JP6452782B2 - 反射電子ビームリソグラフィ用リニアステージ - Google Patents
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Description
Claims (63)
- 反射電子ビームリソグラフィ(REBL)に好適なスタック型リニアステージであって、
第1の複数のウェハを第1の軸に沿って第1の方向に第1の選択速度で平行移動させるように構成され、前記第1の複数のウェハを固定するように構成された第1の上部高速ステージと、
第2の複数のウェハを前記第1の軸に沿って前記第1の方向とは反対の第2の方向に第2の選択速度で平行移動させるように構成され、前記第2の複数のウェハを固定するように構成された第2の上部高速ステージであって、前記第1の上部高速ステージの前記平行移動および前記第2の上部高速ステージの前記平行移動は、前記第1の上部高速ステージおよび前記第2の上部高速ステージの動きによって生じる慣性反力を実質的に打ち消すように構成された、第2の上部高速ステージと、
前記第1の上部高速ステージと前記第2の上部高速ステージとを前記第1の軸とほぼ直交する第2の軸に沿って第3の選択速度で平行移動させるように構成され、前記第1の上部高速ステージと前記第2の上部高速ステージとが表面上に配置された搬送ステージであって、前記搬送ステージの前記第3の選択速度が、前記第1の上部高速ステージの前記第1の選択速度および前記第2の上部高速ステージの前記第2の選択速度よりも低速である、搬送ステージと、
を含むスタック型ステージ。 - 前記第2の軸に沿った平行移動のために構成され、前記搬送ステージの動きによって生じる慣性反力に実質的に対抗するように構成されたカウンタマスをさらに含む、請求項1に記載のスタック型ステージ。
- 前記第1の上部高速ステージと前記第2の上部高速ステージのうちの少なくとも一方は長ストロークスキャンステージを含む請求項1に記載のスタック型ステージ。
- 前記長ストロークスキャンステージは磁気浮上ステージを含む請求項3に記載のスタック型ステージ。
- 前記磁気浮上ステージは1組の可変リラクタンスアクチュエータを含む請求項4に記載のスタック型ステージ。
- 前記長ストロークスキャンステージは空気軸受ステージを含む請求項3に記載のスタック型ステージ。
- 前記第1の上部高速ステージと前記第2の上部高速ステージのうちの少なくとも一方は、複数の短ストロークスキャンステージをさらに含む請求項1に記載のスタック型ステージ。
- 前記短ストロークスキャンステージのそれぞれは、磁気浮上ステージを含む請求項7に記載のスタック型ステージ。
- 前記磁気浮上ステージは、1つ以上のローレンツモータを使用して制御される磁気浮上ステージを含む請求項8に記載のスタック型ステージ。
- 前記短ストロークスキャンステージのそれぞれは、第1の軸と第2の軸と第3の軸とのうちの少なくとも1つの軸に沿ってウェハを平行移動させるように構成され、前記第1の軸と前記第2の軸と前記第3の軸は互いに直交する請求項7に記載のスタック型ステージ。
- 各短ストロークスキャンステージは静電チャックを備える請求項7に記載のスタック型ステージ。
- 各短ストロークスキャンステージは干渉計式ステージ計測システムを備える請求項7に記載のスタック型ステージ。
- 前記搬送ステージは、磁気浮上ステージと空気軸受ステージとローラ軸受ステージとのうちの少なくとも1つを含む請求項1に記載のスタック型ステージ。
- 反射電子ビームリソグラフィ(REBL)に好適なスタック型リニアステージであって、
第1の複数のウェハを第1の軸に沿って第1の方向に第1の選択速度で平行移動させるように構成され、前記第1の複数のウェハを固定するように構成された第1の上部高速ステージと、
第2の複数のウェハを前記第1の軸に沿って第2の方向に第2の選択速度で平行移動させるように構成され、前記第2の複数のウェハを固定するように構成された第2の上部高速ステージと、
前記第1の上部高速ステージと前記第2の上部高速ステージとを前記第1の軸とほぼ直交する第2の軸に沿って第3の選択速度で平行移動させるように構成され、前記第1の上部高速ステージと前記第2の上部高速ステージとが表面上に配置された搬送ステージであって、前記搬送ステージの前記第3の選択速度が、前記第1の上部高速ステージの前記第1の選択速度および前記第2の上部高速ステージの前記第2の選択速度よりも低速である、搬送ステージと、
を含むスタック型ステージ。 - 前記第1の軸と前記第2の軸の少なくとも一方に沿った平行移動のために構成されたカウンタマスであって、カウンタマスの平行移動が前記第1の上部高速ステージと前記第2の上部高速ステージと前記搬送ステージとの動きによって生じる慣性反力に実質的に対抗するように構成されたカウンタマスをさらに含む請求項14に記載のスタック型ステージ。
- 前記第1の上部高速ステージと前記第2の上部高速ステージのうちの少なくとも一方は長ストロークスキャンステージを含む請求項14に記載のスタック型ステージ。
- 前記長ストロークスキャンステージは磁気浮上ステージを含む請求項16に記載のスタック型ステージ。
- 前記磁気浮上ステージは1組の可変リラクタンスアクチュエータを含む請求項17に記載のスタック型ステージ。
- 前記長ストロークスキャンステージは空気軸受ステージを含む請求項16に記載のスタック型ステージ。
- 前記第1の上部高速ステージと前記第2の上部高速ステージのうちの少なくとも一方は、複数の短ストロークスキャンステージをさらに含む請求項14に記載のスタック型ステージ。
- 前記短ストロークスキャンステージのそれぞれは、磁気浮上ステージを含む請求項20に記載のスタック型ステージ。
- 前記磁気浮上ステージは、1つ以上のローレンツモータを使用して制御される磁気浮上ステージを含む請求項21に記載のスタック型ステージ。
- 前記短ストロークスキャンステージのそれぞれは、第1の軸と第2の軸と第3の軸とのうちの少なくとも1つの軸に沿ってウェハを平行移動させるように構成され、前記第1の軸と前記第2の軸と前記第3の軸は互いに直交する請求項20に記載のスタック型ステージ。
- 各短ストロークスキャンステージは静電チャックを備える請求項20に記載のスタック型ステージ。
- 各短ストロークスキャンステージは干渉計式ステージ計測システムを備える請求項20に記載のスタック型ステージ。
- 前記搬送ステージは、磁気浮上ステージと空気軸受ステージとローラ軸受ステージとのうちの少なくとも1つを含む請求項14に記載のスタック型ステージ。
- 前記第1の方向と前記第2の方向は同じである請求項14に記載のスタック型ステージ。
- 前記第1の方向と前記第2の方向は異なる請求項14に記載のスタック型ステージ。
- 反射電子ビームリソグラフィ(REBL)に好適なスタック型リニアステージであって、
第1の複数の上部高速ステージと、
前記第1の複数の上部高速ステージのそれぞれが第2の複数の上部高速ステージのうちの一つの上部高速ステージに対応する複数の第2の複数の上部高速ステージであって、前記第1の複数の上部高速ステージのそれぞれが、ウェハを第1の軸に沿って第1の方向に第1の選択速度で平行移動させるように構成され、前記第2の複数の上部高速ステージの各対応する上部高速ステージは、他のウェハを前記第1の軸に沿って第2の方向に第2の選択速度で平行移動させるように構成され、前記第2の方向は前記第1の方向の逆方向であり、前記第1の複数の上部高速ステージの各上部高速ステージの前記平行移動と前記第2の複数の上部高速ステージの対応する各上部高速ステージの前記平行移動は、前記第1の複数の上部高速ステージと前記第2の複数の上部高速ステージの動きによって生じる慣性反力を実質的に打ち消すように構成された第2の複数の上部高速ステージと、
前記第1の複数の上部高速ステージと前記第2の複数の上部高速ステージとを前記第1の軸とほぼ直交する第2の軸に沿って第3の選択速度で平行移動させるように構成され、前記第1の複数の上部高速ステージと前記第2の複数の上部高速ステージとが表面上に配置された搬送ステージであって、前記搬送ステージの前記第3の選択速度は、前記第1の上部高速ステージの前記第1の選択速度および前記第2の上部高速ステージの前記第2の選択速度よりも低速である、搬送ステージと、
を含むスタック型ステージ。 - 前記第2の軸に沿った平行移動のために構成され、前記搬送ステージの動きによって生じる慣性反力に実質的に対抗するように構成されたカウンタマスをさらに含む、請求項29に記載のスタック型ステージ。
- 前記第1の複数の上部高速ステージと前記第2の複数の上部高速ステージのうちの少なくとも一方は、複数の長ストロークスキャンステージを含む請求項29に記載のスタック型ステージ。
- 前記複数の長ストロークスキャンステージは、複数の磁気浮上ステージを含む請求項29に記載のスタック型ステージ。
- 前記複数の磁気浮上ステージのそれぞれは、1組の可変リラクタンスアクチュエータを含む請求項32に記載のスタック型ステージ。
- 前記複数の長ストロークスキャンステージは、空気軸受ステージを含む請求項29に記載のスタック型ステージ。
- 前記第1の複数の上部高速ステージと前記第2の複数の上部高速ステージの少なくとも一方のそれぞれは、短ストロークスキャンステージをさらに含む請求項29に記載のスタック型ステージ。
- 前記短ストロークスキャンステージは、磁気浮上ステージを含む請求項35に記載のスタック型ステージ。
- 前記磁気浮上ステージは、1つ以上のローレンツモータを使用して制御される磁気浮上ステージを含む請求項36に記載のスタック型ステージ。
- 前記短ストロークスキャンステージは、第1の軸と第2の軸と第3の軸とのうちの少なくとも1つの軸に沿ってウェハを平行移動させるように構成され、前記第1の軸と前記第2の軸と前記第3の軸は互いに直交する請求項35に記載のスタック型ステージ。
- ウェハを受け入れるように構成され、前記短ストロークスキャンステージに動作可能に接続された静電チャックをさらに含む請求項35に記載のスタック型ステージ。
- 第1の軸と第2の軸と第3の軸とのうちの少なくとも1つの軸に沿った前記短ストロークスキャンステージの位置を測定するように構成された干渉計式ステージ測定システムをさらに含む請求項35に記載のスタック型ステージ。
- 前記搬送ステージは、磁気浮上ステージと空気軸受ステージとローラ軸受ステージとのうちの少なくとも1つを含む請求項29に記載のスタック型ステージ。
- 反射電子ビームリソグラフィ(REBL)に好適なスタック型リニアステージであって、
第1の複数のウェハを、第1の軸と第2の軸とのうちの少なくとも一方の軸に沿って第1の選択速度で平行移動させるように構成され、前記第1の複数のウェハを固定するように構成された第1の上部高速ステージと、
第2の複数のウェハを、前記第1の軸と前記第2の軸とのうちの少なくとも一方の軸に沿って第2の選択速度で平行移動させるように構成され、前記第2の複数のウェハを固定するように構成された第2の上部高速ステージと、
前記第1の上部高速ステージと前記第2の上部高速ステージとを支持するように構成された固定された搬送ステージであって、前記第1の上部高速ステージ、前記第2の上部高速ステージ、および前記固定された搬送ステージは、複数の電子カラムの下の前記第1の複数のウェハまたは前記第2の複数のウェハのうちの少なくとも一方の一つ以上のウェハをスキャンするように構成される固定された搬送ステージと、
を含むスタック型ステージ。 - 前記第1の軸と前記第2の軸のうちの少なくとも一方に沿った平行移動のために構成されたカウンタマスであって、カウンタマスの平行移動が前記第1の上部高速ステージと前記第2の上部高速ステージとの動きによって生じる慣性反力に実質的に対抗するように構成されたカウンタマスをさらに含む、請求項42に記載のスタック型ステージ。
- 前記第1の上部高速ステージと前記第2の上部高速ステージのうちの少なくとも一方が長ストロークスキャンステージを含む請求項42に記載のスタック型ステージ。
- 前記長ストロークスキャンステージは磁気浮上ステージを含む請求項44に記載のスタック型ステージ。
- 前記磁気浮上ステージは1組の可変リラクタンスアクチュエータを含む請求項45に記載のスタック型ステージ。
- 前記長ストロークスキャンステージは空気軸受ステージを含む請求項44に記載のスタック型ステージ。
- 前記第1の上部高速ステージと前記第2の上部高速ステージのうちの少なくとも一方は、複数の短ストロークスキャンステージをさらに含む請求項42に記載のスタック型ステージ。
- 前記短ストロークスキャンステージのそれぞれは、磁気浮上ステージを含む請求項48に記載のスタック型ステージ。
- 前記磁気浮上ステージは、1つ以上のローレンツモータを使用して制御される磁気浮上ステージを含む請求項49に記載のスタック型ステージ。
- 前記短ストロークスキャンステージのそれぞれは、第1の軸と第2の軸と第3の軸とのうちの少なくとも1つの軸に沿ってウェハを平行移動させるように構成され、前記第1の軸と前記第2の軸と前記第3の軸は互いに直交する請求項48に記載のスタック型ステージ。
- 各短ストロークスキャンステージは静電チャックを備える請求項48に記載のスタック型ステージ。
- 各短ストロークスキャンステージは干渉計式ステージ計測システムを備える請求項48に記載のスタック型ステージ。
- 前記搬送ステージの位置は固定されている請求項42に記載のスタック型ステージ。
- 反射電子ビームリソグラフィ(REBL)製造システムであって、
少なくとも一つの、複数の電子光学カラムと、
スタック型スキャンステージと、
を含み、
前記スタック型スキャンステージは、
第1のウェハを第1の軸と第2の軸とのうちの少なくとも一方の軸に沿って第1の選択速度で平行移動させるように構成された第1の上部高速ステージと、
第2のウェハを第1の軸と第2の軸とのうちの少なくとも一方の軸に沿って第2の選択速度で平行移動させるように構成された第2の上部高速ステージと、
前記第1の上部高速ステージと前記第2の上部高速ステージとが上面に配置され、前記第1の上部高速ステージと前記第2の上部高速ステージとのうちの少なくとも一方を前記第1の軸と前記第2の軸とのうちの少なくとも一方の軸に沿って第3の選択速度で平行移動させるように構成された搬送ステージであって、前記搬送ステージの前記第3の選択速度が、前記第1の上部高速ステージの前記第1の選択速度および前記第2の上部高速ステージの前記第2の選択速度よりも低速である、搬送ステージと、
を含む、反射電子ビームリソグラフィ製造システム。 - 反射電子ビームリソグラフィ(REBL)製造システムであって、
2つ以上の複数の電子光学カラムと、
前記2つ以上の複数の電子光学カラムのうちの少なくとも一つの電子光学カラムの下で1つ以上のウェハを平行移動させるように構成されたスタック型スキャンステージと、
を含み、
前記スタック型スキャンステージは、
第1のウェハを第1の軸と第2の軸とのうちの少なくとも一方の軸に沿って第1の選択速度で平行移動させるように構成された第1の上部高速ステージと、
第2のウェハを第1の軸と第2の軸とのうちの少なくとも一方の軸に沿って第2の選択速度で平行移動させるように構成された第2の上部高速ステージと、
前記第1の上部高速ステージと前記第2の上部高速ステージとが上面に配置され、前記第1の上部高速ステージと前記第2の上部高速ステージとのうちの少なくとも一方を前記第1の軸と前記第2の軸とのうちの少なくとも一方の軸に沿って第3の選択速度で平行移動させるように構成された搬送ステージであって、前記搬送ステージの前記第3の選択速度は、前記第1の上部高速ステージの前記第1の選択速度および前記第2の上部高速ステージの前記第2の選択速度よりも低速である、搬送ステージと、
を含む、
反射電子ビームリソグラフィ製造システム。 - 前記複数の電子光学カラムを構成する個々の電子光学カラムは、それぞれ6本の電子光学カラムを含む、請求項56に記載の反射電子ビームリソグラフィ製造システム。
- 前記第1の上部高速ステージおよび前記第2の上部高速ステージは、空間的に固定した磁気擾乱を遮蔽する磁気遮蔽を含む、請求項1に記載のスタック型ステージ。
- 前記第1の上部高速ステージおよび前記第2の上部高速ステージは、空間的に固定した磁気擾乱を遮蔽する磁気遮蔽を含む、請求項14に記載のスタック型ステージ。
- 前記第1の上部高速ステージおよび前記第2の上部高速ステージは、空間的に固定した磁気擾乱を遮蔽する磁気遮蔽を含む、請求項29に記載のスタック型ステージ。
- 前記第1の上部高速ステージおよび前記第2の上部高速ステージは、空間的に固定した磁気擾乱を遮蔽する磁気遮蔽を含む、請求項42に記載のスタック型ステージ。
- 前記第1の上部高速ステージおよび前記第2の上部高速ステージは、空間的に固定した磁気擾乱を遮蔽する磁気遮蔽を含む、請求項55に記載の反射電子ビームリソグラフィ製造システム。
- 前記第1の上部高速ステージおよび前記第2の上部高速ステージは、空間的に固定した磁気擾乱を遮蔽する磁気遮蔽を含む、請求項56に記載の反射電子ビームリソグラフィ製造システム。
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