JP6398264B2

JP6398264B2 - インターポーザ構造体及び半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JP6398264B2
Application number: JP2014073808A
Authority: JP
Inventors: 剛司神吉
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2014-03-31
Filing date: 2014-03-31
Publication date: 2018-10-03
Anticipated expiration: 2034-03-31
Also published as: JP2015198114A

Description

本発明は、インターポーザ構造体及び半導体装置の製造方法等に関する。

近年、電子機器に対する小型化及び高性能化等の要求に応えるべく種々の高集積技術が提案されている。例えば、プリント基板上にインターポーザを介して複数の大規模集積回路（ＬＳＩ：large scale integration）チップ等の半導体チップが搭載された半導体装置が提案されている。この高集積化技術は２．５Ｄとよばれることがある。従来、この半導体装置を製造するために、次の工程が行われている。すなわち、支持基板上にインターポーザを形成し、インターポーザをプリント基板に固定し、支持基板をインターポーザから取り外し、インターポーザの支持基板を取り外した面に半導体チップを実装する。この高集積化技術によれば、更なる小型化及び高性能化の実現が期待される。

しかしながら、従来、支持基板のインターポーザからの取り外しが、化学薬液を用いた化学エッチング法又は物理的な剥離により行われているが、いずれの方法でも支持基板の取り外しの際に問題が生じている。すなわち、化学エッチングで支持基板を溶解させようとすると、インターポーザも化学薬液に長時間さらされるため、ダメージを受けてしまう。支持基板とインターポーザとの間に中間層を設けておき、中間層を化学エッチングで溶解させる方法もあるが、この方法でもインターポーザが化学薬液に長時間さらされる。また、中間層の使用の有無にかかわらず、プリント基板が化学薬液の影響を受けることもある。また、物理的な剥離では、インターポーザにも剥離の際の応力が作用するため、インターポーザに損傷が生じることがある。

特開２００２−５３８２１号公報特表２００９−５０２５８４号公報

本発明の目的は、インターポーザへのダメージを抑制しながら、支持基板を容易に取り外すことができるインターポーザ構造体及び半導体装置の製造方法等を提供することにある。

インターポーザ構造体の一態様には、インターポーザと、前記インターポーザを支持する支持基板と、が含まれる。前記支持基板には、基板と、前記基板上の第１の導電層と、ハロゲン化合物又は硫黄化合物の少なくとも一方を含有する、前記第１の導電層上の樹脂層と、前記第１の導電層から前記樹脂層により電気的に絶縁された、前記樹脂層上の第２の導電層と、が含まれる。前記第２の導電層は、前記樹脂層とは反対側の面にＴｉ層を有する。

インターポーザ構造体の製造方法の一態様では、支持基板を形成し、前記支持基板上にインターポーザを形成する。前記支持基板を形成する際に、基板上に第１の導電層を形成し、前記第１の導電層上に、ハロゲン化合物又は硫黄化合物の少なくとも一方を含有する樹脂層を形成し、前記樹脂層上に、前記第１の導電層から前記樹脂層により電気的に絶縁される、前記樹脂層とは反対側の面にＴｉ層を有する第２の導電層を形成する。

半導体装置の製造方法の一態様では、上記のインターポーザ構造体をプリント基板に固定し、前記第１の導電層と前記第２の導電層の結線された前記Ｔｉ層との間に通電し、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に電界を発生させて、前記第２の導電層の前記樹脂層との界面を酸化させ、前記基板、前記第１の導電層及び前記樹脂層を除去する。前記基板、前記第１の導電層及び前記樹脂層の除去後に、前記第２の導電層を除去し、前記インターポーザ上に半導体チップを搭載する。

上記のインターポーザ構造体等によれば、第１の導電層と第２の導電層との間での電界の発生により、インターポーザへのダメージを抑制しながら、支持基板を容易に取り外すことができる。

第１の実施形態に係るインターポーザ構造体を示す断面図である。半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。第２の実施形態に係るインターポーザ構造体の製造方法を工程順に示す断面図である。図３Ａに引き続き、インターポーザ構造体の製造方法を工程順に示す断面図である。図３Ｂに引き続き、インターポーザ構造体の製造方法を工程順に示す断面図である。図３Ｃに引き続き、インターポーザ構造体の製造方法を工程順に示す断面図である。図３Ｄに引き続き、インターポーザ構造体の製造方法を工程順に示す断面図である。図３Ｅに引き続き、インターポーザ構造体の製造方法を工程順に示す断面図である。半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。図４Ａに引き続き、半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。

以下、実施形態について添付の図面を参照しながら具体的に説明する。

（第１の実施形態）
先ず、第１の実施形態について説明する。第１の実施形態は、インターポーザ及び支持基板を備えたインターポーザ構造体に関する。図１は、第１の実施形態に係るインターポーザ構造体を示す断面図である。

第１の実施形態に係るインターポーザ構造体には、図１に示すように、インターポーザ１２０及びインターポーザ１２０を支持する支持基板１１０が含まれる。支持基板１１０には、基板１１１、基板１１１上の第１の導電層１１２、第１の導電層１１２上の樹脂層１１３、第１の導電層１１２から樹脂層１１３により電気的に絶縁された樹脂層１１３上の第２の導電層１１４が含まれている。樹脂層１１３は、ハロゲン化合物及び／又は硫黄化合物を含有している。

次に、第１の実施形態に係るインターポーザ構造体を用いた半導体装置の製造方法について説明する。図２は、半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。

先ず、図２（ａ）に示すように、導電材１７２を介してプリント基板１７１とインターポーザ１２０の端子とが電気的に接続されるように、第１の実施形態に係るインターポーザ構造体をプリント基板１７１に固定する。更に、プリント基板１７１とインターポーザ１２０との間の隙間を埋めるアンダーフィル材１７３を形成する。

次いで、図２（ｂ）に示すように、第１の導電層１１２に直流電源１７４の負極を接続し、第２の導電層１１４に直流電源１７４の正極を接続し、第１の導電層１１２と第２の導電層１１４との間に電界を発生させる。この結果、樹脂層１１３に含まれるハロゲン化合物及び／又は硫黄化合物の作用により第２の導電層１１４の樹脂層１１３と接している面が酸化され、そこに酸化部１１５が形成される。そして、酸化部１１５の形成に伴って第２の導電層１１４と樹脂層１１３との間の密着力が低下し、樹脂層１１３が第２の導電層１１４から離脱する。つまり、インターポーザ１２０上には、第２の導電層１１４及び酸化部１１５が残り、基板１１１、第１の導電層１１２及び樹脂層１１３は除去される。

その後、図２（ｃ）に示すように、第２の導電層１１４及び酸化部１１５を除去する。第２の導電層１１４及び酸化部１１５は、例えばエッチングにより除去することができる。酸化部１１５のほぼ全面が露出しているため、酸化部１１５は短時間で除去することができる。酸化部１１５の除去後には第２の導電層１１４のほぼ全面が露出しているため、第２の導電層１１４も短時間で除去することができる。従って、第２の導電層１１４及び酸化部１１５の除去の際に、インターポーザ１２０にはほとんどダメージが生じない。

続いて、図２（ｄ）に示すように、インターポーザ１２０上に半導体チップ１８１を搭載する。すなわち、導電材１８２を介して半導体チップ１８１をインターポーザ１２０上に固定し、半導体チップ１８１とインターポーザ１２０との間の隙間を埋めるアンダーフィル材１８３を形成する。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。図３Ａ乃至図３Ｆは、第２の実施形態に係るインターポーザ構造体の製造方法を工程順に示す断面図である。

先ず、図３Ａ（ａ）に示すように、表面に金属層２１２が形成された基板２１１を準備し、金属層２１２上に樹脂層２１３を形成する。基板２１１は、例えば厚さが２００μｍ程度の鉄板又は鋼板であり、金属層２１２は、例えば厚さが２００ｎｍ程度のＴｉ層である。基板２１１として、ガラス基板、シリコン基板等を用いてもよい。樹脂層２１３としては、ハロゲン化合物及び／又は硫黄化合物を含有するものを用いる。また、樹脂層２１３としては、加水分解により有機酸を生じやすいものを用いることが好ましい。樹脂層２１３の形成では、例えば、液体状の熱硬化性樹脂にハロゲン化合物及び／又は硫黄化合物を混合し、これを金属層２１２上に塗布し、キュアを行う。加水分解しやすい熱硬化性樹脂としては、例えばフェノール系樹脂、エポキシ系樹脂、及びポリイミド系樹脂が挙げられる。

次いで、図３Ａ（ｂ）に示すように、樹脂層２１３上に金属層２１４を形成する。金属層２１４としては、ハロゲン化合物及び／又は硫黄化合物により容易に酸化するものを用いることが好ましく、例えば厚さが３００ｎｍ程度のＣｕ層を形成する。金属層２１２が第１の導電層の一例であり、金属層２１４が第２の導電層の一例である。

続いて、図３Ａ（ｃ）に示すように、金属層２１４上にＴｉ膜２３１膜を形成し、Ｔｉ膜２３１上にＣｕ膜２３２を形成する。例えば、Ｔｉ膜２３１の厚さは５０ｎｍ程度とし、Ｃｕ膜２３２の厚さは１００ｎｍ程度とする。Ｔｉ膜２３１及びＣｕ膜２３２は、例えばスパッタリング法により形成する。

次いで、図３Ａ（ｄ）に示すように、Ｃｕ膜２３２上にフォトレジスト膜２３３を形成する。例えば、フォトレジスト膜２３３の厚さは５μｍ程度とする。

その後、図３Ｂ（ｅ）に示すように、露光及び現像によりフォトレジスト膜２３３に開口部２３４を形成する。現像液としては、例えばテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ：tetra-methyl ammonium hydroxide）を用いる。

続いて、図３Ｂ（ｆ）に示すように、Ｃｕ膜２３２をシード層とするめっき法によりＣｕ膜２３５を開口部２３４内でＣｕ膜２３２上に形成する。例えば、めっき液として硫酸酸性銅めっき液を用い、Ｃｕ膜２３５の厚さは５μｍ程度とする。

次いで、図３Ｂ（ｇ）に示すように、フォトレジスト膜２３３を除去する。フォトレジスト膜２３３は、例えばアセトン又はＮ−メチルピドロジン（ＮＭＰ）により除去することができる。

その後、図３Ｂ（ｈ）に示すように、Ｃｕ膜２３２のＣｕ膜２３５から露出している部分を除去する。この除去では、例えば硫酸水素カリウムを用いたウェットエッチングを行う。

続いて、図３Ｃ（ｉ）に示すように、Ｃｕ膜２３５及びＣｕ膜２３２を覆うフォトレジスト膜２４１をＴｉ膜２３１上に形成する。例えば、フォトレジスト膜２４１の厚さは８μｍ程度とする。

次いで、図３Ｃ（ｊ）に示すように、露光及び現像によりフォトレジスト膜２４１にＣｕ膜２３５を露出する開口部２４２を形成する。現像液としては、例えばＴＭＡＨを用いる。

その後、図３Ｃ（ｋ）に示すように、全面に導電膜２４３を形成する。つまり、フォトレジスト膜２４１の上面上、並びに開口部２４２内のフォトレジスト膜２４１の側面上及びＣｕ膜２３５の上面上に導電膜２４３を形成する。導電膜２４３の形成では、例えば、スパッタリング法により、厚さが５０ｎｍ程度のＴｉ膜を形成し、その上に厚さが１００ｎｍ程度のＣｕ膜を形成する。

続いて、図３Ｃ（ｌ）に示すように、導電膜２４３上にフォトレジスト膜２４４を形成する。例えば、フォトレジスト膜２４４の厚さはフォトレジスト膜２４１の上方で８μｍ程度とする。

次いで、図３Ｄ（ｍ）に示すように、露光及び現像によりフォトレジスト膜２４４に開口部２４２と連通する開口部２４５を形成する。現像液としては、例えばＴＭＡＨを用いる。

その後、図３Ｄ（ｎ）に示すように、導電膜２４３をシード層とするめっき法によりＣｕ膜２４６を開口部２４５内で導電膜２４３上に形成する。例えば、めっき液として硫酸酸性銅めっき液を用い、Ｃｕ膜２４６の厚さは５μｍ程度とする。

続いて、図３Ｄ（ｏ）に示すように、フォトレジスト膜２４４を除去する。フォトレジスト膜２４４は、例えばアセトン又はＮＭＰにより除去することができる。

次いで、図３Ｄ（ｐ）に示すように、導電膜２４３のＣｕ膜２４６から露出している部分を除去する。導電膜２４３中のＣｕ膜は、例えば硫酸水素カリウムを用いたウェットエッチングにより除去することができ、導電膜２４３中のＴｉ膜は、例えばＣＦ₄ガスを用いたドライエッチング又はフッ化アンモニウムを用いたウェットエッチングにより除去することができる。

その後、図３Ｅ（ｑ）に示すように、Ｃｕ膜２４６及び導電膜２４３を覆うフォトレジスト膜２５１をフォトレジスト膜２４１上に形成する。例えば、フォトレジスト膜２５１の厚さは１０μｍ程度とする。

続いて、図３Ｅ（ｒ）に示すように、露光及び現像によりフォトレジスト膜２５１にＣｕ膜２４６を露出する開口部２５２を形成する。現像液としては、例えばＴＭＡＨを用いる。

次いで、図３Ｅ（ｓ）に示すように、全面に導電膜２５３を形成する。つまり、フォトレジスト膜２５１の上面上、並びに開口部２５２内のフォトレジスト膜２５１の側面上及びＣｕ膜２４６の上面上に導電膜２５３を形成する。導電膜２５３の形成では、例えば、スパッタリング法により、厚さが５０ｎｍ程度のＴｉ膜を形成し、その上に厚さが１００ｎｍ程度のＣｕ膜を形成する。

その後、図３Ｅ（ｔ）に示すように、導電膜２５３上にフォトレジスト膜２５４を形成する。例えば、フォトレジスト膜２５４の厚さはフォトレジスト膜２５１の上方で１０μｍ程度とする。

続いて、図３Ｆ（ｕ）に示すように、露光及び現像によりフォトレジスト膜２５４に開口部２５２と連通する開口部２５５を形成する。現像液としては、例えばＴＭＡＨを用いる。

次いで、図３Ｆ（ｖ）に示すように、導電膜２５３をシード層とするめっき法によりＣｕ膜２５６を開口部２５５内で導電膜２５３上に形成する。例えば、めっき液として硫酸酸性銅めっき液を用い、Ｃｕ膜２５６の厚さは１０ｍ程度とする。

その後、図３Ｆ（ｗ）に示すように、フォトレジスト膜２５４を除去する。フォトレジスト膜２５４は、例えばアセトン又はＮＭＰにより除去することができる。なお、フォトレジスト膜２４１又は２５１の材料としては、フォトレジスト膜２４４又は２５４の除去に用いる液に対する耐性を有するものを用いる。このような材料は永久レジストとよばれることがある。

続いて、図３Ｆ（ｘ）に示すように、導電膜２５３のＣｕ膜２５６から露出している部分を除去する。導電膜２５３中のＣｕ膜は、例えば硫酸水素カリウムを用いたウェットエッチングにより除去することができ、導電膜２５３中のＴｉ膜は、例えばＣＦ₄ガスを用いたドライエッチング又はフッ化アンモニウムを用いたウェットエッチングにより除去することができる。

このようにしてインターポーザ構造体を製造することができる。なお、基板２１１上に複数のインターポーザ構造体を製造する場合には、例えば図３Ｆ（ｘ）に示す処理を行った後にダイシングによる個片化を行う。

第２の実施形態に係るインターポーザ構造体には、図３Ｆ（ｘ）に示すように、支持基板２１０及びインターポーザ２２０が含まれる。支持基板２１０には、基板２１１、金属層２１２、樹脂層２１３、金属層２１４、及びＴｉ膜２３１が含まれる。インターポーザ２２０には、Ｃｕ膜２３２、２３５、２４６、及び２５６、導電膜２４３及び２５３、並びにフォトレジスト膜２４１及び２５１が含まれる。金属層２１４は、金属層２１２から樹脂層２１３により電気的に絶縁されている。樹脂層２１３は、ハロゲン化合物及び／又は硫黄化合物を含有している。

樹脂層２１３に含まれるハロゲン化合物は、例えば塩化物、臭化物、フッ化物、ヨウ化物である。樹脂層２１３に含まれる硫黄化合物は有機化合物、無機化合物のいずれであってもよい。有機化合物の例として、メタンチオエーテル、チオフェン、及びジメチルエーテル等のチオエーテル系化合物、ジメチルスルフィド等のジスルフィド系化合物、並びにチオケトン系が挙げられる。無機化合物の例として、硫化物及び酸化硫黄系化合物が挙げられる。硫黄化合物として単体の硫黄を用いてもよい。

基板２１１と金属層２１２とが一つの物体から構成されていてもよい。つまり、一つの金属基板を基板２１１及び金属層２１２として用いてもよい。

フォトレジスト膜２４１の形成以降の処理では、外周部においてＴｉ膜２３１の上面の一部を露出したままとすることが好ましい。これは、後述のように、金属層２１４に直流電源の正極を接続する際の結線を容易にするためである。

次に、第２の実施形態に係るインターポーザ構造体を用いた半導体装置の製造方法について説明する。図４Ａ乃至図４Ｂは、半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。

先ず、図４Ａ（ａ）に示すように、プリント基板２７１上に設けた半田ボール２７２にＣｕ膜２５６が対向するように、第２の実施形態に係るインターポーザ構造体をプリント基板２７１上方に位置させる。

次いで、図４Ａ（ｂ）に示すように、Ｃｕ膜２５６が半田ボール２７２に接するまでインターポーザ構造体を降下させる。その後、加熱及び冷却により半田ボール２７２を融解及び硬化させ、インターポーザ構造体をプリント基板２７１に固定する。更に、プリント基板２７１とインターポーザ２２０との間の隙間を埋めるアンダーフィル材２７３を形成する。

続いて、図４Ａ（ｃ）に示すように、金属層２１２に直流電源２７４の負極を接続し、金属層２１４に直流電源２７４の正極を接続し、金属層２１２と金属層２１４との間に電界を発生させる。この結果、樹脂層２１３に含まれるハロゲン化合物及び／又は硫黄化合物の作用により金属層２１４の樹脂層２１３と接している面が酸化され、そこに酸化部２１５が形成される。基板２１１が導電性を帯びている場合、直流電源の負極を基板２１１に結線してもよい。Ｔｉ膜２３１の一部が露出している場合、直流電源の正極をＴｉ膜２３１に結線してもよい。基板２１１、金属層２１２及び樹脂層２１３に開口部を形成し、基板２１１及び金属層２１２から絶縁させながら、直流電源の正極を金属層２１４に結線してもよい。

そして、酸化部２１５の形成に伴って金属層２１４と樹脂層２１３との間の密着力が低下し、樹脂層２１３が金属層２１４から離脱する。つまり、図４Ｂ（ｄ）に示すように、インターポーザ２２０上には、Ｔｉ膜２３１、金属層２１４及び酸化部２１５が残り、基板２１１、金属層２１２及び樹脂層２１３は除去される。

次いで、図４Ｂ（ｅ）に示すように、金属層２１４及び酸化部２１５を除去し、更にＴｉ膜２３１を除去する。金属層２１４、酸化部２１５は及びＴｉ膜２３１は、例えばエッチングにより除去することができる。金属層２１４としてＣｕ層が用いられている場合、金属層２１４及び酸化部２１５のエッチングには、例えば硫酸水素カリウムを用いる。Ｔｉ膜２３１は、例えばＣＦ₄ガスを用いたドライエッチング又はフッ化アンモニウムを用いたウェットエッチングにより除去することができる。酸化部２１５のほぼ全面が露出しているため、酸化部２１５は短時間で除去することができる。酸化部２１５の除去後には金属層２１４のほぼ全面が露出しているため、金属層２１４も短時間で除去することができる。金属層２１４の除去後にはＴｉ膜２３１のほぼ全面が露出しているため、Ｔｉ膜２３１も短時間で除去することができる。従って、金属層２１４、酸化部２１５は及びＴｉ膜２３１の除去の際に、インターポーザ２２０にはほとんどダメージが生じない。また、金属層２１４及び酸化部２１５のエッチング時にＴｉ膜２３１が形成されているため、金属層２１４としてＣｕ層が用いられている場合でも、Ｃｕ膜２３２及びＣｕ膜２３５はエッチングされない。つまり、Ｔｉ膜２３１はエッチングストッパとして機能し、Ｃｕ膜２３２及びＣｕ膜２３５を保護する。

その後、図４Ｂ（ｆ）に示すように、インターポーザ２２０上に半導体チップ２８１を搭載する。すなわち、半田ボール２８２を介して半導体チップ２８１をインターポーザ２２０上に固定し、半導体チップ２８１とインターポーザ２２０との間の隙間を埋めるアンダーフィル材２８３を形成する。

次に、本願発明者らが行った第２の実施形態に関する種々の実験について説明する。これらの実験では、表１に示す化合物をフェノール系の樹脂層２１３に含有させた。そして、種々の条件を変化させて、樹脂層２１３の離脱しやすさを調査した。下記の表中の○は１０回程度の調査のすべてで樹脂層２１３が１日間以内に離脱したことを示し、△は１日間以内に離脱した場合及び離脱しなかった場合があることを示し、×は１日間では離脱しなかったことを示す。

（第１の実験）
第１の実験では、金属層２１２と金属層２１４との間に印加する電圧を表２に示すように変化させて、樹脂層２１３の離脱しやすさを調査した。なお、樹脂層２１３の厚さを１０．０μｍとし、表１に示す化合物の含有量を１．０質量％とした。この結果を表２に示す。

この結果から、１日間で樹脂層２１３を離脱させるために、電界強度を０．５ＭＶ／ｍ以上とすることが好ましい。

（第２の実験）
第２の実験では、表１に示す化合物の含有量を表３に示すように変化させて、樹脂層２１３の離脱しやすさを調査した。なお、樹脂層２１３の厚さを１０．０μｍとし、金属層２１２と金属層２１４との間に印加する電圧を５．０Ｖ（電界強度：０．５ＭＶ／ｍ）とした。この結果を表３に示す。

この結果から、１日間で樹脂層２１３を離脱させるために、樹脂層２１３に含有させるハロゲン化合物及び／又は硫黄化合物の総量を１．０質量％以上とすることが好ましい。

（第３の実験）
第３の実験では、樹脂層２１３の厚さを表４に示すように変化させて、樹脂層２１３の離脱しやすさを調査した。なお、表１に示す化合物の含有量を１．０質量％とし、金属層２１２と金属層２１４との間に印加する電圧を５．０Ｖ（電界強度：０．５ＭＶ／ｍ）とした。この結果を表４に示す。

この結果から、１日間で樹脂層２１３を離脱させるために、樹脂層２１３の厚さを１０．０μｍ以下とすることが好ましい。

（第４の実験）
第４の実験では、試験環境を表５に示すように変化させて、樹脂層２１３の離脱しやすさを調査した。なお、樹脂層２１３の厚さを１０．０μｍとし、表１に示す化合物の含有量を１．０質量％とし、金属層２１２と金属層２１４との間に印加する電圧を５．０Ｖ（電界強度：０．５ＭＶ／ｍ）とした。この結果を表５に示す。

この結果から、１日間で樹脂層２１３を離脱させるために、電界を、水中で、又は温度が８５℃以上かつ相対湿度が８５％以上の環境下で発生させることが好ましい。

以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。

（付記１）
インターポーザと、
前記インターポーザを支持する支持基板と、
を有し、
前記支持基板は、
基板と、
前記基板上の第１の導電層と、
ハロゲン化合物又は硫黄化合物の少なくとも一方を含有する、前記第１の導電層上の樹脂層と、
前記第１の導電層から前記樹脂層により電気的に絶縁された、前記樹脂層上の第２の導電層と、
を有することを特徴とするインターポーザ構造体。

（付記２）
前記樹脂層は、ハロゲン化合物又は硫黄化合物の少なくとも一方を総量で１．０質量％以上含有することを特徴とする付記１に記載のインターポーザ構造体。

（付記３）
前記樹脂層は、ハロゲン化合物又は硫黄化合物の少なくとも一方を総量で１５質量％以下含有することを特徴とする付記２に記載のインターポーザ構造体。

（付記４）
前記インターポーザは第１の樹脂を含有し、
前記樹脂層は、前記第１の樹脂よりも加水分解しやすい第２の樹脂を含有することを特徴とする付記１乃至３のいずれか１項に記載のインターポーザ構造体。

（付記５）
前記樹脂層の厚さは１０．０μｍ以下であることを特徴とする付記１乃至４のいずれか１項に記載のインターポーザ構造体。

（付記６）
前記第２の導電層と前記インターポーザとの間のエッチングストッパを有することを特徴とする付記１乃至５のいずれか１項に記載のインターポーザ構造体。

（付記７）
支持基板を形成する工程と、
前記支持基板上にインターポーザを形成する工程と、
を有し、
前記支持基板を形成する工程は、
基板上に第１の導電層を形成する工程と、
前記第１の導電層上に、ハロゲン化合物又は硫黄化合物の少なくとも一方を含有する樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層上に、前記第１の導電層から前記樹脂層により電気的に絶縁される第２の導電層を形成する工程と、
を有することを特徴とするインターポーザ構造体の製造方法。

（付記８）
前記樹脂層は、ハロゲン化合物又は硫黄化合物の少なくとも一方を総量で１．０質量％以上含有することを特徴とする付記７に記載のインターポーザ構造体の製造方法。

（付記９）
前記樹脂層は、ハロゲン化合物又は硫黄化合物の少なくとも一方を総量で１５質量％以下含有することを特徴とする付記８に記載のインターポーザ構造体の製造方法。

（付記１０）
前記インターポーザは第１の樹脂を含有し、
前記樹脂層は、前記第１の樹脂よりも加水分解しやすい第２の樹脂を含有することを特徴とする付記７乃至９のいずれか１項に記載のインターポーザ構造体の製造方法。

（付記１１）
前記樹脂層の厚さは１０．０μｍ以下であることを特徴とする付記７乃至１０のいずれか１項に記載のインターポーザ構造体の製造方法。

（付記１２）
前記支持基板を形成する工程は、前記第２の導電層上にエッチングストッパを形成する工程を有することを特徴とする付記７乃至１１のいずれか１項に記載のインターポーザ構造体の製造方法。

（付記１３）
付記１乃至５のいずれか１項に記載のインターポーザ構造体をプリント基板に固定する工程と、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に電界を発生させて、前記第２の導電層の前記樹脂層との界面を酸化させ、前記基板、前記第１の導電層及び前記樹脂層を除去する工程と、
前記基板、前記第１の導電層及び前記樹脂層の除去後に、前記第２の導電層を除去する工程と、
前記インターポーザ上に半導体チップを搭載する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

（付記１４）
付記６に記載のインターポーザ構造体をプリント基板に固定する工程と、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に電界を発生させて、前記第２の導電層の前記樹脂層との界面を酸化させ、前記基板、前記第１の導電層及び前記樹脂層を除去する工程と、
前記基板、前記第１の導電層及び前記樹脂層の除去後に、前記第２の導電層をエッチングにより除去する工程と、
前記第２の導電層の除去後に、前記エッチングストッパを除去する工程と、
前記インターポーザ上に半導体チップを搭載する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

（付記１５）
前記電界を、水中で、又は温度が８５℃以上かつ相対湿度が８５％以上の環境下で発生させることを特徴とする付記１３又は１４に記載の半導体装置の製造方法。

（付記１６）
前記電界の強さを０．５ＭＶ／ｍ以上とすることを特徴とする付記１３乃至１５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。

１１０、２１０：支持基板
１１１、２１１：基板
１１２：第１の導電層
１１３、２１３：樹脂層
１１４：第２の導電層
１１５、２１５：酸化部
１２０、２２０：インターポーザ
１７１、２７１：プリント基板
１７４、２７４：直流電源
１８１、２８１：半導体チップ
２１２、２１４：金属層

Claims

インターポーザと、
前記インターポーザを支持する支持基板と、
を有し、
前記支持基板は、
基板と、
前記基板上の第１の導電層と、
ハロゲン化合物又は硫黄化合物の少なくとも一方を含有する、前記第１の導電層上の樹脂層と、
前記第１の導電層から前記樹脂層により電気的に絶縁された、前記樹脂層上の第２の導電層と、
を有し、
前記第２の導電層は、前記樹脂層とは反対側の面にＴｉ層を有することを特徴とするインターポーザ構造体。
前記樹脂層は、ハロゲン化合物又は硫黄化合物の少なくとも一方を総量で１．０質量％以上含有することを特徴とする請求項１に記載のインターポーザ構造体。
前記インターポーザは第１の樹脂を含有し、
前記樹脂層は、前記第１の樹脂よりも加水分解しやすい第２の樹脂を含有することを特徴とする請求項１又は２に記載のインターポーザ構造体。
支持基板を形成する工程と、
前記支持基板上にインターポーザを形成する工程と、
を有し、
前記支持基板を形成する工程は、
基板上に第１の導電層を形成する工程と、
前記第１の導電層上に、ハロゲン化合物又は硫黄化合物の少なくとも一方を含有する樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層上に、前記第１の導電層から前記樹脂層により電気的に絶縁される、前記樹脂層とは反対側の面にＴｉ層を有する第２の導電層を形成する工程と、
を有することを特徴とするインターポーザ構造体の製造方法。
請求項１乃至３のいずれか１項に記載のインターポーザ構造体をプリント基板に固定する工程と、
前記第１の導電層と前記第２の導電層の結線された前記Ｔｉ層との間に通電し、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に電界を発生させて、前記第２の導電層の前記樹脂層との界面を酸化させ、前記基板、前記第１の導電層及び前記樹脂層を除去する工程と、
前記基板、前記第１の導電層及び前記樹脂層の除去後に、前記第２の導電層を除去する工程と、
前記インターポーザ上に半導体チップを搭載する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記電界を、水中で、又は温度が８５℃以上かつ相対湿度が８５％以上の環境下で発生させることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
前記電界の強さを０．５ＭＶ／ｍ以上とすることを特徴とする請求項５又は６に記載の半導体装置の製造方法。