JP2019121612A - 電子デバイス - Google Patents

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Abstract

【課題】樹脂封止部の内部において回路素子と外部端子とをボンディングワイヤーによって電気接続した電子デバイスにおいて、樹脂封止部の内部において局所的に熱がこもることを抑制できるようにする。【解決手段】回路素子5と外部端子61とをボンディングワイヤー7によって電気接続した構造を含む回路2と、回路2から電気的に独立した放熱用金属板3と、回路素子5、外部端子61、ボンディングワイヤー7及び放熱用金属板3を封止した樹脂封止部4と、を備え、ボンディングワイヤー7の長手方向の中途部が、樹脂封止部4の内部において放熱用金属板3に接合された接合部8を含む電子デバイス1を提供する。【選択図】図1

Description

この発明は、電子デバイスに関する。
従来、樹脂封止部の内部において半導体素子等の回路素子と外部端子とをボンディングワイヤーで接続することで回路を構成した電子デバイスがある。特許文献1には、この種の電子デバイスにおいて、回路素子をヒートシンク(金属基材)上に搭載した構成が開示されている。このような構成では、回路に対する通電によって生じる回路素子の熱を、ヒートシンクによって効率よく樹脂封止部の外側に逃がすことができる。
特開2011−114010号公報
ところで、この種の電子デバイスでは、回路に対する通電によってボンディングワイヤーも加熱される。しかしながら、上記従来の電子デバイスにおいて、ボンディングワイヤーの熱は主に外部端子を介して樹脂封止部の外側に逃がすことしかできず、ボンディングワイヤーの放熱が不十分となってしまう。このため、樹脂封止部の内部において局所的に熱がこもりやすい、という問題がある。
本発明は、上述した事情に鑑みたものであって、樹脂封止部の内部において局所的に熱がこもることを抑制できる電子デバイスを提供することを目的とする。
本発明の一態様は、回路素子と外部端子とをボンディングワイヤーによって電気接続した構造を含む回路と、前記回路から電気的に独立した放熱用金属板と、前記回路素子、前記外部端子、前記ボンディングワイヤー及び前記放熱用金属板を封止した樹脂封止部と、を備え、前記ボンディングワイヤーの長手方向の中途部が、前記樹脂封止部の内部において前記放熱用金属板に接合された接合部を含む電子デバイスである。
本発明によれば、回路に対する通電によって生じるボンディングワイヤーの熱を、外部端子及び放熱用金属板の両方を介して樹脂封止部の外側に効率よく逃がすことができる。すなわち、ボンディングワイヤーの熱を二つの放熱経路に分散して逃がすことができる。その結果として、樹脂封止部の内部において局所的に熱がこもることを効果的に抑制できる。
本発明の第一実施形態に係る電子デバイスを示す平面図である。 図1のII−II矢視断面図である。 本発明の第二実施形態に係る電子デバイスを示す平面図である。 本発明の第三実施形態に係る電子デバイスを示す平面図である。 本発明の第四実施形態に係る電子デバイスを示す平面図である。 本発明の第五実施形態に係る電子デバイスを示す平面図である。 本発明の第六実施形態に係る電子デバイスを示す平面図である。 本発明の第七実施形態に係る電子デバイスを示す平面図である。 本発明の他の実施形態に係る電子デバイスを示す平面図である。
〔第一実施形態〕
図1,2を参照して本発明の第一実施形態について説明する。
図1,2に示すように、この実施形態に係る電子デバイス1は、回路2と、放熱用金属板3と、樹脂封止部4と、を備える。
回路2は、回路素子5と外部端子61とをボンディングワイヤー7によって電気接続した構造を含む。ボンディングワイヤー7は、回路素子5から外部端子61まで延びている。放熱用金属板3は、上記の回路2から電気的に独立している。樹脂封止部4は、少なくとも回路素子5、外部端子61、ボンディングワイヤー7及び放熱用金属板3を封止する。ボンディングワイヤー7の長手方向の中途部は、樹脂封止部4の内部において放熱用金属板3に接合された接合部8を含む。
以下、本実施形態の電子デバイス1について具体的に説明する。
回路素子5は、例えばダイオードなど任意であってよい。本実施形態の回路素子5は、半導体素子であり、より具体的にはドレイン電極、ソース電極及びゲート電極を有するスイッチング素子である。
本実施形態の電子デバイス1は、セラミック基板9を備えている。セラミック基板9は、セラミック板11及びその両主面12,13に形成された金属板部14,15を備える。セラミック板11の第一主面12に形成された第一金属板部14は、回路2を構成する配線用金属板16と、前述した放熱用金属板3と、を含む。
配線用金属板16は、例えば複数であってもよいが、本実施形態では一つである。本実施形態の配線用金属板16には、回路素子5が実装されている。これにより、回路素子5のドレイン電極及びソース電極の一方が、配線用金属板16に電気接続されている。放熱用金属板3は、配線用金属板16との間で電気的な短絡が発生しないように、配線用金属板16に対して間隔をあけて配されている。
セラミック板11の第二主面13に形成された第二金属板部15は、セラミック基板9の厚さ方向において配線用金属板16や放熱用金属板3と重なっている。これにより、放熱用金属板3に伝わったボンディングワイヤー7の熱や、配線用金属板16に伝わった回路素子5の熱を、効率よく第二金属板部15に伝えることができる。
以上のように構成されるセラミック基板9は、第二金属板部15が樹脂封止部4の外側に露出するように樹脂封止部4によって封止されている。
本実施形態の電子デバイス1は、三つの外部端子6(61,62,63)を備える。三つの外部端子6は、互いに電気的に短絡しないように、互いに間隔をあけて配されている。各外部端子6は、少なくとも樹脂封止部4の内部に配される部位と、樹脂封止部4の外側に露出する部分を有していればよい。本実施形態において、三つの外部端子6は、リードフレームによって構成され、いずれも樹脂封止部4の外側に突出している。
三つの外部端子6のうち第一外部端子61は、図1のように上方から見た平面視で、配線用金属板16に実装された回路素子5との間に放熱用金属板3が位置するように配されている。第一外部端子61は、樹脂封止部4の内部において、ボンディングワイヤー7によって回路素子5のソース電極及びドレイン電極の他方に電気接続されている。ボンディングワイヤー7には、電源電流等のように大きな電流が流れる。回路素子5と第一外部端子61とを接続するボンディングワイヤー7の数は、例えば一つであってもよいが、本実施形態では複数(図示例では三つ)である。複数のボンディングワイヤー7は、互いに間隔をあけて配列されている。
複数のボンディングワイヤー7の熱伝導率は、例えば互いに等しくてもよい。本実施形態では、複数のボンディングワイヤー7のうち複数のボンディングワイヤー7の配列方向(図1において左右方向)において両端に位置する端部ボンディングワイヤー7Aの熱伝導率が、端部ボンディングワイヤー7Aの間に位置する中間部ボンディングワイヤー7Bの熱伝導率よりも高い。例えば、端部ボンディングワイヤー7Aをアルミニウムによって形成し、中間部ボンディングワイヤー7Bを銅によって形成してよい。
中間部ボンディングワイヤー7Bの数は、図示例のように一つであってよいが、例えば複数であってもよい。
上記したボンディングワイヤー7が接合される第一外部端子61の部位は、例えば回路素子5や放熱用金属板3と同じ高さに位置してもよい。本実施形態において、ボンディングワイヤー7が接合される第一外部端子61の部位は、回路素子5や放熱用金属板3よりも高く位置している。
三つの外部端子6のうち第二外部端子62は、樹脂封止部4の内部において、配線用金属板16のうち回路素子5の実装領域と間隔をあけた領域に接合されている。これにより、回路素子5と第二外部端子62とが、配線用金属板16を介して電気接続されている。
三つの外部端子6のうち第三外部端子63は、樹脂封止部4の内部において、信号用ボンディングワイヤー17によって回路素子5のゲート電極と電気接続されている。信号用ボンディングワイヤー17に流れる電流の大きさは、前述したボンディングワイヤー7に流れる電流の大きさよりも小さい。信号用ボンディングワイヤー17の太さは、例えばボンディングワイヤー7の太さと同じであってもよいが、本実施形態ではボンディングワイヤー7の太さよりも細い。
本実施形態の電子デバイス1における回路2は、回路素子5、セラミック基板9の配線用金属板16、三つの外部端子6、ボンディングワイヤー7、信号用ボンディングワイヤー17によって構成されている。
本実施形態においては、回路素子5と第一外部端子61とを接続する複数のボンディングワイヤー7の長手方向の中途部が、樹脂封止部4の内部において放熱用金属板3に接合された接合部8を含む。
複数のボンディングワイヤー7の接合部8の位置は、ボンディングワイヤー7の長手方向(図1において上下方向)において互いに一致している。すなわち、複数のボンディングワイヤー7の接合部8は、複数のボンディングワイヤー7の配列方向に並んでいる。
回路素子5と第三外部端子63とを接続する信号用ボンディングワイヤー17は、放熱用金属板3に接合されない。信号用ボンディングワイヤー17は、放熱用金属板3との間で電気的な短絡が発生しないように、放熱用金属板3に対して十分に間隔をあけて配されている。
以上説明したように、本実施形態の電子デバイス1では、ボンディングワイヤー7の長手方向の中途部(接合部8)が、樹脂封止部4の内部において放熱用金属板3に接合されている。このため、回路2に対する通電によって生じるボンディングワイヤー7の熱を、第一外部端子61及び放熱用金属板3の両方を介して樹脂封止部4の外側に効率よく逃がすことができる。すなわち、ボンディングワイヤー7の熱を二つの放熱経路に分散して逃がすことができる。その結果として、樹脂封止部4の内部において局所的に熱がこもることを効果的に抑制することができる。
また、本実施形態の電子デバイス1では、回路素子5が配線用金属板16に実装されている。このため、回路2に対する通電によって生じる回路素子5の熱を、配線用金属板16を介して樹脂封止部4の外側に効率よく逃がすことができる。これにより、回路素子5の熱がボンディングワイヤー7に伝わることを効果的に抑制できる。
また、本実施形態の電子デバイス1では、放熱用金属板3や配線用金属板16がセラミック基板9の第一金属板部14によって構成されている。また、セラミック基板9は、セラミック板11の両主面12,13に金属板部14,15を形成して構成されている。セラミック基板9のセラミック板11や金属板部14,15は樹脂封止部4よりも熱伝導率が高い。このため、ボンディングワイヤー7や回路素子5の熱を、セラミック基板9に効率よく伝えて樹脂封止部4の外側に効率よく逃がすことができる。
また、本実施形態の電子デバイス1では、端部ボンディングワイヤー7Aの熱伝導率が中間部ボンディングワイヤー7Bの熱伝導率よりも高い。このため、回路素子5において生じた熱は、中間部ボンディングワイヤー7Bよりも端部ボンディングワイヤー7Aに伝わりやすくなる。これにより、回路素子5の熱に基づく中間部ボンディングワイヤー7Bの温度上昇を、端部ボンディングワイヤー7Aよりも低く抑えることができる。したがって、中間部ボンディングワイヤー7Bが端部ボンディングワイヤー7Aにおいて生じる熱の影響を受けても、中間部ボンディングワイヤー7Bの温度が端部ボンディングワイヤー7Aの温度よりも高くなることを好適に抑制できる。すなわち、複数のボンディングワイヤー7の温度の均一化を図ることができる。その結果として、樹脂封止部4の内部における温度の均一化を図ることができる。
〔第二実施形態〕
次に、図3を参照して本発明の第二実施形態について説明する。以下では、第一実施形態との相違点を中心に説明し、第一実施形態と同一の構成要素については、同一符号を付す等してその説明を省略する。
図3に示すように、本実施形態の電子デバイス1Aでは、第一実施形態と同様に、回路素子5と第一外部端子61とを接続する複数のボンディングワイヤー7の中途部が、樹脂封止部4の内部において放熱用金属板3に接合されている。
ただし、本実施形態の電子デバイス1Aでは、複数のボンディングワイヤー7のうち第一ボンディングワイヤー7Cの接合部8が、複数のボンディングワイヤー7の配列方向(図3において左右方向)において第一ボンディングワイヤー7Cに隣り合う第二ボンディングワイヤー7Dの接合部8に対して、ボンディングワイヤー7の長手方向(図3において例えば上下方向)にずれて位置している。
複数のボンディングワイヤー7の接合部8は、例えば、平面視でボンディングワイヤー7の長手方向及び配列方向に対して傾斜する方向に直線状に並ぶように配列されてよい。本実施形態において、複数のボンディングワイヤー7の接合部8は、平面視でジグザグ状(千鳥状)に並ぶように配列されている。これにより、ボンディングワイヤー7の長手方向における放熱用金属板3の寸法を小さくすることができる。
第一ボンディングワイヤー7Cの両側に位置する二つの第二ボンディングワイヤー7Dの接合部8は、例えばボンディングワイヤー7の長手方向において互いにずれて位置してもよいが、図示例では互いにずれずに一致している。
本実施形態の電子デバイス1Aによれば、第一実施形態と同様の効果を奏する。
さらに、本実施形態の電子デバイス1Aによれば、複数のボンディングワイヤー7の接合部8が複数のボンディングワイヤー7の配列方向に並ぶ場合と比較して、複数のボンディングワイヤー7の接合部8を互いに離れて位置させることができる。これにより、各ボンディングワイヤー7の熱を効率よく放熱用金属板3に逃がすことができる。
〔第三実施形態〕
次に、図4を参照して本発明の第三実施形態について説明する。以下では、主に第一実施形態との相違点を中心に説明し、第一、第二実施形態と同一の構成要素については、同一符号を付す等してその説明を省略する。
図4に示すように、本実施形態の電子デバイス1Bでは、第一実施形態と同様に、回路素子5と第一外部端子61とを接続するボンディングワイヤー7の中途部が、樹脂封止部4の内部において放熱用金属板3に接合されている。
ただし、本実施形態の電子デバイス1Bでは、放熱用金属板3に接合されたボンディングワイヤー7の接合部8が、ボンディングワイヤー7の長手方向に互いに間隔をあけて複数配列されている。ボンディングワイヤー7のうち互いに隣り合う接合部8の間に位置する部位は、放熱用金属板3の上方において湾曲したループ状に形成される。ボンディングワイヤー7における接合部8の数は、図示例のように二つであってもよいが、例えば三つ以上であってもよい。
また、本実施形態の電子デバイス1Bでは、第一実施形態と同様に、複数のボンディングワイヤー7の中途部が、樹脂封止部4の内部において放熱用金属板3に接合されている。
同一のボンディングワイヤー7における接合部8の数は、複数のボンディングワイヤー7の間で同じであってよいが、本実施形態では異なっている。具体的に、複数のボンディングワイヤー7のうち第一ボンディングワイヤー7Cにおける接合部8の数は、一つである。一方、第一ボンディングワイヤー7Cに隣り合う第二ボンディングワイヤー7Dにおける接合部8の数は、二つである。第一ボンディングワイヤー7Cの一つの接合部8は、第二実施形態の場合と同様に、第二ボンディングワイヤー7Dの二つの接合部8に対して、ボンディングワイヤー7の長手方向にずれて位置している。
本実施形態の電子デバイス1Bによれば、第一、第二実施形態と同様の効果を奏する。
また、本実施形態の電子デバイス1Bによれば、同一のボンディングワイヤー7の接合部8が、ボンディングワイヤー7の長手方向に互いに間隔をあけて複数配列されている。このため、同一のボンディングワイヤー7における接合部8の数が一つである場合と比較して、ボンディングワイヤー7の熱を効率よく放熱用金属板3に逃がすことができる。
〔第四実施形態〕
次に、図5を参照して本発明の第四実施形態について説明する。以下では、第一実施形態との相違点を中心に説明し、第一実施形態と同一の構成要素については、同一符号を付す等してその説明を省略する。
図5に示すように、本実施形態の電子デバイス1Cでは、第一実施形態と同様に、回路素子5と第一外部端子61とを接続する複数のボンディングワイヤー7の中途部が、樹脂封止部4の内部において放熱用金属板3に接合されている。
ただし、本実施形態の電子デバイス1Cでは、複数のボンディングワイヤー7のうち複数のボンディングワイヤー7の配列方向において両端に位置する端部ボンディングワイヤー7Aの接合部8の長さが、端部ボンディングワイヤー7Aの間に位置する中間部ボンディングワイヤー7Bの接合部8の長さよりも短い。
二つの端部ボンディングワイヤー7Aの接合部8の長さは、図示例のように互いに等しくてもよいが、例えば互いに異なっていてもよい。また、中間部ボンディングワイヤー7Bの数は、図示例のように一つであってよいが、例えば複数であってもよい。
本実施形態の電子デバイス1Cによれば、第一実施形態と同様の効果を奏する。
さらに、本実施形態の電子デバイス1Cによれば、中間部ボンディングワイヤー7Bの接合部8の長さが、端部ボンディングワイヤー7Aの接合部8の長さよりも長いことで、中間部ボンディングワイヤー7Bの熱を、端部ボンディングワイヤー7Aよりも効率よく放熱用金属板3に逃がすことができる。このため、中間部ボンディングワイヤー7Bが端部ボンディングワイヤー7Aにおいて生じる熱の影響を受けても、中間部ボンディングワイヤー7Bの温度が端部ボンディングワイヤー7Aの温度よりも高くなることを好適に抑制できる。すなわち、複数のボンディングワイヤー7の温度の均一化を図ることができる。その結果として、樹脂封止部4の内部における温度の均一化を図ることができる。
第四実施形態の電子デバイス1Cには、例えば第二、第三実施形態の構成が適用されてもよい。
〔第五実施形態〕
次に、図6を参照して本発明の第五実施形態について説明する。以下では、第一実施形態との相違点を中心に説明し、第一実施形態と同一の構成要素については、同一符号を付す等してその説明を省略する。
図6に示すように、本実施形態の電子デバイス1Dでは、第一実施形態と同様に、回路素子5と第一外部端子61とを接続する複数のボンディングワイヤー7の中途部が、樹脂封止部4の内部において放熱用金属板3に接合されている。
ただし、本実施形態の電子デバイス1Dでは、複数のボンディングワイヤー7のうち複数のボンディングワイヤー7の配列方向において両端に位置する端部ボンディングワイヤー7Aの太さが、端部ボンディングワイヤー7Aの間に位置する中間部ボンディングワイヤー7Bの太さよりも太い。すなわち、ボンディングワイヤー7の長手方向に直交する端部ボンディングワイヤー7Aの断面積が、中間部ボンディングワイヤー7Bの断面積よりも大きい。
中間部ボンディングワイヤー7Bの数は、図示例のように一つであってよいが、例えば複数であってもよい。
本実施形態の電子デバイス1Dによれば、第一実施形態と同様の効果を奏する。
さらに、本実施形態の電子デバイス1Dによれば、端部ボンディングワイヤー7Aに流れる電流の大きさが中間部ボンディングワイヤー7Bよりも大きくなる。すなわち、中間部ボンディングワイヤー7Bにおいて生じる熱を、端部ボンディングワイヤー7Aよりも小さくすることができる。一方、端部ボンディングワイヤー7Aの熱は、中間部ボンディングワイヤー7Bと比較して、樹脂封止部4に逃がしやすい。このため、複数のボンディングワイヤー7の温度の均一化を図ることができ、その結果として、樹脂封止部4の内部における温度の均一化を図ることができる。
第五実施形態の電子デバイス1Dには、例えば第二〜第四実施形態の構成が適用されてもよい。
〔第六実施形態〕
次に、図7を参照して本発明の第六実施形態について説明する。以下では、第一実施形態との相違点を中心に説明し、第一実施形態と同一の構成要素については、同一符号を付す等してその説明を省略する。
図7に示すように、本実施形態の電子デバイス1Eでは、第一実施形態と同様に、回路素子5と第一外部端子61とを接続する複数(図示例では五つ)のボンディングワイヤー7の中途部が、樹脂封止部4の内部において放熱用金属板3に接合されている。
ただし、本実施形態の電子デバイス1Eでは、複数のボンディングワイヤー7のうち複数のボンディングワイヤー7の配列方向において両端部分に位置するボンディングワイヤー7同士の間隔が、複数のボンディングワイヤー7の配列方向において中間部分に位置するボンディングワイヤー7同士の間隔よりも大きい。
具体的に、本実施形態の電子デバイス1Eでは、複数のボンディングワイヤー7の配列方向において両端に位置する端部ボンディングワイヤー7Aとこれに隣り合う中間部ボンディングワイヤー7Bとの間隔が、中間部ボンディングワイヤー7B同士の間隔よりも大きい。また、複数(図示例では三つ)の中間部ボンディングワイヤー7B同士の間隔は、互いに等しい。
本実施形態の電子デバイス1Eによれば、第一実施形態と同様の効果を奏する。
また、本実施形態の電子デバイス1Eによれば、複数のボンディングワイヤー7を等間隔で配列する場合と比較して、ボンディングワイヤー7の配列方向の両端部分に位置するボンディングワイヤー7の熱が、中間部分に位置するボンディングワイヤー7に伝わることを抑制することができる。これにより、中間部分に位置するボンディングワイヤー7の温度が両端部分に位置するボンディングワイヤー7の温度よりも高くなることを効果的に抑制できる。すなわち、複数のボンディングワイヤー7の温度の均一化を図ることができる。その結果として、樹脂封止部4の内部における温度の均一化を図ることができる。
第六実施形態において、複数の中間部ボンディングワイヤー7B同士の間隔は、例えば互いに異なってもよい。また、複数のボンディングワイヤー7は、例えば、互いに隣り合うボンディングワイヤー7同士の間隔が複数のボンディングワイヤー7の配列方向において両端部分から中間部分に向かうにしたがって小さくなるように、配列されてもよい。
第六実施形態の電子デバイス1Eには、例えば第二〜第五実施形態の構成が適用されてもよい。
〔第七実施形態〕
次に、図8を参照して本発明の第七実施形態について説明する。以下では、第一実施形態との相違点を中心に説明し、第一実施形態と同一の構成要素については、同一符号を付す等してその説明を省略する。
図8に示すように、本実施形態の電子デバイス1Fでは、第一実施形態と同様に、回路素子5と第一外部端子61とを接続するボンディングワイヤー7の中途部が、樹脂封止部4の内部において放熱用金属板3に接合されている。
ただし、本実施形態の電子デバイス1Fでは、放熱用金属板3に接合されたボンディングワイヤー7の接合部8が、ボンディングワイヤー7の他の部分の長手方向に対して傾斜する方向に延びている。図示例において、ボンディングワイヤー7の他の部分の長手方向は、回路素子5と第一外部端子61とを並べた方向(図8において上下方向)に一致しているが、これに限ることは無い。
ボンディングワイヤー7の他の部分に対する接合部8の傾斜角度θは、少なくとも0度よりも大きく、かつ180度よりも小さければよい。図示例における接合部8の傾斜角度θは、0度よりも大きく、かつ90度より小さい。接合部8の傾斜角度θが90度よりも大きい場合、ボンディングワイヤー7は、N字状に形成されることになる。
また、本実施形態の電子デバイス1Fでは、第一実施形態と同様に、複数のボンディングワイヤー7の中途部が、樹脂封止部4の内部において放熱用金属板3に接合されている。
ボンディングワイヤー7の他の部分に対して接合部8が傾斜する向きは、例えば複数のボンディングワイヤー7の間で互いに異なっていてもよいが、本実施形態では同じである。また、ボンディングワイヤー7の他の部分に対する接合部8の傾斜角度θは、図示例のように複数のボンディングワイヤー7の間で互いに一致してもよいし、例えば互いに異なってもよい。
本実施形態の電子デバイス1Fによれば、第一実施形態と同様の効果を奏する。
さらに、本実施形態の電子デバイス1Fによれば、接合部8の長手方向がボンディングワイヤー7の他の部分の長手方向に平行する場合と比較して、接合部8をより長く形成することができる。これにより、ボンディングワイヤー7の熱を効率よく放熱用金属板3に逃がすことができる。
また、ボンディングワイヤー7の他の部分に対して接合部8が傾斜する向きが、複数のボンディングワイヤー7の間で互いに同じであることで、互いに異なる場合と比較して、複数のボンディングワイヤー7の配列方向における放熱用金属板3の寸法を小さくすることができる。
第七実施形態の電子デバイス1Fには、例えば第二〜第六実施形態の構成が適用されてもよい。
以上、本発明の詳細について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることができる。
本発明の電子デバイスにおいては、例えば図9に示すように、ボンディングワイヤー7が接合部8において二つの分割ワイヤー71,72に分断されてもよい。図示例では、第一ボンディングワイヤー7Cの両側に位置する二つの第二ボンディングワイヤー7Dが、それぞれ二つの分割ワイヤー71,72に分断されているが、これに限ることは無い。例えば、一つ又は全てのボンディングワイヤー7が二つの分割ワイヤー71,72に分断されてもよい。また、図示例において、第一ボンディングワイヤー7Cの一つの接合部8は、第三実施形態の場合と同様に、第二ボンディングワイヤー7Dの二つの接合部8に対して、ボンディングワイヤー7の長手方向にずれて位置しているが、これに限ることは無い。
ボンディングワイヤー7を二つの分割ワイヤー71,72に分断した構成では、ボンディングワイヤー7に加え、放熱用金属板3も回路素子5から第一外部端子61に至る電流経路として使用することができる。これにより、回路素子5と第一外部端子61との間により大きな電流を流すことが可能となる。
本発明の電子デバイスにおいて、配線用金属板や放熱用金属板は、セラミック基板によって構成されることに限らず、例えばリードフレームによって構成されてもよいし、例えばそれぞれ単純な金属板によって構成されてもよい。この場合、放熱用金属板は、例えば樹脂封止部の外側に露出するように樹脂封止部に封止されてよい。
このような構成では、放熱用金属板に伝わったボンディングワイヤーの熱を、セラミック板を介さずに樹脂封止部の外側に直接逃がすことができる。すなわち、ボンディングワイヤーの熱を、さらに効率よく樹脂封止部の外側に逃がすことができる。
1,1A,1B,1C,1D,1E,1F 電子デバイス
2 回路
3 放熱用金属板
4 樹脂封止部
5 回路素子
61 第一外部端子(外部端子)
7 ボンディングワイヤー
7A 端部ボンディングワイヤー
7B 中間部ボンディングワイヤー
7C 第一ボンディングワイヤー
7D 第二ボンディングワイヤー
8 接合部
9 セラミック基板
11 セラミック板
12,13 主面
14 第一金属板部
15 第二金属板部
16 配線用金属板

Claims (9)

  1. 回路素子と外部端子とをボンディングワイヤーによって電気接続した構造を含む回路と、
    前記回路から電気的に独立した放熱用金属板と、
    前記回路素子、前記外部端子、前記ボンディングワイヤー及び前記放熱用金属板を封止した樹脂封止部と、を備え、
    前記ボンディングワイヤーの長手方向の中途部が、前記樹脂封止部の内部において前記放熱用金属板に接合された接合部を含む電子デバイス。
  2. 前記回路素子と前記外部端子とが、互いに間隔をあけて配列された複数の前記ボンディングワイヤーによって電気接続され、
    複数の前記ボンディングワイヤーのうち第一ボンディングワイヤーの前記接合部が、複数の前記ボンディングワイヤーの配列方向において前記第一ボンディングワイヤーに隣り合う第二ボンディングワイヤーの前記接合部に対して、前記ボンディングワイヤーの長手方向にずれて位置している請求項1に記載の電子デバイス。
  3. 前記回路素子と前記外部端子とが、互いに間隔をあけて配列された複数の前記ボンディングワイヤーによって電気接続され、
    複数の前記ボンディングワイヤーのうち複数の前記ボンディングワイヤーの配列方向において両端に位置する端部ボンディングワイヤーの前記接合部の長さが、複数の前記ボンディングワイヤーのうち前記端部ボンディングワイヤーの間に位置する中間部ボンディングワイヤーの前記接合部の長さよりも短い請求項1又は請求項2に記載の電子デバイス。
  4. 前記回路素子と前記外部端子とが、互いに間隔をあけて配列された複数の前記ボンディングワイヤーによって電気接続され、
    複数の前記ボンディングワイヤーのうち複数の前記ボンディングワイヤーの配列方向において両端に位置する端部ボンディングワイヤーの太さが、複数の前記ボンディングワイヤーのうち前記端部ボンディングワイヤーの間に位置する中間部ボンディングワイヤーの太さよりも太い請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の電子デバイス。
  5. 前記回路素子と前記外部端子とが、互いに間隔をあけて配列された複数の前記ボンディングワイヤーによって電気接続され、
    複数の前記ボンディングワイヤーのうち複数の前記ボンディングワイヤーの配列方向において両端に位置する端部ボンディングワイヤーの熱伝導率が、複数の前記ボンディングワイヤーのうち前記端部ボンディングワイヤーの間に位置する中間部ボンディングワイヤーの熱伝導率よりも高い請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の電子デバイス。
  6. 前記回路素子と前記外部端子とが、互いに間隔をあけて配列された複数の前記ボンディングワイヤーによって電気接続され、
    複数の前記ボンディングワイヤーのうち複数の前記ボンディングワイヤーの配列方向において両端部分に位置する前記ボンディングワイヤー同士の間隔が、前記配列方向において中間部分に位置する前記ボンディングワイヤー同士の間隔よりも大きい請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の電子デバイス。
  7. 前記接合部が、前記ボンディングワイヤーの長手方向に互いに間隔をあけて複数配列されている請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の電子デバイス。
  8. 前記接合部が、前記ボンディングワイヤーの他の部分の長手方向に対して傾斜する方向に延びている請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の電子デバイス。
  9. セラミック板及びその両主面に形成された金属板部を有するセラミック基板を備え、
    前記セラミック板の第一主面に形成された第一金属板部は、前記回路を構成する配線用金属板と、前記配線用金属板と間隔をあけて配された前記放熱用金属板と、を含む請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の電子デバイス。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11824036B2 (en) 2021-03-22 2023-11-21 Kioxia Corporation Semiconductor device

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0922973A (ja) * 1995-07-07 1997-01-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPH1032218A (ja) * 1996-07-16 1998-02-03 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2003188378A (ja) * 2001-12-14 2003-07-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2005005593A (ja) * 2003-06-13 2005-01-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体パワーモジュール
JP2006165151A (ja) * 2004-12-06 2006-06-22 Mitsubishi Electric Corp 電力半導体装置
WO2013046824A1 (ja) * 2011-09-30 2013-04-04 ローム株式会社 半導体装置
WO2013058020A1 (ja) * 2011-10-18 2013-04-25 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置製造方法
WO2014013705A1 (ja) * 2012-07-17 2014-01-23 富士電機株式会社 半導体モジュール
JP2015228447A (ja) * 2014-06-02 2015-12-17 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
JP2017059650A (ja) * 2015-09-16 2017-03-23 三菱電機株式会社 増幅器
JP2018125494A (ja) * 2017-02-03 2018-08-09 三菱電機株式会社 半導体装置及び電力変換装置

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0922973A (ja) * 1995-07-07 1997-01-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US5646445A (en) * 1995-07-07 1997-07-08 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device having electrodes embedded in an insulating case
JPH1032218A (ja) * 1996-07-16 1998-02-03 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2003188378A (ja) * 2001-12-14 2003-07-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2005005593A (ja) * 2003-06-13 2005-01-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体パワーモジュール
JP2006165151A (ja) * 2004-12-06 2006-06-22 Mitsubishi Electric Corp 電力半導体装置
WO2013046824A1 (ja) * 2011-09-30 2013-04-04 ローム株式会社 半導体装置
WO2013058020A1 (ja) * 2011-10-18 2013-04-25 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置製造方法
WO2014013705A1 (ja) * 2012-07-17 2014-01-23 富士電機株式会社 半導体モジュール
JP2015228447A (ja) * 2014-06-02 2015-12-17 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
JP2017059650A (ja) * 2015-09-16 2017-03-23 三菱電機株式会社 増幅器
JP2018125494A (ja) * 2017-02-03 2018-08-09 三菱電機株式会社 半導体装置及び電力変換装置
CN108389852A (zh) * 2017-02-03 2018-08-10 三菱电机株式会社 半导体装置及电力变换装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11824036B2 (en) 2021-03-22 2023-11-21 Kioxia Corporation Semiconductor device

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