿って部分的に切削することである。基板の部分的切削が企図されているので、ステップＳ２の後でも基板は単一片であり、ブロック１４、１４ａは、典型的には互いに同じレベルにある。これに反して、ウェハ・レベル加工では、ダイシングは、通常、ウェハ加工に続いてウェハからダイを分離することを意味し、即ち、ウェハは完全に切断される。

基板は、好ましくは本質的に平坦であり、典型的には、本体１０（例えば、ウェハ）に加えて、本体１０を被覆する１つ又は複数の層３０、３２を含む層状支持構造体である。層３０は、典型的には薄層を含み、これは、金属又は酸化物のような材料、即ち本体１０の材料とは異なる材料を含むことができる。基板はさらに、光パターン形成されたドライフィルム・レジスト３２（例えば、ＰｅｒＭＸ３０２０）又はパターン形成された例えばＳＵ−８などのフォトレジストのような層３２を含むことができ、その中にマイクロ流体構造体２０がその中に定められる。明確にするために、図１〜図８では、マイクロ構造体は、基板１０、３０の中に溝を切ったもの、例えばエッチングしたものと仮定され、他方、図１１の実施形態では、マイクロチャネル２０などのマイクロ構造体は、光パターン形成されたドライフィルム・レジスト３２内に定められるものとする。

本体１０は、切削Ｓ２に先立って、マイクロ流体構造体の反対側にあるダイシング・テープ１１上に取り付けられることが好ましい。テープ１１は、本体１０を例えば薄い金属薄板フレーム上に保持するための粘着性バッキングを有することができる。ダイシング・テープ１１は、より一般的には、切削Ｓ２中に本体を保持し維持するための、本体１０を支持する任意の構造体とすることができる。テープ１１は、普通は洗浄溶媒に耐えられないので、典型的には切削Ｓ２の後に除去される。保護フォトレジスト層を切削前に例えば保護のために施すことができ、その場合には、それは洗浄前又は洗浄中に除去されることになる。

切削後、基板全体を洗浄することができる（ステップ４）。洗浄ステップＳ４は、好ましくは、基板を濯ぐこと及び乾燥することもまた伴うことになる。また、この時点で、任意のマイクロ構造体をその上に含む組立体１に、所望の用途に応じて、表面処理、機能化などを施すことができる。

次のステップＳ５−Ｓ７は、マイクロ流体構造体を被覆し、そして可能であればそれらを完成するように、例えば各ブロック内のチャネル２０を閉鎖するように、カバーフィルムを貼付することを目的とする。単一のカバーフィルムを貼付して基板上の全てのマイクロ構造体を被覆することが好ましいが、必要であれば複数層を企図することもできる。従って、カバーフィルム６２は、部分切削Ｓ２及び洗浄Ｓ４の後で、且つ、その後のいずれかの個片化ステップＳ８の前に、基板レベルでも貼付される。前述のように、カバーフィルム６２は、別に切削Ｓ２の前に貼付されてその後に除去される保護フォトレジスト・フィルムとは区別しなければならない。実際、保護フィルムは、被加工ウェハを保護するために、普通はダイシング前に貼付される。本明細書では、カバーフィルム６２は、部分的に切削された基板に、切削及び洗浄後（例えば、濯ぎ、洗浄及び乾燥後）に貼付されるので、清浄なマイクロ流体構造体が、組立体全体に対して、即ち基板レベルで得られるが、それは今まではチップ・レベルでのみ行われていたことである。上記の解決策は、切削Ｓ２、洗浄Ｓ４、表面処理（もしあれば）及び試薬組込みＳ４ａ（もしあれば）、例えば封止に先立って行われる任意の１つ又は複数のステップが、湿潤環境で行われるべきものであるときに、さらに有利である。露出した表面がひとたびカバーフィルム６２で封止されると、組立体を個片化することができ、得られたダイは直ちに使用することができる。

チップを診断などの生物学的用途に使用する場合、チップ及びカバーを、チップの封止及びチップ個片化の前に７０％エタノールのような化学物質を用いて滅菌することもできることは注目に値する。従って、切削及び表面調製中の閉じたチャネル内への液体の対抗する(adversary）充填のリスクが防止される。

特に興味深いのは、部分的切削Ｓ２及び洗浄Ｓ４の後にマイクロ流体構造体の中に試薬を入れる可能性である。従って、本方法は、１つ又は複数のマイクロ流体構造体、例えばマイクロチャネル内に試薬を入れる中間ステップＳ４ａを含むことができる。相応して、実施形態による装置は、そのような試薬をマイクロ構造体内に含むことができる。そのために、例えば試薬を含んだ溶液をマイクロチャネル内にインクジェット・スポッタを用いて添加し、その試薬を乾燥させることができる。その場合、低温（例えば、およそ４５度）でのドライフィルム・レジストの貼合せが、このプロセスはタンパク質などの試薬を著しく損なわないという理由で理想的である。このように、装置をカバーフィルム６２で被覆する前に試薬を組み込む機会が提供される。異なる試薬をそれぞれのブロック１４、１４ａの中に入れることが可能であり、又は、同じブロックの異なるマイクロ構造体２０の中に入れることさえ可能である。この機会は、生化学的に機能化されたマイクロ流体装置の大量生産への道を拓く。

先に触れたように、基板１０、３０は、各々がマイクロ流体構造体を含む（基板の面Ｆ上に機械加工されるか又はそれ以外の方法で設けられる、図１、図１ａ）幾つかのブロック１４、１４ａを有することが好ましい。その場合、貼付されるカバーフィルム６２は、全てのブロック１４、１４ａを被覆する。得られた部分的切削部１０ｃ及び貼付されたカバーフィルム６２は、それでもなおブロック１４、１４ａの個片化を可能にするようになっている。変形において、１つのブロックのみが設けられ、その場合、方法は特定のパッケージの製造に限定され、その場合、基板の外側横部分、即ち部分的切削部を越えた部分は、唯一のブロックをより良く保護し、操作し及び輸送するのに役立つ。

次に、より具体的に図９を参照すると、基板を部分的切削するステップＳ２は、部分的切削Ｓ２後の基板の残余の厚さ１０ｒが、ブロックを、手作業で、例えばブロック１４、１４ａを劈開することによって分離することを可能にするように行われることが好ましい。本体１０、例えばＳｉウェハは、典型的にはチップ組立体の主たる機械的支持体であり、そのため、組立体の機械的性質（堅牢性を初めとして）は主として本体１０によって決まる。従って、切削Ｓ２後の部分的切削部１０ｃのレベルでの本体１０（より一般的には全体としての基板１０、３０）の残余の厚さ１０ｒは、この場合、手によるその後の個片化を可能にするようなものでなければならない。

幾つかのチップが効率のために同じウェハから製造されるので、部分的切削は、各ブロック１４、１４ａの周りで行われる（図２ａ参照）。切削後の本体１０の残余の厚さ１０ｒは、関与する材料に応じて、それが手作業で劈開可能であるように調整され（図２）、従っていかなるユーザも図９に示すように個片化を行うことができる。従って、チップの横方向組立体、即ちブロック１４、１４ａを、単一物品としてユーザに提供することができる。ユーザはその後、機器を何ら用いることなくブロックを分離することができる。先に言及したように、変形において、使われていない横方向基板部分で囲まれた単一のブロック１４をユーザに提供することができ、この横方向基板部分は、個片化を可能にする部分的切削部１０ｃによって単一ブロックから部分的に分離される。

部分的切削部は、使われていない領域のレベルで得られることが好ましい。さらに、製造プロセスのさらなる最適化は、可能であれば例えば半分に切削（Ｓ２）することができる、電気コンタクト又は空気口のような、１つのブロック１４から別の隣接するブロック１４ａに延びる幾つかの機能構造部を設計することを導くことができる。これは、最後に、２つ又はそれ以上の隣接するダイのための電気コンタクト、空気口などを提供し、これは製造ステップを簡略化し、初期基板上のスペースを節約することを可能にするものである。

Ｓｉウェハ又はガラス基板を用いて行った試験は、部分的切削Ｓ２後の本体１０の残余の厚さ（ｔ_ｒと呼ぶ）を、好ましくは、初期厚（又はｔ_ｉ）、即ち部分的切削前の厚さの半分近くにすべきであるとの結論を導いた（添付の図面は必ずしも一定尺度で描かれてはいない）。例えば、最も満足すべき結果は、ｔ_ｒ＝ｘｔ_ｉで、ｘ∈［０．４３−０．５２］のときに得られた。さもなければ、本発明者が結論したように、本体は、十分に堅牢にはならず、その後の製造ステップ、即ち、洗浄、カバーフィルム貼合せなどの間に破損することがある。その一方で、ユーザがチップを個片化することを可能にするためには、残余の厚さをあまり大きくするべきではない。初期のウェハ厚ｔ_ｉは、典型的にはウェハのサイズに依存し、例えば４インチ・ウェハの５２５μｍから、１２インチ・ウェハの７７５μｍに至る。最良の結果は、例えば、約２５０〜３００μｍまで部分的に切削された４インチＳｉウェハに関して得られた。満足できるトレードオフは、Ｓｉウェハの場合、部分的切削後に５００μｍ未満、より好ましくは３００μｍ未満の残余の厚さを得ることである。ガラスのウェハの場合、ガラスは結晶面を有しないので、より容易な破断を達成するためには、Ｓｉウェハの場合よりも典型的には５０μｍ大きい、３００乃至３５０μｍの切削深さが好ましい。

次に図３、図５を参照すると、貼付される（Ｓ５−Ｓ７）カバーフィルムは、マイクロ流体チップ組立体の、既存の又は後で製造される構造体に対応するパターンを形成する開口６２ｏを含むことができる。従って、カバーフィルムは、その後の、空気口、液体装填パッド、電気コンタクトなどのようなその他のマイクロ流体構造体の製造ステップに有利になるように設計することができる。これは、付随的にダイの保護も行う。前述のように、組立体１の露出表面は、製造プロセスのより初期の又はより後期の段階で別に保護することができる。それでも、いずれの保護フィルムもカバーフィルム６２を貼付する前に除去され、カバーフィルム６２は、切削Ｓ２の後、且つ個片化Ｓ８の前に貼付される。フィルム６２の一部は、典型的には切削部１０ｃをも被覆することになるが、カバーフィルムは個片化を可能にするように選択されているので、これを避ける理由はない（これを避けると、フィルム６２のパターン形成及び付着を実質的に複雑にすることにもなる）。

カバーフィルム用に幾つかの材料を考えることができる。とはいえ、貼付されるカバーフィルムはドライフィルム・レジスト６２であることが好ましい。さらに、ドライフィルム・レジストは、エポキシ樹脂を含むことができる、積層シートとすることができる、及び／又は３乃至５ギガパスカルのヤング率を有することができる、ことが好ましい。これらの条件のいずれかを満たすと、カバーフィルムの特性が向上する。幾つかの用途に対して、特にブロックを手作業で劈開する場合には、ポリエポキシドフィルムが最適であることが見いだされた。これらは、特に、マイクロ構造体（例えば、マイクロチャネル２０）の上で陥没せずにテントを張るような状態になるのに十分に剛性であり、そのマイクロ構造体は典型的には１００〜２００μｍ幅である。それでも、カバーフィルム６２は破断を可能にするのに十分なほど脆性であり、それでもなお表面に対する顕著な接着性を有し、それにより層間剥離及び漏れが防止される。最も実際的なのは、以下で詳しく説明するように、初期状態で積層シートとして供給されるカバーフィルムを使用し、これを基板の表面上に貼付することである。

変形において、シリコン又は薄いガラスのような十分に剛性の任意のカバーフィルムを考えることができる。カバーのヤング率は、典型的には３乃至２００ギガパスカルにすべきである。光学的に透明な材料が必要な場合にはガラスを使用することができるが、しかしガラスは、普通は光学的に透明であるので後の観測／検出を可能にするドライフィルム・レジストよりも、それほどきれいではない分断破断部（parting breaks）、界面などを結果としてもたらす。

完全を期すために、より洗練された手法、例えば（ｉ）ドライフィルム・レジストをガラスの上に貼付し、（ｉｉ）次に、このフィルム／ガラス層をマイクロ流体構造体の上に別の貼付ステップにより接合する（ドライフィルムがマイクロ構造体と接触する）こと、を用いることができる。後者の手法は、ドライフィルムでは十分に耐えられない高圧流体用途には興味深い。より一般的には、中間ドライフィルム接着層を用いて任意の適切な材料を接合することを試みることができる。

本発明者によって行われた多くの試験によれば、最良の結果は、貼付されたドライフィルム・レジスト６２の厚さが１０乃至１００μｍである場合に得られた。満足できる結果は既に１４μｍ厚のフィルムを用いて得られていたが、最適の結果は、約５０μｍ±２０μｍの場合に得られた。カバーフィルム自体は（どんな材料で作られたものであっても）、満足できる接着性及び封止を保証するために厚さのばらつきが５％未満であることが好ましいであろう。

例えば、非常に好ましい材料は、米国オハイオ州所在のＥｎｇｉｎｅｅｒｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ，Ｉｎｃ社（ＥＭＳ）製の５０μｍ厚ＤＦ−１０５０から成るドライフィルム・レジストであり、これは本明細書で説明するような用途に関して顕著な機械的性能を提供する。この材料は、本質的に、エポキシ樹脂、６−グリシジルオキシナフト−１−イルオキシメチルオキシラン、及びアンチモンを含む。

次に図５−図７を参照すると、好ましい実施形態において、カバーフィルム６２を貼付するステップＳ５−Ｓ７は次のように行われる。
・第１に、少なくとも２つの層、即ち、カバーフィルム６２自体並びにバッキング層６１を含むフィルム６０が準備される（Ｓ３ａ−ｃ）。
・第２に、カバーフィルム６２が、図５に示すように、バッキング・フィルム６１を押圧することにより、好ましくはバッキング・フィルム６１を貼り合わせる（Ｓ５）ことにより、基板の露出表面に（即ち、面Ｆ上に）貼付される。ここで「露出表面」は、製造プロセスの所与の段階でさらなる処理のためにアクセス可能な表面を意味する。
・第３に、バッキング・フィルム６１が除去される（Ｓ６）。
フィルム６２を貼付する実用的な方法は、実際にこれを別の層６１を介して間接的に表面に押し付けることである。ドライフィルム６２とチップとの位置合せは、例えばチップ表面及びフィルム６１、６２のいずれかの、両方のマークを用いて手動で行うことができ、又は任意の適切な位置合せツールにより行うことができる。

ステップＳ３ａ−ｃ（図３）は、特にカバーフィルム６２をパターン形成するステップＳ３ｃを含むことができる。これは、好ましくはフォトリソグラフィ、切削、打抜き又はレーザ・アブレーションにより、好ましくはパターン形成されたカバーフィルム６２を貼付するステップＳ５に先立って遂行される。このことは、マイクロ流体チップ組立体の既存の又は後で製造される構造体に対応するパターンを形成する開口６２ｏを含む、カバーフィルム６２、例えばドライフィルム・レジストを得ることを可能にする。つまり、パターンは、組立体１の露出表面上の既存の構造部２０又は後で製造される構造部に対応する、即ち機能的に適合する必要がある。有利なのは、後期段階で製造すること又は取付けることができる構造部である電気コンタクト開口６２ｏ、液体装填パッド、空気口などを後で設けることを可能にするようにパターン形成されたドライフィルムである。少なくとも幾つかの実施形態においては、パターンは既存の構造部２０に対応し、追加の構造部を製造する必要はないので、チップは、カバーフィルム６２の貼付後及び個片化後には使用できる状態になる（自律型チップ）。

図３及び図１０に見られるように、フィルム６０は、当初は２つのバッキング・フィルム６１、６３の間に挟まれたドライフィルム・レジストとして準備する（Ｓ３ａ）こともできる。２つのバッキング・フィルムのうちの一方６３は、ドライフィルム・レジスト６２のパターン形成（Ｓ３ｃ）の前に又は後で除去される（Ｓ３ｂ）が、もう一方のバッキング・フィルムは貼合せのために保持される。即ち、幾つかの変形においては、フィルム６３はパターン形成の前に除去されるが、他の変形においてはスタック６１−６３全体がパターン形成され（図３で明らかな順序に反して）、これは、使用されるパターン形成技術によっては、より容易、且つよりクリーンな場合がある。中間の解決策もまた可能である。例えば、
−フォトリソグラフィが用いられる場合、最初に多層フィルム６１−６３をＵＶで露光し、次にバッキング・フィルム６３を除去してパターンを現像する。
−レーザ・アブレーションの場合に、材料の厚さを削減するためにレーザ・アブレーションの前にバッキング・フィルム６３を除去する。
−切削／打抜き技術を用いるときは、最初にスタック６１−６３を切削／打抜きし、次にバッキング・フィルム６３を除去することが好ましい。この場合、バッキング・フィルム６１及び６３は、切削時にドライフィルム・レジスト６２を保護する。サンドイッチ状の６１−６３全体に貫通孔を形成した後、保護フィルム６３が貼合せに先立って除去される。

主としてポリマーの高速プロトタイプ試作及びシリコン又はガラスの微細機械加工を伴う、マイクロ流体チップ製造のための種々の方法が開発されている。一般に、チップは、研究目的で１つずつ調製され、又はウェハ・レベル接合とその後のダイシングによって製造される。最後の製造ステップは、通常、ダイシング・ソーのための冷却水などの湿潤媒体を伴い、面倒なチップの取扱いを必要とする。特にキャピラリ駆動型マイク流体チップを製造するときには、ダイシング、洗浄、及び表面処理ステップ中に存在する液体の対抗する(adversary）充填がチャネルを汚染する可能性があるので、特別な注意が必要である。

その代りに、本発明の実施形態は、必須のステップが基板レベル、例えばウェハ・レベルで行われ、時間のかかるチップ毎の加工を排除した、特に処理能力の高いマイクロ流体チップ製造及び個片化を提供する。直ぐに使えるチップの個片化は、チョコレート・バーを割るのと同じほど簡単なものとなり得る。

特に好ましい実施形態は、ウェハを、ダイシング・ソーを用いてウェハ厚の約半分（例えば、５２５μｍ）まで部分的に切削する（Ｓ２）ことである。部分的にダイシングされたウェハは、次に洗浄され、事前にパターン形成されたドライフィルム・レジスト６１−６２がチャネル２０の上に位置合せされ、貼り合わせられる（Ｓ５）。被覆されたマイクロフルイディクス本体が得られる（Ｓ６）。最後に、ダイシング切削部を通して破断することにより、チップを個片化することができる（Ｓ８）。

既に説明したように、カバーフィルム６２の機械的性質が特に重要である。理想的なカバーフィルム６２は、少なくとも特定の用途に関して、（ｉ）チャネルの上で陥没せずにテントを張るような状態になるのに十分に剛性であり、（ｉｉ）破断を可能にするのに十分に脆性であり、（ｉｉｉ）層間剥離及び漏れを防止するように、表面に対する良好な接着性を有し、（ｉｖ）切削、打抜き、又はフォトリソグラフィによるパターン形成が可能であり、（ｖ）チャネルの濡れ性に干渉しないものとすべきである。これらの要件の全ては、前述の好ましい材料の例、即ち、Ｅｎｇｉｎｅｅｒｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ，Ｉｎｃ（ＥＭＳ）製の〜５０μｍ厚のＤＦ−１０５０によって見事に満たされる。

次にマイクロチャネルに関して：実施形態において、ブロック１４は、特にマイクロ流体マイクロチャネル２０をマイクロ構造体の一部として基板の面Ｆ上に含むことができる。このようなマイクロチャネル２０の平均深さ又は断面直径は、好ましくは５乃至５０μｍ、より好ましくは１０乃至２０μｍである。それでも、マイクロチャネルの深さは典型的には一定である。平均すると、マイクロチャネルは、典型的には１００〜２００μｍの幅を有する。それでも、削減された区画では５０μｍ幅を用いることができ、他方、より広い区画では上限５００μｍまで企図することができる。チャネルは、典型的には数ｍｍ長、例えば４ｍｍ又はそれ以上である。チャネルは、本体１０の表面厚さ又はそれに隣接する層３０の中に溝を切る（例えば、エッチングする）ことができ、又は、それ自体で知られた、ドライフィルム・レジスト又はこの目的でコーティングされパターン形成されたＳＵ−８フィルムなどの、本体を被覆する層内に設けることができる。

通常のウェハ加工とは反対に、マイクロフルイディクスは、一般に深い構造体、即ち、およそ数マイクロメートル、２０マイクロメートルまで又はそれ以上の構造体を有する。多くの場合、マイクロ流体用途では、５マイクロメートルで既に浅い深さとみなされる。それには複数の理由があり、そのような浅い深さは液体に対して大きな水圧抵抗を生じさせることがあり、及び、マイクロビーズ又は粒子を妨げるか又はそれらで詰まってしまうことがある。そのような浅い深さは、細胞含有試料には適合しない場合もある。

好ましい基板は、集積回路ＩＣプロセスに関して蓄積された経験からの利益を考慮に入れることができるので、本体１０としてウェハ、例えば、シリコン、ゲルマニウム、ガリウムヒ素ＧａＡｓ、その他のＩＩＩ−Ｖ又はＩＩ−ＶＩ族化合物材料のウェハを含む。しかし、ＩＣプロセスは、特に本明細書において企図しているようなマイクロ流体構造体を製造するためには、普通はそれ自体では用いることはできない。むしろ、上述のように、ＩＣプロセスを、そうした構造体に必要とされる典型的な寸法を達成するように適合させる必要がある。変形において、ガラスを半導体ウェハの代りに用いることもできる。あまり好ましくない変形では、金属などの材料、又はマイクロフルイディクスに一般に用いられるその他の材料が用いられる。

ウェハは、例えば、＜１１０＞方向に平坦な＜１００＞Ｓｉウェハとすることができ、それゆえ上面は＜１００＞方向に法線を有する。従って、面Ｆは、その場合には（１００）面に平行であり、即ち、逆格子ベクトルに基づけば（１００）方向に直交する（Ｓｉのダイヤモンド構造）。

上述の製造方法は、少なくとも１つのブロック１４、１４ａをパッケージ／組立体から分離（個片化）するステップをさらに含んで、個別のチップの製造にまで拡張することができる。

次に、別の態様によれば、本発明は、マイクロ流体チップ・パッケージ又は組立体１として具体化することができる。前述の製造方法と一貫するように、このようなパッケージ／組立体は特に、
−マイクロ流体構造体を中に有する１つ又は複数のブロック１４、１４ａを呈示する、基板１０、３０を含む。部分的切削プロセスＳ２の結果として、基板１０、３０は、基板の厚さの中に延びる部分的切削部１０ｃを呈示する。これらの部分的切削部１０ｃのレベルにおける基板の残余の厚さは、それでもなお、各ブロック１４、１４ａの好ましくは手による個片化を可能にする。さらにこのようなパッケージ／組立体は特に、
−ブロックを被覆するカバーフィルム６２を含む。上述のように、貼付されたカバーフィルムは、それでもカバーされたブロック１４、１４ａの個片化を可能にする。カバーフィルム６２は、好ましくは、例えば厚さが２０乃至１００μｍ（又はより好ましくは３０乃至７０μｍ）のドライフィルム・レジストである。

さらに、カバーフィルム６２は、ブロックのマイクロ流体構造体に対応して、パターンを形成する開口６２ｏを含むことができる。そのようなマイクロ流体構造体は特に、
−電気コンタクト開口、
−液体装填パッド２４、及び
−空気口
を含むことができる。

このようなマイクロ流体チップ・パッケージ又は組立体は、受領者に提供することができ、その受領者は、その後、特別な機器を何ら用いることなく、例えば、単に手作業で、丁度チョコレート・バーを割るように、容易にブロックを個片化することができる。

最後の態様によれば、本発明は、マイクロ流体チップ（本製造方法によって得ることができる）として、又は、同様に、上記のマイクロ流体チップ・パッケージ又は組立体から具体化することができる。チップは、被覆されたブロック１４をパッケージ又は組立体１から分離することによって得られる。従って、得られるチップは、被覆されたブロックの外周に、劈開面又は分断破断部のような、部分的切削部１０ｃの残りの痕及び個片化の残りの痕を呈示することになる。「劈開」は、広義に、結晶基板（例えば、ウェハ）のみならずガラスウェハのような非結晶基板にも適用されることに留意されたい。切削部１０ｃの残留跡は、Ｓｉウェハの場合には研磨された鏡面のように見える（図１１参照）。

上記の実施形態は、添付の図面を参照しながら簡潔に説明されており、多くの変形物に適応させることができる。上記の特徴の幾つかの組合せを企図することができる。例を次節に示す。

２．具体的な実施形態／技術的実装の詳細
上記のマイクロ流体チップ組立体の構想を特に以下のように実証した。装填パッド、１００μｍ幅の蛇行チャネル、及びキャピラリ・ポンプを有するマイクロ流体試験構造体を、５２５μｍ厚のＳｉウェハ上に、ＤｕＰｏｎｔ ＰｅｒＭＸ３０２０の２０μｍ厚ドライフィルム・レジストをパターン形成してＳｉウェハの上面にマイクロ流体チャネルをパターン形成することによって製造した。基板を保護するための薄いフォトレジスト層を塗工した後、ウェハを約２５０μｍの深さまでダイシングした。５０μｍ厚のＤＦ−１０５０ドライフィルム・レジスト（ＥＭＳ、ＵＳＡ）を、ベンチトップ型カッティング・プロッタを用いて切削して、装填パッド及び電気コンタクト用の開口６２ｏを作成した（図１０ａ）。このカバーフィルムを、部分的にダイシングされたウェハ上に位置合せし、積層した（図１０ｂ）。ウェハ接合のような他のマイクロ流体チャネル封止技術と比べて、ドライフィルム積層は、必要な時間及び温度収支(temperature budget）がはるかに少ない。封止されたチップは、その後ウェハを手作業で劈開することによって容易に分離された（図１０ｃ及び図１０ｄ）。劈開されたチップの光学検査は、カバーフィルム上に実質的な構造損傷がないことを示した（図１１参照）。

図１１は、わずかに傾けられたマイクロ流体チップを示す画像であり、切削（ダイシング）部分（上部、隣接する部分的切削部１０ｃ）及び劈開部分（下部、劈開縁１０ｓによって境界を定められる）を示す。チップは、シリコン内にあり、光パターン形成されたドライフィルム・レジスト３２（ＰｅｒＭＸ３０２０）内に画定されたマイクロ流体構造体２４を有する。装填パッド２４の向こうに、チップは、蛇行チャネル（部分的に見える）及びキャプラリ・ポンプ（見えない）を含む。ＤＦ−１０５０層６２は、わずかに大きめの円形開口（外側円形開口）を有し、より厚く、ＰｅｒＭＸ３０２０層３２は、小さめの内側円形パターンを有し、チャネル２０は、この実施形態においては、ＰｅｒＭＸ３０２０層３２内に画定される。

全プロセスのガラス基板への適用性もまた試験され検証された。単一チップのキャピラリ充填のどの程度成功しているか、着色液体を用いて調べることができる。本製造概念は広範に適用可能であり、マイクロ流体の分野全体に影響を及ぼし得る。

本明細書で説明した方法は、ウェハ・ベースのマイクロ流体チップの製造に用いることができる。得られるチップは、特に、未処理ウェハの形態で（即ち、複数のパッケージされていないチップを有する単一のウェハとして）、裸のダイとして、又はパッケージされた形態で製造者によって頒布されることができる。後者の場合、チップは、単一チップ・パッケージ（プラスチック・キャリアなど）内に又はマルチチップ・パッケージ内に取付けられる。いずれの場合でも、チップは、その後、自律型チップの適用が好ましい場合であっても、（ａ）中間製品又は（ｂ）最終製品のいずれかの一部として、他のチップ、又は他のマイクロ流体要素（配管ポート、ポンプなど）と統合することができる。

本発明は、限られた数の実施形態、変形及び添付の図面を参照しながら説明されているが、本発明の範囲を逸脱することなく種々の変更を行うことができること、及び、均等物を置換えることができることが、当業者には理解されるであろう。特に、所与の実施形態、変形において述べられた、又は図面に示された特徴（装置様又は方法様）を、本発明の範囲を逸脱せずに、別の実施形態、変形又は図面における別の特徴と組み合せるか又はそれら別の特徴で置換えることができる。従って、上記の実施形態又は変形のいずれかに関して説明された特徴の種々の組合せが企図され、それは添付の特許請求の範囲内にある。さらに、特定の状況又は材料を本発明の教示に適合させるために、本発明の範囲を逸脱することなく多くの軽微な修正を加えることができる。従って、本発明は開示された特定の実施形態に限定されず、本発明は、添付の特許請求の範囲に入る全ての実施形態を含むことが意図されている。さらに、上記で明確に言及した以外の多くの他の変形を企図することができる。例えば、他の材料を、カバーフィルム６２のために使用することができるであろう。

１：マイクロ流体チップ・パッケージ／組立体
１０：基板の本体
１０、３０：基板
１０ｃ：部分的切削部
１０ｒ：部分的切削部１０ｃのレベルにおける基板の残余の厚さ
１０ｓ：劈開された縁
１４、１４ａ：ブロック（チップ）
２０：マイクロ流体構造体／マイクロチャネル
２４：液体装填パッド
３０：酸化物層
３２：光パターン形成されたドライフィルム・レジスト
３４：キャピラリ・ポンプ
６１：バッキング・フィルム
６２：カバーフィルム
６２ｏ：開口

Claims (14)

1. マイクロ流体チップ・パッケージ又は組立体の製造方法であって、
   基板の面上に１つ又は複数のマイクロ流体構造体を含む少なくとも１つのブロックを有する基板を準備し、
   部分的切削部を得るように前記基板を部分的に切削し、その結果、前記部分的切削部のレベルにおける前記基板の残余の厚さが前記ブロックの個片化を可能にするような厚さにし、
   前記ブロックを洗浄し、
   前記ブロックを被覆するようにカバーフィルムを前記基板に貼付し、これにより被覆されたブロックが得られ、前記貼付されたカバーフィルムは、前記少なくとも１つのブロックそれぞれの前記１つ又は複数のマイクロ流体構造体の少なくとも１つを封止し、かつ、前記基板上の前記部分的切削部の範囲にも延在し、かつ、それでもなお、各々の被覆されたブロックの個片化を可能にするようになっており、各々の被覆されたブロックが個片化後のマイクロ流体チップに対応する
   ことを含む、製造方法。
2. 前記準備された基板は、各々が前記基板の面上に前記マイクロ流体構造体を含む複数のブロックを有し、
   前記貼付されたカバーフィルムは、前記複数のブロックを被覆し、
   前記部分的切削部及び前記貼付されたカバーフィルムは、前記ブロックの各々の個片化を可能にするようになっている、
   請求項１に記載の製造方法。
3. 前記基板を部分的に切削することは、部分的切削後の前記基板の残余の厚さが、前記ブロックを手作業で、好ましくは劈開することによって分離できるような厚さとなるように行われる、請求項１又は請求項２に記載の製造方法。
4. 前記貼付されるカバーフィルムは、既存の又は後で製造されるマイクロ流体チップ組立体の構造体に対応するパターンを形成する開口を備える、請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の方法。
5. 前記貼付されるカバーフィルムは、ドライフィルム・レジストであり、ここで、好ましくは、前記カバーフィルムは、エポキシ樹脂を含むこと、積層シートであること、及び、３乃至５ギガパスカルのヤング率を有すること、のうちの１つ又は複数の条件を満たす、請求項４に記載の方法。
6. 前記貼付されるドライフィルム・レジストの厚さは、１０乃至１００μｍである、請求項４又は請求項５に記載の方法。
7. 前記カバーフィルムを貼付することは、
   前記カバーフィルム及びバッキング・フィルムを含む少なくとも２つの層を備えたフィルムを準備し、
   前記カバーフィルムを、前記基板の前記面の露出表面に、前記バッキング・フィルムを押圧することにより貼付し、
   前記バッキング・フィルムを除去する
   ことを含む、請求項４から請求項６までのいずれか１項に記載の方法。
8. 前記フィルムを準備することは、パターン形成された前記カバーフィルムを貼付する前に、前記カバーフィルムを、好ましくは、フォトリソグラフィ、切削、打抜き、又はレーザ・アブレーションのうちの１つによってパターン形成して、既存の又は後で製造されるマイクロ流体チップ組立体の構造体に対応するパターンを形成する開口を備えたカバーフィルムを得ることをさらに含む、請求項７に記載の方法。
9. 前記準備された基板のブロックは、前記面上にマイクロ流体マイクロチャネルを備え、前記マイクロチャネルの平均深さ又は断面直径は、５乃至５０マイクロメートルである、請求項１から請求項８までのいずれか１項に記載の方法。
10. 前記方法は、洗浄した後で且つ前記カバーフィルムを貼付する前に、前記マイクロ流体構造体の中に試薬を入れることを含む、請求項１から請求項９までのいずれか１項に記載の方法。
11. 前記マイクロ流体構造体の中に試薬を入れることは、前記基板の少なくとも２つの異なるブロックのマイクロ流体構造体のそれぞれの中に、又は同じブロックの１つ又は複数のマイクロ構造体の中に、少なくとも２種類の試薬を入れる、請求項１０に記載の方法。
12. 各々のブロックが基板の面上にマイクロ流体構造体を含むブロックを有する基板であって、前記基板が、前記基板の厚さの中に延びる部分的切削部を含み、前記部分的切削部のレベルにおける前記基板の残余の厚さが、好ましくは手作業で、前記ブロックの各々の個片化を可能にするような厚さになっている、基板と、
    前記ブロックを被覆し、それにより被覆されたブロックを形成するカバーフィルムであって、前記基板に貼付された前記カバーフィルムは、前記ブロックの各々の前記マイクロ流体構造体を封止し、かつ、前記基板上の前記部分的切削部の範囲にも延在し、かつ、前記被覆されたブロックの各々の個片化を可能にするようなものであり、各々の被覆されたブロックが個片化後のマイクロ流体チップに対応する、カバーフィルムと、
    を備えた、マイクロ流体チップ・パッケージ又は組立体。
13. 前記カバーフィルムは、電気コンタクト開口、液体装填パッド、及び空気口のうちの１つ又は複数である構造体に対応するパターンを形成する開口を備える、請求項１２に記載のマイクロ流体チップ・パッケージ又は組立体。
14. 請求項１２または請求項１３に記載のマイクロ流体チップ・パッケージ又は組立体から、被覆されたブロックを分離することによって得ることができるマイクロ流体チップであって、前記チップは、被覆されたブロックを含み、その外周に、劈開面又は分断破断部のような、部分的切削部の残りの痕及び個片化の残りの痕を示す、マイクロ流体チップ。