JP6438280B2 - マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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Description
マルチ荷電粒子ビームの1つのビームあたりの照射単位領域となる画素毎に、当該画素を多重描画する複数の異なるビームの照射量に重み付けする複数の重み付け係数を演算する重み付け係数演算部と、
画素毎に、複数の重み付け係数のうち、対応する重み付け係数を用いて重み付けされた複数の異なるビームの照射量を演算する照射量演算部と、
それぞれ重み付けされた照射量の複数の異なるビームが対応する画素に照射されるように、マルチ荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する描画部と、
を備え、
前記複数の重み付け係数として、前記多重描画の各パスの担当ビームに対する重み付け係数が演算されることを特徴とする。
複数の異なるビームの照射量が最大照射量を超えないようにオフセット値が設定されると好適である。
マルチ荷電粒子ビームの1つのビームあたりの照射単位領域となる画素毎に、当該画素を多重描画する複数の異なるビームの照射量に重み付けする複数の重み付け係数を演算する工程と、
画素毎に、複数の重み付け係数のうち、対応する重み付け係数を用いて重み付けされた複数の異なるビームの照射量を演算する工程と、
それぞれ重み付けされた照射量の複数の異なるビームが対応する画素に照射されるように、マルチ荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する工程と、
を備え、
前記複数の重み付け係数として、前記多重描画の各パスの担当ビームに対する重み付け係数が演算されることを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、成形アパーチャアレイ部材203、ブランキングアパーチャアレイ部材204、縮小レンズ205、制限アパーチャ部材206、対物レンズ207、及び偏向器208が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画時には描画対象基板となるマスクブランクス等の試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造する際の露光用マスク、或いは、半導体装置が製造される半導体基板(シリコンウェハ)等が含まれる。XYステージ105上には、さらに、XYステージ105の位置測定用のミラー210が配置される。
図4は、実施の形態1におけるブランキングアパーチャアレイ部材のメンブレン領域内の構成の一部を示す上面概念図である。なお、図3と図4において、制御電極24と対向電極26と制御回路41,43の位置関係は一致させて記載していない。ブランキングアパーチャアレイ部材204は、図3に示すように、支持台33上にシリコン等からなる半導体基板31が配置される。基板31の中央部は、例えば裏面側から薄く削られ、薄い膜厚hのメンブレン領域30(第1の領域)に加工されている。メンブレン領域30を取り囲む周囲は、厚い膜厚Hの外周領域32(第2の領域)となる。メンブレン領域30の上面と外周領域32の上面とは、同じ高さ位置、或いは、実質的に高さ位置になるように形成される。基板31は、外周領域32の裏面で支持台33上に保持される。支持台33の中央部は開口しており、メンブレン領域30の位置は、支持台33の開口した領域に位置している。
実施の形態1では、パス毎の異なるビームの位置ずれ量の逆比によってパス毎のビームの照射量に重み付けを行う場合を示したが、実施の形態1では、位置ずれ量の小さいビームに照射量が偏る場合が有り得る。レジストヒーティング等の影響を回避するべく、1回のショットのビーム照射量には制限がある。多重描画において、1つのパス用のビーム照射量への割合が著しく大きくなった場合に、かかる1回のショットのビーム照射量の制限値を超えることもあり得る。そこで、実施の形態2では、かかる制限値以内の照射量で調整する手法を説明する。
12 照射画素
20 マルチビーム
22 穴
24 制御電極
25 通過孔
26 対向電極
31 描画領域
34 照射領域
35 ストライプ領域
41 制御回路
47 個別ブランキング機構
50 位置ずれデータ取得部
52 オフセット設定部
54 重み係数演算部
55 照射量演算部
56 判定部
57 ρ演算部
58 データ処理部
60 描画制御部
61 データ処理部
100 描画装置
101 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御計算機
112 メモリ
130 偏向制御回路
139 ステージ位置検出器
140,142,144 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203 成形アパーチャアレイ部材
204 ブランキングアパーチャアレイ部材
205 縮小レンズ
206 制限アパーチャ部材
207 対物レンズ
208 偏向器
210 ミラー
Claims (5)
- マルチ荷電粒子ビームの1つのビームあたりの照射単位領域となる画素毎に、当該画素を多重描画する複数の異なるビームの照射量に重み付けする複数の重み付け係数を演算する重み付け係数演算部と、
前記画素毎に、前記複数の重み付け係数のうち、対応する重み付け係数を用いて重み付けされた前記複数の異なるビームの照射量を演算する照射量演算部と、
それぞれ重み付けされた照射量の前記複数の異なるビームが対応する画素に照射されるように、マルチ荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する描画部と、
を備え、
前記複数の重み付け係数として、前記多重描画の各パスの担当ビームに対する重み付け係数が演算されることを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記複数の重み付け係数の各重み付け係数は、前記複数の異なるビームの位置ずれ量の逆数の和に対する当該ビームの位置ずれ量の逆数の比で演算されることを特徴とする請求項1記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
- 前記複数の重み付け係数の各重み付け係数は、前記複数の異なるビームの位置ずれ量とオフセット値との和の逆数の和に対する、当該ビームの位置ずれ量と前記オフセット値との和の逆数の比で演算されることを特徴とする請求項1記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
- 前記多重描画の各パスで照射される最大照射量が予め設定され、
前記複数の異なるビームの照射量が前記最大照射量を超えないように前記オフセット値が設定されることを特徴とする請求項3記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。 - マルチ荷電粒子ビームの1つのビームあたりの照射単位領域となる画素毎に、当該画素を多重描画する複数の異なるビームの照射量に重み付けする複数の重み付け係数を演算する工程と、
前記画素毎に、前記複数の重み付け係数のうち、対応する重み付け係数を用いて重み付けされた前記複数の異なるビームの照射量を演算する工程と、
それぞれ重み付けされた照射量の前記複数の異なるビームが対応する画素に照射されるように、マルチ荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する工程と、
を備え、
前記複数の重み付け係数として、前記多重描画の各パスの担当ビームに対する重み付け係数が演算されることを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
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