JP6435504B2 - 熱電変換モジュール - Google Patents

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Description

本発明は、熱電変換素子を備えて構成される熱電変換モジュールに関するものである。
近年、熱電変換素子を備えて構成される熱電変換モジュールが注目されている。熱電変換モジュールとしては、例えば図5に示されるもの(特許文献1を参照)があげられる。
図5に示したように、この熱電変換モジュール100は、複数の熱電変換素子110を備えており、そのp型熱電変換素子とn型熱電変換素子が電極150を介して直列に接続されて複数のpn素子対が形成されている。熱電変換素子110同士は、互いの間の短絡を防止するため水平方向には所定間隔をあけて配置されている。pn素子対の一方の端面には基板200が配され、他方の端面には基板300が配されている。基板200、300は熱伝導に優れる材質のものが用いられている。直列に接続された複数のpn素子対の両端位置のものにはリード線400が接続されている。
熱電変換モジュール100は、例えば基板200を加熱し、基板300を冷却すれば、pn素子対に生じるゼーベック効果でリード線400から所定の電力が得られる。つまり、発電装置として活用できる。
または、熱電変換モジュール100は、リード線400に所定の電流を流すと、pn素子対に生じるペルチェ効果によって、例えば基板200が加熱状態になり、また基板300は冷却状態になる。つまり、冷却装置などとしても活用できるものであった。
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。
特開2014−53528号公報
近年、熱電変換モジュール100は、発電装置として用いる際に、効率よく大きい出力電力が得られる安価なものが求められるようになっている。
熱電変換モジュール100は、複数の熱電変換素子110が水平方向では互いに間隔をもった状態で配置されていたため、基板200、300間の熱電変換素子110以外の部分が空気層になる構成であった。
熱電変換モジュール100から得られる出力電力は、例えば加熱する側の基板200と冷却する側の基板300との温度差、言い換えると、複数の熱電変換素子110に加わる温度差に左右される。
ここに、熱電変換モジュール100のように、基板200と基板300との間の熱電変換素子110以外の部分が空気層になっていると、図5内に矢印で示すように、加熱した基板200側(所謂高温側)からの輻射熱が基板間の空気層に伝わって、空気層を介して冷却する基板300側(所謂低温側)に伝わり、これによって基板300の温度が上昇してしまい、熱電変換素子110に加わる温度差が小さくなるという課題があった。
本発明は、このような従来の課題を解決するものであり、基板間での不要な熱の伝達が抑えられると共に、生産性の向上も図れる構成の熱電変換モジュールを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明は、第1基板と第2基板との間に複数の熱電変換素子が配され、その複数の熱電変換素子が第1基板の第1電極および第2基板の第2電極を介して直列に接続されて構成される熱電変換モジュールにおいて、第1基板または第2基板の少なくとも一方の対向面側に、空気の熱伝導率よりも小さい熱伝導率の絶縁レジストを設けたものとする。そして、絶縁レジストは、第1電極または第2電極に所定厚みで重なって形成され、その側端面が熱電変換素子の側面に間隙をもって位置する第1部分を有した形状に形成して、第1部分の側端面で熱電変換素子の設置箇所が構成されるようにするものである。
本発明は、対向して配置された基板の少なくとも一方の対向面側に、空気の熱伝導率よりも小さい熱伝導率の絶縁レジストを設け、その絶縁レジストの側端面で熱電変換素子の設置箇所を構成するようにしたため、熱電変換素子の組み込みが容易で生産性の向上が図れる上、基板間での不要な熱の伝達が抑えられる熱電変換モジュールを得ることができるという有利な効果が得られる。
本発明の実施形態による熱電変換モジュールの断面図 同熱電変換モジュールの要部である第1基板の斜視図 同熱電変換モジュールの側面図 同熱電変換モジュールの変形例の側面図 従来の熱電変換モジュールの構成を示す斜視図
本発明による熱電変換モジュールについて、以下に図面を用いて説明する。
(実施の形態)
図1は本発明の実施形態による熱電変換モジュールの断面図、図2は同熱電変換モジュールの要部である第1基板の斜視図、図3は同熱電変換モジュールの側面図、図4は同熱電変換モジュールの変形例の側面図である。
図1、図3に示すように、本発明の実施形態による熱電変換モジュール3は、対向して配置された第1基板10と第2基板20と、その間に配された複数の熱電変換素子5とを有している。熱電変換素子5は、水平方向では所定の配列状態で配置されており、複数のp型熱電変換素子と複数のn型熱電変換素子とからなる。両者は同じ外形の直方体状である。
第1基板10は、銅板12の一方の面に絶縁層14が設けられ、その絶縁層14に重ねて第1電極16が設けられたものとなっている。第1電極16は銅から形成されている。絶縁層14は、ポリイミド樹脂などから形成されている。
第2基板20も、第1基板10と同様で、銅板22の一方の面に絶縁層24が設けられ、その絶縁層24に重ねて第2電極26が設けられたものとなっている。第2電極26は銅から形成されている。絶縁層24は、ポリイミド樹脂などから形成されている。
第1電極16および第2電極26は、p型熱電変換素子とn型熱電変換素子とを交互に直列で接続可能なように、第1基板10および第2基板20に配されている。
そして、第1基板10には、第2基板との対向面側にさらに絶縁レジスト18が設けられている。絶縁レジスト18は、その熱伝導率が、空気の熱伝導率よりも小さいものを用いて形成されている。
絶縁レジスト18は、図1に示すように、断面視では第1電極16に重なって形成された第1部分18Aと、第1電極16同士の間の絶縁層14位置に重なって形成された第2部分18Bとからなる。一つの第1電極16上に、第1部分18Aの側端面が壁となる孔部31Aが、互いに独立状態で二つ構成されている。半田付け前の状態では、それぞれの孔部31Aの底に第1電極16が露出している。
個々の孔部31Aは、平面視では、図2に示したように、第2基板20側が開口している矩形状である。このように、第1基板10には、第2基板20との対向面側に形成された絶縁レジスト18で複数の孔部31Aが定ピッチの行列状に構成されたものとなっている。
孔部31Aの矩形状の大きさは、熱電変換素子5の水平断面の外形に相似で若干大きい矩形状に設定されて構成されており、この孔部31A内がそれぞれの熱電変換素子5の一端側の設置箇所になっている。
言い換えると、第1部分18Aの側端面が、熱電変換素子5の側面に対して水平方向に若干の間隙をもって位置するように絶縁レジスト18が形成されている。そして、第1部分18Aは、孔部31Aの壁となる側端面の厚みが、熱電変換素子5の高さ寸法の1/3程度の厚みで形成されている。
なお、第1部分18Aの側端面の厚みは、熱電変換素子5の対応する側面位置を移動規制が可能な厚みに設定されていればよい。絶縁レジスト18に厚みをもたせる手法は限定されない。例えば、数回重ね塗りなどして所定厚みに形成すればよい。
なお、第1基板10の外縁位置にも、図2に示したように、絶縁レジスト18の第2部分18Bが全周に亘って設けられている。
以上のように、それぞれの熱電変換素子5の配置箇所となる複数の孔部31Aが、絶縁レジスト18によって第1基板10に設けられている。
第2基板20は、第1基板10との対向面側に、第1基板10の絶縁レジスト18と同様に設けられている絶縁レジスト28を有する(図1参照)。
つまり、絶縁レジスト28によって、一つの第2電極26上には、互いに独立する二つの矩形状の孔部31Bが構成されている(図1参照)。それぞれの孔部31Bは、第1基板10側が開口し、半田付け前の状態では、それぞれの底に第2電極26が露出している。
そして、絶縁レジスト28は、断面視では第2電極26に重なって形成された第1部分28Aと、第2電極26同士の間の絶縁層24位置に重なって形成された第2部分28Bとからなる。孔部31Bの壁は、第1部分28Aの側端面で形成されている。そして、各々の孔部31Bは、第1基板10側に設けられた各々の孔部31Aに対向して設けられている。
孔部31Bの矩形状の大きさは、熱電変換素子5の水平断面の外形に相似で若干大きい矩形状に形成されており、この孔部31B内がそれぞれの熱電変換素子5の他端側の設置箇所になっている。
なお、第1部分28Aの側端面は、熱電変換素子5の側面に対して水平方向に若干の間隙をもって位置することや、孔部31Bの壁となる第1部分28Aの側端面の厚みが熱電変換素子5の高さ寸法の1/3程度の厚みであることは絶縁レジスト18の場合と同じである。また、第1部分28Aの側端面の厚みは、熱電変換素子5の対応する側面位置を移動規制が可能な厚みで設定されていればよいことや、第2基板20の外縁位置に絶縁レジスト28の第2部分28Bが全周に亘って設けられていることなども同じである。絶縁レジスト28に厚みをもたせる手法についても、同様で、例えば、数回重ね塗りなどして所定厚みに形成すればよい。
以上のように、それぞれの熱電変換素子5の配置箇所となる複数の孔部31Bが、絶縁レジスト28によって第2基板20にも設けられている。なお、孔部31B同士は互いに独立し、複数の孔部31Bが定ピッチの行列状に構成されたものとなっていることも第1基板10側と同じである。
それぞれの熱電変換素子5は、第1基板10の孔部31A内とそれに対向する第2基板20の孔部31B内とに両端それぞれを挿通させて、それぞれの端面を第1電極16と第2電極26に半田付けされて配されている。直列に接続された熱電変換素子5の両端位置のものには図示しないリード線が装着されている。
以上のように、当該実施形態による熱電変換モジュール3は構成されている。
その動作は、従来同様に、例えば第2基板20を加熱し、第1基板10を冷却すれば、ゼーベック効果でリード線から所定の電力を得ることができる発電装置として活用できる。または、リード線に所定の電流を流すと、例えば第2基板20が加熱状態になり、第1基板10が冷却状態になって、冷却装置などに活用することができる。
ここに、熱電変換モジュール3は、発電装置とした場合に、得られる電力が大きい。
すなわち、当該構成では、第1基板10および第2基板20の対向面のそれぞれに、空気の熱伝導率よりも小さい熱伝導率の絶縁レジスト18および絶縁レジスト28を設け、これらの絶縁レジスト18および絶縁レジスト28で、熱電変換素子5毎の設置箇所以外を覆った構成としている。
このために、例えば第2基板20を加熱し、第1基板10を冷却する場合では、第2基板20からの熱が絶縁レジスト28によって従来品に比べて抑えられて絶縁レジスト28、18間の空気層に伝達され、さらに、その空気層からの熱が絶縁レジスト18によってさらに抑えられて第1基板10に伝達されるようになる。このため、従来品に対して第1基板10の温度上昇が抑制される。つまり、基板間での不要な熱の伝達が抑制されるため、熱電変換素子5に加わる温度差が小さくなることが抑えられ、得られる電力は従来品よりも大きい。
なお、熱の伝達防止の観点からすれば、絶縁レジスト18と絶縁レジスト28とは基板面の全てを覆えばよいが、複数の熱電変換素子5は半田付けが必要である。そのために、当該構成では、第1部分18A、28Aの側端面で熱電変換素子5毎の設置箇所となる孔部31A、31Bを構成したものとしている。
さらに、その際に、第1部分18A、28Aの厚みとしては、第1部分18A、28Aの側端面によって熱電変換素子5を移動規制可能な厚みに設定している。言い換えると、熱電変換素子5毎の設置箇所を、厚みをもった壁を有する孔部31A、31Bで構成しておくと、熱電変換素子5を孔部31A、31B内に挿通させるのみで、熱電変換素子5を既定位置に配置することができ、熱電変換素子5の組み込みが容易で生産性の向上に繋がる。
絶縁レジスト18の第1部分18Aや絶縁レジスト28の第1部分28Aの厚みは、熱電変換素子5の水平方向への移動が規制できる厚みであればよいが、好ましくは、熱電変換素子5の高さ寸法の1/4より厚いと好ましい。
また、絶縁レジスト18を含む第1基板10と絶縁レジスト28を含む第2基板20とを共用化することもできる。この場合には、絶縁レジスト18、28の第1部分18A、28Aの側端面の厚みは熱電変換素子5の高さ寸法の1/2以下であればよい。ただし、製造誤差などを考慮すれば、熱電変換素子5の高さ寸法の2/5より小さい厚みにするとよい。
なお、絶縁レジスト18の第1部分18Aと絶縁レジスト28の第1部分28Aとの側端面の厚み同士は、異なる厚みであってもよい。例えば、図4に示した変形例では、第1基板10の絶縁レジスト19を厚く形成し、第2基板20の絶縁レジスト29を薄く形成している。絶縁レジスト19は、例えば熱電変換素子5の高さ寸法の3/4程度の厚みで、絶縁レジスト29は熱電変換素子5の高さ寸法の1/8程度の厚みで形成されたものとしている。この場合では、絶縁レジスト19側に熱電変換素子5を挿通させて組み込むと、作業性に優れる。そして、薄い厚みの絶縁レジスト29は熱の伝導度合いなどを考慮しつつ、厚み設定をすればよい。
さらに、例えば図3に示しているように、絶縁レジスト18と絶縁レジスト28の対向する位置の間に空気層が残る場合には、そこを接着剤で接着した構成にしてもよい。接着剤も、空気の熱伝導率よりも小さい熱伝導率のものを用いると好ましい。そして、接着剤で接着すると、密封状態に構成できるため、熱電変換素子5の腐食などの防止効果も期待できる。
なお、絶縁レジスト18と絶縁レジスト28を空気の熱伝導率よりも小さい熱伝導率のものとする方法は特に限定されない。例えば樹脂基材そのものがそれに相当するものであったり、樹脂基材にフィラーなどを混入させて熱伝導率が調整されたものなどであってもよい。なお、絶縁レジスト18と絶縁レジスト28の色が白色系であればさらに好ましい。
以上には、絶縁レジスト18と絶縁レジスト28の二つの断熱作用を果たすものが基板間に二重で設けられている構成のものを説明したが、例えば第1基板10のみに絶縁レジスト18が設けられ、第2基板20には絶縁レジスト28が設けられていない構成、またはその逆の構成にしてもよい。なお、絶縁レジスト18や28は、熱電変換素子5の高さ寸法の50%以上程度を合計で覆うようにするとよい。なお、上述したように製造誤差を考慮すれば、その上限は90%以下程度が目安である。
なお、熱電変換素子5の側面と第1部分18A、28Aの側端面の間の間隙の寸法設定は、熱電変換素子5の組み込み時の作業性なども考慮しつつ適宜決定すればよい。
なお、絶縁レジスト18と絶縁レジスト28は、熱の伝達を抑制させる断熱作用を有するものにすると好ましいが、断熱作用を有しないものとしてもよい。つまり、第1部分18A、第1部分28Aの側端面で熱電変換素子5毎の設置箇所を構成し、生産性の向上が図れる構成のものを得てもよい。この場合には、絶縁レジスト18と絶縁レジスト28は、空気の熱伝導率よりも熱伝導率が小さくなくてもよいため、材料選択の自由度が広がる。
なお、本発明は、複数個の熱電変換素子5が予め一体化されているものなどに対しても適用することができる。また、第1基板10や第2基板20の材質や詳細構成は上述したもののみに限定はされない。
また、当該構成の熱電変換モジュール3は、冷却用途に用いる際にも、基板間での不要な熱の伝達が抑制されるため、効率に優れるものとして活用できる。
本発明による熱電変換モジュールは、熱電変換素子の組み込みが容易で生産性の向上が図れる上、基板間での不要な熱の伝達が抑えられものとして提供することができ、種々の技術分野で、熱を電気に変換する、または電気を熱に変換する場合に広く適用することが可能である。例えば、加熱炉の廃熱を利用する際などに本発明を採用することができる。
3 熱電変換モジュール
5 熱電変換素子
10 第1基板
12、22 銅板
14、24 絶縁層
16 第1電極
18、28、19、29 絶縁レジスト
18A、28A 第1部分
18B、28B 第2部分
20 第2基板
26 第2電極
31A、31B 孔部

Claims (4)

  1. 複数の第1電極を有する第1基板と、
    前記第1基板に対向し、複数の第2電極を有する第2基板と、
    前記第1基板と前記第2基板との間に互いに間隔をあけて配され、前記第1電極および前記第2電極を介して直列に接続された複数の熱電変換素子とを備え、
    前記第1基板または前記第2基板の少なくとも一方の対向面側に、空気の熱伝導率よりも小さい熱伝導率の絶縁レジストが設けられており、
    前記絶縁レジストは、前記第1電極または前記第2電極に所定厚みで重なって形成され、その側端面が前記熱電変換素子の側面に間隙をもって位置する第1部分を有し、前記第1部分の側端面で前記熱電変換素子の設置箇所が構成されたことを特徴とする熱電変換モジュール。
  2. 前記絶縁レジストの第1部分の側端面の厚みが、前記熱電変換素子の高さ寸法の1/4より厚い請求項1記載の熱電変換モジュール。
  3. 前記絶縁レジストの色が、白色である請求項1記載の熱電変換モジュール。
  4. 前記第1基板および前記第2基板にそれぞれ前記絶縁レジストが設けられ、前記絶縁レジスト同士の間が接着剤で接着された請求項1記載の熱電変換モジュール。
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