JP5066971B2 - モールドパッケージの実装構造 - Google Patents

Description

本発明は、モールドパッケージを基板の一面上に、はんだを介して搭載してなるモールドパッケージの基板への実装構造に関する。

従来より、この種のモールドパッケージとしては、ＱＦＮ（クワッド・フラット・ノンリード・パッケージ）などのようなアウターリードを持たないリードレスタイプのものが知られている。そして、このモールドパッケージは、基板の一面上に搭載され、はんだを介して接合される。

具体的に、このモールドパッケージは、電子部品と、電子部品を搭載するアイランド部と、電子部品と電気的に接続されたリード部とを備えている。そして、これら電子部品、アイランド部およびリード部がモールド樹脂にて封止されており、当該モールド樹脂における基板の一面に対向する面では、アイランド部の一面およびリード部の一面がモールド樹脂から露出した構成となっている。

一方、基板は、基板の一面のうちアイランドに対向する部位に設けられたアイランド用ランドと、基板の一面のうちリードに対向する部位に設けられたリード用ランドとを備えたものである。そして、この実装構造においては、アイランドの一面とアイランド用ランドとの間、および、リードの一面とリード用ランドとの間が、はんだを介して接合されている。

さらに、通常、この種のモールドパッケージにおいては、リード部のうち当該リード部の一面の外周に位置する側面が、モールド樹脂から露出している。そして、リード部の一面とリード用ランドとの間に介在するはんだが当該リード部の側面まで這い上がることによって、はんだフィレットが形成されている。

ここで、モールドパッケージを基板の一面上に、はんだを介して実装した後、はんだ外観検査を行う。これは、上記はんだフィレットの外観形状を見るもので、たとえば、ＬＥＤなどにより上記はんだフィレットから得られる反射光に基づいて、フィレット形状を調べるものである。
特許第３４２８５９１号公報

図９は、上記従来技術に基づいて、本発明者が試作したモールドパッケージ１の基板２への実装構造において、はんだ外観検査を行ったときのはんだフィレット３０１の形状を示す概略断面図であり、（ａ）はフィレット形状が不十分で誤判定される形状を示し、（ｂ）は正常な形状を示す。

図９に示されるように、リード部１２の一面１２ｂが、モールド樹脂３０における基板２の一面に対向する面３２から露出し、基板２００上のリード用ランド２０２とはんだ３００を介して接続されている。。

そして、モールドパッケージ１においては、リード部１２の一面１２ｂの外周に位置するリード部１２の側面１２ｃが、モールド樹脂３０の側面３３から露出している。そして、リード部１２の一面１２ｂとリード用ランド２０２との間に介在するはんだ３００が、このリード部１２の側面１２ｃまで這い上がることで、はんだフィレット３０１が形成されている。

しかしながら、従来の実装構造では、リード部の部分に比べて面積が広いアイランド部やアイランド用ランドがはんだリフロー時の熱などによって反ったり、モールドパッケージが傾いたりする。そして、これらの反りや傾きなどにより、図９に示されるように、リード部１２の一面１２ｂとリード用ランド２０２との間のはんだ高さｈが、予定よりも高くなり、リード部１２におけるはんだ量が不足状態となる可能性がある。

この不足状態が発生すると、図９（ａ）に示されるように、平坦な形状のはんだフィレット３０１が形成されることになり、あたかも不濡れ時に形成されるはんだフィレットと同じような形状となる。

つまり、はんだフィレット３０１を、図９（ｂ）に示されるような安定した傾きを有する正常な形状とするためには、リード部１２おける上記はんだ高さｈを極力低くできるようにすることが必要となる。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、モールドパッケージを基板の一面上に、はんだを介して搭載してなるモールドパッケージの実装構造において、リード部におけるはんだフィレットを適切な形状にしやすくできるようにすることを目的とする。

リード部におけるはんだフィレットを適切な形状にしやすくするためには、単純には、リード部の一面とリード用ランドとの間に供給されるはんだ量のみを多くしてやればよいと考えられる。

しかし、近年、リード部は狭ピッチ化、小型化が進んでおり、はんだ量を多くすると短絡が発生する可能性が大きくなるため、リード部に供給するはんだ量のみを、むやみに多くすることは好ましくない。

本発明者は、リード部の一面とリード用ランドとの間のはんだ高さを極力低くして、リード部におけるはんだフィレットを適切な形状にするためには、モールドパッケージ全体を基板側に沈み込みやすくする構成とすればよいと考えた。

そして、基板の一面上のはんだを介したモールドパッケージの高さにおいては、面積の広いアイランド部におけるはんだ高さが支配的であることに着目し、このアイランド部におけるはんだを見かけ上、薄くするような構成について、鋭意検討を進めた結果、本発明を創出するに至った。

すなわち、請求項１に記載の発明は、リード部（１２）の一面（１２ｂ）は窪みのない平坦面であり、さらに、モールドパッケージ（１００）においては、リード部（１２）のうち当該リード部（１２）の一面（１２ｂ）の外周、および、当該一面（１２ｂ）の外周に位置して当該一面（１２ｂ）に連続する側面（１２ｃ）が、モールド樹脂（３０）から露出しており、リード部（１２）の一面（１２ｂ）とリード用ランド（２０２）との間に介在するはんだ（３００）がリード部（１２）の側面（１２ｃ）まで這い上がることで、はんだフィレット（３０１）が形成されており、モールドパッケージ（１００）におけるアイランド部（１１）の一面（１１ｂ）を、リード部（１２）の一面（１２ｂ）よりも窪ませ、当該アイランド部（１１）の窪んでいる部分はモールド樹脂（３０）より露出していることを、特徴とする（後述の図１、図３等参照）。

それによれば、アイランド部（１１）の一面（１１ｂ）のうちリード部（１２）の一面（１２ｂ）よりも窪んでいる部位に、はんだ（３００）が入り込むことにより、アイランド部（１１）の一面（１１ｂ）とアイランド用ランド（２０１）との間のはんだ（３００）の供給量を、リード部（１２）の部分に比べて見かけ上、相対的に減少させることが可能となるため、モールドパッケージ（１００）全体が沈み込み、リード部（１２）におけるはんだフィレット（３０１）を適切な形状にしやすくなる。結果、はんだ外観検査性能が向上する。

この場合、アイランド部（１１）の一面（１１ｂ）の全体が、リード部（１２）の一面（１２ｂ）よりも窪んでいてもよいし、アイランド部（１１）の一面（１１ｂ）の一部が、リード部（１２）の一面（１２ｂ）よりも窪んでいてもよい。

また、アイランド用ランド（２０１）の表面が、ソルダーレジスト（２０３）によって分割された複数個の領域の集合体として構成されている場合、アイランド部（１１）の一面（１１ｂ）のうち窪んでいる部位を、アイランド用ランド（２０１）の表面と同じパターンに分割された複数個の領域の集合体として構成してもよい（後述の図３参照）。

特に、アイランド用ランド（２０１）の表面を、ソルダーレジスト（２０３）によって分割された複数個の領域の集合体として構成した場合、モールドパッケージ（１００）の傾きの抑制に好適ではあるが、アイランド部におけるはんだ高さが大きくなりやすい。このような構成であっても、上記窪みを設ける構成による効果が発揮される。

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各図相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係るＱＦＮ構造を有するリードレスタイプのモールドパッケージ１００の基板２００への実装状態を示す概略断面図であり、図２は図１中の上面図である。また、図３（ａ）は図１中のモールドパッケージ１００の下面図であり、図３（ｂ）は図１中の基板２００の上面図である。

本実施形態のモールドパッケージ１００は、大きくは、リードフレーム１０のアイランド部１１と、アイランド部１１の上面１１ａに搭載された部品としての半導体素子２０と、アイランド部１１の周囲に配置され半導体素子２０と電気的に接続されたリードフレーム１０のリード部１２と、これらリードフレーム１０および半導体素子２０を封止するモールド樹脂３０とを備えている。

アイランド部１１とリード部１２とは、１枚のリードフレーム１０から分離形成されたものである。ここで、リードフレーム１０は、Ｃｕや４２アロイなどの通常のリードフレーム材料からなる。そして、このリードフレーム１０に対して、プレス加工やエッチング加工などを行うことによって、アイランド部１１とリード部１２とのパターンが形成される。

ここでは、図３（ａ）に示されるように、アイランド部１１は矩形板状のものであり、リード部１２は、アイランド部１１の４辺の外周において複数本の短冊状のものが配列されている。そして、図１に示されるように、半導体素子２０は、アイランド部１１の上面１１ａ上に、Ａｇペーストや導電性接着剤などよりなる図示しないダイマウント材を介して搭載され、接着されている。

この半導体素子２０は、シリコン半導体などの半導体基板を用いて半導体プロセスにより形成されたＩＣチップなどである。そして、図１に示されるように、半導体素子２０と各リード部１２の上面１２ａとは、Ａｕ（金）やアルミニウムなどからなるボンディングワイヤ４０を介して結線されて互いに電気的に接続されている。

そして、モールド樹脂３０は、エポキシ系樹脂などの通常のモールド材料を用いてトランスファーモールド法などにより形成されるものであり、このモールド樹脂３０によって、アイランド部１１、リード部１２、半導体素子２０およびボンディングワイヤ４０が包み込まれるように封止されている。

ここで、図１に示されるように、アイランド部１１における半導体素子２０を搭載している上面１１ａと、リード部１２におけるボンディングワイヤ４０との接続面である上面１２ａとは、同じ向きを向いている。

そして、モールド樹脂３０のうち、これらアイランド部１１の上面１１ａおよびリード部１２の上面１２ａと同じ側に位置しこれら上面１１ａおよび１２ａを覆う面３１が、モールド樹脂３０の上面３１である。

また、このモールド樹脂３０の上面３１とは反対側の面３２が、モールド樹脂３０の下面３２である。つまり、モールド樹脂３０の下面３２は、モールド樹脂３０のうち、アイランド部１１における下面１１ｂおよびリード部１２における下面１２ｂと同じ側に位置する面３２である。

また、モールド樹脂の下面３２は、図１に示されるように、基板２００へモールドパッケージ１００を搭載するときの基板２００の上面と対向する面すなわちパッケージの実装面である。そして、図１および図３（ａ）に示されるように、このモールド樹脂３０の下面３２からは、アイランド部１１の下面１１ｂおよびリード部１２の下面１２ｂが露出している。

ここで、モールド樹脂３０は、その上面３１および下面３２を主面とする板状のものである。図１、図３（ａ）に示される例では、モールド樹脂３０は矩形板状をなしており、上面３１と下面３２との間に位置するモールド樹脂３０の側面３３は、当該上面３１および下面３２の外周端面３３である。

また、リード部１２の下面１２ｂは、モールド樹脂３０の下面３２における周辺部にて露出しており、さらに、リード部１２の下面１２ｂの外周端部を構成するリード部１２の側面１２ｃは、モールド樹脂３０の側面３３から露出している。

これら、リード部１２の側面１２ｃ、下面１２ｂは、それぞれ、モールド樹脂３０の側面３３、下面３２と実質的に同一平面上に位置しており、リードレス構造を有するＱＦＮパッケージとなっている。

本実施形態のモールドパッケージ１００は、図１（ａ）に示されるように基板２００に搭載され、モールド樹脂３０から露出するアイランド部１１の下面１１ｂおよびリード部１２の下面１２ｂにて、はんだ３００を介して接合されている。このはんだ３００は、一般的なはんだ材料よりなる。

ここで、基板２００は、ガラスエポキシなどよりなる配線基板、プリント配線基板あるいは、セラミック配線基板などである。この基板２００の上面すなわちモールドパッケージ１００を搭載する面には、はんだ付けを行うための各ランド２０１、２０２が設けられている。

これら各ランド２０１、２０２は、アイランド用ランド２０１とリード用ランド２０２とによりなる。アイランド用ランド２０１は、基板２００の上面のうちモールドパッケージ１００のアイランド部１１に対向する部位に設けられている。リード用ランド２０２は、基板２００の上面のうちモールドパッケージ１００のリード部１２に対向する部位に設けられている。

これら各ランド２０１、２０２は、ＣｕやＡｇなどの金属箔やペーストなどを用いて形成され、エッチングなどによってパターニングされたものである。また、各ランド２０１、２０２におけるはんだ付け領域を画定するために、基板２００の上面には、ソルダーレジスト２０３が設けられている。このソルダーレジスト２０３は、電子装置の分野において一般的に用いられるものである。

ここで、図１および図３（ｂ）に示されるように、アイランド用ランド２０１の表面は、ソルダーレジスト２０３によって分割されている。ここでは、複数個の領域がマトリクス状に配置されたものとなっており、アイランド用ランド２０１はこれら複数個の領域の集合体として構成されている。

そして、図１に示されるように、モールドパッケージ１００と基板２００との間においては、アイランド部１１の下面１１ｂとアイランド用ランド２０１との間、および、リード部１２の下面１２ｂとリード用ランド２０２との間が、はんだ３００を介して接合されている。

それにより、本実施形態の実装構造においては、リード部１２と基板２００との間で電気的な信号のやりとりが行われるとともに、半導体素子２０などから発生する熱がアイランド部１１から基板２００へ放熱されるようになっている。

さらに、本実装構造においては、図１に示されるように、リード部１２の下面１２ｂとリード用ランド２０２との間に介在するはんだ３００が、モールド樹脂３０の側面３３にて露出するリード部１２の側面１２ｃまで這い上がっており、はんだフィレット３０１が形成されている。

そして、本実施形態の実装構造においては、図１および図３（ａ）に示されるように、モールドパッケージ１００におけるアイランド部１１の下面１１ｂは、リード部１２の下面１２ｂよりも窪んでいる。つまり、アイランド部１１の下面１１ｂは、リード部１２の下面１２ｂよりもモールド樹脂３０の内部側に引っ込んでいる。

ここでは、アイランド部１１の下面１１ｂの一部が、リード部１２の下面１２ｂよりも窪んでいる窪み部１１ｃとされている。図３（ａ）では、アイランド部１１の下面１１ｂにおける窪み部１１ｃには、便宜上、点ハッチングを施してある。

図３に示されるように、本実施形態では、アイランド部１１の下面１１ｂの窪み部１１ｃは、アイランド用ランド２０１の表面と同じマトリクス状パターンに分割された複数個の領域の集合体として構成されている。

そして、この窪み部１１ｃには、図１に示されるように、はんだ３００が入り込んでいる。具体的には、ソルダーレジスト２０３から露出する個々のアイランド用ランド２０１の領域と、個々の窪み部１１ｃとが同じ位置にあり、互いの間がはんだ３００により接続されている。

この窪み部１１ｃは、上記リードフレーム１０を製造するときに、ドライやウェットなどのエッチングによるハーフエッチングを行ったり、プレス加工を行ったりすることにより形成できる。

ここで、本実施形態における各部寸法の一例を述べておく。たとえば、モールドパッケージ１００のパッケージサイズすなわち矩形のモールド樹脂３０のサイズは、１７ｍｍ×１４ｍｍであり、リード部１２の数は１２０個であり、アイランド部１１の平面サイズは１２ｍｍ×８ｍｍである。

このとき、１個の窪み部１１ｃの平面形状は１ｍｍ角の正方形状であり、この窪み部１１ｃが４２個、アイランド部１１の下面１１ｂに設けられている。それによって、アイランド部１１の下面１１ｂに占める窪み部１１ｃの面積は４３％程度である。また、窪み部１１ｃの深さについては、特に限定しないが、１０μｍ〜リードフレーム１０の厚さ（たとえば２００μｍ程度）の半分程度までの深さである。

なお、本実施形態のモールドパッケージ１００は、窪み部１１ｃを有するアイランド部１１およびリード部１２が形成されたリードフレーム１０を用意し、このアイランド部１１の上面１１ａに半導体素子２０をマウントし、半導体素子２０とリード部１２の上面１２ａとをワイヤボンディングした後、これらをモールド樹脂３０で封止することにより作製される。

そして、基板２００のランド２０１、２０２に、印刷法などによってはんだ３００を配置し、次に、本モールドパッケージ１００を、はんだ３００を介して、基板２００上に搭載し、その後、はんだ３００をリフローさせることにより、図１に示される実装構造が形成される。

ここで、本実施形態においても、上述したように、モールドパッケージ１００を基板２００の一面上に、はんだ３００を介して実装した後、ＬＥＤなどを用いて、はんだ外観検査を行う。

このように、本実施形態の実装構造では、モールドパッケージ１００におけるモールド樹脂３０の下面３２から露出するアイランド部１１の下面１１ｂ、リード部１２の下面１２ｂが、それぞれ基板２００のアイランド用ランド２０１、リード用ランド２０２にはんだ３００を介して接合されており、リード部１２の側面１２ｃにてはんだフィレット３０１が形成されている。

ところで、本実施形態のモールドパッケージの実装構造においては、モールドパッケージ１００におけるアイランド部１１の下面１１ｂを、リード部１２の下面１２ｂよりも窪ませているため、このアイランド部１１の下面１１ｂの窪み部１１ｃに、はんだ３００が入り込む。

それにより、アイランド部１１の下面１１ｂとアイランド用ランド２０１との間のはんだ３００の供給量を、リード部１２の部分に比べて見かけ上、相対的に減少させることが可能となる。上述したように、基板２００の一面上のはんだ３００を介したモールドパッケージ１００の高さについては、面積の広いアイランド部１１におけるはんだ高さが支配的である。

そのため、窪み部１１ｃを設けない従来の実装構造に比べて、モールドパッケージ１００全体が沈み込み、リード部１２の側面１２ｃへのはんだ３００の這い上がりが促進される。その結果、本実施形態によれば、リード部１２におけるはんだフィレット３０１が、適切な形状となり、はんだ外観検査性能が向上する。

また、本実施形態では、アイランド用ランド２０１の表面を、ソルダーレジスト２０３によって分割された複数個の領域の集合体として構成しているが、この場合、モールドパッケージ１００の傾きの抑制に好適ではあるものの、アイランド部におけるはんだ高さが大きくなりやすい。その点、本実施形態では、上記した窪み部１１ｃにより、アイランド部１１におけるはんだ高さを低くでき、効果的である。

また、本実施形態では、上記図３に示したように、アイランド部１１の下面１１ｂの窪み部１１ｃを、アイランド用ランド２０１の表面と同じパターンに分割された複数個の領域の集合体として構成しているため、アイランド部１１とアイランド用ランド２０１とのはんだ３００による接続信頼性を確保する点で好ましい。

また、上記図３では、アイランド部１１の下面１１ｂの一部を、リード部１２の下面１２ｂよりも窪ませた窪み部１１ｃとしたが、その窪み部１１ｃの平面パターンは上記図３に限定されるものではなく、図４および図５に示されるような種々の形状を示すものであってもよい。ここで、図４および図５においても、窪み部１１ｃには点ハッチングを施してある。

これら図４および図５に示される窪み部１１ｃの各パターンにおいても、上記図３に示される関係と同じく、当該窪み部１１ｃのパターンと、アイランド用ランド２０１の表面側にてソルダーレジスト２０３によって分割された複数個の領域の平面パターンとは、同一のものであることが望ましい。

ただし、本実施形態は、上記図３〜図５において、窪み部１１ｃとアイランド用ランド２０１との上記両パターン同士が異なっているものを除外するものではない。さらに、これら図３〜図５に示される窪み部１１ｃの平面パターンにおいて、アイランド用ランド２０１は、ソルダーレジスト２０３によって分割されたものでなくてもよく、アイランド用ランド２０１の全体が露出していてもよい。

さらに、上記図３〜図５では、アイランド部１１の下面１１ｂの一部を、リード部１２の下面１２ｂよりも窪ませていたが、本実施形態においては、アイランド部１１の下面１１ｂの全体を、上記したハーフエッチングやプレスなどにより、リード部１２の下面１２ｂよりも窪んだものとしてもよい。つまり、アイランド部１１の下面１１ｂの全体が窪み部１１ｃとされていてもよい。

（第２実施形態）
図６は、本発明の第２実施形態に係るモールドパッケージの実装構造の要部を示す図であり、基板２００のアイランド用ランド２０１における窪み部２０１ｃの平面パターンを示す概略平面図である。図６では、便宜上、この窪み部２０１ｃに点ハッチングを施してある。

本実施形態の実装構造は、上記図１に示したものにおいて、モールドパッケージ１００のアイランド部１１の下面１１ｂに窪み部１１ｃを設けずに当該下面１１ｂを従来と同様に平坦としつつ、さらに、図６に示されるように、はんだ付けされるアイランド用ランド２０１の表面に、窪み部２０１ｃを設けたものである。そのため、本実施形態は、図６に加えて上記図１も参照して説明を行うこととする。

このアイランド用ランド２０１の表面の窪み部２０１ｃは、リード用ランド２０２の表面よりも窪んでいる。すなわち、アイランド用ランド２０１の表面の窪み部２０１ｃは、リード用ランド２０２の表面よりも基板２００の内部側に凹んでいる。

図６に示されるように、本実施形態では、アイランド用ランド２０１の表面は、上記図３と同様に、ソルダーレジスト２０３によりマトリクス状パターンに分割された複数個の領域の集合体として構成されている。そして、これらマトリクス状に分割された複数個の領域が、それぞれ窪み部２０１ｃとして構成されている。

そして、本実装構造においても、この窪み部２０１ｃには、はんだ３００が入り込んだものとなっている。ここでは、マトリクス状に配置された個々の窪み部２０１ｃと、アイランド部１１の下面１１ｂとが、はんだ３００により接続されている。

上述したように、基板２００の上面において各ランド２０１、２０２は、エッチングによりパターニングされるが、このアイランド用ランド２０１の窪み部２０１ｃは、このエッチングを段階的に分けて行うことで窪み部２０１ｃとなる部位をハーフエッチングすれば、形成することができる。

ここで、このアイランド用ランド２０１における窪み部２０１ｃの数や寸法は、上記第１実施形態に述べたアイランド部についての一例に準じたものにできる。つまり、この場合も、アイランド用ランド２０１に占める窪み部２０１ｃの面積は４３％程度のものにできる。また、本実施形態の窪み部２０１ｃの深さについては、特に限定しないが、１０μｍ〜アイランド用ランド２０１の厚さ（たとえば５０μｍ程度）の半分程度までの深さとすることができる。

そして、本実施形態の実装構造においては、基板２００におけるアイランド用ランド２０１の表面を、リード用ランド２０２の表面よりも窪ませているため、このアイランド用ランド２０１の窪み部２０１ｃに、はんだ３００が入り込む。

それにより、上記第１実施形態と同様に、アイランド部１１の下面１１ｂとアイランド用ランド２０１との間のはんだ３００の供給量を、リード部１２の部分に比べて見かけ上、相対的に減少させることが可能となる。そのため、窪み部２０１ｃを設けない従来の実装構造に比べて、モールドパッケージ１００全体が沈み込み、本実施形態によっても、リード部１２におけるはんだフィレット３０１が、適切な形状となり、はんだ外観検査性能が向上する。

また、本実施形態においても、アイランド用ランド２０１の表面を、ソルダーレジスト２０３によって分割された複数個の領域の集合体として構成しているが、上記第１実施形態と同様に、このような構成においても、上記の窪み部２０１ｃによる効果が適切に発揮される。

また、図６においては、アイランド用ランド２０１の表面のうちマトリクス状に配置された複数個の窪み部２０１ｃの間は、ソルダーレジスト２０３により被覆され区画されているが、このアイランド用ランド２０１の表面のソルダーレジスト２０３は無いものであってもよい。

また、アイランド用ランド２０１の表面に設けられる窪み部２０１ｃの平面パターンは、上記図６に示されるパターンに限定されるものではなく、図７（ａ）および（ｂ）に示されるような種々の形状を示すものであってもよい。なお、図７においても、便宜上、窪み部２０１ｃに点ハッチングを施してある。

図７（ａ）に示される例では、上記図６と同じく、アイランド用ランド２０１の表面の一部がリード用ランド２０２の表面よりも窪んでおり、ここでは、窪み部２０１ｃはストライプ状に配置されている。なお、この場合、アイランド用ランド２０１の表面のうちストライプ状に配置された複数個の窪み部２０１ｃの間は、ソルダーレジスト２０３により被覆されていてもよい。

また、図７（ｂ）に示される例では、アイランド用ランド２０１の表面の全体がリード用ランド２０２の表面よりも窪んでいる。つまり、アイランド用ランド２０１の表面の全体が窪み部２０１ｃとして構成されていてもよい。これら図７（ａ）、（ｂ）に示される各窪み部２０１ｃは上記したエッチングなどにより作製できる。

さらに、本実施形態においては、アイランド用ランド２０１の表面側だけでなく、これに対向するアイランド部１１の下面１１ｂ側にも窪み部を設けてもよい。具体的には、上記図１に示される実装構造において、本実施形態の図６に示される基板２００を採用したものであってもよい。

つまり、この場合、アイランド部１１の下面１１ｂには、上記図３（ａ）に示されるマトリクス状に配置された複数個の窪み部１１ｃが形成され、これに対向するアイランド用ランド２０１の表面には、図６に示されるマトリクス状に配置された複数個の窪み部２０１ｃが形成されたものとなる。

そして、これら両側の窪み部１１ｃ、２０１ｃにはんだ３００が入り込むことで、リード部１２におけるはんだフィレット３０１が適切な形状となり、はんだ外観検査性能が向上する。この場合、アイランド部１１およびアイランド用ランド２０１の一方のみに窪み部を設ける場合に比べて、モールドパッケージ１００全体を沈み込ませる効果が、より大きくなることが期待される。

また、上記図３（ａ）および上記図６に示される例を採用した場合、アイランド部１１側の窪み部１１ｃとアイランド用ランド２０１側の窪み部２０１ｃとは同じ位置にあるものとなる。これら両窪み部１１ｃおよび２０１ｃは異なる位置でもよいが、同じ位置にある方がはんだ３００による接続信頼性を確保する点で好ましい。たとえば、上記図４（ａ）の例と上記図７（ａ）の例との組合せも上記同じ位置の例である。

（第３実施形態）
図８（ａ）は、本発明の第３実施形態に係るＱＦＮ構造を有するリードレスタイプのモールドパッケージを示す概略断面図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）中のモールドパッケージの下面図である。

本実施形態では、モールドパッケージ１００におけるアイランド部１１の下面１１ｂを、エッチングやサンドブラストなどにより粗化したものであり、この粗化された下面１１ｂにおける凹凸の凹部を窪み部１１ｃとしたものである。この場合も、上記各実施形態と同様に、窪み部１１ｃの効果により、リード部１２におけるはんだフィレット３０１を適切な形状にしやすくなる。

（他の実施形態）
なお、基板２００のアイランド用ランド２０１の表面を窪ませる場合も、上記第３実施形態と同様に、サンドブラストやエッチングなどによる粗化を行ってもよい。

また、モールドパッケージの実装構造としては、上記したはんだフィレット３０１がリード部１２の側面１２ｃに形成されるものであれば、リード部１２の側面１２ｃ、下面１２ｂは、それぞれ、モールド樹脂３０の側面３３、下面３２と実質的に同一平面上に位置していなくてもよく、たとえば、モールド樹脂３０の側面３３、下面３２から多少突出していてもよいし、多少引っ込んでいてもよい。

また、上記実施形態では、電子部品としての半導体素子２０とリード部１２とは、ワイヤボンディングにより電気的に接続されていたが、両者の接続はこれに限定するものではなく、各種の配線部材を用いてよい。また、電子部品としては、半導体素子以外にも、コンデンサ、抵抗素子などであってもよい。

また、アイランド部１１とリード部１２とは、１枚のリードフレーム１０から作製されたものでなくてもよく、たとえば、アイランド部１１は放熱性に優れたヒートシンク材料よりなる金属にて構成し、リード部１２は通常のリードフレームにより構成するようにしてもよい。

本発明の第１実施形態に係るモールドパッケージの基板への実装状態を示す概略断面図である。 図１中の上面図である。 （ａ）は図１中のモールドパッケージの下面図であり、（ｂ）は図１中の基板の上面図である。 上記第１実施形態に係るアイランド部の下面における窪み部の平面パターンの種々の形状を示す概略平面図である。 上記第１実施形態に係るアイランド部の下面における窪み部の平面パターンの種々の形状を示す概略平面図である。 本発明の第２実施形態に係るモールドパッケージの実装構造の要部を示す概略平面図である。 上記第２実施形態に係るアイランド用ランドの表面における窪み部の平面パターンの種々の形状を示す概略平面図である。 （ａ）は、本発明の第３実施形態に係るモールドパッケージを示す概略断面図であり、（ｂ）は（ａ）中のモールドパッケージの下面図である。 本発明者が試作した実装構造におけるはんだフィレットの形状を示す概略断面図であり、（ａ）は誤判定される形状、（ｂ）は正常な形状を示す。

符号の説明

１０…リードフレーム、１１…アイランド部、１１ｂ…アイランド部の下面、
１１ｃ…窪み部、１２…リード部、１２ｂ…リード部の下面、
１２ｃ…リード部の側面、２０…電子部品、３０…モールド樹脂、
３２…モールド樹脂の下面、３３…モールド樹脂の側面、
１００…モールドパッケージ、２００…基板、２０１…アイランド用ランド、
２０１ｃ…窪み部、２０２…リード部用ランド、２０３…ソルダーレジスト、
３００…はんだ、３０１…はんだフィレット。

Claims (4)

1. モールドパッケージ（１００）を、基板（２００）の一面上に、はんだ（３００）を介して搭載してなるモールドパッケージの実装構造であって、
   前記モールドパッケージ（１００）は、電子部品（２０）と、前記電子部品（２０）を搭載するアイランド部（１１）と、前記電子部品（２０）と電気的に接続されたリード部（１２）とを備え、これら電子部品（２０）、アイランド部（１１）およびリード部（１２）をモールド樹脂（３０）にて封止するとともに、前記モールド樹脂（３０）における前記基板（２００）の前記一面に対向する面（３２）では、前記アイランド部（１１）の一面（１１ｂ）および前記リード部（１２）の一面（１２ｂ）が前記モールド樹脂（３０）から露出したものであり、
   前記基板（２００）は、当該基板（２００）の前記一面のうち前記アイランド部（１１）に対向する部位に設けられたアイランド用ランド（２０１）と、当該基板（２００）の前記一面のうち前記リード部（１２）に対向する部位に設けられたリード用ランド（２０２）とを備えたものであり、
   前記アイランド部（１１）の前記一面（１１ｂ）と前記アイランド用ランド（２０１）との間、および、前記リード部（１２）の前記一面（１２ｂ）と前記リード用ランド（２０２）との間が、前記はんだ（３００）を介して接合されており、
   前記リード部（１２）の前記一面（１２ｂ）は窪みのない平坦面であり、
   さらに、前記モールドパッケージ（１００）においては、前記リード部（１２）のうち当該リード部（１２）の前記一面（１２ｂ）の外周、および、当該一面（１２ｂ）の外周に位置して当該一面（１２ｂ）に連続する側面（１２ｃ）が、前記モールド樹脂（３０）から露出しており、
   前記リード部（１２）の前記一面（１２ｂ）と前記リード用ランド（２０２）との間に介在する前記はんだ（３００）が前記リード部（１２）の前記側面（１２ｃ）まで這い上がることで、はんだフィレット（３０１）が形成されており、
   前記モールドパッケージ（１００）における前記アイランド部（１１）の前記一面（１１ｂ）は、前記リード部（１２）の前記一面（１２ｂ）よりも窪んでおり、
   当該アイランド部（１１）の窪んでいる部分は前記モールド樹脂（３０）より露出していることを特徴とするモールドパッケージの実装構造。
2. 前記アイランド部（１１）の前記一面（１１ｂ）の全体が、前記リード部（１２）の前記一面（１２ｂ）よりも窪んでいることを特徴とする請求項１に記載のモールドパッケージの実装構造。
3. 前記アイランド部（１１）の前記一面（１１ｂ）の一部が、前記リード部（１２）の前記一面（１２ｂ）よりも窪んでいることを特徴とする請求項１に記載のモールドパッケージの実装構造。
4. 前記アイランド用ランド（２０１）の表面は、ソルダーレジスト（２０３）によって分割された複数個の領域の集合体として構成されており、
   前記アイランド部（１１）の前記一面（１１ｂ）のうち前記窪んでいる部位は、前記アイランド用ランド（２０１）の表面と同じパターンに分割された複数個の領域の集合体として構成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載のモールドパッケージの実装構造。

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