JP6413935B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6413935B2 JP6413935B2 JP2015114635A JP2015114635A JP6413935B2 JP 6413935 B2 JP6413935 B2 JP 6413935B2 JP 2015114635 A JP2015114635 A JP 2015114635A JP 2015114635 A JP2015114635 A JP 2015114635A JP 6413935 B2 JP6413935 B2 JP 6413935B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- island
- mold resin
- semiconductor element
- mold
- recess
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
アイランドの一面側からの平面視にて、モールド樹脂のうちアイランドの一面側に位置する部位(31)の表面(31a)において、半導体素子の投影領域(R1)の少なくとも一部に、凹部(33)が設けられおり、
モールド樹脂のうち該モールド樹脂を成形する際の金型のゲート側の部位をゲート部(30a)とし、金型のエアベント側の部位をエアベント部(30b)として、凹部は、ゲート部およびエアベント部の両側において投影領域の外側に延びると共に、ゲート部側に延びた部分がエアベント部側に延びた部分よりも長いことを特徴とする。
本発明の第1実施形態にかかる半導体装置S1について、図1、図2を参照して述べる。この半導体装置S1は、たとえば自動車などの車両に搭載され、車両用の各種電子装置を駆動するための装置として適用されるものである。
このような半導体装置S1において、本実施形態では、アイランド10の一面11側からの平面視にて、モールド樹脂30のうち一面側樹脂部31の表面において、半導体素子20の投影領域R1の少なくとも一部に、凹部33が設けられている。
ところで、本実施形態によれば、モールド樹脂30における一面側樹脂部31のうち半導体素子20上に存在する部位は、凹部33の分、減量されたものになるため、モールド樹脂30に起因する半導体素子20への応力が抑制される。
本発明の第2実施形態にかかる半導体装置S2について、図3、図4を参照して述べる。本実施形態は、上記第1実施形態に比べて、凹部33の平面形状が相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。
本発明の第3実施形態にかかる半導体装置S3について、図5を参照して述べる。本実施形態は、上記第1実施形態に比べて、凹部33の平面形状が相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。
本発明の第4実施形態にかかる半導体装置S4について、図6を参照して述べる。本実施形態は、上記第1実施形態に比べて、凹部33の断面形状が相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。
本発明の第5実施形態にかかる半導体装置S5について、図7を参照して述べる。本実施形態は、上記第1実施形態に比べて、凹部33の平面形状が相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。
本発明の第6実施形態にかかる半導体装置S6について、図8を参照して述べる。本実施形態は、樹脂成形時のモールド樹脂30の流れ方向の両側にて、凹部33が半導体素子20の投影領域R1の外側へ延びたものとされた構成であれば、上記各実施形態について適用されるものである。
なお、上記第1実施形態では、上記図1に示したように、アイランド10の一面11とリード端子13の一面14とは同一平面にあり、同一高さとされていた。これに限定するものではなく、たとえば、図9に示されるように、半導体素子20とリード端子13との高さを極力同一としてワイヤボンディング効率を高めるために、ディプレス加工等により、アイランド10の一面11をリード端子13の一面14よりも低くしたものであってもよい。
11 アイランドの一面
12 アイランドの他面
20 半導体素子
30 モールド樹脂
31 モールド樹脂のうちアイランドの一面側に位置する部位としての一面側樹脂部
31a モールド樹脂の上表面
33 凹部
R1 モールド樹脂の上表面における半導体素子の投影領域
Claims (3)
- 一面(11)と他面(12)とが表裏の板面の関係にある板状のアイランド(10)と、
前記アイランドの一面に搭載された半導体素子(20)と、
前記半導体素子とともに前記アイランドの一面側および前記アイランドの他面側を封止するモールド樹脂(30)と、を備え、
前記アイランドの一面側からの平面視にて、前記モールド樹脂のうち前記アイランドの一面側に位置する部位(31)の表面(31a)において、前記半導体素子の投影領域(R1)の少なくとも一部に、凹部(33)が設けられており、
前記モールド樹脂のうち前記モールド樹脂を成形する際の金型のゲート側の部位をゲート部(30a)とし、前記金型のエアベント側の部位をエアベント部(30b)として、前記凹部は、前記ゲート部および前記エアベント部の両側において前記投影領域の外側に延びると共に、前記ゲート部側に延びた部分が前記エアベント部側に延びた部分よりも長いことを特徴とする半導体装置。 - 前記アイランドの一面側からの平面視にて、前記モールド樹脂のうち前記アイランドの一面側に位置する部位の表面において、前記半導体素子の投影領域の全体を含み、当該投影領域よりも広い範囲に、前記凹部が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 一面(11)と他面(12)とが表裏の板面の関係にある板状のアイランド(10)と、
前記アイランドの一面に搭載された半導体素子(20)と、
前記半導体素子とともに前記アイランドの一面側および前記アイランドの他面側を封止するモールド樹脂(30)と、を備え、
前記アイランドの一面側からの平面視にて、前記モールド樹脂のうち前記アイランドの一面側に位置する部位(31)の表面(31a)において、前記半導体素子の投影領域(R1)の少なくとも一部に、凹部(33)が設けられている半導体装置の製造方法であって、
前記アイランドの前記一面上に前記半導体素子が搭載されたものを用意することと、
前記モールド樹脂を成形するための金型であって、前記モールド樹脂の材料を注入するゲートと、前記金型内の空気を抜くエアベントと、前記凹部を形成するための凸部と、を有する前記金型を用意することと、
前記半導体素子が搭載された前記アイランドを封止すると共に、前記投影領域に前記凹部を備える前記モールド樹脂を成形することと、を含み、
前記モールド樹脂のうち前記ゲート側の部位をゲート部(30a)とし、前記エアベント側の部位をエアベント部(30b)として、
前記モールド樹脂を成形することにおいては、前記凹部が前記ゲート部および前記エアベント部の両側において前記投影領域の外側に延び、かつ前記凹部のうち前記ゲート部側に延びた部分が前記エアベント部側に延びた部分よりも長くすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015114635A JP6413935B2 (ja) | 2015-06-05 | 2015-06-05 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015114635A JP6413935B2 (ja) | 2015-06-05 | 2015-06-05 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017005009A JP2017005009A (ja) | 2017-01-05 |
JP6413935B2 true JP6413935B2 (ja) | 2018-10-31 |
Family
ID=57754346
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015114635A Expired - Fee Related JP6413935B2 (ja) | 2015-06-05 | 2015-06-05 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6413935B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7442333B2 (ja) | 2020-02-12 | 2024-03-04 | エイブリック株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
TWI747404B (zh) | 2020-07-29 | 2021-11-21 | 頎邦科技股份有限公司 | 半導體封裝方法及封裝結構 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW473954B (en) * | 2000-11-17 | 2002-01-21 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Image sensor package |
JP4155999B2 (ja) * | 2006-06-02 | 2008-09-24 | 株式会社ソニー・コンピュータエンタテインメント | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2010040583A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Aisin Aw Co Ltd | 電子回路装置 |
-
2015
- 2015-06-05 JP JP2015114635A patent/JP6413935B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017005009A (ja) | 2017-01-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2016084483A1 (ja) | リードフレーム、半導体装置、リードフレームの製造方法、および半導体装置の製造方法 | |
KR100908961B1 (ko) | 리드 프레임 및 그 반도체 패키지 | |
US7781899B2 (en) | Leadframe having mold lock vent | |
JP2008182175A (ja) | モールドパッケージの製造方法 | |
JP5098301B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP2013161903A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5904001B2 (ja) | Led素子搭載用リードフレーム、樹脂付リードフレーム、多面付ledパッケージ、ledパッケージの製造方法および半導体素子搭載用リードフレーム | |
US7732937B2 (en) | Semiconductor package with mold lock vent | |
JP6413935B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP6092645B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5034670B2 (ja) | モールドパッケージ | |
JP6827347B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2007201324A (ja) | 電子装置の実装構造および電子部品の実装方法 | |
JP5273265B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP4255842B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5776373B2 (ja) | 電子装置 | |
JP5239736B2 (ja) | 電子装置 | |
KR101579502B1 (ko) | 리드 프레임 및 이를 이용한 반도체 패키지 | |
WO2015052880A1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5181537B2 (ja) | モールドパッケージ | |
JP5066971B2 (ja) | モールドパッケージの実装構造 | |
WO2021020456A1 (ja) | 半導体パッケージおよび半導体装置 | |
JP3693450B2 (ja) | 固体イメージセンサ装置 | |
JP5804762B2 (ja) | 圧電デバイス | |
JP2016197636A (ja) | モールドパッケージ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170906 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180319 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180327 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180524 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180904 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180917 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6413935 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |