JP2014220265A - ステージ装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 複数の可動ステージを含むステージ装置の小型化に有利な技術を提供する。
【解決手段】 ステージ装置は、互いに直交する第1および第2軸で定義された平面に沿って並び、それぞれ、物品を保持し、上記平面に沿って走査される第1ないし第4ステージ(2a,2b,2c,2d)と、第1および第2ステージの組ならびに第3および第4ステージの組が、それぞれ、第1軸に関して互いに対称な位置にあり、かつ第1および第3ステージの組ならびに第2および第4ステージの組が、それぞれ、第2軸に関して互いに対称な位置にあるように、第1ないし第4ステージの走査を同期して制御する制御部(5)と、を有する。
【選択図】 図2
【解決手段】 ステージ装置は、互いに直交する第1および第2軸で定義された平面に沿って並び、それぞれ、物品を保持し、上記平面に沿って走査される第1ないし第4ステージ(2a,2b,2c,2d)と、第1および第2ステージの組ならびに第3および第4ステージの組が、それぞれ、第1軸に関して互いに対称な位置にあり、かつ第1および第3ステージの組ならびに第2および第4ステージの組が、それぞれ、第2軸に関して互いに対称な位置にあるように、第1ないし第4ステージの走査を同期して制御する制御部(5)と、を有する。
【選択図】 図2
Description
本発明は、複数のステージを含むステージ装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法に関する。
ステージ装置において、アクチュエータによるステージの移動に伴って生じる反力は、装置の振動または変形を通じて、ステージの位置決め精度に不利に作用しうる。ここで、当該反力は、ステージ(被駆動物)の質量(慣性モーメント)と加速度(角加速度)との積に依存する。したがって、生産性向上のためのステージの(角)加速度の増大またはウエハサイズの増大に伴って当該反力も増大しうる。
複数の可動ステージを含むステージ装置において、カウンターウエイト機構や反力相殺機構を備えて反力の影響を軽減する技術が知られている(特許文献1および2)。
特許文献1および2に記載のステージ装置は、カウンターウエイト機構や反力相殺機構を備えているため、大型化しやすい。また、ステージの加速度や重量の増加に伴ってカウンターウエイト機構や反力相殺機構も大型化しうる。そのため、カウンターウエイト機構や反力相殺機構の発熱量が増大し、また、ステージ装置を支持する定盤やステージ装置を内蔵する装置の大型化(フットプリントの増大)をもたらしうる。また、定盤に対して外部から力を加える反力相殺機構の場合、相殺すべき反力の増大に伴って、当該反力相殺機構自体が加振源となる床振動も増大しうる。
本発明は、上記の課題を基礎としてなされたものであり、例えば、複数の可動ステージを含むステージ装置の小型化に有利な技術を提供することを目的とする。
本発明の一側面は、互いに直交する第1および第2軸で定義された平面に沿って並び、それぞれ、物品を保持し、前記平面に沿って走査される第1ないし第4ステージと、
前記第1および第2ステージの組ならびに前記第3および第4ステージの組が、それぞれ、前記第1軸に関して互いに対称な位置にあり、かつ前記第1および第3ステージの組ならびに前記第2および第4ステージの組が、それぞれ、前記第2軸に関して互いに対称な位置にあるように、前記第1ないし第4ステージの走査を同期して制御する制御部と、
を有することを特徴とするステージ装置である。
前記第1および第2ステージの組ならびに前記第3および第4ステージの組が、それぞれ、前記第1軸に関して互いに対称な位置にあり、かつ前記第1および第3ステージの組ならびに前記第2および第4ステージの組が、それぞれ、前記第2軸に関して互いに対称な位置にあるように、前記第1ないし第4ステージの走査を同期して制御する制御部と、
を有することを特徴とするステージ装置である。
本発明によれば、例えば、複数の可動ステージを含むステージ装置の小型化に有利な技術を提供することができる。
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。なお、実施形態を説明するための全図を通して、原則として(断りのない限り)、同一の部材等には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
[実施形態1]
図1は、実施形態1に係るリソグラフィ装置の構成例を示す図である。図1の(A)は上面図であり、図1(B)は正面図である。リソグラフィ装置として、主として電子線リソグラフィ装置を例に説明するが、それには限定されない。図1において、リソグラフィ装置10は、複数の電子光学系(荷電粒子光学系)3aないし3d(上面図において不図示、正面図において3a・3bは隠れている)と、複数のステージ2aないし2dと、固定子4と、制御部5とを備えている。複数のステージ2aないし2dは、それぞれ複数の基板(ウエハまたは物品)1aないし1dを保持して可動(変位動作または走査が可能)である。複数の電子光学系3aないし3dは、それぞれ、パターンデータに基づいて、パターン形成のためのエネルギー線を基板に照射する照射部として機能する。6aないし6dは、ステージ2aないし2dがそれぞれ動作する動作領域を示す。制御部5は、各ステージの動作を制御し、各ステージの位置を計測する位置計測部(干渉計またはエンコーダを含んで構成されうる)を含みうる。ここで、複数のステージ2aないし2d、固定子4、および制御部5は、ステージ装置を構成する。リソグラフィ装置10は、制御部5の制御下で、電子光学系3aないし3dからの電子線(より一般的にはエネルギー線)の照射とステージ2aないし2dの移動とを同期して行うことにより、各基板(のレジスト)に(潜像)パターンを形成(描画)する。なお、各ステージの位置を制御部5により後述のように同期して制御するため、アライメント計測や描画のためのステージ2aないし2dの移動に伴ってそれぞれ生じる反力は、互いに相殺されるようになっている。なお、リソグラフィ装置は、電子光学系3aないし3dまたは固定子4等を支持する除振台や、基板のアライメント(計測)のため基板上のマーク等を検出する検出部(顕微鏡を含みうる)を備えうる。また、パターン形成のための真空雰囲気を維持するための真空チャンバや、基板搬送部、描画データ生成部等の周知の構成要素を含みうる。なお、電子線リソグラフィ装置やEUVリソグラフィ装置の場合、真空チャンバ内において、例えば10−4〜10−5Pa程度以上の高真空の環境下で、レジスト(感光材)にパターンを形成しうる。
図1は、実施形態1に係るリソグラフィ装置の構成例を示す図である。図1の(A)は上面図であり、図1(B)は正面図である。リソグラフィ装置として、主として電子線リソグラフィ装置を例に説明するが、それには限定されない。図1において、リソグラフィ装置10は、複数の電子光学系(荷電粒子光学系)3aないし3d(上面図において不図示、正面図において3a・3bは隠れている)と、複数のステージ2aないし2dと、固定子4と、制御部5とを備えている。複数のステージ2aないし2dは、それぞれ複数の基板(ウエハまたは物品)1aないし1dを保持して可動(変位動作または走査が可能)である。複数の電子光学系3aないし3dは、それぞれ、パターンデータに基づいて、パターン形成のためのエネルギー線を基板に照射する照射部として機能する。6aないし6dは、ステージ2aないし2dがそれぞれ動作する動作領域を示す。制御部5は、各ステージの動作を制御し、各ステージの位置を計測する位置計測部(干渉計またはエンコーダを含んで構成されうる)を含みうる。ここで、複数のステージ2aないし2d、固定子4、および制御部5は、ステージ装置を構成する。リソグラフィ装置10は、制御部5の制御下で、電子光学系3aないし3dからの電子線(より一般的にはエネルギー線)の照射とステージ2aないし2dの移動とを同期して行うことにより、各基板(のレジスト)に(潜像)パターンを形成(描画)する。なお、各ステージの位置を制御部5により後述のように同期して制御するため、アライメント計測や描画のためのステージ2aないし2dの移動に伴ってそれぞれ生じる反力は、互いに相殺されるようになっている。なお、リソグラフィ装置は、電子光学系3aないし3dまたは固定子4等を支持する除振台や、基板のアライメント(計測)のため基板上のマーク等を検出する検出部(顕微鏡を含みうる)を備えうる。また、パターン形成のための真空雰囲気を維持するための真空チャンバや、基板搬送部、描画データ生成部等の周知の構成要素を含みうる。なお、電子線リソグラフィ装置やEUVリソグラフィ装置の場合、真空チャンバ内において、例えば10−4〜10−5Pa程度以上の高真空の環境下で、レジスト(感光材)にパターンを形成しうる。
電子線リソグラフィにおいて、レジストが塗布された基板は、基板搬送部によりロードロック室に搬送される。ロードロック室は、大気環境にあった基板を真空環境にある真空チャンバ内に搬送するため、その内部の真空引き(排気)が行われる。ロードロック室内の気圧と真空チャンバ内の気圧が同等となった時点で、開放されたゲートバルブを介して基板がステージに搭載される。ステージは、基板を保持するための(基板)チャックを備えている。チャックは、真空方式、静電方式、または水方式等のものとしうるが、それらには限定されない。基板は、チャックに対して位置合せされた上でチャックに保持される。なお、チャックをステージから分離可能とし、ウエハを保持したチャックをステージに搬送する方式としてもよい。その場合、基板は、チャック室またはロードロック室等で位置合せしたうえでチャックに保持され、チャックとともに基板搬送部によりステージに搬送される。当該チャックは、ステージに対して位置合せされたうえでステージに搭載されうる。基板のステージへの搬送方式は、以上のものに限定されず、その他のものであってもよい。
図1は、平面型ステージ装置を例示している。平面型ステージ装置は、アクチュエータとして、各ステージに永久磁石(可動子)を、不動の支持部材(定盤等)の上にコイル(固定子4)を備えうる。各ステージは、各ステージにおける永久磁石の配列、および、固定子4におけるコイルの配列により、6自由度の変位を可能としうる。なお、固定子4として支持部材上に永久磁石を、可動子として各ステージにコイルを備えてもよい。また、ステージ装置は、平面型に限らず、その他の方式のものであってもよい。例えば、X方向駆動用のリニアモータとY方向駆動用のリニアモータとを備える方式であってもよく、そのような方式のX−Yステージの上に微動ステージを備える方式でもよい。さらに、固定子4は、複数のステージに共有されていてもよいし、ステージごとに設けられていてもよい。
そのような1ないし複数の固定子は、定盤(支持部材)で支持されている。そのため、各ステージを個別に変位させた場合、その反作用として各ステージからの反力が発生し、定盤に振動が生じうる。その振動は、ステージの位置決め精度を損ない、また、電子光学系に振動が伝達した場合、電子線の位置決め精度を損ないうる。なお、各ステージに個別または全ステージに共通のカウンターバランス機構を備えた場合、ステージからの反力はカウンターバランス機構によりある程度相殺しうる。しかし、カウンターバランス機構の質量およびスペースが加わるため、リソグラフィ装置のフットプリントおよび重量の増加をもたらしうる。このような不利を軽減したリソグラフィ装置の構成を以下に説明する。
図1のリソグラフィ装置10は、4つの基板が同時または順次にステージに搭載される。その後、4つのステージが発生する反力の影響が相殺(軽減)されるように、4つのステージの動作(変位)がなされる。当該動作は、基板の位置決めに必要な情報を得るアライメント計測のためのもの(計測動作)およびパターンを基板に形成するためのもの(形成動作)のうち少なくとも一方を含みうる。
ここで、図2は、リソグラフィ装置の動作を説明するための図である。図2において、計測動作および形成動作の少なくとも一方は、X0軸およびY0軸のそれぞれに関してステージが対称に同期して動作(変位)を行う。ここで、X0軸およびY0軸は、定盤面にX−Y平面(2つの軸が互いに直交する直交座標系)を設定した場合の当該平面(座標系)を規定(定義)する互いに直交する第1および第2の軸である。また、X0軸およびY0軸は、X軸およびY軸(図2参照)にそれぞれ平行な軸であり、その原点を固定子4の重心にとっている。図2の(A)は、各ステージがX方向において変位している状態を示し、図2の(B)は、各ステージがY方向において変位している状態を示している。このように、常に、X0軸に関して対称に2組のステージが変位し、かつY0軸に関して対称に2組のステージが変位するように構成することにより、4つのステージが発生する反力の影響を相殺(軽減)することができる。当該構成により、4つのステージが発生する反力が相殺されている状態で、計測およびパターン形成の少なくとも一方を行うことができる。そのため、カウンターウエイト機構や反力相殺機構を別途設ける必要がない。または、カウンターウエイト機構や反力相殺機構を別途設ける必要があるとしても、その能力は軽微なもので済む。よって、上述したような発熱量や、大型化(フットプリント)、反力相殺機構自体が加振源となる床振動に係る問題が軽減されうる。もって、解像性能、重ね合わせ精度、スループットおよび所有コストのうち少なくとも一つの点で有利なリソグラフィ装置の提供が可能となる。
4つのステージの反力を上記のようにして相殺するためには、4つのステージの重量(質量)は同程度である必要がある。この重量は、移動体全体の重量であり、基板やチャック等の重量も含まれる。また、各ステージが上記のように一方の軸(例えばY0軸)に関して対称に同期して動作を行ううえで、他方の軸(例えばX0軸)の方向におけるステージの時間的な加速度の絶対値の変化が同等(互いの絶対値の差がトレランス内)である必要がある。図6は、相殺されなかった反力の影響を説明するための図である。すなわち、図6は、2つのステージstg1およびstg2の加速度が時間的にΔtの同期誤差を含んでいる場合について、反力の漏れ(相殺されなかった反力)の影響を説明するためのものである。図6の(A)は、ステージstg1およびstg2の加速度プロファイル(時間的変化)を示しており、stg2はstg1に対して加速度の絶対値に関してΔtの時間的な遅れを有している。この場合のstg1とstg2との間の加速度の絶対値の差Δaの時間的変化が図6の(B)に示されている。このΔaから反力漏れ量Fは以下の式で表わされる。
F=Δa×m
mは、各ステージの質量
F=Δa×m
mは、各ステージの質量
この式は、2つのステージの重量に差がない場合の式である。ステージstg1の重量とステージstg2の重量との差を考慮した場合は、以下の式となる。
F=F1−F2=(m1×a1)−(m2×a2)
F1は、stg1に係る反力
F2は、stg2に係る反力
m1は、stg1の重量
m2は、stg2の重量
a1は、stg1の加速度
a2は、stg2の加速度
F=F1−F2=(m1×a1)−(m2×a2)
F1は、stg1に係る反力
F2は、stg2に係る反力
m1は、stg1の重量
m2は、stg2の重量
a1は、stg1の加速度
a2は、stg2の加速度
このような反力漏れが発生した場合、固定子4に上記Fの力が加わり、これが固定子や定盤、その他の支持部材、床等に振動や変形を発生させうる。その結果、各ステージの位置決め誤差が発生しうる。例えば、固定子から伝わった振動は、別のステージの位置決め誤差を発生させうる。また、定盤や床等に伝播した振動がその他の構成要素、例えば、電子光学系や、ステージの位置を計測する位置計測部、アライメント計測のための検出部に伝わった場合、パターン形成性能(解像性能、重ね合わせ精度、またはスループット)を損ないうる。
よって、上記のような反力漏れ量を低減するためには、4つのステージの質量をできる限り同等(互いの質量の差をトレランス内)とし、4つのステージの同期精度をできるだけ高めることが必要となる。後者のためには、ステージ装置の構造体の固有振動数を高め、ステージの制御応答性(追従性)を高めることが望ましい。また、固定子に加えられた漏れ反力を他の構成要素(ユニット)に伝播させない構造も有用である。例えば、固定子を支持する定盤等(構造体)と他のユニットまたは構造体との間で振動絶縁を行う機構(エアーマウント等の除振台)に固定子または他の構成要素を支持させるのが有用である。これらの採用により、反力漏れの影響を軽減することができる。なお、反力漏れまたは反力の影響をゼロにすることは不可能である。そのため、反力漏れによりステージまたはその他の構成要素に振動が発生した場合、計測またはパターン形成を開始する前にステージの位置が安定するまでの整定時間(待機時間)を設けるのが通常である。本実施形態に係る構成は、反力漏れを軽減できるため、スループットに影響する整定時間を短縮できる利点を有する。
図6の(C)は、ステージの加速度a・速度v・変位dの時間的なプロファイルを示している。スループットを向上させるためには、パターン形成時間およびそれ以外の時間の双方の短縮が有効である。例えば、非パターン形成時間におけるステージ加速度・速度を高くし、かつ移動距離を短くし、また、パターン形成時間におけるステージ速度を高くする。パターン形成時間の短縮のためには、電子線強度やレジスト感度の向上等も有用である。図6の(C)において、所定の加速度プロファイルでステージを加速し、目標速度に到達した時点で等速を保つように制御がなされるが、等速状態が安定するまでの整定時間(settling time)を設けられている。この整定時間だけステージやその他の構成要素の振動が収まるのを待った後に、パターン形成(exposureまたはpatterning)を開始している。反力漏れ量が増大するほど整定時間を長くする必要があるところ、本実施形態の構成によれば、整定時間を短縮して結果的にパターン形成時間の比率を増加させるため、スループットの点で有利となり得る。
なお、図1のリソグラフィ装置10は、4つのステージに共有される1つの固定子4を備えているが、この限りではない。例えば、1つの電子光学系と1つのステージとの組合せを離散的に複数備えた所謂クラスター型のリソグラフィ装置であってもよい。この場合も、複数のステージを上述したように対称に同期して動作(変位)させることにより、複数のステージの反力の影響を軽減することができる(例えば、反力は床に伝播したうえで相殺されうる)。
また、電子光学系の構成は、特に限定されない。例えば、複数の電子光学系(マルチカラム)により1つの基板を並行処理するものであってもよいし、1つの電子光学系(シングルカラム)により複数の電子線で基板を処理するものであってもよい。また、リソグラフィ装置は、主として電子線リソグラフィ装置を例示したが、その限りではない。大気圧環境下や特定気体雰囲気下でパターン形成を行うリソグラフィ装置であってもよい。また、本実施形態のステージ装置は、それを内蔵しうる限り、リソグラフィ装置以外の装置、例えば、種々の計測装置や加工装置等にも適用可能である。
以上説明したように、本実施形態によれば、複数のステージの反力の影響を軽減したステージ装置を提供できる。もって、解像性能、重ね合わせ精度、スループットのうち少なくとも一つの点で有利なリソグラフィ装置を提供できる。
[実施形態2]
図3は、実施形態2に係るリソグラフィ装置の構成例を示す図である。リソグラフィ装置10は、8つの基板W1ないしW8をそれぞれ保持して可動の8つのステージ21aないし21hを備える。また、8つのステージに対応して、アライメント計測のための8つの検出部31aないし31hを備える。さらに、4つの搬送部12aないし12dを備える。当該搬送部は、ロードロック室や、チャックに対する基板の着脱のためのチャック室等も含みうる。本実施形態においては、8つのステージのうちの4つのステージが1組(1セット)になって、例えば、ステージ21aないし21dおよびステージ21eないし21hがそれぞれ1組になって、組ごとにステージが同期して動作を行う。
図3は、実施形態2に係るリソグラフィ装置の構成例を示す図である。リソグラフィ装置10は、8つの基板W1ないしW8をそれぞれ保持して可動の8つのステージ21aないし21hを備える。また、8つのステージに対応して、アライメント計測のための8つの検出部31aないし31hを備える。さらに、4つの搬送部12aないし12dを備える。当該搬送部は、ロードロック室や、チャックに対する基板の着脱のためのチャック室等も含みうる。本実施形態においては、8つのステージのうちの4つのステージが1組(1セット)になって、例えば、ステージ21aないし21dおよびステージ21eないし21hがそれぞれ1組になって、組ごとにステージが同期して動作を行う。
基板W1が搬送部12aによりステージ21aに搬送されるのに並行して、基板W2が搬送部12bによりステージ21bへ、基板W3が搬送部12cによりステージ21cへ、基板W4が搬送部12dによりステージ21dへそれぞれ搬送される。そして、ステージ21aないし21dが同期して動作(変位)して、各基板に対するアライメント計測を行い、その後、パターン形成を行う。同期した動作の態様は、実施形態1のものと同様としうる。上記の基板搬送が行われている間は、ステージ21eないし21hが同期した動作を行って計測やパターン形成がなされている。上記搬送の終了後、ステージ21eないし21hからは搬送部12eないし12hにより基板の搬出が行われる。以上の動作は、図4に示されるようなものであるのが好ましい。図4は、基板処理の流れやタイミングを示す図である。図4の(A)は、一枚の基板の処理の流れを例示している。まず、コーター(塗布装置)にて基板にレジストが塗布され(ステップT1)、その後、チャック室にてチャックに基板がクランプされる(ステップT2)。ついて、基板を保持したチャックがロードロック室に搬送され、ロードロック室が真空排気され(ステップT3)た後、基板はステージに搬送されて保持される。その後、アライメント計測等の計測が基板に対して実施され(ステップT4)、つづいてパターン形成が行われる(ステップT5)。パターン形成終了後の基板は、ロードロック室に搬送され、ロードロック室が大気圧に戻され、そこから搬出される(ステップT6)。その後、チャック室にて基板がチャックからアンクランプされ(ステップT7)た後、デベロッパー(現像装置)にて基板が現像処理(ステップT8)される。
図4の(B)は、8枚の基板W1ないしW8のうち、基板W1ないしW4が1組となり、基板W5ないしW8が別の1組となって処理される工程表を例示している。それによれば、基板W1ないしW4が計測(ステップT4)およびパターン形成(ステップT5)の処理をなされる間に、基板W5ないしW8がロードロック搬出ないしロードロック搬入(ステップT6ないしステップT3)の処理をなされる。これにより、時間的な待ち(ロス)のない(少ない)高スループットの処理が可能となる。なお、時間的な待ちが発生する場合は、待ちが極力小さくなるよう、例えばステップT6ないしステップT3の処理に係るユニットの数を増やす等の調整をすればよい。
なお、本実施形態において、ステージおよび検出部の組の数は、8としたが、それには限定されず、4の倍数としうる。または、4の倍数のステージが同期して動作するのであればよく、必ずしも設けられたステージの数が4の倍数である必要はない。例えば、6つのステージが設けられていても、そのうちの4つのステージが上記のように同期して動作を行い、残りの2つのステージが停止状態、または、発生する反力が他の処理に影響しない動作状態にあればよい。
[実施形態3]
図5は、実施形態3に係るリソグラフィ装置の構成例を示す図である。図5を参照して、本実施形態に係るリソグラフィ装置10におけるパターン形成の態様を説明する。リソグラフィ装置10において、基板1aないし1dをそれぞれ保持するステージ2aないし2dは、固定子4上に構成されている。各基板上の文字「F」は、各基板に形成された(または形成されるべき)パターンを模式的に示し、また、各基板の切り欠きは、いわゆるノッチを示している。本実施形態の基板は、ノッチを有するが、オリエンテーションフラットを有してもよい。基板の配向は、一般的に、ノッチの位置を基準に決定されうるため、図5においても、ノッチの位置とパターン(「F」)の配向とが整合するよう図示されている。
図5は、実施形態3に係るリソグラフィ装置の構成例を示す図である。図5を参照して、本実施形態に係るリソグラフィ装置10におけるパターン形成の態様を説明する。リソグラフィ装置10において、基板1aないし1dをそれぞれ保持するステージ2aないし2dは、固定子4上に構成されている。各基板上の文字「F」は、各基板に形成された(または形成されるべき)パターンを模式的に示し、また、各基板の切り欠きは、いわゆるノッチを示している。本実施形態の基板は、ノッチを有するが、オリエンテーションフラットを有してもよい。基板の配向は、一般的に、ノッチの位置を基準に決定されうるため、図5においても、ノッチの位置とパターン(「F」)の配向とが整合するよう図示されている。
本実施形態は、4つの基板に同じパターン「F」を形成する場合と別々のパターンを形成する場合とについて説明する。4つの基板に同じパターン「F」を形成する場合は、描画データが共通であるため、別々のパターンを形成する場合と比較してデータ転送量が1/4となり、データ転送の負荷が大幅に低減できる。なお、パターン形成において、電子光学系による基板への電子線の照射位置と、ステージ上における基板の位置と、描画手順とに従って、ステージは動作(変位)しうる。
本実施形態は、つぎのような描画手順を採用する。まず、X方向に延びた基板上のストライプ領域をステージの連続する1スキャンで描画し、次いで、ストライプ領域の幅程度の幅だけ描画を伴わずにステージをY方向にステップ移動させる。その後、再びX方向に延びた基板上のストライプ領域をステージの連続する1スキャンで描画する。このような手順を繰り返すものとする。ここで、ステップ移動の距離は、パターンのつなぎ精度を満足する限り、スループット上不利とならないよう可能な限り長い距離が望ましい。さらに、電子線の偏向による描画パターンの補正とパターンデータの補正による描画パターンの補正との間での補正量の割り振り等にも基づいて決定されるのが好ましい。なお、Y方向においてつなぎ合わせる(重ね合わせる)ストライプ領域間の重ね合わせ誤差が大きくなると描画パターンに不備が生じうるため、十分な重ね合わせ精度を達成する必要がある。
ここで、図5の基板1aに対する描画手順の一例を説明する。基板1aの上面(表面)において、紙面内左上の位置(−X、Y0)を描画開始位置とする。ステージが−X方向に1スキャンした場合の描画終了位置を(+X、Y0)とし、基板全面を描画するために、+Y方向にステージがn回ステップする(nは自然数)。+Y方向に1回ステップした場合の次の描画開始位置を(+X、Y1)とすると、基板全面を描画した場合の描画終了位置は(+X、Yn)または(−X、Yn)となる。以上より、ストライプ領域ごとになされる基板1aに対する描画手順は、上記のような描画開始位置・描画終了位置の繰り返しとして、(−X、Y0)、(+X、Y0)、(+X、Y1)、(−X、Y1)、(−X、Y2)・・・と表される。そして、基板1aがそのように描画される場合、それと同期して基板1bは、(+X、Y0)、(−X、Y0)、(−X、Y1)、(+X、Y1)、(+X、Y2)・・・と描画される。また、それらと同期して基板1cは、(−X、Yn)、(+X、Yn)、(+X、Yn−1)、(−X、Yn−1)、(−X、Yn−2)・・・と描画される。さらに、それらと同期して基板1dは、(+X、Yn)、(−X、Yn)、(−X、Yn−1)、(+X、Yn−1)、(+X、Yn−2)・・・と描画される。以上のように、ステージ2aおよび2bの組ならびにステージ2cおよび2dの組は、それぞれ、同一のY0座標上をY0軸(図2)に関して対称に変位する。また、ステージ2aおよび2cの組ならびにステージ2bおよび2dの組は、それぞれ、互いに符号が異なり絶対値が同一のY0座標上をX0軸(図2)に関して対称に変位する。つまり、基板1aおよび1bの組ならびに基板1cおよび1dの組は、それぞれ、描画データの配列順序が互いに異なり(逆となり)、基板1aおよび1dの組ならびに基板1bおよび1cの組は、それぞれ、描画データの配列順序が互いに同じとなる。
以上の実施形態によれば、制御部5は、X方向におけるデータ配列の順を互いに逆にした2種類のパターンデータを用意(生成)するだけでよい。それだけで、ステージを同期して変位(走査)させながら同一パターンを4つの基板に形成可能となり、ステージの反力の影響を軽減して高精度なパターン形成が可能となる。
なお、以上説明した手順は、一例であり、これに限られるものではない。X方向における一方向にステージがスキャン(走査)している場合にのみパターン形成を行う手順や、ショット領域ごとのパターン形成とステップ移動とを繰り返す手順等でもよい。
次に、4つの基板にそれぞれ別のパターン形成を行う場合について説明する。その場合は、各ショットレイアウトに左右されず、共通のスキャンおよびステップの手順でステージを同期して変位させてパターン形成を行えばよい。共通の手順でパターン形成を行ううえで、基板によっては、ショット内の一部にブランクパターンがある場合等、パターン形成を行う必要がない領域もある。その場合でも、ステージの動作を継続して同期させるダミー動作を行うのが肝要である。また、4つの基板の中で最も厳しい精度で描画しなければならない基板の描画手順ですべてのステージが同期して動作すればよい。さらには、3枚以下の基板のみにパターン形成を行う場合、パターン形成を行わないステージもそれを行うステージと同期した動作(ダミー動作)を行うことで、ステージの反力の影響を軽減することができる。
以上のように、本実施形態に係る構成は、4つの基板に同じパターン形成を行う場合も別々のパターン形成を行う場合も、ステージの反力の影響を軽減できるため、解像、重ね合わせ、およびスループットのうち少なくとも一つの性能において有利である。
[実施形態4]
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品製造方法は、基板に塗布された感光剤にリソグラフィ装置を用いて潜像パターンを形成する工程(パターンを基板に形成する工程)と、該工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程(パターンを形成された基板を現像する工程)とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品製造方法は、基板に塗布された感光剤にリソグラフィ装置を用いて潜像パターンを形成する工程(パターンを基板に形成する工程)と、該工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程(パターンを形成された基板を現像する工程)とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
2a,2b,2c,2d ステージ
5 制御部
5 制御部
Claims (12)
- 互いに直交する第1および第2軸で定義された平面に沿って並び、それぞれ、物品を保持し、前記平面に沿って走査される第1ないし第4ステージと、
前記第1および第2ステージの組ならびに前記第3および第4ステージの組が、それぞれ、前記第1軸に関して互いに対称な位置にあり、かつ前記第1および第3ステージの組ならびに前記第2および第4ステージの組が、それぞれ、前記第2軸に関して互いに対称な位置にあるように、前記第1ないし第4ステージの走査を同期して制御する制御部と、
を有することを特徴とするステージ装置。 - 前記制御部は、前記第1および第2軸のうち一方の軸に関して互いに対称に位置する2つのステージの前記第1および第2軸のうち他方の軸の方向における加速度の絶対値が互いに同じとなるように、前記走査を制御する、ことを特徴とする請求項1に記載のステージ装置。
- 前記第1ないし第4ステージの重量が互いに同じであるように構成されている、ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のステージ装置。
- 前記第1ないし第4ステージは、共通の構造体で支持されている、ことを特徴とする請求項1ないし請求項3のうちいずれか1項に記載のステージ装置。
- 固定子を含み、前記第1ないし第4ステージを変位させるアクチュエータを有し、
前記固定子は、前記構造体で支持されている、ことを特徴とする請求項4に記載のステージ装置。 - 請求項1ないし請求項5のうちいずれか1項に記載のステージ装置を有し、
前記ステージ装置に含まれる複数のステージ装置にそれぞれ保持された複数の物品に対してパターン形成に係る処理を同期して行う、
ことを特徴とするリソグラフィ装置。 - 前記処理は、前記パターン形成および物品に対する計測のうち少なくとも一方を含む、ことを特徴とする請求項6に記載のリソグラフィ装置。
- 前記第1ないし第4ステージとの間でそれぞれ物品を搬送する複数の搬送部を有する、ことを特徴とする請求項6または請求項7に記載のリソグラフィ装置。
- パターンデータに基づいて、前記パターン形成のためのエネルギー線を物品に照射する照射部を有する、ことを特徴とする請求項8に記載のリソグラフィ装置。
- 前記複数の搬送部は、前記第1および第2軸のうちいずれか一方の軸に関して互いに対称に位置する2つのステージにそれぞれ保持される2つの物品が当該軸に関して互いに対称な配向となるように、物品を搬送する、ことを特徴とする請求項9に記載のリソグラフィ装置。
- 前記制御部は、前記第1ないし第4のステージにそれぞれ保持される4つの物品に関して、データの配列順序が互いに異なる2種類の前記パターンデータを生成する、ことを特徴とする請求項10に記載のリソグラフィ装置。
- 請求項6ないし請求項11のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置を用いてパターンを物品に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された前記物品を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013096011A JP2014220265A (ja) | 2013-04-30 | 2013-04-30 | ステージ装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
US14/263,902 US20140322655A1 (en) | 2013-04-30 | 2014-04-28 | Stage apparatus, lithography apparatus, and method of manufacturing article |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013096011A JP2014220265A (ja) | 2013-04-30 | 2013-04-30 | ステージ装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014220265A true JP2014220265A (ja) | 2014-11-20 |
Family
ID=51789516
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013096011A Pending JP2014220265A (ja) | 2013-04-30 | 2013-04-30 | ステージ装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140322655A1 (ja) |
JP (1) | JP2014220265A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019020729A (ja) * | 2017-07-14 | 2019-02-07 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 計測装置及び基板ステージ・ハンドラ・システム |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102240655B1 (ko) * | 2014-02-13 | 2021-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 노광 장치 및 이를 이용한 노광 방법 |
JP6555868B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2019-08-07 | キヤノン株式会社 | パターン形成方法、および物品の製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW448487B (en) * | 1997-11-22 | 2001-08-01 | Nippon Kogaku Kk | Exposure apparatus, exposure method and manufacturing method of device |
US6927505B2 (en) * | 2001-12-19 | 2005-08-09 | Nikon Corporation | Following stage planar motor |
JP2004356222A (ja) * | 2003-05-27 | 2004-12-16 | Canon Inc | ステージ装置及びその制御方法、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2006032788A (ja) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Canon Inc | 露光装置及び半導体デバイスの製造方法 |
US7557529B2 (en) * | 2005-01-11 | 2009-07-07 | Nikon Corporation | Stage unit and exposure apparatus |
JP4485550B2 (ja) * | 2007-07-30 | 2010-06-23 | 住友重機械工業株式会社 | 反力処理装置 |
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WO2013036615A1 (en) * | 2011-09-06 | 2013-03-14 | Kla-Tencor Corporation | Linear stage for reflective electron beam lithography |
-
2013
- 2013-04-30 JP JP2013096011A patent/JP2014220265A/ja active Pending
-
2014
- 2014-04-28 US US14/263,902 patent/US20140322655A1/en not_active Abandoned
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US11874103B2 (en) | 2017-07-14 | 2024-01-16 | Asml Netherlands B.V. | Measurement apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140322655A1 (en) | 2014-10-30 |
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