JP2013170864A - 検査装置および検査方法 - Google Patents
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 93
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 56
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 23
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 20
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000000275 quality assurance Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
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Abstract
【解決手段】検査装置100は、波長の異なる2つのレーザ光を出射する波長可変レーザ121,121と、これらのレーザ光を混合するカプラ123とを有する照射部12を備えている。また、検査装置100は、カプラ123により混合された2つのレーザ光の照射に応じて太陽電池パネル90から発生する電磁波を検出する検出部13と、太陽電池パネル90の有するバンドギャップの大きさに応じて、波長可変レーザ121,121のうち一方または双方が出射するレーザ光の波長を変更する波長変更部23を備えている。
【選択図】図2
Description
<1.1. 構成および機能>
図1は、実施形態に係る検査装置100の概略構成図である。また、図2は、実施形態に係る照射部12および検出部13の概略構成図である。
次に、フォトデバイスである太陽電池パネル90の検査の流れについて説明する。なお、以下に説明する検査装置100の動作は、特に断らない限り、制御部16によって制御されるものとする。
図6は、太陽電池パネル90に対して行われる第1検査の流れ図である。この第1検査は太陽電池パネル90の特定の位置について、広い周波数帯域の電磁波を発生させることで多くの物性情報を取得し、その情報に基づいて欠陥検出または性能測定を行う検査である。なお、図6に示した流れ図は、一例であり、複数の工程が並列的に行われたり、あるいは、各工程の実行順序が適宜変更されたりすることも考えられる。
図8は、太陽電池パネル90に対して行われる第2検査の流れ図である。この第2検査は、太陽電池パネル90のほぼ全面から電磁波を発生させることにより、パネル全体における欠陥検出または性能測定を行う検査となっている。なお、図8に示した流れ図は、一例で有り、複数の工程が並列的に行われたり、あるいは、各工程の実行順序が適宜変更されたりすることも考えられる。
以上、実施形態について説明してきたが、本発明は上記のようなものに限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
11 ステージ
12 照射部
121 波長可変レーザ
123 カプラ
13 検出部
132 検出器
16 制御部
23 波長変更部
90 太陽電池パネル
91S 受光面
92 裏面電極
93 p型シリコン層
94 n型シリコン層
95 反射防止膜
96 受光面電極
97 pn接合部
99 逆バイアス電圧印加回路(逆バイアス電圧印加部)
Claims (5)
- 半導体素子を検査する検査装置であって、
波長の異なる2つのレーザ光を混合して、前記半導体素子に照射する照射部と、
混合された前記2つのレーザ光の照射に応じて前記半導体素子から発生する電磁波を検出する検出部と、
前記半導体素子の有するバンドギャップの大きさに応じて、前記2つのレーザ光のうち、少なくとも一方の波長を変更する波長変更部と、
を備えている検査装置。 - 請求項1に記載の検査装置において、
前記波長変更部は、
前記半導体素子から発生する前記電磁波の周波数が変化するように、前記照射部における前記2つのレーザ光のうち、少なくとも一方の波長を変更する検査装置。 - 請求項1または2に記載の検査装置において、
前記半導体素子を逆バイアス状態とする電圧を印可する逆バイアス電圧印加部、
をさらに備えている、検査装置。 - 請求項1から3までのいずれか1項に記載の検査装置において、
前記半導体素子が、フォトデバイスであり、
前記2つのレーザ光の波長が、420nm以上1μm以下の範囲に含まれる、検査装置。 - 半導体素子を検査する検査方法であって、
波長の異なる2つのレーザ光を混合して、前記半導体素子に照射する照射工程と、
前記照射工程における前記レーザの照射に応じて前記半導体素子から発生する電磁波を検出する検出工程と、
前記照射工程において、前記半導体素子が有するバンドギャップの大きさに応じて、前記2つのレーザ光のうち、少なくとも一方の波長を変更する波長変更工程と、
を含む検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012033781A JP5929293B2 (ja) | 2012-02-20 | 2012-02-20 | 検査装置および検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012033781A JP5929293B2 (ja) | 2012-02-20 | 2012-02-20 | 検査装置および検査方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013170864A true JP2013170864A (ja) | 2013-09-02 |
JP5929293B2 JP5929293B2 (ja) | 2016-06-01 |
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JP (1) | JP5929293B2 (ja) |
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