JP6424404B2 - 信号検出装置および信号検出方法 - Google Patents

Description

本発明は、信号を検出するための信号検出装置および信号検出方法に関する。
本願は、２０１２年１０月２日に、日本に出願された特願２０１２−２２０４２７号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

従来、例えば生体信号を検出するための装置として、例えば心電計や脳波計などの信号検出装置が知られている（特許文献１）。通常、この種の信号検出装置では、被検体の生体に装着した一対の電極の信号の差分を差動増幅器で増幅する。信号の差をとることにより、それぞれの信号に含まれる同相のノイズ成分をキャンセルし、ＳＮ比の高い検出信号を得ている。

特開平６−１９７８７７号公報

しかしながら、上述の従来技術によれば、電極と差動増幅器とが配線ケーブルを介して接続されているため、配線ケーブル上でノイズが混入する可能性があり、検出信号のＳＮ比の改善に限界がある。また、電極と差動増幅器とを一体化したとしても、これら一体化された電極と差動増幅器を長期間にわたって被検体である生体内に埋め込んでおくと、生体内の環境が増幅器等の電子回路の故障または誤動作を引き起こすおそれがある。更に、電極材料として可撓性に乏しい金属等が用いられているため、例えば、鼓動を繰り返す心臓等の生体の表面組織に電極を装着することは困難である。仮に装着することができたとしても、可撓性に乏しい電極等が心臓の動きを阻害し得るため、心臓が発生させる生体信号を精度よく検出することは困難である。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、検出信号のＳＮ比を改善することができ、また、被検体の動きを阻害することなく、被検体が発生させる信号を安定的に検出することができる信号検出装置および信号検出方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明の一態様は、被検体から発生される信号を検出する信号検出装置であって、前記被検体と接する複数の電極が形成された第１回路層と、前記複数の電極のそれぞれと容量結合された入力部を有する複数の増幅器が形成された第２回路層と、前記複数の増幅器の出力を読み出すための複数のトランジスタが形成された第３回路層と、を積層して備え、前記第１回路層に形成された前記複数の電極と前記第２回路層との間に、前記第２回路層を封止する絶縁層が形成され、その絶縁層を介して前記複数の電極と前記複数の増幅器の入力部とが容量結合された、信号検出装置の構成を有する。
上記信号検出装置の構成において、例えば、前記電極は、親水性のイオン液体を構成する分子と水溶性高分子とで二重に被覆されたカーボンナノ材料が水溶性高分子媒体中に分散され、その水溶性高分子が架橋されてなる導電性材料から構成されている。
上記信号検出装置の構成において、例えば、前記第２回路層に形成された複数の増幅器の出力信号を前記第３回路層に形成された複数のトランジスタを介して読み出すための配線が、前記第２回路層が位置する一面側とは反対側の前記第３回路層の他面側に引き出されている。
上記信号検出装置の構成において、例えば、前記配線が、前記第３回路層の外周領域において前記第３回路層の他面側に引き出されている。
上記信号検出装置の構成において、例えば、前記第１回路層には、その第１回路層に形成された前記複数の電極と前記第２回路層に形成された前記複数の増幅器の入力部とを容量結合する複数のコンデンサが形成されている。
上記信号検出装置の構成において、例えば、前記第１回路層と前記第２回路層との間、および、前記第２回路層と前記第３回路層との間は、それぞれ、異方性導電性シートを介して電気的に接続されている。
上記信号検出装置の構成において、例えば、前記第１回路層を構成する部材は、前記第２回路層を封止する封止層を形成する。
上記信号検出装置の構成において、例えば、前記第２回路層が前記第１回路層と前記第３回路層とにより挟まれて前記第１回路層と前記第２回路層と前記第３回路層とが積層され、前記第１回路層と前記第３回路層は、相互に同等の曲げ剛性を有する。
上記課題を解決するために、本発明の一態様は、上記信号検出装置を用いて前記被検体から信号を検出する信号検出方法であって、前記第３回路層に形成された複数のトランジスタを介して、前記第２回路層に形成された複数の増幅器の何れかの出力信号を選択的に読み出す段階を含む、信号検出方法の構成を有する。
上記信号検出方法の構成において、例えば、前記第２回路層に形成された複数の増幅器の何れかの出力信号を選択的に読み出す段階は、前記複数のトランジスタを介して前記複数の増幅器の出力信号を走査して順次的に読み出す第１段階と、前記第１段階で読み出された前記複数の増幅器の出力信号の強度分布を生成する第２段階と、前記強度分布の分析結果に基づいて特定された前記複数の増幅器の１または２以上の出力信号を同時に読み出す第３段階と、を含む。

本発明の一態様によれば、電極と増幅器が一体的に構成されるので、検出信号のＳＮ比を改善することができる。また、本発明の一態様によれば、電極と増幅器の入力部とを容量結合したので、電極から見て増幅器を封止することができ、電極が置かれた環境が増幅器の動作に与える影響を抑制することができる。更に、本発明の一態様によれば、可撓性に優れた電極を有する信号検出装置を実現することができるので、被検体の動きを阻害することなく、被検体から信号を検出することができる。

本発明の実施形態による信号検出装置の回路構成の一例を示す図である。 本発明の実施形態による信号検出装置が備える信号検出器の回路構成の一例を示す図である。 本発明の実施形態による信号検出装置が備える信号検出器の静的特性の一例を示す図である。 本発明の実施形態による信号検出装置のデバイス構造（積層構造）を模式的に示す図である。 本発明の実施形態による信号検出装置のデバイス構造（断面構造）を模式的に示す図である。 本発明の実施形態による信号検出装置が備える信号検出器の動作を説明するための波形図である。 本発明の実施形態による信号検出装置の動作を説明するための図である。 本発明の組成物又は導電性材料を示すものであって、（ａ）はＤＥＭＥＢＦ４を構成する分子に覆われたカーボンナノチューブがポリロタキサンに分散されてなる組成物を示す写真であり、（ｂ）は（ａ）で示した組成物を光架橋して得られたシートの写真であり、（ｃ）は図８（ａ）で示した組成物を光架橋すると共に、約５０μｍ程度の線幅の微細構造をパターニングしたものの光学顕微鏡写真である。 高分解断面透過電子顕微鏡像（ＴＥＭ像）であり、（ａ）は本発明で用いることができるカーボンナノチューブのＴＥＭ像であり、（ｂ）はイオン液体なしで、カーボンナノチューブとポリロタキサンとを水中で混合し、ジェットミルで細分化を行いながら撹拌して得られたポリロタキサンで覆われたカーボンナノチューブのＴＥＭ像であり、（ｃ）は図８（ａ）で示した組成物の作製条件と同じ条件で得られたカーボンナノ材料あるいは組成物のＴＥＭ像である。 本発明の組成物（又は導電性材料）の面抵抗とそのカーボンナノチューブ含有量依存性を示すグラフである。 本発明の（又は導電性材料）の電気容量とその周波数依存性を示すグラフである。 本発明の導電性材料の製造方法を説明するためのフロー図である。 本発明の導電性材料の製造方法の応用例を示すフロー図である。 カーボンナノチューブの分散性を調べた結果を示す写真であり、（Ａ）はカーボンナノチューブを脱イオン水に入れ、１週間撹拌した後の状態を示す写真であり、（Ｂ）は、カーボンナノチューブとＤＥＭＥＢＦ４とを脱イオン水に入れ、同様にして１週間撹拌した後の状態を示す写真であり、（Ｃ）はカーボンナノチューブを脱イオン水に入れ、同様にして１週間撹拌し、その後、ジェットミルで処理した後の状態を示す写真であり、（Ｄ）はカーボンナノチューブとＤＥＭＥＢＦ４６０ｍｇとを脱イオン水に入れ、同様にして１週間撹拌し、その後、ジェットミルで処理した後の状態を示す写真であり、（Ｅ）はカーボンナノチューブとＤＥＭＥＢＦ４とミクロフィブリル化セルロースとを脱イオン水に入れ、同様にして１週間撹拌して得られたペーストを、その後、ジェットミルで処理した後の状態を示す写真である。

[構成の説明]
図１は、本発明の実施形態による信号検出装置１００の回路構成の一例を示す図である。信号検出装置１００は、被検体から発生される信号を検出する信号検出装置であって、８行８列の行列状に配列された複数（６４個）の信号検出器Ｆ１１〜Ｆ８８と、信号転送用の複数のトランジスタＴ１１〜Ｔ８８と、複数のビット線ＢＬ１〜ＢＬ８と、複数のワード線ＷＬ１〜ＷＬ８とを備える。なお、本実施形態では、被検体として生体を想定するが、本実施形態による信号検出装置１００は、生体に限らず、任意の対象物を被検体として信号を検出することができる。例えば、信号検出装置１００は、生体信号に限らず、電子部品を実装した回路基板等の工業製品の複雑な表面の信号分布等を検出することもできる。従って、本発明による信号検出装置１００の被検体となる対象物は任意である。

ここで、行列状に配列された信号検出器Ｆ１１〜Ｆ８８のうち、第１列に属する信号検出器Ｆ１１〜Ｆ８１の各出力部は、信号転送用のトランジスタＴ１１〜Ｔ８１を介してビット線ＢＬ１に接続され、第２列に属する信号検出器Ｆ１２〜Ｆ８２の各出力部は、信号転送用のトランジスタＴ１２〜Ｔ８２を介してビット線ＢＬ２に接続されている。以下同様にして、第８列に属する信号検出器Ｆ１８〜Ｆ８８の各出力部は、信号転送用のトランジスタＴ１８〜Ｔ８８を介してビット線ＢＬ８に接続されている。

また、行列状に配列された信号検出器Ｆ１１〜Ｆ８８のうち、第１行に属する信号検出器Ｆ１１〜Ｆ１８に設けられた信号転送用のトランジスタＴ１１〜Ｔ１８の各ゲートはワード線ＷＬ１に接続され、第２行に属する信号検出器Ｆ２１〜Ｆ２８に設けられた信号転送用のトランジスタＴ２１〜Ｔ２８の各ゲートはワード線ＷＬ２に接続されている。以下同様にして、第８行に属する信号検出器Ｆ８１〜Ｆ８８に設けられた信号転送用のトランジスタＴ８１〜Ｔ８８の各ゲートはワード線ＷＬ８に接続されている。

このように、本実施形態では、６４個の信号検出器Ｆ１１〜Ｆ８８を行列状に配列し、ワード線ＷＬ１〜ＷＬ８とビット線ＢＬ１〜ＢＬ８とにより信号転送用のトランジスタＴ１１〜Ｔ８８を選択することにより、信号検出器Ｆ１１〜Ｆ８８のそれぞれから信号を選択的に読み出すことが可能になっている。なお、図１の例では、８行８列の計６４個の信号検出器Ｆ１１〜Ｆ８８を備えるが、この例に限定されず、信号検出器の個数は任意である。また、この信号検出器の個数に合わせて、信号転送用のトランジスタ、ワード線、ビット線の個数も任意である。

図２は、図１に示す信号検出器Ｆ１１〜Ｆ８８の回路構成の一例を示す図であり、信号検出器Ｆ１１〜Ｆ８８の全てが同一の構成を有する。図２に示すように、信号検出器Ｆ１１〜Ｆ８８のそれぞれは、電極１０１、コンデンサ１０２、増幅器１０３を備える。電極１０１には被検体（図示なし）が接し、この被検体から電極１０１に生体信号（電気信号）が印加される。本実施形態では、電極１０１は、親水性のイオン液体を構成する分子と水溶性高分子とで二重に被覆されたカーボンナノ材料が水溶性高分子媒体中に分散され、その水溶性高分子が架橋されてなるゲル状の導電性材料（導電ゲル）から構成されてもよい。その場合電極１０１は優れた可撓性および柔軟性を有する。その詳細については後述する。

コンデンサ１０２は、被検体からの生体信号に含まれる直流成分をカットするためのものであり、電極１０１と増幅器１０３の入力部との間に接続される。即ち、増幅器１０３の入力部はコンデンサ１０２を介して電極１０１と容量結合されている。コンデンサ１０２は、例えば約６７０ｎＦの容量値を有し、自己組織化単分子膜(Self-Assembled Monolayer; SAM)とアルミニウム酸化物（ＡｌＯｘ）とからなるＳＡＭ／ＡｌＯｘ構造を有していてもよい。後述するように、コンデンサ１０２は、薄膜を用いて形成され、可撓性を有している。

増幅器１０３は、トランジスタ１０３１〜１０３４と抵抗素子１０３５とから構成されている。本実施形態では、トランジスタ１０３１〜１０３４は、可撓性を有するｐ型の有機トランジスタである。増幅器１０３を構成する有機トランジスタのゲート幅は、例えば６００μｍであり、ゲート長は２０μｍである。この例では、約−１００μＡのドレイン電流が確認された。ただし、この例に限定されず、ｐ型の有機トランジスタに代えてｎ型の有機トランジスタを用いてもよい。動作の安定性とキャリアの移動度の違いを考慮すれば、ｐ型の有機トランジスタの方が、ｎ型の有機トランジスタよりも大きなドレイン電流を安定的に得ることができる点で、ｎ型の有機トランジスタに比較して有利である。なお、増幅器１０３は、有機トランジスタに限らず、用途に応じて任意の増幅素子を用いて構成することが可能である。

増幅器１０３を構成するトランジスタ１０３１のドレインは、電源ノードＶＤＤ（高電位ノード）に接続され、トランジスタ１０３１のゲートは、増幅器１０３の入力部に接続されている。また、トランジスタ１０３２のドレインはトランジスタ１０３１のソースに接続され、トランジスタ１０３２のソースはグランドノードＧＮＤに接続されている。また、トランジスタ１０３３のドレインは電源ノードＶＤＤに接続され、トランジスタ１０３３のゲートは増幅器１０３の入力部に接続されている。

また、トランジスタ１０３４のドレインおよびゲートは、トランジスタ１０３２のゲートと共にトランジスタ１０３３のソースに接続され、トランジスタ１０３４のソースは低電位ノードＶＳＳに接続されている。また、増幅器１０３の入力部と出力部との間には抵抗素子１０３５が接続されている。抵抗素子１０３５は、増幅器１０３の出力信号を入力部に帰還させるためのものである。抵抗素子１０３５は、例えば約２０ＭΩの抵抗値を有し、例えば可撓性および導電性を有するカーボンペーストから構成される。ただし、この例に限定されることなく、抵抗素子１０３５は、任意の材料を用いて形成することが可能である。また、抵抗素子１０３５は、増幅器１０３と一体的に形成する必要はなく、外付け抵抗として備えられてもよい。

図３は、増幅器１０３の静的特性を模式的に示す図である。同図（ａ）は、増幅器１０３の入出力特性の一例を示し、同図（ｂ）は、増幅器１０３のゲインと入力電圧との関係の一例を示す。ここで、同図（ｂ）に示す増幅器１０３のゲインは、同図（ａ）に示す入出力特性における入力電圧の変化分に対する出力電圧の変化分を表し、各入力電圧における入出力特性の接線の傾きから得られる。図３の例では、低電位ノードＶＳＳの電位は−１Ｖに設定されている。

図３（ａ）において、特性Ｃ１〜Ｃ４は、それぞれ、電源ノードＶＤＤの電圧を２Ｖ、１．５Ｖ、１Ｖ、０．５Ｖとしたときの増幅器１０３の入出力特性である。これらの特性Ｃ１〜Ｃ４に示すように、増幅器１０３は、電源ノードＶＤＤの電圧に応じて、入力電圧の微小な変化に対し出力電圧が大きく変化する遷移領域を有している。このような遷移領域における入力電圧に対しては、同図（ｂ）に示すように、大きなゲインが得られる。増幅器１０３の動作点は、このような遷移領域内に設定されている。

図３（ｂ）において、特性Ｇ１〜Ｇ４は、それぞれ、電源ノードＶＤＤの電圧を２Ｖ、１．５Ｖ、１Ｖ、０．５Ｖとしたときの増幅器１０３のゲイン特性である。同図に示す例では、電源ノードＶＤＤの電圧が０．５Ｖのときでさえ、４００以上のゲインが得られている。本発明者らによれば、１．２ｍＶの入力電圧が２２０ｍＶに増幅されることが確認され、増幅器１０３のゲインとして、１８３が得られている。このような動作領域で増幅器１０３を動作させることにより微弱な生体信号（入力電圧）を効果的に増幅することができる。本実施形態では、上述の動作領域で増幅器１０３を動作させるため、低電位ノードＶＳＳの電位を選択することにより増幅器１０３の動作点を調整することが可能になっている。

なお、本発明者らは、ウサギの心臓に取り付ける前と後で増幅器１０３の静的特性を比較し、増幅器１０３の静的特性が殆ど変わらないことを確認している。即ち、増幅器１０３の入出力特性は被検体の生体の環境の影響を殆ど受けないことが確認されている。従って、被検体の生体信号を安定的に増幅することが可能になる。

次に、信号検出装置１００のデバイス構造を説明する。図４は、信号検出装置１００のデバイス構造を模式的に示す図である。同図に示すように、信号検出装置１００は、概略的に、電極回路層（第１回路層）２０１、増幅回路層（第２回路層）２０２、転送回路層（第３回路層）２０３、異方性導電性シートからなる導電層２０４，２０５から構成され、後述する図５に示すように、電極回路層２０１と増幅回路層２０２と転送回路層２０３が導電層２０４，２０５を介して概略シート状に一体的に積層された積層構造を有している。本実施形態では、導電層２０４，２０５をなす各異方性導電性シートの膜厚は、例えば約１０μｍである。本実施形態では、異方性導電性シートは、例えば、絶縁性の高い接着剤中に導電粒子を均一に分散させた材料からなり、液晶ディスプレイ等の電子部品において電極間を電気的に接続するために使用されているものを流用することができる。

ここで、電極回路層２０１は、図２に示す電極１０１とコンデンサ１０２が、図１に示す信号検出器Ｆ１１〜Ｆ８８に対応して行列状に配列されて形成された回路層である。また、増幅回路層２０２は、図２に示す増幅器１０３が行列状に配列されて形成された回路層である。転送回路層２０３は、図１に示す信号転送用のトランジスタＴ１１〜Ｔ８８が行列状に配列されて形成された回路層である。本実施形態では、ワード線ＷＬ１〜ＷＬ８とビット線ＢＬ１〜ＢＬ８は転送回路層２０３に形成されている。ただし、この例に限定されず、ワード線ＷＬ１〜ＷＬ８とビット線ＢＬ１〜ＢＬ８は何れの回路層に形成されてもよい。

図５は、積層構造を有する信号検出装置１００の断面構造の一例を示す図である。同図に示すように、電極回路層２０１、増幅回路層２０２、転送回路層２０３は、異方性導電性シートからなる導電層２０４および導電層２０５を介して積層されている。各回路層について具体的に説明すると、電極回路層２０１は、図２の電極１０１とコンデンサ１０２が形成された回路層であって、可撓性を有する基体であるポリイミド層２０１１（例えば膜厚１．２μｍ）、図２に示すコンデンサ１０２の一方の電極となる金属層２０１２（例えば膜厚３０ｎｍのＡｌ）、コンデンサ１０２の絶縁層となるＡｌＯｘ／ＳＡＭ層２０１３（例えば膜厚４ｎｍのＡｌＯｘ＋膜厚２ｎｍのＳＡＭ）、コンデンサ１０２の他方の電極となる金属層２０１４（例えば膜厚５０ｎｍのＡｕ）、図２に示す電極１０１となる導電ゲル層２０１５、上記の金属層２０１２に接続された金属層２０１６（Ａｕ）から構成される。導電ゲル層２０１５の膜厚は、例えば約０．１ｍｍ〜１ｍｍである。金属層２０１６は、電極回路層２０１の下面に露出している。本実施形態では、コンデンサ１０２の絶縁層を形成するＡｌＯｘ／ＳＡＭ層２０１３は、導電ゲル層２０１５から見て下層側の増幅回路層２０２を封止するように形成されている。即ち、本実施形態では、電極回路層２０１を構成する部材は、増幅回路層２０２を封止する封止層を形成する。

増幅回路層２０２は、図２の電極１０１と容量結合された入力部を有する増幅器１０３が形成された回路層であって、可撓性を有する基体であるポリイミド層２０２１（例えば膜厚１．２μｍ）、配線となる金属層２０２２（例えば膜厚３０ｎｍのＡｌ）、有機トランジスタのゲート絶縁膜となるＡｌＯｘ／ＳＡＭ層２０２３（例えば膜厚４ｎｍのＡＬＯｘ＋膜厚２ｎｍのＳＡＭ）、有機トランジスタのゲート電極となるアルミニウム層２０２４（例えば膜厚３０ｎｍ）、有機トランジスタのチャネル形成層となる有機半導体層２０２５（例えば膜厚３０ｎｍ）、有機トランジスタのソース・ドレイン電極となる金属層２０２６（Ａｕ）、パリレン（ｐａｒｙｌｅｎ）層２０２７（例えば膜厚２μｍ）、配線に接続された金属層２０２８，２０２９（Ａｕ）から構成される。金属層２０２８および金属層２０２９は、それぞれ、増幅回路層２０２の下面および上面に露出している。

転送回路層２０３は、図２の増幅器１０３の出力信号を読み出すための図１の信号転送用のトランジスタＴ１１〜Ｔ８８が形成された回路層であって、可撓性を有する基体であるポリイミド層２０３１（例えば膜厚１．２μｍ）、有機トランジスタのゲート電極となるアルミニウム層２０３２（例えば膜厚３０ｎｍ）、有機トランジスタのゲート絶縁膜となるＡｌＯｘ／ＳＡＭ層２０３３（例えば膜厚４ｎｍのＡｌＯｘ＋膜厚２ｎｍのＳＡＭ）、有機トランジスタのチャネル形成層となる有機半導体層２０３４（例えば膜厚３０ｎｍ）、有機トランジスタのソース・ドレイン電極となる金属層２０３５（Ａｕ）、パリレン（ｐａｒｙｌｅｎ）層２０３６（例えば膜厚２μｍ）、有機トランジスタのソース・ドレイン電極に接続された金属層２０３７（Ａｕ）から構成される。金属層２０３７は、転送回路層２０３の上面に露出している。

転送回路層２０３と増幅回路層２０２は導電層２０５を介して積層され、これにより、転送回路層２０３の上面に形成された金属層２０３７と増幅回路層２０２の下面に形成された金属層２０２８とが電気的に接続される。本実施形態では、導電層２０４を介して金属層２０３７と金属層２０２８とが電気的に接続されることにより、例えば、図１に示す信号検出器Ｆ１１〜Ｆ８８の出力部と信号転送用のトランジスタＴ１１〜Ｔ８８の入力部（ソース・ドレイン）とが電気的に接続される。

増幅回路層２０２と電極回路層２０１は導電層２０４を介して積層され、これにより、増幅回路層２０２の上面に形成された金属層２０２９と電極回路層２０１の下面に形成された金属層２０１６とが電気的に接続される。本実施形態では、導電層２０４を介して金属層２０２９と金属層２０１６とが電気的に接続されることにより、例えば、図２に示す信号検出器を構成する増幅器１０３の入力部とコンデンサ１０２の一方の電極とが電気的に接続される。

また、図５に示す信号検出装置１００のデバイス構造では、電極回路層２０１に形成された導電ゲル層２０１５（電極１０１）と増幅回路層２０２との間に、増幅回路層２０２を封止する絶縁層としてＡｌＯｘ／ＳＡＭ層２０１３が形成され、この絶縁層を介して電極１０１と増幅器１０３の入力部とが容量結合されている。具体的には、導電ゲル層２０１５（電極１０１）と増幅回路層２０２との間に、金属層２０１２、ＡｌＯｘ／ＳＡＭ層２０１３、金属層２０１４から構成される図２のコンデンサ１０２が形成され、導電ゲル層２０１５と増幅回路層２０２はコンデンサ１０２により容量結合されていると共に、金属層２０１４とＡｌＯｘ／ＳＡＭ層２０１３と金属層２０１２の積層構造により、導電ゲル層２０１５に対して増幅回路層２０２が封止されている。これにより、増幅回路層２０２に形成された増幅器１０３の入力部は、電極回路層２０１に形成された図２の電極１０１と電気的（交流的）に接続され、且つ、増幅回路層２０２および転送回路層２０３は、電極回路層２０１に形成された耐湿性に優れるＡｌＯｘ／ＳＡＭ層２０１３により導電ゲル層２０１５から隔離される。このため、導電ゲル層２０１５（電極１０１）を被検体に接触させても、被検体から増幅回路層２０２または転送回路層２０３への水分等の侵入を抑えつつ、生体信号を検出することができる。従って、増幅回路層２０２に形成された図１に示す信号検出器Ｆ１１〜Ｆ８８の各増幅器１０３（図２）と、転送回路層２０３に形成された図１に示す信号転送用のトランジスタＴ１１〜Ｔ８８とから構成される電子回路の故障や誤動作を抑制し、安定的に生体信号を検出することができる。

また、図５に示す信号検出装置１００のデバイス構造では、増幅回路層２０２に形成された図２の増幅器１０３の出力信号Ｓｏｕｔを、転送回路層２０３に形成された信号転送用のトランジスタＴ１１〜Ｔ８８を介して読み出すための配線（図示なし）が、増幅回路層２０２が位置する転送回路層２０３の上面側（転送回路層２０３の一面側）とは反対側の転送回路層２０３の下面側（他面側）に引き出されていてもよい。本実施形態では、上記の配線は、転送回路層２０３の外周領域においてその転送回路層２０３の下面側（他面側）に引き出されていてもよい。また、本実施形態では、全ての配線が転送回路層２０３の下面側に引き出されていてもよい。これにより、信号検出装置１００から外部に引き出される配線と被検体との接触を防止することができる。

ここで、電極回路層２０１の膜厚は、導電ゲル層２０１５を除けば、約２μｍである。
また、増幅回路層２０２、転送回路層２０３の各膜厚は、パリレン層を含めて約４μｍである。また、前述のように、導電層２０４，２０５の各膜厚は約１０μｍである。従って、導電ゲル層２０１５の膜厚を０．１ｍｍとすれば、電極回路層２０１から転送回路層２０３までの膜厚の合計値は、約１３０μｍにとどまる。よって、上述したデバイス構造を有する信号検出装置１００は、全体として極めて薄い膜厚のシート状に形成され、高い可撓性を有している。また、電極回路層２０１に形成されたコンデンサや、増幅回路層２０２および転送回路層２０３にそれぞれ形成されたトランジスタ等の個々の回路素子も可撓性を有している。また、各回路層に形成された金属層は、例えばＣＶＤ法を用いて形成された薄膜であり、高い可撓性を有している。また、導電ゲル層２０１５（電極１０１）を構成する後述の導電ゲルはきわめて優れた生体適合性と可撓性を有している。更に、被検体に接する導電ゲル層２０１５から増幅回路層２０２を隔離するＡｌＯｘ／ＳＡＭ層２０１３は耐湿性に優れている。従って、上述の電極回路層２０１、増幅回路層２０２、転送回路層２０３、導電層２０４，２０５を積層して備えた信号検出装置１００は、高い可撓性と耐湿性を有しており、生体環境における信号検出に適した特性を備えている。本発明者らによれば、信号検出装置１００の可撓性に関する評価値として１ｋＰａ弱のヤング率が確認された。従って、本実施形態による信号検出装置１００は、食品のプリンに匹敵する１ｋＰａ〜１０ｋＰａのヤング率を有すると言われている脳よりも柔らかい。よって、例えば、信号検出装置１００を脳溝内に密着させることができ、脳が発生させる信号の多くを占める脳溝内の活動信号を有効に検出することも可能になる。

このように、本実施形態では、増幅回路層２０２が電極回路層２０１と転送回路層２０３とにより挟まれた状態で、電極回路層２０１と増幅回路層２０２と転送回路層２０３とが積層されている。また、本実施形態では、電極回路層２０１と転送回路層２０３は、相互に同等の曲げ剛性を有していてもよい。このような積層構造によれば、増幅器１０３が形成された増幅回路層２０２が、信号検出装置１００の曲げの中立軸付近に位置する。このため、シート状の信号検出装置１００を被検体に装着した際に、この信号検出装置１００が被検体の表面形状に沿って曲がることによって発生する応力の影響を可及的に小さくすることができる。従って、シート状の信号検出装置１００の曲げに対し、増幅器１０３の電気的特性を安定化させることができ、被検体の信号を安定的に検出することができる。
なお、図５では省略されているが、信号検出装置１００の積層構造の側端部においても、電極回路層２０１が形成する封止層により増幅回路層２０２が封止された構造となっている。

[動作の説明]
次に、図６を参照して、前述の図２に示す信号検出器の基本動作を説明する。本実施形態では、被検体としてウサギの心臓を用い、図２の信号検出器を備えた図１の信号検出装置１００がウサギの心臓の表面に取り付けられているものとする。また、図２の信号検出器を構成する増幅器１０３の動作点は、低電位ノードＶＳＳの電位を調整することにより、所望のゲインが得られる動作領域に予め設定されているものとする。

信号検出装置１００を構成する電極１０１（導電ゲル層２０１５）が被検体のウサギの心臓の表面組織と接触された状態で、被検体のウサギの心臓から発生される生体信号（電気信号）Ｓが電極１０１に伝達される。

図６（ａ）は、被検体のウサギの心臓から発生される電気信号Ｓの波形の一例を示す。
同図（ａ）に示すように、生体信号Ｓはパルス信号であり、一種の交流信号である。この例では、生体信号Ｓのパルスの振幅は約１．２ｍＶである。生体信号Ｓは交流信号の一種であるため、コンデンサ１０２を通過して増幅器１０３に電気信号Ｓｉｎとして入力される。ここで、電極１０１と増幅器１０３はコンデンサ１０２により直流的に絶縁されているので、被検体の心臓の電位が増幅器１０３の動作点に影響を与えることはない。

増幅器１０３は、電気信号Ｓｉｎを増幅して出力信号Ｓｏｕｔを出力する。詳細には、電気信号Ｓｉｎの信号レベルに応じて、トランジスタ１０３１がオンまたはオフする。一方、トランジスタ１０３３とトランジスタ１０３４から構成されるインバータは、電気信号Ｓｉｎの反転信号をトランジスタ１０３２のゲートに出力する。従って、トランジスタ１０３１とトランジスタ１０３２は相補的にスイッチング動作し、トランジスタ１０３１〜１０３４は擬似的にＣＭＯＳ(Complementary Metal Oxicide Semiconductor)構成のインバータ回路として動作する。このスイッチング動作の結果、トランジスタ１０３１のソースとトランジスタ１０３２のドレインとの接続ノード、即ち、増幅器１０３の出力部からパルス状の出力信号Ｓｏｕｔが出力される。以下では、トランジスタ１０３１〜１０３４から構成されるインバータ回路を疑似ＣＭＯＳインバータ回路と称す。疑似ＣＭＯＳインバータ回路の出力信号Ｓｏｕｔは、抵抗素子１０３５を介して、増幅器１０３の入力部に負帰還される。

ここで、仮に、増幅器１０３の入力部に与えられる電気信号Ｓｉｎのレベルに変化がなければ、増幅器１０３の出力信号Ｓｏｕｔの信号レベルは、トランジスタ１０３１〜１０３４から構成される疑似ＣＭＯＳインバータ回路の入出力特性と抵抗素子１０３５の抵抗値により定まる動作点で安定する。この動作点は、前述したゲインが大きくなる動作領域、即ち、入力信号の変化に対して出力信号の変化が大きくなる動作領域に存在する。

増幅器１０３が上述の動作点で安定した状態から、電極１０１からコンデンサ１０２を介して供給される電気信号Ｓｉｎのパルスが発生すると、このパルスの信号レベルに応答して増幅器１０３の出力信号Ｓｏｕｔの信号レベルが変化する。このとき、増幅器１０３は、ゲインの大きな動作領域で動作するので、電気信号Ｓｉｎの信号レベルが増幅され、出力信号Ｓｏｕｔとして大きな信号レベルが得られる。これにより、増幅器１０３が電気信号Ｓｉｎを増幅して出力信号Ｓｏｕｔを出力する。

図６（ｂ）は、出力信号Ｓｏｕｔの波形の一例を示す。この例では、出力信号Ｓｏｕｔのパルスの振幅は、約２２０ｍＶであり、増幅器１０３に入力された電気信号Ｓｉｎのパルスの振幅の１．２ｍＶが約１８３倍に増幅されている。なお、同図（ｂ）に示す例では、マイナス側のパルス信号が出力されていないが、この原因としては、例えば動作点の調整不足などが考えられる。しかしながら、このような現象は、動作点の再調整や、増幅器１０３を最適化設計するなどの対策により解消することが可能であり、本発明の本質的な問題ではない。

図６（ｃ）は、被検体のウサギの心臓を虚血状態にした場合の電気信号Ｓｉｎの波形の一例を示し、同図（ｄ）は、被検体のウサギの心臓を虚血状態にした場合の出力信号Ｓｏｕｔの波形の一例を示す。同図（ｃ）および（ｄ）に示す各信号波形の違いから、オペレータは、被検体のウサギの心臓が虚血状態にあるか否かを把握できる。

次に、図７を参照して、図１に示す信号検出装置１００の動作の一例を説明する。図７は、信号検出装置１００を被検体の心臓Ｈに装着した様子を模式的に表している。同図では詳細に表現されていないが、電極回路層２０１の導電ゲル層２０１５が被検体の心臓Ｈの表面組織に密着するようにして、信号検出装置１００が被検体に装着される。このとき、信号検出装置１００は極めて高い可撓性を有しているため、心臓Ｈの動きを殆ど阻害することなく、心臓Ｈの表面形状に沿って信号検出装置１００の電極回路層２０１の導電ゲル層２０１５が心臓Ｈの表面組織に密着する。従って、心臓Ｈの組織表面の生体信号を的確に検出することができる。

次に、本実施形態の動作の一例を説明する。
上述のように信号検出装置１００を被検体の心臓Ｈに装着した状態で、図示しない外部情報処理装置（例えばパソコン）を用いて、ワード線ＷＬ１〜ＷＬ８を選択することにより、トランジスタＴ１１〜Ｔ８８を介して信号検出器Ｆ１１〜Ｆ８８の出力信号を走査して順次的に読み出す。例えば、図７（ａ）に示すように、第１行目の信号検出器Ｆ１１〜Ｆ１８に接続された信号転送用のトランジスタＴ１１〜Ｔ１８をワード線ＷＬ１により選択すると、信号検出器Ｆ１１〜Ｆ８８の各出力信号Ｓｏｕｔが信号転送用のトランジスタＴ１１〜Ｔ１８を介してビット線ＢＬ１〜ＢＬ８にそれぞれ出力される。ビット線ＢＬ１〜ＢＬ８に出力された信号は外部情報処理装置により読み取られる。これにより、第１行目の信号検出器Ｆ１１〜Ｆ１８が走査される。他の行についても同様に走査される。

この例では、信号検出装置１００を構成するワード線ＷＬ１〜ＷＬ８およびビット線ＢＬ１〜ＢＬ８は適切なインターフェースを介して外部情報処理装置に接続されるが、ワード線ＷＬ１〜ＷＬ８を選択するためのデコーダと、ビット線ＢＬ１〜ＢＬ８を選択するためのセレクタ（マルチプレクサ）を、電極回路層２０１、増幅回路層２０２、転送回路層２０３のうちの任意の回路層に設けてもよい。この場合、上記デコーダとセレクタとを介して、信号検出器Ｆ１１〜Ｆ８８を順次的に走査する。例えば、図７（ａ）に示すように、第１行目の先頭の信号検出器Ｆ１１から信号検出器Ｆ１８を図１のワード線ＷＬ１により選択した状態で、信号検出器Ｆ１１〜Ｆ８８からビット線ＢＬ１〜ＢＬ８に出力された信号をセレクタにより順次選択する。

このように順次的に読み出された各ビット線の信号（各信号検出器の出力信号）は、図示しない外部情報処理装置に入力される。この外部情報処理装置は、入力された信号に対して所定の信号処理を施すことにより、各信号検出器（増幅器）の出力信号の強度分布を生成する。例えば、外部情報処理装置は、各信号検出器の出力信号をサンプリングしてデジタル信号に変換し、第１行目の信号検出器Ｆ１１〜Ｆ１８の各出力信号の強度分布（信号強度の二次元分布）を生成して表示部（図示なし）に表示させる。同様に他の行の信号検出器について走査が実施され、全ての信号検出器Ｆ１１〜Ｆ８８の出力信号の強度分布を得る。上述の走査により得られた強度分布から、オペレータは、異常を示す信号強度の発生部位を特定することができる。ただし、この例に限定されず、信号強度の表示形態は任意である。

図７（ｂ）は、異常な信号強度が検出された信号検出器の配置位置の例を示している。
この例では、信号検出器Ｆ５３，Ｆ５４，Ｆ６３，Ｆ６４が、異常な信号強度が検出された信号検出器に相当する。この場合、オペレータは、信号の強度分布を分析し、異常部位を特定し、その異常部位に配置された信号検出器Ｆ５３，Ｆ５４，Ｆ６３，Ｆ６４の出力信号を読み出す旨の指示を外部情報処理装置に入力する。この指示（信号の強度分布の分析結果）に基づいて、外部情報処理装置は、異常部位に配置された信号検出器Ｆ５３，Ｆ５４，Ｆ６３，Ｆ６４の出力信号を同時に選択して読み出すことにより、被検体の異常部位の生体信号を経時的にモニタする。そして、外部情報処理装置は、モニタにより得られた生体信号を、波形、グラフ、数値等として表示部に表示させる。

この場合、信号検出器Ｆ５３，Ｆ５４，Ｆ６３，Ｆ６４でそれぞれ検出された信号を一つの信号に合成（合算）して外部情報処理装置に入力してもよく、個別に入力してもよい。また、異常な信号強度を示す部位に対し、上述のデコーダおよびセレクタにより選択される信号検出器の個数を増やせば、信号に含まれる情報量が増えるため、精度よく生体信号をモニタすることが可能になる。

上述した本実施形態による図５に示す信号検出装置１００のデバイス構造によれば、図２に示す電極１０１とコンデンサ１０２と増幅器１０３とが一体的に構成されているので、電極１０１から増幅器１０３までの信号の伝達経路を短くすることができる。従って、電極１０１から増幅器１０３の入力部に至る信号の伝達経路におけるノイズの影響を抑制することができ、検出信号のＳＮ比を改善することが可能になる。このため、信号検出器Ｆ１１〜Ｆ８８の配置間隔を短くしても、生体信号を有意に検出することができる。従って、高密度に信号検出器Ｆ１１〜Ｆ８８を配置することができ、生体信号の強度分布を精度よく取得することができる。

また、本実施形態による図５に示す信号検出装置１００のデバイス構造によれば、図２の電極１０１を構成する導電ゲル層２０１５から見て、増幅回路層２０２および転送回路層２０３の各トランジスタが封止される。よって、電極１０１とコンデンサ１０２と増幅器１０３とを一体化し、長期間にわたって被検体である生体に信号検出装置１００を取り付けておいても、生体から増幅器１０３に侵入する水分等を抑制することができる。従って、増幅器１０３の故障や誤動作を抑制することができ、信号検出の信頼性を維持することができる。

さらに、本実施形態による図５に示す信号検出装置１００のデバイス構造によれば、優れた可撓性を得ることができる。従って、信号検出装置１００を被検体に取り付けても、被検体の動きを阻害することが殆どなく、被検体の組織表面に電極１０１を密着させることができる。従って、被検体が発生させる生体信号を精度よく安定的に検出することができる。

また、本実施形態による図１に示す信号検出装置１００の回路構成によれば、複数の信号検出器Ｆ１１〜Ｆ８８を任意に選択することができる。よって信号検出装置１００を被検体に装着する際に、モニタすべき部位を予め厳密に特定して信号検出装置１００を被検体に装着する必要がない。従って、信号検出装置１００の被検体への装着を容易化することができる。
また、本実施形態による図１に示す信号検出装置１００の回路構成によれば、複数の信号検出器Ｆ１１〜Ｆ８８を任意に選択することができる。よって、異常部位に限らず、目標とすべき部位を容易に特定して生体信号をモニタすることができ、信号検出器Ｆ１１〜Ｆ８８が位置する範囲内で任意の部位の生体信号を選択的に検出することができる。

[導電ゲル]
次に、電極１０１（導電ゲル層２０１５）を構成する導電ゲルについて説明する。
本発明の一実施形態に係る電極１０１を構成する導電ゲルは、カーボンナノ材料を含む。このカーボンナノ材料は、親水性のイオン液体を構成する分子と、水溶性高分子とで、二重に被覆されているものである。
この二重被覆されたカーボンナノ材料を、例えば、紙に漉き込んで導電性の紙を作製することにより、カーボンナノ材料自体に直接触れることなく、この導電性の紙に触れることが可能となる。同様に、この二重被覆されたカーボンナノ材料を紙以外の物の材料に混ぜ込んでその物を作製することにより、カーボンナノ材料自体に直接触れることなく、その物に触れることが可能となる。

本発明の一実施形態に係る電極１０１を構成する導電ゲルの組成物は、親水性のイオン液体を構成する分子に覆われたカーボンナノ材料が水溶性高分子媒体中に分散されてなり、カーボンナノ材料はイオン液体を構成する分子と水溶性高分子とで二重に被覆されている。
上記カーボンナノ材料はイオン液体を構成する分子の単分子膜で被覆されていることが好ましい。

本発明の一実施形態に係る電極１０１を構成する導電ゲルである導電性材料は、親水性のイオン液体を構成する分子と水溶性高分子とで二重に被覆されたカーボンナノ材料が水溶性高分子媒体中に分散され、その水溶性高分子が架橋されてなるものである。

本明細書においてイオン液体とは、常温溶融塩または単に溶融塩などとも称されるものであり、常温を含む幅広い温度域で溶融状態を呈する塩である。
親水性のイオン液体としては、従来から知られた各種のイオン液体のうち、親水性のイオン液体を使用することができ、例えば、Ｎ，Ｎ−ジエチル−Ｎ−メチル−Ｎ−（２−メトキシエチル）アンモニウム テトラフルオロボレート（ＤＥＭＥＢＦ４）を挙げることができる。

本明細書においてカーボンナノ材料とは、カーボン原子で構成され、ナノメートルサイズで構造化している構成要素（例えば、１本のＣＮＴ）が通常、その構成要素のカーボン原子同士がファンデルワールス力で結合しているもの、例えば、カーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー（炭素繊維のうち、径が１０ｎｍ以下のもの）、カーボンナノホーン、フラーレンをいう。径が１０ｎｍ以下の微細なカーボンナノ材料であれば、水中で良好な分散性を発揮する。

カーボンナノ材料は同じ種類のものだけが用いられていてもよいし、複数の種類のものが用いられていてもよい。

カーボンナノチューブは、炭素原子が六角網目状に配列したグラフェンシートが単層で又は多層で円筒状に丸まった構造を有するものであるが（単層ナノチューブ（ＳＷＮＴ）、２層ナノチューブ（ＤＷＮＴ）、多層ナノチューブ（ＭＷＮＴ）と呼ばれる）、カーボンナノ材料として用いることができるカーボンナノチューブは特に制限はなく、ＳＷＮＴ、ＤＷＮＴ、ＭＷＮＴのいずれでも構わない。また、カーボンナノチューブは一般にレーザーアブレーション法、アーク放電、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、気相法、燃焼法などで製造できるが、どのような方法で製造したカーボンナノチューブを用いても構わない。また、複数の種類のカーボンナノチューブを用いても構わない。

カーボンナノチューブは、カーボンナノチューブ間のファンデルワールス力によって凝集しやすく、通常、複数本のカーボンナノチューブがバンドル（束）を形成したり、凝集体を形成して存在する。しかし、イオン液体の存在下で、そのバンドルもしくは凝集体にせん断力を加えて細分化する（カーボンナノチューブの絡み合いを低減する）ことができる。十分に細分化を行うことにより、カーボンナノチューブ同士を凝集しているファンデルワールス力を弱めて一本一本のカーボンナノチューブに分離すると共に、一本一本のカーボンナノチューブにイオン液体を吸着させることができる。その結果、イオン液体の分子が覆った単体のカーボンナノチューブを含む、カーボンナノチューブとイオン液体とからなる組成物を得ることできる。
なお、細分化工程において用いるせん断力を付与する手段は特に限定されるものではなく、ボールミル、ローラーミル、振動ミルなどのせん断力を付与することができる湿式粉砕装置を使用することができる。

カーボンナノチューブとイオン液体とを混ぜ、上記細分化工程を行うことにより、からみ合いが減少したカーボンナノチューブの表面に「カチオン−π」相互作用により結合したイオン液体の分子がイオン結合を介してカーボンナノチューブを結びつけることによりゲル状組成物になると考えられている（特許文献２）。後述するように、このゲル状組成物を、例えば、生理食塩水やエタノール等でリンスすることにより、カーボンナノチューブの表面に１層のイオン液体の分子の層を形成することができる。さらに、イオン液体を構成する分子に覆われたカーボンナノチューブに水と水溶性高分子とを混ぜることにより、イオン液体を構成する分子に覆われたカーボンナノチューブが水溶性高分子媒体中に分散されてなる組成物を作製することができる。

本明細書において水溶性高分子（媒体）としては、水に溶解でき、あるいは、分散できる高分子であれば特に制限はなく、水中で架橋できるものであればより好ましい。例えば、以下の例を挙げることができる。
１．合成高分子
（１）イオン性
ポリマクリル酸（アニオン性）
ポリスチレンスルホン酸（アニオン性）
ポリエチレンイミン（カチオン性）
ＭＰＣポリマー（両性イオン）
（２）非イオン性
ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）
ポリビニルアルコール（ポリ酢酸ビニル鹸化物）
ポリアクリルアミド（ＰＡＭ）
ポリエチレンオキシド（ＰＥＯ）
２．天然系高分子（多くは多糖類）
デンプン
ゼラチン
ヒアルロン酸
アルギン酸
デキストラン
タンパク質（例えば水溶性コラーゲンなど）
３．半合成高分子（例えばセルロースを可溶化したもの）
カルボキシメチルセルロース（ＣＭＣ）
ヒドロキシプロピルセルロース（ＨＰＣ）
メチルセルロース（ＭＣ）、等のセルロース誘導体
水溶性キトサン（「２．天然系高分子」に分類することもできる）

また、水溶性高分子の具体的な化合物としては、例えば、ポリロタキサンを挙げることができる。ポリロタキサンは、環状分子（回転子：rotator）の開口部が直鎖状分子（軸：axis）によって串刺し状に包接されてなる擬ポリロタキサンの両末端（直鎖状分子の両末端）に、環状分子が遊離しないように封鎖基を配置して成る。例えば、環状分子としてα−シクロデキストリン、直鎖状分子としてポリエチレングリコールを用いたポリロタキサンを用いることができる。

また、水溶性高分子媒体としては架橋剤と反応する基を有する化合物であれば、架橋により強固な膜を形成することから、より好ましい。
本発明の組成物又は導電性材料を用いて、微細な形状のパターンを形成するには、水溶性高分子が光架橋性であることが好ましい。

カーボンナノ材料を包み込むイオン液体の分子の層は単分子層であってもよい。カーボンナノ材料の表面とイオン液体の分子とは「カチオン−π」相互作用により結合する。そのため、イオン液体の分子同士の間の結合がその「カチオン−π」相互作用による結合よりも小さい、カーボンナノ材料とイオン液体との組み合わせを選択することにより、カーボンナノ材料を包み込むイオン液体の分子の層を単分子層とすることが可能となる。
例えば、カーボンナノ材料としてカーボンナノチューブ、イオン液体としてＮ，Ｎ−ジエチル−Ｎ−メチル−Ｎ−（２−メトキシエチル）アンモニウム テトラフルオロボレート（ＤＥＭＥＢＦ４）を選択することにより、カーボンナノチューブを包み込むＤＥＭＥＢＦ４の分子の層を単分子層とすることができる。さらに、水溶性高分子として例えば、ポリロタキサンを選択すると、ＤＥＭＥＢＦ４の単分子層の上に５ｎｍ程度の薄いポリロタキサンの層を形成することができる。こうして得られる組成物はカーボンナノチューブの分散濃度を高密度とすることができ、導電性の高い材料とすることができる。かかる導電性材料で作製した電極等の導電部材では、薄いＤＥＭＥＢＦ４分子層及びポリロタキサン層を介してカーボンナノチューブ間を電子が移動して電流が流れる。

本発明の組成物又は導電性材料において、カーボンナノ材料の表面とイオン液体の分子とは「カチオン−π」相互作用によって強く結合しているために、カーボンナノ材料の表面と結合しているイオン液体の分子は水溶性高分子媒体の外に出てこない。なお、カーボンナノ材料の表面と結合していないイオン液体の分子は、例えば、生理食塩水やエタノールによる濯ぎによって除去することができる。

本発明の実施形態に係る組成物又は導電性材料によれば、含有するカーボンナノ材料がイオン液体の分子と水溶性高分子とによって二重に被覆されているので、生体内に適用してもカーボンナノ材料が生体内の細胞に実質的に触れることがない。また、高い柔軟性を有するので、生体内の臓器等の表面に対して追従性に優れ、臓器等との間に極めて良好な界面を形成できる。さらにまた、高い導電率を有するものとすることができる。

本発明の一実施形態に係る導電性材料の製造方法は、親水性のイオン液体とカーボンナノ材料と水とを混合して、イオン液体を構成する分子に覆われたカーボンナノ材料が分散する第１の分散系を得る第１の工程と、第１の分散系と水溶性高分子と水とを混合して、イオン液体を構成する分子に覆われたカーボンナノ材料と水溶性高分子とが分散する第２の分散系を得る第２の工程と、を備えることを特徴とする。

第１の工程において、カーボンナノ材料にせん断力を加えて細分化してもよい。
これにより、カーボンナノ材料のバンドル又は凝集がより解けた状態で親水性のイオン液体でカーボンナノ材料を覆うことができる。

第２の工程の後に、水溶性高分子を架橋させて、カーボンナノ材料が水溶性高分子媒体中に分散され、その水溶性高分子が架橋されてなる組成物を作製する工程をさらに備えてもよい。これにより、成形性や加工性が向上する。
カーボンナノ材料に結合していない前記イオン液体を構成する分子を除去するために濯ぎ工程をさらに備えてもよい。これにより、成形性や加工性が向上する。
この濯ぎ工程は例えば、生理食塩水、エタノール、ゲルを破壊しない液体によって行うことができる。この濯ぎ工程はいずれの段階で行ってもよい。

なお、本発明の組成物又は導電性材料は、本発明の効果を損なわない範囲で他の物質を含むことができる。また、本発明の導電性材料の製造方法は、本発明の効果を損なわない範囲で他の工程を含むことができる。

以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。但し、これらの実施例はあくまでも本発明を容易に理解するための一助として開示するためのものであって、本発明はこれによって限定されるものではない。

図８（ａ）は、Ｎ，Ｎ−ジエチル−Ｎ−メチル−Ｎ−（２−メトキシエチル）アンモニウム テトラフルオロボレート（ＤＥＭＥＢＦ４）を構成する分子に覆われたカーボンナノチューブがポリロタキサンに分散されてなる組成物であって、紫外線（ＵＶ）硬化前のものの状態を示す写真である。得られた組成物は、ゲル状であることがわかる（なお、本明細書において「ゲル状」とは、流動性を有する液状に対して、流動性を失った状態、もしくは、流動性をほぼ失っている状態を意味する）。
この組成物の作製は、市販のカーボンナノチューブ（ＭＷＮＴ、長さ１０μｍ、径５ｎｍ）３０ｍｇと、親水性のイオン液体である、Ｎ，Ｎ−ジエチル−Ｎ−メチル−Ｎ−（２−メトキシエチル）アンモニウム テトラフルオロボレート（ＤＥＭＥＢＦ４）６０ｍｇと混合し、磁気スターラーを用いて７００ｒｐｍ以上の回転数で１週間、２５℃で脱イオン水中で撹拌した。得られた懸濁液を、高圧ジェットミルホモジナイザー（６０ＭＰａ；Ｎａｎｏ−ｊｅｔ ｐａｌ, ＪＮ１０, Ｊｏｋｏｈ）によって処理して、黒い物質を得た。得られたＣＮＴゲルを含む溶液を生理食塩水で濯いだ後に、光架橋剤（Ｉｒｇａｃｕｒｅ２９５９、長瀬産業株式会社製）１ｍｇと、ポリロタキサンゲル（「光架橋性環動ゲル」、アドバンストソフトマテリアルズ株式会社製）１０００ｍｇとを混合し、上記組成物を作製した。

図８（ｂ）は、図８（ａ）で示した組成物を、５分間、紫外線（波長：３６５ｎｍ）を照射して硬化して得られたシートの写真である。
得られたシートのヤング率は１０ｋＰａよりも低かった。シリコンのヤング率は１００ＧＰａ程度であり、従来のプラスチックフィルムのヤング率は１〜５ＧＰａであるから、非常に柔らかいことがわかる。また、脳のヤング率は１〜２ｋＰａであり、心臓の筋肉細胞のヤング率は〜１００ｋＰａであるから、本発明の一実施形態の組成物又は導電性材料は、臓器と同程度あるいはそれ以上の高い柔らかさを有することがわかった。このため、臓器の表面に高い追従性を有し、臓器との間に極めて良好な界面を形成できる。

図８（ｃ）は、超微細デジタル型ＵＶ露光システム（「デジタル露光装置」、ピーエムティー株式会社製）を用いて、光架橋を行うと共に、約５０μｍ程度の線幅の微細構造をパターニングしたものの光学顕微鏡写真である。本発明の一実施形態の組成物又は導電性材料は、このように、微細加工が可能な材料である。
光架橋材料の種類を変えることで様々な波長で架橋できるので、架橋手段はＵＶには限定されない。

図９は、高分解断面透過電子顕微鏡像（ＴＥＭ像）であり、（ａ）は本発明で用いることができるカーボンナノチューブ（（ＭＷＮＴ、長さ１０μｍ、径５ｎｍ）のＴＥＭ像、（ｂ）はイオン液体なしで、カーボンナノチューブ（（ＭＷＮＴ、長さ１０μｍ、径５ｎｍ）３０ｍｇと、ポリロタキサン（「光架橋性環動ゲル」、アドバンストソフトマテリアルズ株式会社製）１００ｍｇとを水中で混合し、ジェットミルで細分化を行いながら撹拌して得られた、ポリロタキサンで覆われたカーボンナノチューブのＴＥＭ像、（ｃ）は図８（ａ）で示した組成物の作製条件と同じ条件で得られた組成物のＴＥＭ像である。
高分解断面透過電子顕微としては、ＨＦ−２０００Ｃｏｌｄ−ＦＥ ＴＥＭ（８０ｋＶ、株式会社日立ハイテクノロジーズ製）を用いた。

図９（ａ）に示すように、用いたカーボンナノチューブは３層又は４層からなっていたことがわかる。
図９（ｂ）に示すように、単体のカーボンナノチューブにポリロタキサンが被覆しているが、その被覆層の層厚は不均一であることがわかる。これに対して、図９（ｃ）に示すように、単体のカーボンナノチューブを被覆するポリロタキサン層の層厚が非常に均一であり、図９（ｂ）に示すものとは明確に異なることわかる。
この被覆層の層厚の均一性の違いは、後者がカーボンナノチューブを覆っていた親水性イオン液体ＤＥＭＥＢＦ４の分子が剥がされて、ポリロタキサンがカーボンナノチューブを覆い直したのではなく、カーボンナノチューブを覆っていた親水性イオン液体ＤＥＭＥＢＦ４の分子の層の上にポリロタキサンが覆ったものであることを示している。カーボンナノチューブを覆っていた親水性イオン液体ＤＥＭＥＢＦ４の分子が剥がされて、ポリロタキサンがカーボンナノチューブを覆ったのであれば、図９（ｃ）も図９（ｂ）と同様に被覆層の層厚は不均一になるはずである。また、カーボンナノチューブとＤＥＭＥＢＦ４の分子との結合が水素結合にも匹敵する高いカチオン-π相互作用で結合しているので、カーボンナノチューブを覆っていた親水性イオン液体ＤＥＭＥＢＦ４の分子は上記の工程では剥がされないと考えられる。

図９に示すように、本発明の導電性材料の製造方法によれば、カーボンナノチューブの表面をイオン液体の分子を介して均一に生体適合性材料で被覆することが可能となる。

図１０は、本発明の一実施形態である組成物（ＣＮＴ−ｇｅｌ）の面抵抗、及び、面抵抗のカーボンナノチューブ含有量依存性を示すグラフである。比較のために、従来の生理食塩水を主成分とするゲル（Ｓａｌｉｎｅ−ｂａｓｅｄ ｇｅｌ）の面抵抗についても点線で示した。
組成物（ＣＮＴ−ｇｅｌ）は、図８（ａ）で示した組成物の作製条件と同じ条件で得られた組成物である。大きさは１ｃｍ角、厚みは１ｍｍであった。
生理食塩水を主成分とするゲル（Ｓａｌｉｎｅ−ｂａｓｅｄ ｇｅｌ）は、３００ｍｇのロタキサンゲルに１ｍｇの光架橋剤を入れて、１００ｍｌの生理食塩水で溶かし、その後にＵＶにより光架橋することにより得た。大きさは１ｃｍ角、厚みは１ｍｍであった。
図１０に示すように、本発明の一実施形態である組成物の面抵抗は、従来の生理食塩水を主成分とするゲルに比べて、２桁〜３桁以上低いことがわかった。

図１１は、本発明の一実施形態である組成物（ＣＮＴ−ｒｏｔａｘａｎｅ ｇｅｌ）の電気容量、及び、電気容量の周波数依存性を示すグラフである。比較のために、ポリアクリルアミドゲル（Ｐｏｌｙ−ａｃｒｙｌａｍｉｄｅ ｇｅｌ）、生理食塩水含有ポリアクリルアミドゲル（Ｓａｌｉｎｅ ｐｏｌｙ−ａｃｒｙｌａｍｉｄｅ ｇｅｌ）、生理食塩水含有ロタキサンゲル（Ｓａｌｉｎｅ−ｒｏｔａｘａｎｅ ｇｅｌ）についても示した。
組成物（ＣＮＴ−ｒｏｔａｘａｎｅ ｇｅｌ）は、図８（ａ）で示した組成物の作製条件と同じ条件で得られた組成物である。大きさは１ｃｍ角、厚みは１ｍｍであった。
ポリアクリルアミドゲル（Ｐｏｌｙ−ａｃｒｙｌａｍｉｄｅ ｇｅｌ）は、３００ｍｇのポリアクリルアミドに１ｍｇの光架橋剤を入れて、１００ｍｌの脱イオン水で溶かし、その後にＵＶにより光架橋することにより得た。大きさは１ｃｍ角、厚みは１ｍｍであった。
また、脱イオン水の代わりに生理食塩水１００ｍｌで溶かしてもよい。この場合、ゲルに含浸される水を生理食塩水で置換する手間を省いて生体に適用することができる。
生理食塩水含有ポリアクリルアミドゲル（Ｓａｌｉｎｅ ｐｏｌｙ−ａｃｒｙｌａｍｉｄｅ ｇｅｌは、３００ｍｇのポリアクリルアミドに１ｍｇの光架橋剤を入れて、１００ｍｌの生理食塩水で溶かし、その後にＵＶにより光架橋することにより得た。大きさは１ｃｍ角、厚みは１ｍｍであった。
生理食塩水含有ロタキサンゲル（Ｓａｌｉｎｅ−ｒｏｔａｘａｎｅ ｇｅｌ）は、３００ｍｇのロタキサンゲルに１ｍｇの光架橋剤を入れて、１００ｍｌの生理食塩水で溶かし、その後にＵＶにより光架橋することにより得た。大きさは１ｃｍ角、厚みは１ｍｍであった。
図１１に示すように、本発明の一実施形態である組成物の電気容量は、比較例のゲルよりも高いことがわかった。

電気信号を容量結合で検出する際、その大きさは電極の表面積に比例する。本発明の組成物で電極を形成して、その電極を使って容量結合で電気信号を検出する場合、本発明の組成物は従来の金属電極に比べると格段に柔らかく、電極は生体組織にぴったりと付着することができるために実質的な接触面積が大きくなる。そのため、電気信号を得るための実質的な容量の検出感度は従来の金属電極に比べて非常に高く、より小型の電極であっても高い検出能力を有するものとなる。
また、本発明の組成物又は導電性材料は、カーボンナノ材料を含むものであり、カーボンナノ材料、特に、カーボンナノチューブは高い比表面積を有するものなので、この点からも高い信号検出能力を有するものである。また、本発明の組成物又は導電性材料を用いて作製した電極の導電率は、Ａｕ電極の導電率より低いが、信号を容量でとる場合には導電率ではなく、実効的な表面積が大きいことが重要である。

以下では、カーボンナノ材料としてカーボンナノチューブを、イオン液体としてＮ，Ｎ−ジエチル−Ｎ−メチル−Ｎ−（２−メトキシエチル）アンモニウム テトラフルオロボレート（ＤＥＭＥＢＦ４）を、また、水溶性高分子としてポリロタキサンを用いた場合を例にとって、本発明の一実施形態である導電性材料の製造方法について、図１２を用いて説明する。
（１）第１の工程
まず、カーボンナノチューブとＤＥＭＥＢＦ４と水とを混合し、撹拌して、イオン液体を構成する分子に覆われたカーボンナノチューブが分散する第１の分散系を得る。
第１の分散系を、生理食塩水、エタノール、ゲルを破壊しない液体等によって濯ぐ工程を行って、カーボンナノチューブに結合していないＤＥＭＥＢＦ４を除去してもよい。
この分散系においては、イオン液体を構成する分子に覆われたカーボンナノチューブが水に分散されている。カーボンナノチューブとイオン液体の量に依存して、他に、イオン液体を構成する分子に十分に覆われていない又は全く覆われていないカーボンナノチューブ（バンドル化されているカーボンナノチューブも含む）やイオン液体を構成する分子が含有されている場合がある。
この工程において、ジェットミル等により、カーボンナノチューブにせん断力を加えて細分化するのが好ましい。この工程により、カーボンナノチューブは、ファンデルワールス力でバンドル化していた１本１本のカーボンナノチューブが解けて、バンドル化（凝集）の程度が低減し、１本１本のカーボンナノチューブにまで解くことも可能となるからである。

図１４は、カーボンナノチューブの分散性を調べた結果を示すものである。（Ａ）は、カーボンナノチューブ３０ｍｇを２５℃の脱イオン水に入れ、磁気スターラーを用いて７００ｒｐｍ以上の回転数で１週間撹拌した後の状態、（Ｂ）は、カーボンナノチューブ３０ｍｇと、ＤＥＭＥＢＦ４６０ｍｇとを２５℃の脱イオン水に入れ、同様にして１週間撹拌した後の状態、（Ｃ）は、カーボンナノチューブ３０ｍｇを２５℃の脱イオン水に入れ、同様にして１週間撹拌し、その後、高圧ジェットミルホモジナイザー（６０ＭＰａ；Ｎａｎｏ−ｊｅｔ ｐａｌ, ＪＮ１０, Ｊｏｋｏｈ）で処理した後の状態、（Ｄ）は、カーボンナノチューブ３０ｍｇと、ＤＥＭＥＢＦ４６０ｍｇとを２５℃の脱イオン水に入れ、同様にして１週間撹拌し、その後、高圧ジェットミルホモジナイザーで処理した後の状態、（Ｅ）カーボンナノチューブ３０ｍｇと、ＤＥＭＥＢＦ４６０ｍｇと、ミクロフィブリル化セルロース（１０％セルロース含有の水溶液１００ｍｇ、「セリッシュ（商品名）」、Ｄａｉｃｅｌ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社製）とを２５℃の脱イオン水に入れ、同様にして１週間撹拌して得られたペーストを、その後、高圧ジェットミルホモジナイザーで処理した後の状態、を示すものであり、撹拌を終えてから１週間後に撮影した写真である。なお、「セリッシュ（商品名）」は、高度に精製した純植物繊維を原料とし、特殊な処理方法でミクロフィブリル化したセルロースナノファイバーであり、原料の繊維はこの処理によって数万本に引き裂かれ、繊維の太さは０．１−０．０１μｍまで微細化されている。

（Ｄ）及び（Ｅ）は、水の中でカーボンナノチューブが高い分散性を示していることがわかる。高い分散性を得るには、せん断力を加えてバンドル化されているカーボンナノチューブを細分化することが好ましいことがわかる。

（２）第２の工程
次に、上記第１の分散系とポリロタキサン（「光架橋性環動ゲル」、アドバンストソフトマテリアルズ株式会社製）と水とを混合し、撹拌して、イオン液体を構成する分子に覆われたカーボンナノ材料と水溶性高分子とが分散する第２の分散系を得る。
第２の分散系を、生理食塩水、エタノール、ゲルを破壊しない液体等によって濯ぐ工程を行って、カーボンナノチューブに結合していないＤＥＭＥＢＦ４を除去してもよい。
なお、図１２に示すように、得られた組成物を架橋する場合には架橋剤も混合することができる。これによって、得られた第２の分散系は図１２に示すようなゲル状の物質である。

（３）架橋工程
次に、ポリロタキサンを架橋して、ＤＥＭＥＢＦ４を構成する分子に覆われたカーボンナノチューブがポリロタキサン媒体中に分散され、そのポリロタキサンが架橋されてなる組成物（導電性材料）を得る。
得られた組成物（導電性材料）を生理食塩水、エタノール、ゲルを破壊しない液体等によって濯ぐ工程を行って、カーボンナノチューブに結合していないＤＥＭＥＢＦ４を除去してもよい。

以上の工程により、本発明の一実施形態に係る組成物（導電性材料）を得ることができる。

次に、上記第２の分散系を用いて、本発明の一実施形態に係る組成物（導電性材料）からなるシートや、本発明の一実施形態に係る組成物（導電性材料）からなる微細な線幅のラインを形成する工程の一例について説明する。

図１３（ａ）に示すように、上記第２の分散系をガラス基板にキャスト（流延）する。次いで、図１３（ｂ）に示すように、所望の厚さ（図の例では５０μｍ）のスペーサーシートを介してガラス基板上にカバーガラスを載せる。

次に、シートを作製する場合は、図１３（ｃ）に示すように、例えば、紫外線（３６５ｎｍ）露光装置を用いて露光することにより、５０μｍ厚のシートを得ることができる。また、微細な線幅のラインを形成する場合は、図１３（ｄ）に示すように、例えば、デジタル型の紫外線（３６５ｎｍ）露光装置を用いて露光することにより、例えば、５０μｍ幅のラインを形成することができる。

以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の変形が可能である。
例えば、上述の実施形態では、信号検出器Ｆ１１〜Ｆ８８を行列状に均等に配列したが、被検体の形状に応じて不均等に配列してもよい。また、増幅器１０３の出力信号Ｓｏｕｔを電圧信号として取り出すものとしているが、この例に限定されず、出力信号Ｓｏｕｔを電流信号として取り出してもよい。

また、図５の例では、金属層２０１２、ＡｌＯｘ／ＳＡＭ層２０１３、金属層２０１４によりコンデンサ１０２を構成するものとしたが、例えば、金属層２０１２、ＡｌＯｘ／ＳＡＭ層２０１３、金属層２０１４を省略し、導電層２０４とポリイミド層２０１１と導電ゲル層２０１５とによりコンデンサ１０２を構成してもよい。また、金属層２０２９、導電層２０４、金属層２０１６、およびポリイミド層２０１１を省略し、パリレン層２０２７上に金属層２０１２を直接形成し、金属層２０１２とＡｌＯｘ／ＳＡＭ層２０１３と金属層２０１４とによりコンデンサ１０２を構成してもよい。また、コンデンサ１０２の絶縁層（誘電体層）として種々の有機膜、無機膜、有機膜と無機膜の積層膜を用いることができる。特にパリレンを用いると封止性能を向上させるのに有効である。また、ポリイミド層２０１１または他の可撓性基材の表面により水分・酸素遮断性の優れる薄膜を形成した積層構造にすると更に封止性能を向上させることができる。この薄膜としては、例えばパリレン膜、酸化シリコン膜（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン膜（ＳｉＮ）等の無機膜、有機膜とこれら無機膜の積層膜が有効である。

本発明によれば、ＳＮ比に優れた信号検出装置および信号検出方法を提供することができる。また、可撓性に優れた信号検出装置を提供することができる。更に生体適合性を有する信号検出装置および信号検出方法を提供することができる。更にまた、工業製品を含む任意の対象物が発生させる信号を検出する信号検出装置および信号検出方法を提供することができる。

１００…信号検出装置、１０１…電極、１０２…コンデンサ、１０３…増幅器、１０３１〜１０３４…トランジスタ、１０３５…抵抗素子、２０１…電極回路層、２０２…増幅回路層、２０３…転送回路層、２０４，２０５…導電層、Ｆ１１〜Ｆ８８…信号検出器、Ｔ１１〜Ｔ８８…信号転送用のトランジスタ、ＷＬ１〜ＷＬ８…ワード線、ＢＬ１〜ＢＬ８…ビット線。

Claims (10)

1. 被検体から発生される信号を検出する信号検出装置であって、
   前記被検体と接する複数の電極が形成された第１回路層と、
   前記複数の電極のそれぞれと容量結合された入力部を有する複数の増幅器が形成された第２回路層と、
   前記複数の増幅器の出力を読み出すための複数のトランジスタが形成された第３回路層と、
   を積層して備え、
   前記第１回路層内において、前記複数の電極の前記第２回路層側に、前記第２回路層を封止する絶縁層が形成され、その絶縁層を介して前記複数の電極と前記複数の増幅器の入力部とが容量結合され、
   前記第１回路層と前記第２回路層との間、および、前記第２回路層と前記第３回路層との間が、それぞれ、導電性を有するシートを介して電気的に接続された、信号検出装置。
2. 前記電極は、親水性のイオン液体を構成する分子と水溶性高分子とで二重に被覆されたカーボンナノ材料が水溶性高分子媒体中に分散され、その水溶性高分子が架橋されてなる導電性材料から構成されたことを特徴とする請求項１に記載の信号検出装置。
3. 前記第２回路層に形成された複数の増幅器の出力信号を前記第３回路層に形成された複数のトランジスタを介して読み出すための配線が、前記第２回路層が位置する一面側とは反対側の前記第３回路層の他面側に引き出された、請求項１または２に記載の信号検出装置。
4. 前記配線が、前記第３回路層の外周領域において前記第３回路層の他面側に引き出された、請求項３に記載の信号検出装置。
5. 前記第１回路層には、その第１回路層に形成された前記複数の電極と前記第２回路層に形成された前記複数の増幅器の出力部とを容量結合する複数のコンデンサが形成された、請求項１から４のいずれか一項に記載の信号検出装置。
6. 前記第１回路層と前記第２回路層との間、および、前記第２回路層と前記第３回路層との間は、それぞれ、異方性導電性シートを介して電気的に接続された、請求項１から５のいずれか一項に記載の信号検出装置。
7. 前記第１回路層を構成する部材は、前記第２回路層を封止する封止層を形成する、請求項１から６の何れか１項に記載の信号検出装置。
8. 前記第２回路層が前記第１回路層と前記第３回路層とにより挟まれて前記第１回路層と前記第２回路層と前記第３回路層とが積層され、
   前記第１回路層と前記第３回路層は、相互に同等の曲げ剛性を有する、請求項１から７の何れか１項に記載の信号検出装置。
9. 請求項１から８の何れか１項に記載された信号検出装置を用いて前記被検体から信号を検出する信号検出方法であって、
   前記第３回路層に形成された複数のトランジスタを介して、前記第２回路層に形成された複数の増幅器の何れかの出力信号を選択的に読み出す段階を含む、信号検出方法。
10. 前記第２回路層に形成された複数の増幅器の何れかの出力信号を選択的に読み出す段階は、
    前記複数のトランジスタを介して前記複数の増幅器の出力信号を走査して順次的に読み出す第１段階と、
    前記第１段階で読み出された前記複数の増幅器の出力信号の強度分布を生成する第２段階と、
    前記強度分布の分析結果に基づいて特定された前記複数の増幅器の１または２以上の出力信号を同時に読み出す第３段階と、
    を含む請求項９に記載の信号検出方法。