JP5822194B2 - 半導体検査方法および半導体検査装置 - Google Patents
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Description
図1は、第1実施形態に係る半導体検査装置100の概略構成図である。半導体検査装置100は、デバイス走査台12、レーザパルス光源14、集光レンズ15、偏光素子16、検出部17、電磁波パルス照射部18、偏光素子19および制御部20を備えている。
以上、実施形態について説明してきたが、本発明は上記のようなものに限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
1 基板
1a 太陽電池パネル
10,10a 照射位置
12 デバイス走査台
14 パルスレーザ光源
15 集光レンズ
16 偏光素子
17 検出部
18 電磁波パルス照射部
19 偏光素子
2 レーザパルス光
20 制御部
21 同期信号発生部
22 構造特定部
23 信号処理部
24 比較検査部
25 記憶部
26 入力部
27 表示部
3 電磁波パルス
4 逆バイアス用電磁波パルス
72 n型拡散領域(n型半導体)
73,74 p型拡散領域(p型半導体)
75,76 電極
77 pn接合部
81 電子
82 正孔
91S 受光面
93 p型シリコン層(p型半導体)
94 n型シリコン層(n型半導体)
97 pn接合部
E 外部電界
Claims (5)
- n型半導体及びp型半導体を有する半導体デバイスを検査する半導体検査装置において、
半導体デバイスに対してレーザパルス光を照射する第一照射部と、
前記レーザパルス光が照射される照射位置に対して、付与される電界の向きがn型半導体からp型半導体へ向かう方向である逆方向バイアスをかけるための逆バイアス用電磁波パルスを照射する第二照射部と、
前記レーザパルス光の照射に応じて前記照射位置から放射される電磁波パルスを検出する検出部と、
を備える半導体検査装置。 - 請求項1に記載の半導体検査装置において、
前記第二照射部は、前記レーザパルス光を発生させる光源と同一の光源を利用して、前記逆バイアス用電磁波パルスを発生させる半導体検査装置。 - 請求項1または請求項2に記載の半導体検査装置において、
前記照射位置における半導体の構造を特定する構造特定部、
をさらに備える半導体検査装置。 - 請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載の半導体検査装置において、
前記レーザパルス光の照射位置を移動させることにより、半導体デバイスを二次元的に走査する走査機構、をさらに備える半導体検査装置。 - n型半導体及びp型半導体を有する半導体デバイスを検査する半導体検査方法において、
(a) 所要の波長を有するレーザパルス光を半導体デバイスに照射する工程と、
(b) 前記(a)工程において、前記レーザパルス光が照射される照射位置に対して、付与される電界の向きがn型半導体からp型半導体へ向かう方向である逆方向バイアスをかけるために、逆バイアス用電磁波パルスを照射する工程と、
(c) 前記(a)工程において、前記レーザパルス光の照射に応じて前記照射位置から放射される電磁波パルスを検出する工程と、
を含む半導体検査方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011214229A JP5822194B2 (ja) | 2011-09-29 | 2011-09-29 | 半導体検査方法および半導体検査装置 |
EP12184081.3A EP2574906B1 (en) | 2011-09-29 | 2012-09-12 | Semiconductor inspection method and semiconductor inspection apparatus |
US13/621,038 US8941824B2 (en) | 2011-09-29 | 2012-09-15 | Semiconductor inspection method and semiconductor inspection apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011214229A JP5822194B2 (ja) | 2011-09-29 | 2011-09-29 | 半導体検査方法および半導体検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013072843A JP2013072843A (ja) | 2013-04-22 |
JP5822194B2 true JP5822194B2 (ja) | 2015-11-24 |
Family
ID=47088656
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011214229A Expired - Fee Related JP5822194B2 (ja) | 2011-09-29 | 2011-09-29 | 半導体検査方法および半導体検査装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8941824B2 (ja) |
EP (1) | EP2574906B1 (ja) |
JP (1) | JP5822194B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6044893B2 (ja) * | 2013-03-08 | 2016-12-14 | 株式会社Screenホールディングス | 検査装置および検査方法 |
JP2015018920A (ja) * | 2013-07-10 | 2015-01-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP6342622B2 (ja) | 2013-07-10 | 2018-06-13 | 株式会社Screenホールディングス | フォトデバイス検査装置およびフォトデバイス検査方法 |
JP6406656B2 (ja) * | 2013-08-23 | 2018-10-17 | 株式会社Screenホールディングス | 検査装置および検査方法 |
JP6418542B2 (ja) * | 2013-12-10 | 2018-11-07 | 株式会社Screenホールディングス | 検査装置および検査方法 |
JP6395213B2 (ja) * | 2014-09-26 | 2018-09-26 | 株式会社Screenホールディングス | 改質処理装置および改質処理方法 |
WO2017073759A1 (ja) * | 2015-10-29 | 2017-05-04 | 京セラ株式会社 | 発光素子、受発光素子モジュールおよび光学式センサ |
JP6604629B2 (ja) * | 2016-02-15 | 2019-11-13 | 株式会社Screenホールディングス | 検査装置及び検査方法 |
JP2017157692A (ja) * | 2016-03-02 | 2017-09-07 | 株式会社Screenホールディングス | 検査装置及び検査方法 |
KR101958305B1 (ko) * | 2017-10-24 | 2019-07-02 | 한국전력공사 | 테라헤르츠파를 이용한 전력설비 진단 장치, 가스절연개폐기 스페이서 진단 방법 및 지중케이블 종단접속함 스트레스콘 진단 방법 |
JP7138857B2 (ja) * | 2018-06-13 | 2022-09-20 | 株式会社Screenホールディングス | 半導体検査装置および半導体検査方法 |
CN113466674B (zh) * | 2021-07-06 | 2022-02-22 | 中国科学院国家空间科学中心 | 一种GaN功率器件单粒子效应脉冲激光试验方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4454472A (en) * | 1982-02-19 | 1984-06-12 | Rca Corporation | Method and apparatus for determining minority carrier diffusion length in semiconductors |
JPH05226431A (ja) * | 1992-02-14 | 1993-09-03 | Nippon Steel Corp | 電気信号測定装置 |
WO1999013318A1 (en) * | 1997-09-05 | 1999-03-18 | Brown University Research Foundation | Optical method for the characterization of the electrical properties of semiconductors and insulating films |
GB2359619B (en) * | 2000-02-28 | 2002-10-16 | Toshiba Res Europ Ltd | An apparatus and method for investigating a sample |
JP4001373B2 (ja) * | 2003-01-21 | 2007-10-31 | 独立行政法人理化学研究所 | 集積回路断線検査方法と装置 |
JP4683869B2 (ja) * | 2004-07-08 | 2011-05-18 | 独立行政法人理化学研究所 | 半導体デバイスの故障診断方法と装置 |
JP5187843B2 (ja) * | 2008-09-01 | 2013-04-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体検査装置及び検査方法 |
-
2011
- 2011-09-29 JP JP2011214229A patent/JP5822194B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-09-12 EP EP12184081.3A patent/EP2574906B1/en not_active Not-in-force
- 2012-09-15 US US13/621,038 patent/US8941824B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013072843A (ja) | 2013-04-22 |
EP2574906A1 (en) | 2013-04-03 |
US8941824B2 (en) | 2015-01-27 |
US20130083319A1 (en) | 2013-04-04 |
EP2574906B1 (en) | 2019-04-10 |
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