JP6415785B2 - バースト光受信器 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1にかかるバースト光受信器の構成例を示す図である。実施の形態1にかかるバースト光受信器100は、昇圧回路1、抵抗2、電流検出回路3、スイッチ回路4、高抵抗5、デカップリングコンデンサ6、アバランシェフォトダイオード(APD)7およびインピーダンス変換増幅器(TIA:Trans Impedance Amplifier)回路8を備える。
以上の実施の形態1では、あらかじめ決めた固定閾値に対するヒステリシスコンパレータ回路31を用いた構成のバースト光受信器について説明を行った。これに対して、実施の形態2では、APDの個体ばらつきおよび温度依存特性などを考慮してヒステリシスコンパレータの動作ポイントを変更可能なバースト光受信器について説明を行う。
Claims (7)
- アバランシェフォトダイオードに印加する電圧を生成する昇圧回路と、
前記昇圧回路と前記アバランシェフォトダイオードとの間に設けられ、前記昇圧回路が生成した前記電圧を降圧するための抵抗が挿入された第1の経路と、
前記第1の経路と並列に設けられた第2の経路と、
前記昇圧回路と前記第1の経路および前記第2の経路との間に設けられ、前記昇圧回路を前記第1の経路または前記第2の経路に接続するスイッチ回路と、
前記昇圧回路から前記アバランシェフォトダイオードに流れる電流の値が第1の閾値以上になると前記昇圧回路を前記第1の経路に接続し、前記電流の値が第2の閾値未満になると前記昇圧回路を前記第2の経路に接続するように前記スイッチ回路を制御する経路選択部と、
を備えることを特徴とするバースト光受信器。 - 前記第2の経路には前記昇圧回路が生成した前記電圧を降下させる回路要素が含まれていないことを特徴とする請求項1に記載のバースト光受信器。
- 前記第1の閾値は前記第2の閾値よりも大きいことを特徴とする請求項1または2に記載のバースト光受信器。
- 前記第1の経路および前記第2の経路と前記アバランシェフォトダイオードとの間にデカップリングコンデンサを備える、
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか一つに記載のバースト光受信器。 - 前記経路選択部は、
前記電流の値が前記第1の閾値未満の状態から前記第1の閾値以上の状態に変化するとHighレベルの信号の出力を開始し、前記電流の値が前記第2の閾値以上の状態から前記第2の閾値未満の状態に変化するとLowレベルの信号の出力を開始するヒステリシスコンパレータ回路、
を備えることを特徴とする請求項1から4のいずれか一つに記載のバースト光受信器。 - 前記電流の値を検出するための電流検出用抵抗、を備え、
前記ヒステリシスコンパレータの正側の入力端子には前記電流検出用抵抗の前記昇圧回路側の端子の電圧が分圧されて印加され、前記ヒステリシスコンパレータの負側の入力端子には前記電流検出用抵抗の前記アバランシェフォトダイオード側の端子の電圧が分圧されて印加され、
前記正側の入力端子に印加される電圧の分圧比を可変とする、
ことを特徴とする請求項5に記載のバースト光受信器。 - 前記スイッチ回路は、
並列に接続された第1のスイッチおよび第2のスイッチを備え、前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチはnチャネル金属酸化膜半導体およびpチャネル金属酸化膜半導体によりそれぞれ構成され、
前記第1のスイッチには前記第1の経路が接続され、
前記第2のスイッチには前記第2の経路が接続され、
前記経路選択部は、
前記ヒステリシスコンパレータがLowレベルの信号を出力した場合に前記第1のスイッチをOFFにさせ、前記ヒステリシスコンパレータがHighレベルの信号を出力した場合に前記第1のスイッチをONにさせる第1のスイッチバッファ回路と、
前記ヒステリシスコンパレータがLowレベルの信号を出力した場合に前記第2のスイッチをONにさせ、前記ヒステリシスコンパレータがHighレベルの信号を出力した場合に前記第2のスイッチをOFFにさせる第2のスイッチバッファ回路と、
を備えることを特徴とする請求項5または6に記載のバースト光受信器。
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