JP6424780B2 - 力学量センサ - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 181
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 4
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Description
窪み部の底部には、第2基板における窪み部による薄肉部分が第2基板の厚さ方向へ変形するのを抑制するための梁(40)が、設けられていることを特徴とする力学量センサが提供される。
本発明の第1実施形態にかかる力学量センサついて、図1、図2を参照して述べる。本実施形態では、力学量センサを、たとえば自動車などの車両に搭載され、車両用の各種電子装置を駆動するための圧力センサとして適用したものとして述べる。
図6、図7を参照して、本発明の第2実施形態について、上記第1実施形態との相違点を中心に述べることとする。上記第1実施形態では、上記図1、図2に示したように、窪み部20cの底部には、梁40とは別体に、突起50が設けられていた。
なお、第2基板20を厚くすることなく、第2基板20における窪み部20cによる薄肉部分の機械的強度を向上させるという効果を発揮するためには、少なくとも梁40だけあればよく、突起50は無い構成であってもよい。
10a 第1基板の一面
10b 第1基板の他面
15 凹部
15a 薄肉部
20 第2基板
20a 第2基板の一面
20c 窪み部
30 封止空間
40 梁
Claims (7)
- 一面(10a)および前記一面と反対側の他面(10b)を有し、前記一面側に薄肉部(15a)を構成する凹部(15)が前記他面側に形成されている第1基板(10)と、
前記第1基板の一面と接合される一面(20a)を有し、前記一面のうち前記凹部と対向する部分に、前記第1基板との間に封止空間(30)を構成する窪み部(20c)が形成された第2基板(20)と、を備え、
前記窪み部の底部には、前記第2基板における前記窪み部による薄肉部分が前記第2基板の厚さ方向へ変形するのを抑制するための梁(40)が、設けられている力学量センサ。 - さらに、前記窪み部の底部には、前記第1基板における前記薄肉部の前記第1基板の厚さ方向への過大な変形を抑制するストッパとしての突起(50)が設けられている請求項1に記載の力学量センサ。
- 前記突起は、前記窪み部の底部のうち前記第1基板の前記薄肉部の中央部に対応する部位に設けられ、
前記梁は、前記窪み部の底部のうち前記突起の周辺側に設けられている請求項2に記載の力学量センサ。 - 前記梁と前記突起とは、前記窪み部の底面より突出する連続した一体の部材として形成されている請求項2または3に記載の力学量センサ。
- 前記薄肉部には、センシングを行うセンシング素子(16)が設けられており、
前記第1基板の一面側には、前記センシング素子と電気的に接続されて前記薄肉部から前記薄肉部以外の部位へ延びる配線層(17)が設けられており、
前記第2基板のうち前記窪み部以外の部位には、前記第2基板の一面から当該一面とは反対側の他面(20b)まで貫通し前記配線層と電気的に接続された貫通電極部(24)が設けられており、
前記貫通電極部は、前記第2基板の他面から前記第2基板の一面に向かって径が小さくなる円錐形をなすものである請求項1ないし4のいずれか1つに記載の力学量センサ。 - 前記第2基板は、前記第1基板と対向する一面(21a)を有する基板(21)と、
前記第2基板を構成する前記基板(21)の一面(21a)に形成され、前記第2基板を構成する前記基板(21)および前記第1基板と熱膨張係数の異なる材料で構成された接合部材(22)と、を有し、
前記接合部材が前記第1基板の一面と接合されたものであり、
前記窪み部は、前記第2基板を構成する前記基板(21)に形成されている請求項1ないし5のいずれか1つに記載の力学量センサ。 - 前記第1基板は、支持基板(11)、絶縁膜(12)、半導体層(13)が順に積層された半導体基板であり、
前記凹部は、前記支持基板のうち前記絶縁膜と反対側の面から前記絶縁膜に達するまで形成され、
前記薄肉部は、前記凹部の底面を構成する前記絶縁膜および前記半導体層にて構成されている請求項1ないし6のいずれか1つに記載の力学量センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015180834A JP6424780B2 (ja) | 2015-09-14 | 2015-09-14 | 力学量センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015180834A JP6424780B2 (ja) | 2015-09-14 | 2015-09-14 | 力学量センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017058153A JP2017058153A (ja) | 2017-03-23 |
JP6424780B2 true JP6424780B2 (ja) | 2018-11-21 |
Family
ID=58391477
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015180834A Expired - Fee Related JP6424780B2 (ja) | 2015-09-14 | 2015-09-14 | 力学量センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6424780B2 (ja) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3481399B2 (ja) * | 1996-08-30 | 2003-12-22 | 松下電工株式会社 | 圧力センサ |
JP3144314B2 (ja) * | 1996-09-02 | 2001-03-12 | 横河電機株式会社 | 半導体圧力センサとその製造方法 |
JP3409792B2 (ja) * | 2001-02-13 | 2003-05-26 | 松下電工株式会社 | 圧力センサ |
JP5220866B2 (ja) * | 2008-11-17 | 2013-06-26 | アルプス電気株式会社 | 半導体圧力センサ |
JP5673255B2 (ja) * | 2011-03-16 | 2015-02-18 | 株式会社デンソー | 半導体センサ、及び、その製造方法 |
US9546922B2 (en) * | 2013-08-09 | 2017-01-17 | Continental Automotive Systems, Inc. | Absolute pressure sensor with improved cap bonding boundary |
US9410861B2 (en) * | 2014-03-25 | 2016-08-09 | Honeywell International Inc. | Pressure sensor with overpressure protection |
-
2015
- 2015-09-14 JP JP2015180834A patent/JP6424780B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017058153A (ja) | 2017-03-23 |
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Date | Code | Title | Description |
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