JP6395213B2 - 改質処理装置および改質処理方法 - Google Patents
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Description
また、第7の態様は、第6の態様に係る改質処理方法であって、前記(c)工程の際、アニール処理が完了したとされる電磁波の強度の閾値と、前記電磁波検出部によって検出される電磁波の強度とを比較して前記半導体基板の改質を判定する。
<1.1. 改質処理装置1の構成>
図1は、第1実施形態に係る改質処理装置1の概略構成図である。改質処理装置1は、半導体を含む半導体基板9における膜を改質する装置である。
図8は、第1実施形態に係る改質処理装置1による改質処理を説明するための流れ図である。なお、特に断らない限り、改質処理装置1の各動作は、制御部16の制御下で行われる。
次に、第2実施形態について説明する。なお、以降の説明において、既に説明した要素と同様の機能を有する要素については、同じ符号またはアルファベットを追加した符号を付して、詳細な説明を省略する場合がある。
図10は、第3実施形態に係る改質処理装置1Bを示す概略構成図である。改質処理装置1Bにおいては、パルス光LP11が、半導体基板9の主面に対して垂直に入射する。これによって、p型領域94を形成するためのアニール処理が、局所的に行われる。パルス光LP11の照射に応じて発生した電磁波パルスLT1のうち、半導体基板9の裏面側に透過する電磁波パルスLT1が、放物面鏡M4,M5によって集光され、検出器132にて検出される。また、パルス光LP11の照射に応じて発生したPL光PL1のうち、パルス光LP11の光軸と同軸となる方向に放射されるPL光PL1が、ハーフミラーM3を反射し、分光器141に入射し、光検出器143によって検出される。
改質処理装置1では、アニール処理を行うため、光照射部12が半導体基板9にパルス光LP11を照射する。しかしながら、光照射部12が他の種類の光を照射するようにしてもよい。
11 ステージ
12 光照射部
121 パルスレーザ
13 電磁波検出部
131 遅延部
132 検出器
14 PL光検出部
141 分光器
143 光検出器
15 ステージ移動機構
16 制御部
17 モニター
18 操作入力部
21 画像生成部
22 時間波形復元部
23 スペクトル解析部
24 分光器データ解析部
25 改質判定部
26 照射制御部
27 照射領域特定部
9 半導体基板
91 SiCショットキーバリアダイオード
92 半導体基板
93 ドリフト層
94 p型領域
95 アノード電極
96 カソード電極
LP1,LP11 パルス光
LP12 検出用パルス光
LT1 電磁波パルス
PL1 PL光
Claims (7)
- 半導体基板に光を照射することによって、膜を改質する改質処理装置であって、
半導体基板に膜を改質する光を照射する光照射部と、
前記光の照射に応じて、前記半導体基板から放射されるミリ波またはテラヘルツ波を含む電磁波の強度を検出する電磁波検出部と、
前記電磁波検出部によって検出される前記電磁波の強度の、前記光の照射で進行する前記膜の改質によって生じる変化に基づき、前記半導体基板の膜の改質状況を判定する改質判定部と、
を備える、改質処理装置。 - 請求項1に記載の改質処理装置であって、
前記改質判定部は、アニール処理が完了したとされる電磁波の強度の閾値と、前記電磁波検出部によって検出される電磁波の強度とを比較して前記半導体基板の改質を判定する、改質処理装置。 - 請求項1または2に記載の改質処理装置であって、
前記光照射部からの前記光の照射によって、前記半導体基板の表面から放射されるフォトルミネッセンス光を検出するPL光検出部、
をさらに備え、
前記改質判定部は、前記電磁波検出部によって検出される電磁波の強度、および、前記PL検出部によって検出される前記フォトルミネッセンス光に基づいて、前記半導体基板の改質を判定する、改質処理装置。 - 請求項1から3のいずれか1項に記載の改質処理装置であって、
前記改質判定部の判定結果に基づき、前記半導体基板の膜を改質する光の照射を制御する照射制御部、
をさらに備える、改質処理装置。 - 請求項1から4のいずれか1項に記載の改質処理装置であって、
前記光照射部が出射する光が、前記半導体基板の膜を改質し、かつ、前記半導体基板において電磁波を発生させるパルス光である、改質処理装置。 - 半導体基板に光を照射することによって、膜を改質する改質処理方法であって、
(a)半導体基板に膜を改質する光を照射する工程と、
(b)前記(a)工程の際、前記光の照射に応じて前記半導体基板から放射されるミリ波またはテラヘルツ波を含む電磁波の強度を検出する工程と、
(c)前記(b)工程の際、検出される前記電磁波の強度の、前記光の照射で進行する前記膜の改質によって生じる変化に基づき、前記半導体基板の膜の改質状況を判定する改質判定工程と、
を含む、改質処理方法。 - 請求項6に記載の改質処理方法であって、
前記(c)工程の際、アニール処理が完了したとされる電磁波の強度の閾値と、前記電磁波検出部によって検出される電磁波の強度とを比較して前記半導体基板の改質を判定する、改質処理方法。
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