JP6441954B2

JP6441954B2 - 配線形成方法

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Publication number: JP6441954B2
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Inventors: 良崇橋本; 政利藤田; 謙磁塚田; 明宏川尻; 雅登鈴木
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Description

本発明は、金属微粒子を含有する液体である金属含有液の焼成により、回路基板上に配線を形成する配線形成方法に関するものである。

近年、下記特許文献に記載されているように、金属微粒子を含有する液体である金属含有液の焼成により、回路基板上に配線を形成する技術が開発されている。詳しくは、例えば、回路基板上に配設された複数の導電部の間に、金属含有液を塗布し、その金属含有液にレーザを照射する。これにより、金属含有液が焼成することで、配線が形成される。

特開２００６−０５９９４２号公報

上記特許文献に記載の技術によれば、ある程度、適切に回路基板上に配線を形成することが可能となる。しかしながら、回路基板上には、導電部だけでなく、樹脂等も配設されており、導電部と樹脂とに跨って配線を形成する際に、適切に配線を形成することができない虞がある。具体的には、導電部の熱伝導率は高いため、導電部の上の金属含有液にレーザが照射された際に、レーザによる熱は導電部を伝わって逃げ易い。このため、導電部の上の金属含有液を焼成するために必要な単位面積当たりのレーザ照射量（以下、「導電部用照射量」と記載する場合がある）は、比較的大きい。一方、樹脂の熱伝導率は低いため、樹脂の上の金属含有液にレーザが照射された際に、レーザによる熱は樹脂を伝わって逃げ難い。このため、樹脂の上の金属含有液を焼成するために必要な単位面積当たりのレーザ照射量（以下、樹脂用照射量と記載する場合がある）は、比較的小さい。

このため、例えば、導電部および、樹脂の上の金属含有液全体に、導電部用照射量に相当するレーザが照射された場合には、導電部の上の金属含有液は、適切に焼成され、配線が形成される。一方、樹脂の上の金属含有液は、焼成されるが、焼成により形成された配線は、過剰な熱により損傷する虞がある。また、導電部および、樹脂の上の金属含有液全体に、樹脂用照射量に相当するレーザが照射された場合には、樹脂の上の金属含有液は、適切に焼成され、配線が形成される。一方、導電部の上の金属含有液は、焼成されずに、配線が形成されない虞がある。

このため、樹脂の上の金属含有液に樹脂用照射量に相当するレーザを照射し、導電部の上の金属含有液に導電部用照射量に相当するレーザを照射することが考えられる。つまり、金属含有液が塗布される基材に応じて、レーザ照射量を変更することが考えられる。しかしながら、例えば、導電部が電子部品の電極等である場合には、電子部品の電極以外の部分の上にも、金属含有液が塗布されるため、その部分においても、レーザ照射量の変更を行う必要があり、レーザ照射量の変更制御が困難となる。また、導電部が電子部品の電極等である場合には、電子部品の電極以外の極めて小さいスペースの上に金属含有液が塗布されるため、レーザ照射量の変更制御が極めて困難となる虞がある。本発明は、そのような実情に鑑みてなされたものであり、回路基板上に容易に配線を形成するための技術の提供を課題とする。

上記課題を解決するために、本発明に記載の配線形成方法は、回路基板上に配設された第１導電部と第２導電部とを電気的に接続するための配線を形成する配線形成方法において、前記配線形成方法が、前記第１導電部に至る第１ホールと前記第２導電部に至る第２ホールとを有する樹脂層を、前記回路基板上に形成する樹脂層形成工程と、前記樹脂層形成工程において前記樹脂層が形成された後に、前記樹脂層の上に、前記第１ホールの縁と前記第２ホールの縁とを繋ぐように、金属微粒子を含有する金属含有液を塗布する第１塗布工程と、前記第１塗布工程において塗布された金属含有液にレーザを照射することで、配線を形成する第１配線形成工程と、前記第１配線形成工程において配線が形成された後に、金属含有液の前記第１ホールおよび前記第２ホールの内部への吐出と、金属含有液へのレーザ照射との繰り返しにより、前記第１ホールおよび前記第２ホールの内部から前記樹脂層の表面に露出する金属柱を形成する金属柱形成工程と、前記金属柱形成工程において金属柱が形成された後に、前記第１ホールの内部から前記樹脂層の表面に露出する第１の金属柱と、前記第２ホールの内部から前記樹脂層の表面に露出する第２の金属柱との上に、前記第１配線形成工程において形成された配線と前記第１の金属柱と前記第２の金属柱とを繋ぐように、金属含有液を塗布する第２塗布工程と、前記第２塗布工程において塗布された金属含有液にレーザを照射することで、配線を形成する第２配線形成工程とを含み、前記第１導電部と前記第２導電部とを電気的に接続するための配線を形成することを特徴とする配線形成方法。

本発明に記載の配線形成方法では、第１導電部に至る第１ホールと第２導電部に至る第２ホールとを有する樹脂層が、回路基板上に形成される。そして、第１ホールの内部に配設された第１の金属柱と、第２ホールの内部に配設された第２の金属柱との間に塗布された金属含有液へのレーザ照射により、第１導電部と第２導電部とを電気的に接続するための配線が形成される。つまり、本発明の配線形成方法では、例えば、導電部が電子部品の電極である場合であっても、金属含有液は、樹脂層と金属柱との２種類の基材の上に吐出される。このため、レーザ照射量の変更は、樹脂層の上の金属含有液と金属柱の上の金属含有液との間で行えばよく、比較的容易にレーザ照射量の変更を行うことが可能となる。また、樹脂層および、金属柱は、電子部品の電極以外の部分より大きいため、レーザ照射量の変更を比較的容易に行うことが可能となる。このように、本発明の配線形成方法によれば、レーザ照射量の変更を比較的容易に行うことが可能となり、回路基板上に容易に配線を形成することが可能となる。

対基板作業装置を示す平面図である。回路基板を示す側面図である。従来の手法により配線が形成される際の回路基板を示す側面図である。従来の手法により配線が形成される際の回路基板を示す側面図である。樹脂層が形成された回路基板を示す側面図である。樹脂層の導電体ホールの内部に金属インクが吐出された状態の回路基板を示す側面図である。樹脂層の導電体ホールの内部の金属インクにレーザが照射された状態の回路基板を示す側面図である。樹脂層の導電体ホールおよび電極ホールの内部に金属柱が形成された状態の回路基板を示す側面図である。導電体ホールの金属柱と電極ホールの金属柱との間に金属インクが塗布された状態の回路基板を示す側面図である。導電体ホールの金属柱と電極ホールの金属柱とを接続する配線が形成された状態の回路基板を示す側面図である。導電体ホールの縁と電極ホールの縁との間に金属インクが塗布された状態の回路基板を示す側面図である。導電体ホールの縁と電極ホールの縁とを接続する配線が形成された状態の回路基板を示す側面図である。樹脂層の導電体ホールおよび電極ホールの内部に金属柱が形成された状態の回路基板を示す側面図である。金属柱の上に金属インクが塗布された状態の回路基板を示す側面図である。導電体ホールの金属柱と電極ホールの金属柱とを接続する配線が形成された状態の回路基板を示す側面図である。

以下、本発明を実施するための形態として、本発明の実施例を、図を参照しつつ詳しく説明する。

＜対基板作業装置の構成＞
図１に、本発明の実施例の対基板作業装置１０を示す。対基板作業装置１０は、搬送装置２０と、ヘッド移動装置２２と、紫外線照射装置２４と、レーザ照射装置２６と、２台のインクジェットヘッド２７，２８とを備えている。

搬送装置２０は、Ｘ軸方向に延びる１対のコンベアベルト３０と、コンベアベルト３０を周回させる電磁モータ（図示省略）とを有している。１対のコンベアベルト３０は、回路基板３４を支持し、その回路基板３４は、電磁モータの駆動により、Ｘ軸方向に搬送される。また、搬送装置２０は、保持装置（図示省略）を有している。保持装置は、コンベアベルト３０によって支持された回路基板３４を、所定の位置（図１での回路基板３４が図示されている位置）において固定的に保持する。

ヘッド移動装置２２は、Ｘ軸方向スライド機構５０とＹ軸方向スライド機構５２とによって構成されている。Ｘ軸方向スライド機構５０は、Ｘ軸方向に移動可能にベース５４上に設けられたＸ軸スライダ５６を有している。そのＸ軸スライダ５６は、電磁モータ（図示省略）の駆動により、Ｘ軸方向の任意の位置に移動する。また、Ｙ軸方向スライド機構５２は、Ｙ軸方向に移動可能にＸ軸スライダ５６の側面に設けられたＹ軸スライダ５８を有している。そのＹ軸スライダ５８は、電磁モータ（図示省略）の駆動により、Ｙ軸方向の任意の位置に移動する。そのＹ軸スライダ５８には、２台のインクジェットヘッド２７，２８が並んで取り付けられている。このような構造により、インクジェットヘッド２７，２８は、ヘッド移動装置２２によってベース５４上の任意の位置に移動する。

紫外線照射装置２４は、紫外線を照射する装置であり、下方を向いた状態でＹ軸スライダ５８の下面に固定されている。これにより、Ｙ軸スライダ５８が、ヘッド移動装置２２によって移動させられることで、回路基板３４上の任意の位置に紫外線を照射することが可能である。

レーザ照射装置２６は、レーザを照射する装置であり、下方を向いた状態でＹ軸スライダ５８の下面に固定されている。これにより、Ｙ軸スライダ５８が、ヘッド移動装置２２によって移動させられることで、回路基板３４上の任意の位置にレーザを照射することが可能である。なお、レーザ照射装置２６は、照射するレーザの単位面積当たりのレーザ照射量を任意に変更することが可能である。

インクジェットヘッド２７は、下面側に形成された吐出口（図示省略）を有し、その吐出口から回路基板３４の上に紫外線硬化樹脂を吐出する。紫外線硬化樹脂は、紫外線照射装置２４の紫外線の照射により硬化する樹脂である。

インクジェットヘッド２８は、下面側に形成された吐出口（図示省略）を有し、その吐出口から回路基板３４の上に金属インクを吐出する。金属インクは、金属の微粒子が溶剤中に分散されたものであり、レーザ照射装置２６のレーザの照射により焼成することで、配線となる。

＜回路基板上での配線の形成＞
対基板作業装置１０では、上述した構成によって、回路基板３４上に配線が形成され、回路基板３４上に配設された複数の電極等の導電部が、配線により電気的に接続される。ただし、従来の手法により配線を形成した場合には、配線の下に配設されている基材が異なるため、適切に配線を形成できない虞がある。具体的に、図２に示すように、回路基板３４の上に配設された導電体６０，６２と、電子部品６４の電極６６，６８とを、従来の手法により電気的に接続する配線の形成方法について説明する。

導電体６０，６２と電子部品６４の電極６６，６８とを接続する配線の形成時には、電子部品６４の表面と導電体６０，６２の表面との段差をなくすべく、図３に示すように、電子部品６４と導電体６０，６２との間に、傾斜部７０が形成される。傾斜部７０は、電子部品６４の表面と導電体６０，６２の表面とに円滑に連続する傾斜面を有しており、インクジェットヘッド２７からの紫外線硬化樹脂の吐出と、吐出された紫外線硬化樹脂への紫外線照射装置２４による紫外線の照射とが繰り返されることにより形成される。つまり、インクジェットヘッド２７が、電子部品６４と導電体６０，６２との間に紫外線硬化樹脂を薄膜状に吐出し、紫外線照射装置２４が、薄膜状の紫外線硬化樹脂に紫外線を照射することで、薄膜状の樹脂層が形成される。そして、その薄膜状の樹脂層の上への紫外線硬化樹脂の吐出と、紫外線の照射とが繰り返されることで、傾斜部７０が形成される。

電子部品６４と導電体６０，６２との間に傾斜部７０が形成されると、図４に示すように、導電体６０と電子部品６４の電極６６、および、導電体６２と電子部品６４の電極６８とを繋ぐように、導電体６０，６２と電子部品６４と傾斜部７０とに跨って、インクジェットヘッド２８から金属インク７２が吐出される。そして、吐出された金属インク７２に、レーザ照射装置２６によりレーザが照射されることで、金属インク７２が焼成し、金属インク７２の焼成により、導電体６０，６２と電子部品６４の電極６６，６８とを電気的に接続する配線が形成される。なお、金属インクの焼成とは、エネルギーを付与することによって、溶媒の気化や金属微粒子保護膜の分解等が行われ、金属微粒子が接触または融着をすることで、導電率が高くなる現象である。金属インク７２が焼成することで、金属製の配線が形成される。

ただし、レーザが照射される金属インク７２は、導電体６０，６２と電子部品６４と傾斜部７０とに跨って吐出されているため、適切に配線が形成されない虞がある。詳しくは、熱伝導率の高い基材、若しくは、熱容量の多い基材、若しくは、体積の大きい基材の上に吐出された金属インク７２にレーザが照射された場合に、レーザによる熱は基材に逃げ易い。一方、熱伝導率の低い基材、若しくは、熱容量の少ない基材、若しくは、体積の小さい基材の上に吐出された金属インク７２にレーザが照射された場合に、レーザによる熱は基材に逃げ難い。

このため、例えば、単位面積当たりのレーザ照射量を比較的高い値に設定した場合には、熱伝導率の高い基材等の上に吐出された金属インク７２は、適切に焼成され、配線が形成される。一方、熱伝導率の低い基材等の上に吐出された金属インク７２は、焼成されるが、焼成により形成された配線は、過剰な熱により損傷する虞がある。また、例えば、単位面積当たりのレーザ照射量を比較的低い値に設定した場合には、熱伝導率の低い基材等の上に吐出された金属インク７２は、適切に焼成され、配線が形成される。一方、熱伝導率の高い基材等の上に吐出された金属インク７２は、焼成せずに、配線が形成されない虞がある。このように、熱伝導率等の異なる複数の基材に跨って、金属インク７２が吐出されている場合には、金属インク７２の焼成による配線を適切に形成できない虞がある。

ただし、金属インク７２が吐出されている基材の素材に応じて、単位面積当たりのレーザ照射量を変更することで、金属インク７２の焼成による配線を適切に形成することが可能となる。詳しくは、例えば、導電体６０，６２の上に吐出されている金属インク７２には、導電体６０，６２に応じた単位面積当たりのレーザ照射量に相当するレーザが照射され、傾斜部７０の上に吐出されている金属インク７２には、傾斜部７０に応じた単位面積当たりのレーザ照射量に相当するレーザが照射され、電子部品６４の上に吐出されている金属インク７２には、電子部品６４に応じた単位面積当たりのレーザ照射量に相当するレーザが照射される。なお、電子部品６４は、電極６６，６８と本体部７６とによって構成されているため、電極６６，６８の上に吐出されている金属インク７２には、電極６６，６８に応じた単位面積当たりのレーザ照射量に相当するレーザが照射され、本体部７６の上に吐出されている金属インク７２には、本体部７６に応じた単位面積当たりのレーザ照射量に相当するレーザが照射される。このように、金属インク７２が吐出されている基材の素材に応じて、単位面積当たりのレーザ照射量を変更することで、金属インク７２の焼成による配線を適切に形成することが可能となる。

しかしながら、基材の素材に応じたレーザ照射量の変更は、制御的に困難である。特に、電子部品６４が小さい場合には、電子部品６４の本体部７６の上の金属インク７２へのレーザの照射範囲は、極微小となり、レーザ照射量の変更は非常に困難である。

このようなことに鑑みて、対基板作業装置１０では、金属インク７２が吐出される基材の種類を可及的に少なくすることで、適切に配線を形成する手法が採用されている。具体的には、図５に示すように、導電体６０，６２と電子部品６４とが配設された回路基板３４の上に、導電体６０，６２の一部と電子部品６４の電極６６，６８とが露出するように、樹脂層７８が形成される。つまり、回路基板３４を、導電体６０，６２の一部と電極６６，６８とを除く箇所を覆うように、樹脂層７８が形成される。これにより、樹脂層７８には、導電体６０，６２に至る導電体ホール８０，８２と、電極６６，６８に至る電極ホール８４，８６とが形成される。なお、樹脂層７８は、傾斜部７０と同様に、インクジェットヘッド２７からの紫外線硬化樹脂の吐出と、吐出された紫外線硬化樹脂への紫外線照射装置２４による紫外線の照射とが繰り返されることにより形成される。

樹脂層７８が形成されると、導電体ホール８０，８２と電極ホール８４，８６の内部に、金属インク７２の焼結による柱状の金属の塊（以下、「金属柱」と記載する場合がある）（図８参照）８８が形成される。詳しくは、例えば、導電体ホール８２の内部に金属柱８８が形成される際には、図６に示すように、インクジェットヘッド２８によって、導電体ホール８２の内部に金属インク７２が吐出される。そして、その金属インク７２に、図７に示すように、レーザ照射装置２６によってレーザが照射される。これにより、金属インク７２が焼成し、導電体６２の上に膜状の金属の塊９０が形成される。そして、その膜状の金属の塊９０の上への金属インク７２の吐出と、レーザ照射とが繰り返されることで、図８に示すように、導電体ホール８２の内部に、金属柱８８が形成される。なお、金属柱８８は、樹脂層７８の表面に露出している。また、導電体ホール８０および、電極ホール８４，８６の内部にも金属柱８８が形成されるが、導電体ホール８０および、電極ホール８４，８６の内部への金属柱８８の形成手法は、導電体ホール８２の内部への金属柱８８の形成手法と同じであるため、説明を省略する。

導電体ホール８０，８２および、電極ホール８４，８６の内部に金属柱８８が形成されると、図９に示すように、導電体ホール８０の金属柱８８と電極ホール８４の金属柱８８、および、導電体ホール８２の金属柱８８と電極ホール８６の金属柱８８とを繋ぐように、インクジェットヘッド２８から金属インク７２が吐出される。そして、吐出された金属インク７２に、レーザ照射装置２６によりレーザが照射されるが、金属インク７２は、金属柱８８と樹脂層７８とに跨って吐出されているため、金属柱８８の上の金属インク７２にレーザが照射される際と、樹脂層７８の上の金属インク７２にレーザが照射される際とで、単位面積当たりのレーザ照射量が変更される。

詳しくは、金属柱８８の熱伝導率は高いため、金属柱８８の上の金属インク７２に照射されたレーザによる熱は、金属柱８８を伝わって逃げ易い。このため、金属柱８８の上の金属インク７２には、比較的大きな値の単位面積当たりのレーザ照射量（以下、「金属用照射量」と記載する場合がある）に相当するレーザが照射される。一方、樹脂層７８の熱伝導率は低いため、樹脂層７８の上の金属インク７２に照射されたレーザによる熱は、樹脂層７８を伝わって逃げ難い。このため、樹脂層７８の上の金属インク７２には、比較的小さな値の単位面積当たりのレーザ照射量（以下、「樹脂用照射量」と記載する場合がある）に相当するレーザが照射される。

また、金属柱８８の上に吐出された金属インク７２と、樹脂層７８の上に吐出された金属インク７２との境目には、照射量が変更される際に、金属用照射量に相当するレーザと、樹脂用照射量に相当するレーザとの両方が照射される。このため、樹脂層７８の上に吐出された金属インク７２の金属柱８８側の端部（以下、「樹脂上金属インク端部」と記載する場合がある）に、金属用照射量に相当するレーザが照射され、樹脂上金属インク端部が損傷する虞がある。

このため、まず、樹脂層７８の上に吐出された金属インク７２に、樹脂用照射量に相当するレーザが照射される。これにより、樹脂層７８の上に吐出された金属インク７２が適切に焼成される。なお、金属インク７２に照射されるレーザの波長は、５００〜１５００ｎｍとされている。この波長は、金属インク７２に含まれる金属微粒子に吸収されやすい波長であるため、適切に金属インク７２が焼成される。

そして、樹脂層７８の上に吐出された金属インク７２が焼成された後に、レーザ照射量が、樹脂用照射量から金属用照射量に変更される。この際、樹脂層７８の上に吐出された金属インク７２と、金属柱８８の上に吐出された金属インク７２との境目には、金属用照射量に相当するレーザが照射されるが、樹脂層７８の上に吐出された金属インク７２は焼成しているため、樹脂上金属インク端部の損傷が防止される。詳しくは、金属インク７２に照射されるレーザの波長は、上述したように、５００〜１５００ｎｍとされており、この波長は、金属微粒子に吸収されやすい波長である。つまり、樹脂上金属インク端部は、金属微粒子の焼成により金属の塊、つまり、配線となり、レーザの吸収性が低くなっている。このため、金属用照射量に相当するレーザが照射されても、樹脂上金属インク端部の損傷が防止される。

そして、レーザ照射量が金属用照射量に変更された後に、金属柱８８の上に吐出された金属インク７２に、レーザが照射されることで、金属柱８８の上に吐出された金属インク７２が適切に焼成される。このように、レーザ照射量の変更と、焼成の順番を調整することで、樹脂層７８および金属柱８８の上に吐出された金属インク７２が適切に焼成され、図１０に示すように、導電体ホール８０の金属柱８８と電極ホール８４の金属柱８８、および、導電体ホール８２の金属柱８８と電極ホール８６の金属柱８８とを電気的に接続する配線９６，９８が形成される。これにより、導電体６０と電子部品６４の電極６６とは、導電体ホール８０の金属柱８８と電極ホール８４の金属柱８８と配線９６とを介して、電気的に接続され、導電体６２と電子部品６４の電極６８とは、導電体ホール８２の金属柱８８と電極ホール８６の金属柱８８と配線９８とを介して、電気的に接続される。

このように、対基板作業装置１０では、金属インク７２が吐出される基材が、樹脂層７８と金属柱８８との２種類となっており、レーザ照射量の変更が容易となる。また、従来の配線形成時のように、極微小な電子部品６４の本体部７６の上の金属インク７２へのレーザ照射がないため、レーザ照射量の変更制御が非常に容易となる。

なお、導電体６０，６２は、第１導電部の一例である。電極６６，６８は、第２導電部および、電極の一例である。樹脂層７８は、樹脂層の一例である。導電体ホール８０，８２は、第１ホールの一例である。電極ホール８４，８６は、第２ホールの一例である。金属柱８８は、金属柱の一例である。

また、回路基板３４の上に樹脂層７８を形成する工程は、樹脂層形成工程の一例である。導電体ホール８０，８２および、電極ホール８４，８６の内部に金属柱８８を形成する工程は、金属柱形成工程の一例である。導電体ホール８０の金属柱８８と電極ホール８４の金属柱８８、および、導電体ホール８２の金属柱８８と電極ホール８６の金属柱８８とを繋ぐように、インクジェットヘッド２８により金属インク７２を吐出する工程は、塗布工程の一例である。吐出された金属インク７２にレーザ照射装置２６によりレーザを照射することで、配線９６，９８を形成する工程は、配線形成工程の一例である。

＜変形例＞
上述した配線の形成方法と異なる形成方法により、配線を形成することが可能である。具体的には、まず、上記実施例と同様に、図５に示すように、回路基板３４の上に樹脂層７８を形成する。樹脂層７８が形成されると、図１１に示すように、導電体ホール８０の縁と電極ホール８４の縁、および、導電体ホール８２の縁と電極ホール８６の縁とを繋ぐように、インクジェットヘッド２８から金属インク７２が吐出される。そして、吐出された金属インク７２に、樹脂用照射量に相当するレーザが、レーザ照射装置２６によって照射される。これにより、図１２に示すように、樹脂層７８の上の導電体ホール８０の縁と電極ホール８４の縁との間および、導電体ホール８２の縁と電極ホール８６の縁との間に配線１００が形成される。

次に、上記実施例と同様に、導電体ホール８０，８２および、電極ホール８４，８６の内部への金属インク７２の吐出と、吐出された金属インク７２へのレーザ照射が繰り返される。これにより、導電体ホール８０，８２および、電極ホール８４，８６の内部に、図１３に示すように、金属柱８８が形成される。続いて、図１４に示すように、導電体ホール８０，８２および、電極ホール８４，８６の金属柱８８の上に、金属インク７２が吐出される。この際、金属インク７２は、金属柱８８と配線１００とを繋ぐように、金属柱８８の上に吐出される。

そして、金属柱８８の上に吐出された金属インク７２に、金属用照射量に相当するレーザが照射される。これにより、図１５に示すように、金属柱８８の上に、金属柱８８と配線１００とを繋ぐ配線１０２が形成される。これにより、導電体６０と電子部品６４の電極６６とは、導電体ホール８０の金属柱８８と電極ホール８４の金属柱８８と配線１００，１０２とを介して、電気的に接続され、導電体６２と電子部品６４の電極６８とは、導電体ホール８２の金属柱８８と電極ホール８６の金属柱８８と配線１００，１０２とを介して、電気的に接続される。

このように、変形例の配線形成方法においても、実施例の配線形成方法と同様の効果を得ることが可能である。また、変形例の配線形成方法では、樹脂層７８の上の配線１００と金属柱８８の上の配線１０２とが、別工程で形成されている。これにより、樹脂層７８の上の配線１００形成時に金属柱の方への熱の逃げを防ぎ、レーザ照射量の変更を容易に行うことが可能となり、レーザ照射装置２６等の制御が容易となる。

なお、回路基板３４の上に樹脂層７８を形成する工程は、樹脂層形成工程の一例である。樹脂層７８の上に金属インク７２を吐出する工程は、第１塗布工程の一例である。樹脂層７８の上の金属インク７２にレーザ照射し、配線１００を形成する工程は、第１配線形成工程の一例である。導電体ホール８０，８２および、電極ホール８４，８６の内部に金属柱８８を形成する工程は、金属柱形成工程の一例である。金属柱８８の上に金属インク７２を吐出する工程は、第２塗布工程の一例である。金属柱８８の上の金属インク７２にレーザ照射し、配線１０２を形成する工程は、第２配線形成工程の一例である。

なお、本発明は、上記実施例および変形例に限定されるものではなく、当業者の知識に基づいて種々の変更、改良を施した種々の態様で実施することが可能である。具体的には、例えば、上記実施例および変形例では、樹脂層７８および、金属柱８８の上に吐出された金属インク７２にレーザが照射され、金属インク７２が焼成されているが、樹脂層７８，金属柱８８以外の種々の材質の基材の上に吐出された金属インク７２にレーザを照射し、金属インク７２を焼成することが可能である。

６０：導電体（第１導電部）６２：導電体（第１導電部）６６：電極（第２導電部）６８：電極（第２導電部）７８：樹脂層８０：導電体ホール（第１ホール）８２：導電体ホール（第１ホール）８４：電極ホール（第２ホール）８６：電極ホール（第２ホール）８８：金属柱

Claims

回路基板上に配設された第１導電部と第２導電部とを電気的に接続するための配線を形成する配線形成方法において、
前記配線形成方法が、
前記第１導電部に至る第１ホールと前記第２導電部に至る第２ホールとを有する樹脂層を、前記回路基板上に形成する樹脂層形成工程と、
前記樹脂層形成工程において前記樹脂層が形成された後に、前記樹脂層の上に、前記第１ホールの縁と前記第２ホールの縁とを繋ぐように、金属微粒子を含有する金属含有液を塗布する第１塗布工程と、
前記第１塗布工程において塗布された金属含有液にレーザを照射することで、配線を形成する第１配線形成工程と、
前記第１配線形成工程において配線が形成された後に、金属含有液の前記第１ホールおよび前記第２ホールの内部への吐出と、金属含有液へのレーザ照射との繰り返しにより、前記第１ホールおよび前記第２ホールの内部から前記樹脂層の表面に露出する金属柱を形成する金属柱形成工程と、
前記金属柱形成工程において金属柱が形成された後に、前記第１ホールの内部から前記樹脂層の表面に露出する第１の金属柱と、前記第２ホールの内部から前記樹脂層の表面に露出する第２の金属柱との上に、前記第１配線形成工程において形成された配線と前記第１の金属柱と前記第２の金属柱とを繋ぐように、金属含有液を塗布する第２塗布工程と、
前記第２塗布工程において塗布された金属含有液にレーザを照射することで、配線を形成する第２配線形成工程と
を含み、
前記第１導電部と前記第２導電部とを電気的に接続するための配線を形成することを特徴とする配線形成方法。
前記第１導電部と前記第２導電部との少なくとも一方が、
前記回路基板上に配設された電子部品の電極であることを特徴とする請求項１に記載の配線形成方法。