JP6420667B2 - コンタクトプローブ - Google Patents

コンタクトプローブ

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Description

本発明は、コンタクトプローブに係り、更に詳しくは、高周波特性を向上させながらも弾性変形に適し、且つ微細化に適したカンチレバー型のコンタクトプローブに関する。
プローブカードは、半導体ウエハに形成された電子回路の電気的特性を検査するのに用いられる検査装置であり、電子回路の電極にそれぞれ接触させる微細な多数のコンタクトプローブが設けられている。細長い形状のビーム部が電磁波を送受信することから、従来のカンチレバー型のコンタクトプローブは、高周波回路を検査する場合の高周波特性が良くないという問題があった。例えば、高周波数帯域で使用するには、コンタクトプローブにおける伝送損失が大きかった。また、検査対象とする電子回路の微細化が進んでおり、コンタクトプローブもそれに追従して微細化する必要があった。
なお、特許文献1及び2には、高周波特性を向上させたコンタクトプローブが開示されている。特許文献1には、高周波信号用の芯線を絶縁性の内チューブ13a及び外チューブ13bにより覆い、さらにその外周面を外部導体15により被覆した同軸型構造の探針3aが記載されている。しかし、特許文献1に記載の探針3aは、保持台4に保持されるとともに、概ね全体が内チューブ13a及び外チューブ13bにより覆われる。このため、特許文献1では、探針3aを自由に弾性変形させることができない。
一方、特許文献2には、芯線40が空気からなる電気絶縁層を介して外部導体22に覆われたプローブ針20が記載されている。しかし、特許文献2に記載のプローブ針20は、同軸型のコンタクトプローブであり、針先部と根元部とにおいて、芯線40が支持部材24により外部導体22に固定される。このため、特許文献2では、プローブ針20を自由に弾性変形させることができない。さらに、特許文献1及び2には、コンタクトプローブを微細化する方法について何ら記載されていない。
特開平9−218222号公報 特開2003−232806号公報
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、高周波特性を向上させたカンチレバー型のコンタクトプローブを提供することを目的とする。特に、複数のコンタクトプローブをプローブ基板上に配置した場合に、隣りに配置されたコンタクトプローブが発する電磁波が回り込むのを抑制することで高周波特性を向上させながらも、弾性変形に適し、且つ微細化に適したコンタクトプローブを提供することを目的とする。
また、本発明は、放熱性の低下を抑制しつつ、高周波特性を向上させることができるコンタクトプローブを提供することを目的とする。
第1の本発明によるコンタクトプローブは、導電性材料からなる箱状体であって、矩形板状の天板部及び上記天板部の周縁から略垂直に延びる板状の側板部により構成される静電シールドと、コンタクト部、ビーム部及びベース部により構成され、上記コンタクト部の先端が上記静電シールドに設けられた開口部から突出する状態で、上記静電シールド内に収容されるカンチレバー型のプローブ本体と、絶縁性材料からなり、上記ベース部に固定され、上記静電シールドを支持する支持部材であって、上記静電シールドと対向する上記コンタクト部及び上記ビーム部上の全ての領域に空気層を介在させる支持部材とを備える。
このコンタクトプローブでは、プローブ本体が静電シールド内に収容されるため、ノイズの混入や高周波信号の漏洩を抑制することができる。また、支持部材が静電シールドと対向するコンタクト部及びビーム部上の全ての領域に空気層を介在させるため、このコンタクトプローブは、プローブ本体の弾性変形に適している。また、プローブ本体がカンチレバー型のプローブであるため、このコンタクトプローブは、微細化にも適している。
第2の本発明によるコンタクトプローブは、上記構成に加え、上記側板部には、2以上の貫通孔が形成されているように構成される。このコンタクトプローブでは、複数の貫通孔により静電シールドの表面積が増加するため、プローブ本体が静電シールド内に収容されることによる放熱性の低下を抑制しつつ、高周波特性を向上させることができる。
第3の本発明によるコンタクトプローブは、上記構成に加え、上記プローブ本体の上記静電シールドと対向する面に、絶縁性の被膜が設けられているように構成される。この様な構成によれば、ビーム部が弾性変形するのを妨げることなく、プローブ本体と静電シールドとの間の絶縁性能を向上させることができる。
第4の本発明によるコンタクトプローブは、上記構成に加え、上記静電シールドの上記プローブ本体と対向する面に、絶縁性の被膜が設けられているように構成される。この様な構成によれば、ビーム部が弾性変形するのを妨げることなく、プローブ本体と静電シールドとの間の絶縁性能を向上させることができる。
本発明によれば、静電シールドがノイズの混入や高周波信号の漏洩を抑制するため、カンチレバー型のコンタクトプローブの高周波特性を向上させることができる。特に、支持部材が静電シールドと対向するコンタクト部及びビーム部上の全ての領域に空気層を介在させるため、弾性変形に適し、且つ微細化に適したコンタクトプローブを提供することができる。
また、本発明によれば、複数の貫通孔により静電シールドの表面積が増加するため、プローブ本体が静電シールド内に収容されることによる放熱性の低下を抑制しつつ、高周波特性を向上させることができる。
本発明の実施の形態1によるコンタクトプローブ1の一構成例を示した斜視図である。 図1のコンタクトプローブ1を示した断面図であり、プローブ本体2を含む垂直面によりコンタクトプローブ1を切断した場合の切断面が示されている。 図1のコンタクトプローブ1を示した断面図であり、ビーム部22を含む水平面によりコンタクトプローブ1を切断した場合の切断面が示されている。 図1のコンタクトプローブ1の製造方法の一例を模式的に示した説明図であり、積層基板10上に第1のシールド層12を形成する工程が示されている。 図1のコンタクトプローブ1の製造方法の一例を模式的に示した説明図であり、第3のシールド層15及び絶縁層16を形成する工程が示されている。 図1のコンタクトプローブ1の製造方法の一例を模式的に示した説明図であり、第3のシールド層42a及びプローブ層42bを形成する工程が示されている。 図1のコンタクトプローブ1の製造方法の一例を模式的に示した説明図であり、第3のシールド層45及び絶縁層46を形成する工程が示されている。 図1のコンタクトプローブ1の製造方法の一例を模式的に示した説明図であり、第2のシールド層51を形成した後、犠牲層を除去する工程が示されている。 側面を互いに対向させて2以上のコンタクトプローブ1をプローブ基板110上に配置したプローブユニット100の構成例を示した平面図である。 本発明の実施の形態2によるコンタクトプローブ1の一構成例を示した斜視図である。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。本明細書では、便宜上、針圧の方向を上下方向とし、また、上下方向に垂直な方向の一つを前後方向とし、さらに、上下方向及び前後方向に垂直な方向を左右方向として説明するが、本発明によるカンチレバー型のコンタクトプローブの使用時における姿勢を限定するものではない。
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1によるコンタクトプローブ1の一構成例を示した斜視図であり、プローブ本体2を取り囲む静電シールド3を備えたカンチレバー型のコンタクトプローブ1が示されている。図2及び図3は、図1のコンタクトプローブ1を示した断面図である。図2には、プローブ本体2を含む垂直面によりコンタクトプローブ1を切断した場合の切断面が示されている。図3には、ビーム部22を含む水平面によりコンタクトプローブ1を切断した場合の切断面を上方から見た場合が示されている。
このコンタクトプローブ1は、プローブ本体2、静電シールド3及び支持部材4により構成され、プローブ本体2の一端が前後方向に長い直方体形状からなる静電シールド3の上面から上方へ突出し、プローブ本体2の他端がプローブ基板(不図示)に固定される。
<プローブ本体2>
プローブ本体2は、検査対象物(不図示)に接触させるコンタクト部21と、水平方向に延びる細長い形状からなるビーム部22と、プローブ基板に固定されるベース部23とにより構成されるカンチレバー型プローブであり、金属の板状体からなる。
コンタクト部21は、上下方向に延びる針先部である。ベース部23は、上下方向に延びる根元部である。ビーム部22は、前後方向に延びる梁部であり、前端にコンタクト部21が形成され、後端にベース部23が形成されている。このビーム部22は、ベース部23に対し、コンタクト部21を上下動可能に支持し、オーバードライブ時には、弾性変形することにより、コンタクト部21を介して検査対象物に所定の針圧を付加する。
<静電シールド3>
静電シールド3は、静電遮蔽効果を利用してプローブ本体2をシールドするための導電性材料からなる箱状体である。この静電シールド3は、下方に向けて開口する金属の箱体であり、矩形板状の天板部31と、天板部31の周縁から略垂直に延びる板状の側板部32〜35とにより構成される。静電シールド3は、内部空間にプローブ本体2のビーム部22及びベース部23を収容した状態で、プローブ基板に固定され、グランド用の配線に接続される。
天板部31は、前後方向に延びる細長い矩形形状からなる水平板であり、下面がビーム部22の上端面の一部とベース部23の上端面とに対向している。天板部31には、コンタクト部21の先端を上面から突出させるための開口部31aが設けられている。開口部31aは、矩形の開口からなる。コンタクト部21の上端は、天板部31よりも上方に配置される。すなわち、プローブ本体2は、コンタクト部21の先端が静電シールド3の開口部31aから突出する状態で、静電シールド3内に収容される。
側板部32は、矩形形状の垂直板であり、背面がビーム部22の前端面に対向している。側板部33は、前後方向に延びる矩形形状の垂直板であり、左側面がビーム部22の右側面とベース部23の右側面とに対向している。側板部34は、矩形形状の垂直板であり、前面がベース部23の後端面に対向している。側板部35は、前後方向に延びる矩形形状の垂直板であり、右側面がビーム部22の左側面とベース部23の左側面とに対向している。
側板部33及び35は、天板部31、側板部32及び34に比べ、面積が大きい。静電シールド3をプローブ基板に固定した状態では、下面の開口がプローブ基板によって塞がれ、天板部31、側板部33及び35が垂直面内でビーム部22の一部とベース部23とを取り囲む。また、側板部32〜35は、プローブ本体2の周囲を一周するように、水平面内でビーム部22及びベース部23を取り囲む。
側板部33及び35には、それぞれ2以上の貫通孔33a,35aが形成されている。貫通孔33a及び35aは、いずれも静電シールド3の内部空間を外部と連通させる連通路である。この様な貫通孔33a及び35aを静電シールド3に設けることにより、静電シールド3の表面積が増加するため、プローブ本体2が静電シールド3内に収容されることによる放熱性の低下を抑制することができる。また、コンタクトプローブ1の製造工程において使用されるエッチング液の回り込みを良くすることもできる。
この例では、矩形形状の貫通孔33a,35aが、側板部33,35において、3行4列のマトリクス状に配置されている。また、側板部33における各貫通孔33aと、側板部35における各貫通孔35aとは、形状及びサイズが同一であり、互いに対向する位置に形成されている。なお、貫通孔33a,35aの形状としては、矩形に代えて、細長いスリット状であっても良い。また、側板部33,35において、多数の貫通孔をメッシュ状に設けても良い。
<支持部材4>
支持部材4は、静電シールド3を支持するための絶縁性材料からなる部材であり、プローブ本体2のベース部23に固定される。この支持部材4は、ベース部23と静電シールド3の側板部33とを連結する右連結部4aと、ベース部23と側板部35とを連結する左連結部4bとにより構成され、静電シールド3と対向するコンタクト部21及びビーム部22上の全ての領域に空気層5を介在させた状態で、静電シールド3を支持する。
この様に支持部材4によって静電シールド3と対向するコンタクト部21及びビーム部22上の全ての領域に空気層5を介在させることにより、ビーム部22の弾性変形を妨げることなく、プローブ本体2と静電シールド3との電気的な絶縁性を確保することができる。
右連結部4aは、コンタクト部21及びビーム部22の右側面と側板部33の左側面との間に空気層5を形成する。一方、左連結部4bは、コンタクト部21及びビーム部22の左側面と側板部35の右側面との間に空気層5を形成する。この例では、右連結部4aがベース部23の右側面を覆い、左連結部4bがベース部23の左側面を覆っている。この様な支持部材4は、ケイ素などの金属酸化物、例えば、二酸化ケイ素からなる。なお、支持部材4には、二酸化ケイ素に代えて、窒化物や樹脂を用いることができる。
<コンタクトプローブ1の製造方法>
図4〜図8は、図1のコンタクトプローブ1の製造方法の一例を模式的に示した説明図であり、いわゆるMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技術を利用したプローブ製作の各工程が示されている。MEMSは、フォトリソグラフィ技術及び犠牲層エッチング技術を利用して、微細な立体的構造物を製作する技術である。フォトリソグラフィ技術は、半導体製造プロセスなどで利用される感光レジストを用いた微細パターンの加工技術である。また、犠牲層エッチング技術は、犠牲層と呼ばれる下層を形成し、その上に構造物を構成する層をさらに形成した後、犠牲層のみをエッチングして立体的な構造物を形成する技術である。
図4〜図8では、積層基板10上に導電層を積層することにより、側板部33、右連結部4a、プローブ本体2、左連結部4b、側板部35の順に、コンタクトプローブ1を形成する場合が示されている。図4の(a)〜(f)には、積層基板10上に第1のシールド層12を形成する工程が示されている。
まず、犠牲層がめっき用の下地として積層基板10の表面に形成される(図4の(a))。犠牲層には、エッチング液によって容易に除去することができる金属、例えば、銅が用いられる。次に、積層基板10上にフォトレジストを塗布してレジスト層11を形成し、フォトマスクを介して露光した後、現像処理を行って余分なフォトレジストが除去される。このレジスト層11のパターニングにより、側板部33に対応する平面位置にレジスト層11の非形成領域が形成される(図4の(b))。
次に、めっき処理により、レジスト層11の非形成領域に第1のシールド層12が形成される(図4の(c))。例えば、シールド層12には、ニッケル合金が用いられる。レジスト層11は、シールド層12の形成後、剥離剤を用いて除去される(図4の(d))。次に、めっき処理により、積層基板10上に犠牲層13が形成され(図4の(e))、その後、シールド層12が露出するまで、犠牲層13の表面が研磨される(図4の(f))。
図5の(a)〜(j)には、第3のシールド層15及び絶縁層16を形成する工程が示されている。犠牲層13の表面研磨後、積層基板10上にフォトレジストを塗布してレジスト層14を形成し、フォトマスクを介して露光した後、現像処理を行って余分なフォトレジストが除去される。このレジスト層14のパターニングにより、天板部31、側板部32及び34に対応する平面位置にレジスト層14の非形成領域が形成される(図5の(a))。
次に、めっき処理により、レジスト層14の非形成領域に第3のシールド層15が形成される(図5の(b))。シールド層15には、シールド層12と同じ金属が用いられる。レジスト層14は、シールド層15の形成後、剥離剤を用いて除去される(図5の(c))。
次に、レジスト層14の除去後、積層基板10上に絶縁層16が形成される(図5の(d))。絶縁層16は、右連結部4aを構成する絶縁性材料からなり、ベース部23に対応する平面位置に形成される。例えば、めっき処理により、ケイ素からなる金属層を形成した後、加熱処理により当該金属層を酸化させれば、絶縁層16が得られる。
次に、めっき処理により、積層基板10上に犠牲層17が形成され(図5の(e))、その後、シールド層15が露出するまで、犠牲層17の表面が研磨される(図5の(f))。犠牲層17は、ビーム部22及びコンタクト部21に対応する平面位置に形成される。次に、スパッタリング処理により、積層基板10上にスパッタリング被膜層18が形成される(図5の(g))。スパッタリング被膜層18は、絶縁層16上に導電層を積層するためのめっき用下地であり、プローブ層42bと同じ金属からなる。
スパッタリング被膜層18の形成後、積層基板10上にフォトレジストを塗布してレジスト層を形成し、フォトマスクを介して露光した後、現像処理を行って余分なフォトレジストが除去される。このレジスト層のパターニングにより、ベース部23に対応する平面位置にレジスト膜19が形成される(図5の(h))。スパッタリング被膜層18は、レジスト膜19をマスクとして、レジスト膜19の非形成領域がエッチング処理により除去され(図5の(i))、その後、剥離剤を用いてレジスト膜19が除去される(図5の(j))。
図6の(a)〜(e)には、第3のシールド層42a及びプローブ層42bを形成する工程が示されている。レジスト膜19の除去後、積層基板10上にフォトレジストを塗布してレジスト層41を形成し、フォトマスクを介して露光した後、現像処理を行って余分なフォトレジストが除去される。このレジスト層41のパターニングにより、天板部31、側板部32,34及びプローブ本体2に対応する平面位置にレジスト層41の非形成領域が形成される(図6の(a))。
次に、めっき処理により、レジスト層41の非形成領域に第3のシールド層42a及びプローブ層42bが形成される(図6の(b))。シールド層42a及びプローブ層42bには、シールド層12と同じ金属が用いられる。なお、プローブ本体2を静電シールド3と異なる金属により構成する場合は、レジスト層を形成してパターニングする工程やめっき処理によって金属を堆積させる工程を追加すれば良い。レジスト層41は、シールド層42a及びプローブ層42bの形成後、剥離剤を用いて除去される(図6の(c))。
次に、めっき処理により、積層基板10上に犠牲層43が形成され(図6の(d))、その後、シールド層42a及びプローブ層42bが露出するまで、犠牲層43の表面が研磨される(図6の(e))。
図7の(a)〜(f)には、第3のシールド層45及び絶縁層46を形成する工程が示されている。犠牲層43の表面研磨後、積層基板10上にフォトレジストを塗布してレジスト層44を形成し、フォトマスクを介して露光した後、現像処理を行って余分なフォトレジストが除去される。このレジスト層44のパターニングにより、天板部31、側板部32及び34に対応する平面位置にレジスト層44の非形成領域が形成される。
その後、めっき処理により、レジスト層44の非形成領域に第3のシールド層45が形成される(図7の(a))。シールド層45には、シールド層12と同じ金属が用いられる。レジスト層44は、シールド層45の形成後、剥離剤を用いて除去される。
次に、積層基板10上に絶縁層46が形成される(図7の(b))。絶縁層46は、左連結部4bを構成する絶縁性材料からなり、ベース部23に対応する平面位置に形成される。次に、めっき処理により、積層基板10上に犠牲層47を形成した後、シールド層45が露出するまで、犠牲層47の表面が研磨される(図7の(c))。犠牲層47は、ビーム部22及びコンタクト部21に対応する平面位置に形成される。
次に、スパッタリング処理により、積層基板10上にスパッタリング被膜層48が形成される(図7の(d))。スパッタリング被膜層48は、絶縁層46上に導電層を積層するためのめっき用下地であり、シールド層51と同じ金属からなる。
スパッタリング被膜層48の形成後、積層基板10上にフォトレジストを塗布してレジスト層を形成し、フォトマスクを介して露光した後、現像処理を行って余分なフォトレジストが除去される。このレジスト層のパターニングにより、ベース部23に対応する平面位置にレジスト膜49が形成される。スパッタリング被膜層48は、レジスト膜49をマスクとして、レジスト膜49の非形成領域がエッチング処理により除去され(図7の(e))、その後、剥離剤を用いてレジスト膜49が除去される(図7の(f))。
図8の(a)〜(c)には、第2のシールド層51を形成した後、犠牲層13,17,43,47及び52を除去する工程が示されている。レジスト膜49の除去後、積層基板10上にフォトレジストを塗布してレジスト層50を形成し、フォトマスクを介して露光した後、現像処理を行って余分なフォトレジストが除去される。このレジスト層50のパターニングにより、側板部35に対応する平面位置にレジスト層50の非形成領域が形成される。
次に、めっき処理により、レジスト層50の非形成領域に第2のシールド層51が形成される(図8の(a))。シールド層51には、シールド層12と同じ金属が用いられる。レジスト層50は、シールド層51の形成後、剥離剤を用いて除去される。次に、めっき処理により、積層基板10上に犠牲層52が形成され、その後、シールド層51が露出するまで、犠牲層52の表面が研磨される(図8の(b))。
図4の(b)から図8の(b)までの工程は、シールド層12,51間にプローブ層42bを形成する第1積層ステップである。この第1積層ステップでは、ベース部23に対応する平面位置に絶縁層16,46を介在させ、かつ、ビーム部22及びコンタクト部21に対応する平面位置に犠牲層17,47を介在させた状態で、シールド層12,51及びプローブ層42bが形成される。また、図5の(a)から図7の(c)までの工程は、シールド層12,51を連結するシールド層15,42a,45を積層する第2積層ステップである。この第2積層ステップでは、平面領域において犠牲層17,43,47を介在させることによりプローブ層42bから離間させた状態で、シールド層15,42a,45が形成される。
次に、積層基板10をエッチング液に所定時間浸し、導電層の積層体の内部にエッチング液を浸潤させることにより、積層体から犠牲層13,17,43,47及び52を除去すれば、コンタクトプローブ1が完成する。例えば、エッチング液には、硫酸銅が用いられる。
本実施の形態によれば、シールド層12,51に2以上の貫通孔33a,35aが形成されるので、プローブ層42b、シールド層12,15,42a,45及び51を含む導電層の積層体をエッチング液に浸した際に、エッチング液が積層体の内部に容易に回り込むとともに、エッチング液によって溶解した金属が積層体の外部に容易に排出される。このため、導電層の積層体から犠牲層13,17,43,47及び52が除去されるまでに要する時間を短縮することができる。
また、側板部33における各貫通孔33aと、側板部35における各貫通孔35aとは、形状及びサイズが同一であり、互いに対向する位置に形成される。このため、シールド層12を形成する工程とシールド層51を形成する工程とで、フォトマスクを共通化することができ、製造コストを低減させることができる。
また、この製造方法により製作されたコンタクトプローブ1は、複数の貫通孔33a、35aにより静電シールド3の表面積が増加するので、放熱性の低下を抑制しつつ、高周波特性を向上させることができる。また、導電層の積層体から犠牲層を除去してプローブ本体2及び静電シールド3を形成するので、静電シールド3を備えたカンチレバー型のコンタクトプローブ1の微細化が容易である。
図9は、側面を互いに対向させて2以上のコンタクトプローブ1をプローブ基板110上に配置したプローブユニット100の構成例を示した平面図である。この図では、プローブ基板110に垂直な方向が針圧の方向であり、図の上下方向をコンタクトプローブ1の前後方向と一致させて描画されている。プローブ基板110は、コンタクトプローブ1とテスター装置(不図示)とを接続するための配線基板である。
このプローブユニット100では、2つのプローブ配列が形成されている。各プローブ配列は、左右方向の直線上に概ね等間隔で配置された5つのコンタクトプローブ1からなる。上段のプローブ配列と下段のプローブ配列とでは、コンタクトプローブ1の向きが180°異なり、各コンタクトプローブ1は、互いにコンタクト部21を対向させて配置されている。
プローブ配列内の各コンタクトプローブ1について、静電シールド3は、共通のグランド配線111に接続されている。一方、プローブ本体2は、図示しないプローブ用の配線に接続され、当該配線を介して外部端子(不図示)と導通する。
本実施の形態によれば、静電シールド3が、ビーム部22及びベース部23の上端面及び2つの側面に対向し、天板部31、側板部33及び35が垂直面内でビーム部22の一部とベース部23とを取り囲んでいる。このため、電磁波が左右方向及び上方からビーム部22及びベース部23に進入するのを遮ることができ、プローブ配列内で隣りに配置されたコンタクトプローブ1が発する電磁波が回り込むのを抑制することができる。
また、側板部32〜35が、プローブ本体2の周囲を一周するように、水平面内でビーム部22及びベース部23を取り囲んでいる。このため、プローブ配列間において、コンタクト部21を対向させて配置されたコンタクトプローブ1が発する電磁波が回り込むのを抑制することができる。
なお、本実施の形態では、一定の間隔を空けてコンタクトプローブ1がプローブ基板110上に配置される場合の例について説明したが、静電シールド3の側面を互いに接触させた状態で、2以上のコンタクトプローブ1を配置するような構成であっても良い。
実施の形態2.
実施の形態1では、プローブ本体2の一端が静電シールド3の上面から上方へ突出する場合の例について説明した。これに対し、本実施の形態では、プローブ本体2の一端が静電シールド3の前面から前方へ突出する場合について説明する。
図10は、本発明の実施の形態2によるコンタクトプローブ1の一構成例を示した斜視図である。このコンタクトプローブ1は、図1のコンタクトプローブ1と比較すれば、静電シールド3の構成が異なる。このコンタクトプローブ1の静電シールド3は、天板部31及び側板部33〜35により構成され、前面及び下面が開口している。
天板部31、側板部33及び35は、静電シールド3をプローブ基板110に固定した状態では、下面の開口がプローブ基板110によって塞がれ、垂直面内でビーム部22の一部とベース部23とを取り囲む。ビーム部22の前端は、静電シールド3の前面開口から前方へ突出し、コンタクト部21が上方へ延びている。この様な構成であっても、電磁波が左右方向及び上方からビーム部22及びベース部23に進入するのを遮ることができ、コンタクトプローブ1の高周波特性を向上させることができる。
なお、実施の形態1及び2では、支持部材4によって静電シールド3と対向するコンタクト部21及びビーム部22上の全ての領域に空気層5を介在させる場合の例について説明したが、本発明は、コンタクトプローブ1の構成をこれに限定するものではない。例えば、プローブ本体2の弾性変形を妨げずにプローブ本体2と静電シールド3との電気的な絶縁性を向上させるという観点から、プローブ本体2の静電シールド3と対向する面に、絶縁性の被膜を設けても良い。或いは、静電シールド3のプローブ本体2と対向する面に、絶縁性の被膜を設けても良い。絶縁性の被膜は、例えば、ケイ素などの金属酸化物、窒化物又は樹脂からなる。この様な被膜をプローブ本体2又は静電シールド3に形成することにより、ビーム部22が弾性変形するのを妨げることなく、プローブ本体2と静電シールド3との間の絶縁性能を向上させることができる。
1 コンタクトプローブ
2 プローブ本体
21 コンタクト部
22 ビーム部
23 ベース部
3 静電シールド
31 天板部
32〜35 側板部
33a,35a 貫通孔
4 支持部材
4a 右連結部
4b 左連結部
5 空気層
10 積層基板
11,14,41,44,49,50 レジスト層
12 第1のシールド層
13,17,43,47,52 犠牲層
15,42a,45 第3のシールド層
16,46 絶縁層
18,48 スパッタリング被膜層
19 レジスト膜
42b プローブ層
51 第2のシールド層
100 プローブユニット
110 プローブ基板
111 グランド配線

Claims (4)

  1. 導電性材料からなる箱状体であって、矩形板状の天板部及び上記天板部の周縁から略垂直に延びる板状の側板部により構成される静電シールドと、
    コンタクト部、ビーム部及びベース部により構成され、上記コンタクト部の先端が上記静電シールドに設けられた開口部から突出する状態で、上記静電シールド内に収容されるカンチレバー型のプローブ本体と、
    絶縁性材料からなり、上記ベース部に固定され、上記静電シールドを支持する支持部材であって、上記静電シールドと対向する上記コンタクト部及び上記ビーム部上の全ての領域に空気層を介在させる支持部材とを備えたことを特徴とするコンタクトプローブ。
  2. 上記側板部には、2以上の貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項1に記載のコンタクトプローブ。
  3. 上記プローブ本体の上記静電シールドと対向する面に、絶縁性の被膜が設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載のコンタクトプローブ。
  4. 上記静電シールドの上記プローブ本体と対向する面に、絶縁性の被膜が設けられていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のコンタクトプローブ。
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