JP6392356B2 - レチクル形状修正装置及びこれを用いたフォトリソグラフィー・ツール - Google Patents

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Description

本発明は、集積回路(IC)の製作分野に関し、より具体的には、レチクル形状修正装置に関する。また、本発明は、当該装置を用いたフォトリソグラフィー・ツールに関する。
薄膜トランジスタ(TFT)基板の拡大の増加に応じて、TFTの製造のためのフォトリソグラフィー・ツール装置に用いられるレチクルのサイズも、5.5th世代(G5.5)フォトリソグラフィー装置のための最初の6インチ、920mm×800mmから、8.5th世代(G8.5)レチクルのための1320mm×1108mmまでに増加している。そのような巨大なレチクルが吸引によってレチクルステージで保持されるとき、その重力による下方への屈曲は、回避不能である。そして、それは40μm以上までに達する場合がある。5.5th以上の最近の世代のTFT製造フォトリソグラフィー装置のために、視野(FOV)ステッチング又は超巨大FOV技術の使用は、避けられない傾向になった。しかし、特に、対物系の焦点深度範囲における露光精度のレチクルの反りの大きな影響は、画質保証に対して大きな難問を生じさせる。
レチクルの反り修正のための1つの方法は、対物系に対物面調整メカニズムを導入することである。そして、それは重力が原因のレチクル変形に適合することを可能にする。しかし、これは対物系の構造を複雑にし、かなりの数の追加の可動部材の増加につながる。そして、それはフォトリソグラフィー装置の信頼性の助けにならない。
レチクル、レチクルステージ、及び、ガラス基板が、空気制御装置の空気排出通路と空気導入通路とを連絡する空間を区切るように、ガラス基板がレチクルと照明系との間に搭載された真空封止技術を用いる他の方法がある。当該空間の圧力は、レチクルの重力と等しい上方への力を発生するように調整され、レチクルの重力と反対の方向にレチクルを曲げ、これにより、レチクルの重力による反りを相殺する。しかし、レチクルを露光する際に、ガラス基板の存在が照明系の性能に影響を及ぼす。さらに、また、ガラス基板自体がそれ自身の重力に起因して変形する。そして、それは露光性能をさらに悪化させる。さらに、レチクル、ガラス基板、及び、空気制御装置は、同じフレームに配置されるため、振動とレチクルの重量負荷を増加させる。
本発明は、レチクルの形状を修正する装置を示すことによって、先行技術の重力が原因のレチクル変形問題を解決する。
上記の問題は本発明に係る装置によって解決される。本発明に係る装置は、複数の吸盤、吸盤取付フレーム、及び、空気制御システムを備える。吸盤取付フレームは、レチクルの上に配置され、複数の吸盤は、互いに離間して、吸盤取付フレームの底に取り付けられている。空気制御システムは、吸引によってレチクルを保持するか、レチクルを離すように複数の吸盤を制御する。
好ましくは、複数の吸盤は、調整ねじボルト又は着脱可能ファスナーにより吸盤取付フレームの底に取り付けられる。
好ましくは、レチクルの上の複数の吸盤の垂直投影は、レチクルの上の台形の露光視野の外側である。
好ましくは、複数の吸盤は、非接触の態様で吸引によってレチクルを保持する。
好ましくは、空気制御システムは、対応する複数の前記吸盤の1つにそれぞれ連結された複数の空気チャンネルと、切換弁及び圧力センサーであり、複数の前記空気チャンネルのそれぞれに配列された圧力安全弁と、を備える。
好ましくは、複数の吸盤のそれぞれは、対応する圧力センサーでリアルタイムにモニターでき、対応する圧力安全弁と対応する切換弁で制御可能及び調節可能である吸引力を提供する。
好ましくは、装置は、複数の吸盤の底面からレチクルまでの距離を調整するための取付プレートを更に備える。
好ましくは、レチクルは、920mm×800mm以上のサイズを有する。すなわち、当該レチクルは、TFT製造のための5.5th以上の最近世代のフォトリソグラフィー装置において使われるレチクルである。
上記の問題は、光源、照明系、レチクルステージ、対物系、及び、ウエハステージを備えるフォトリソグラフィー・ツールでも解決される。レチクルステージはレチクルを移動させ、支持するように構成され、照明系はレチクルの面における1以上の照射視野を定めるように構成される。フォトリソグラフィー・ツールは、レチクル形状修正装置を更に備える。レチクル形状修正装置は、レチクルステージの上に配置された吸盤取付フレームと、吸盤取付フレームの底に配列された複数の吸盤と、吸引によってレチクルを保持するか、レチクルを離すように複数の吸盤を制御する空気制御システムと、を備える。レチクルの面の上の複数の吸盤の垂直投影は、1以上の照射視野と重複せず、複数の吸盤は、非接触の態様で吸引によってレチクルを保持する。
好ましくは、複数の前記吸盤は複数の列に配列され、前記複数の列の中央の列はレチクルのストロークの長さより長く、前記中央の列の両側に配列される前記複数の列の残りの列は、前記レチクルのストロークの長さより短い。
好ましくは、複数の列のそれぞれは、複数の列の隣接した1つの列から離間している。
好ましくは、空気制御システムは、複数の前記吸盤が吸引によって前記レチクルを保持するように前記レチクルの上の複数の前記吸盤を制御するように、及び、前記レチクルが前記レチクルの重力と実質的にバランスをとる吸引力の影響を受けるように、レチクルを保持する複数の吸盤のそれぞれにより提供される吸引力を制御するように、構成される。
好ましくは、空気制御システムは、対応する複数の前記吸盤の1つにそれぞれ連結された複数の空気チャンネルと、切換弁及び圧力センサーであり、複数の前記空気チャンネルのそれぞれに配列された圧力安全弁と、を備える。
好ましくは、レチクルを保持する複数の吸盤のそれぞれにより提供される吸引力は、対応する圧力センサーでモニターでき、対応する圧力安全弁で調節可能である。
好ましくは、吸盤取付フレームは、光源、照明系、レチクルステージ、対物系、及び、ウエハステージの何れにも連結されていない。
好ましくは、レチクルは、920mm×800mm以上のサイズを有する。
好ましくは、複数の吸盤は、調整ねじボルト又は着脱可能ファスナーにより吸盤取付フレームの底に取り付けられる。
好ましくは、装置は、吸盤の底面からレチクルまでの距離を調整するための取付プレートを更に備える。
本発明は、先行技術に比べて有利な以下の利点を提供する。
吸盤はレチクルの上で台形の露光視野をブロックしない。これにより、レチクルの上に光線を完全に(100%)入射させることができる。よって、改善された露光効率を得ることができる。
吸盤により提供される吸引力は、効果的にレチクルの重量負荷を減らすことができ、これにより、その重力変形を防ぐことができる。
装置は、フォトリソグラフィー・ツールに配置される、抗原、照明系、レチクルステージ、対物系、及び、ウエハステージの何れにも連結されていなく、独立している。これにより、更なる外的振動をツールに与えない。
図1は、本発明の具体的な実施形態に係るフォトリソグラフィー・ツールの略図である。 図2は、本発明の具体的な実施形態に係るレチクル形状修正装置の上面図を表す。 図3は、本発明の具体的な実施形態に係るレチクル形状修正装置の部分概略図である。 図4は、本発明の具体的な実施形態に係る吸盤がどのように動くかについて示す。 図5は、本発明の具体的な実施形態に係るレチクル形状修正装置がどのように動くかについて示す。 図6は、本発明の具体的な実施形態に係る吸盤の配置を表している図である。 図7は、本発明の具体的な実施形態に係る吸盤の配置を表している図である。 図8は、本発明の具体的な実施形態に係る吸盤により提供される力の分配を表している図である。 図9aは、本発明の具体的な実施形態に係るシミュレーションされたレチクル形状の修正結果を表している図である。 図9bは、本発明の具体的な実施形態に係るシミュレーションされたレチクル形状の修正結果を表している図である。
これらの図において:10−レチクル形状修正装置、100−吸盤、200−吸盤取付フレーム、300−調整ねじボルト、400−空気口、500−取付プレート、600−レチクル、610−台形の露光視野、700−レチクルステージ。
本発明の上記の目的、特徴、及び、長所は、添付の図面とともに、本発明のいくつかの具体的な実施形態の以下の説明によって、より明らかになるであろう。なお、図面は、実施形態の説明における簡便さ及び明確さのために、寸法を提示する必要のない非常に単純化された形式で提供されたものである。
図1〜3で示すように、本発明に係るレチクル形状修正装置10は、吸盤100、吸盤取付フレーム200、及び、空気制御システム(不図示)を備える。吸盤取付フレーム200は、レチクルステージ700の上に配置され、吸盤100は、レチクル600の上の台形の露光視野(FOV)610(図6及び図7)の外側の領域に一致するように、互いに離間して、吸盤取付フレーム200の底に取り付けられる。空気制御システムは、レチクル600を保持し、離す吸盤100の動作を制御する。特に、照明光はランプチャンバから出射され、順番にレンズ、勾配減衰器、レチクルステージ700の上のレチクル600、及び、対物レンズアセンブリを通過し、これにより、ウエハ及びウエハステージの上にイメージを形成する。当然のことながら、照明系には複数の照明光路とそれに応じた複数の対物系があり、本発明の実施は、特定の数の照明光路によって制限されない。吸盤100は、レチクル600と照明系の間に搭載される。吸盤100は、レチクル600の上の露光FOV(図6及び図7参照)に影響を与えないように配置されるので、照明系においてレチクル600の露光品質に影響を及ぼさない。好ましくは、吸盤100は、調整ねじボルト300により吸盤取付フレーム200の底に取り付けられる。
さらに、それぞれの吸盤100は、空気口400を有し、空気口400を介して空気チャンネルに接続している。また、それぞれの吸盤100は、空気チャンネルを通して対応する空気制御システムの1つに接続している。それぞれの空気制御システムは、対応する吸盤100が作る圧力をリアルタイムで調整するための、圧力安全弁、圧力センサー、及び、切換弁を備える。空気制御システムは、陽圧ガスを対応する空気チャンネルに供給するための駆動力を提供するために、圧縮パワーシステム、すなわち、圧縮ポンプ、を更に備える。切換弁は、吸盤100を起動又は停止するように構成され、圧力安全弁は望ましい安定した値に吸盤100の圧力を設定するように構成される。圧力センサーは圧力を測るのに役立ち、これにより、吸盤100のリアルタイム制御を成し遂げる。なお、吸盤100のための空気制御システムのすべては同一であるが、レチクル600の形状修正の間、吸盤100の全てが運転中であるというわけではない。したがって、それぞれの吸盤100のリアルタイム制御を達成するために、空気制御システムは、自動的に、又は、手動で制御されてもよい。
好ましくは、吸盤100は、非接触吸盤(non−contact sucker)、すなわち、レチクル600と接触しない吸盤100、である。特に、図4で示すように、本発明に係るそれぞれの非接触吸盤は、底面において、環状排出口(annular outlet)を定義する。環状排出口を介して、ガスが放射状に排出されて、吸盤100の底面の中心の周りに陰圧が発生し、これによりレチクル600が保持される。図5で示すように、ベルヌーイの原理で定められるように、非接触吸盤は非接触輸送と好適な保持の機能を実行する。レチクル600の上に配置される複数の非接触吸盤は、吸盤100とレチクル600との間に、負のリフト力(F1、F2、F3、・・・、Fn)を発生させることができ、レチクル600の重力(G)と効率的にバランスをとって、その重力落下を防止することによって、レチクル600を保持する。
好ましくは、取付プレート500は、吸盤100の底面からレチクル600までの距離を制御するためにさらに提供される。取付プレート500が、吸盤100のアセンブリ及び搭載の間に使用され、吸盤100とレチクル600との間の距離を均質化するために機能する。取付プレート500は、ツーリング・プレートとして実施されてもよい。当該使用は、吸盤100の下の場所のレチクル600の上において取付プレート500を動かなく保つこと、全ての搭載された吸盤100がレチクル600の上で同じレベルに位置するように、参照としての取付プレート500のレベルでそれぞれの吸盤100をアセンブリ及び搭載すること、を含む。
好ましい具体化において、吸盤100は、図6および図7に示す1つのレイアウト、すなわち、3本の列、に配置される。レチクルパターンを露光させるプロセスの間、レチクル600に固定されたパターンを定義するマスクによって、及び、調整ねじボルト300で吸盤取付フレーム200に取り付けられる吸盤100によって、台形の露光FOV610は妨げられない。吸盤100の底面からレチクル600までの距離は調節可能であり、例えば、2μmの許容範囲を有する2mmに設定されてもよい。吸盤100と空気制御システムの間の機械式インターフェースは、管状糸の形状である。それぞれの吸盤100によって振るわれる力は、それぞれの空気制御システムによって制御されて、維持される。
吸盤100の配置の設計において、パターンの露光が吸盤100の位置によって影響を受けないこと確実にするために、レチクルのストロークの全てにおける台形の露光FOV610は、第一に考慮される。その後、吸盤100の数は実際的なニーズによって増減され、使用される吸盤100の数がより少ない場合に、図6の配置が使われてもよい。図6の配置において、吸盤100により提供される力の分配を図8に示す。1つの吸盤によって振るわれる力は、以下のファクターによって決定されてもよい。(1)隣接する吸盤の数。(2)吸盤が作用するレチクルの位置。(3)レチクルが走査される全てのストロークに沿った動作条件。一つの実施態様において、吸盤100の力は、シミュレーション結果の実験的な確認と較正に基づいて決定される。したがって、本発明に係る吸盤100の分布の原則は、どんなサイズのレチクルの形状修正にでも適用できる。吸盤100の数に制限がない場合、互いにずらして配置された3列の吸盤100がレチクルの上に配列された、図7の配置が使われてもよい。本発明の装置は、±1μmの範囲の中で制御された非平坦度で、良いレチクル形状の修正効果を成し遂げることができる。当然のことながら、大きなレチクルの形状修正のために使われるとして装置10は上記で説明されたが、本発明は、レチクル600のどんな特定のサイズにも限定されず、どんなサイズのレチクル600の形でも修正するのに用いることができる。
好ましくは、シミュレーション分析に基づいて吸盤100を制御することによって、レチクル600の形状修正は、達成されてもよい。一つの実施例では、レチクル600は、750mm×650mmの効果的パターン領域、及び、280mm×650mmの露光FOVの領域において、920mm×800mmの大きさに設定される。
具体的には、まず、図6の吸盤100は、左から右に向かって、以下のように番号が付けられる。
列1:101、102、103;
列2:201、202、203、204、205、206、207、208、209、210、211、212、213、214;
列3:301、302、303。
表1に、番号が付けられた吸盤100の定められたリフト力をまとめる。
Figure 0006392356
シミュレーション分析がレチクルのストロークの全てを考慮したので、レチクルはストロークにおける対応する位置において異なる吸盤100によってリフト力が与えられた。ストロークにおけるレチクルのアドバンスメントの間、いくつかの吸盤100は、レチクルの端に部分的に重なった。そのような部分的な重なり合うケースでは、シミュレーション分析を実行したソフトウェアに、吸盤100の実際に測定されたリフト力は、フィードバックされた。すべてのレチクルの走査プロセスの訂正結果を、表2、図9a及び図9bに示す。表2において、シミュレーション識別子は、使用されたシミュレーション・モデルの名称であり、特別な意味を持たない。mmで測られたX−位置は、長さ1200mmである全てのレチクル走査ストロークにおける位置を表す。吸盤が対称に配置されているため、ストロークの2分の1だけ、すなわち600mm、を考慮することができ、残りの600mmは同じ結果を生む。したがって、正確に、X−位置は長さ600mmの走査ストローク部分に沿った位置である。最低及び最大の下方移動量、μmで測られる、は、X−位置で測定され、それぞれの正の値は過大補正(excessive compensation)を示し、それぞれの負の値は不十分な補正(insufficient compensation)を示す。
上記の説明から明らかであるように、吸盤100による保持は、レチクル600の下方移動量を、全ての走査/露光ストロークにおける位置の間で最悪の補正結果となる位置に一致する、−3.6から0.35μmの範囲と、−0.5から2.2μmの範囲とに制御することができる。これらの位置の一方において、レチクルは−3.6μmの最大の下方移動量と0.35μmの最小の下方移動量(過大補正)を経験し、他方の位置において、レチクルは−0.5μmの最大の下方移動量と2.2μmの最小の下方移動量を経験した。垂直方向のウエハステージのクローズド−ループ・サーボ制御を考慮されたならば、露光FOVのレチクルの重力に起因する下方移動量は±2μmの範囲でコントロールされるであろう。
Figure 0006392356
要約すると、本発明は、大きなレチクルのレチクル形状修正装置に関し、レチクル形状修正装置は、吸盤100、吸盤取付フレーム200、及び、空気制御システムを備え、吸盤取付フレーム200は、レチクルステージ700の上に配置され、吸盤100は、互いに離間して、吸盤取付フレーム200の底に取り付けられ、空気制御システムは、吸引によってレチクルを保持し、離す吸盤100の動作を制御するように構成されている。先行技術と比較して、本発明は、以下の利点を提供する。
1.吸盤100はレチクル600の台形の露光FOV610を妨げず、これにより、レチクルの上への光線の完全な(100%)入射を可能にし、改善された露光効率を得ることができる。
2.複数の吸盤100は、それぞれの空気制御システムによって互いに独立して制御され、レチクルの反りの修正を助ける。
3.レチクル形状修正装置は、当該レチクル形状修正装置が用いられるフォトリソグラフィー・ツールとは別に、搭載され、レチクルへの重量負荷を低減できる。
4.レチクル形状周世装置は、フォトリソグラフィー・ツールに配置されている何れの構成要素とも接触しておらず、更なる外部振動をフォトリソグラフィー・ツールにもたらさない。
5.吸盤100によって発生されるガスの流れは、水銀灯の光の照射のためにレチクル面で発生する熱を放散させ、レチクルの熱変形を低減し、これにより、イメージング品質の改善を達成できる。
6.ガスの流れはレチクルから可能性がある小片又は他の障害物を除去し、それによって露光精度を向上する。
当業者が発明の思想と範囲から逸脱することなく本発明に様々な修正変更をすることができることは、明らかである。したがって、本発明が添付の請求項とその等価物の範囲内のものとしてすべてのそのような修正変更を包含することが意図されている。

Claims (14)

  1. 視野ステッチング(field of view stitching)フォトリソグラフィー・ツールとして採用される装置であって、
    複数の吸盤、吸盤取付フレーム、及び、空気制御システムを備え、
    前記吸盤取付フレームはレチクルの上に配置され、
    複数の前記吸盤は、互いに離間して、吸盤取付フレームの底に取り付けられており、
    前記空気制御システムは、吸引によって前記レチクルを保持するか、前記レチクルを離すように複数の前記吸盤を制御し、
    前記レチクルの上の複数の前記吸盤の垂直投影は、前記レチクルの露光視野の外側であり、
    前記空気制御システムは、
    対応する複数の前記吸盤の1つにそれぞれ連結された複数の空気チャンネルと、
    切換弁及び圧力センサーであり、複数の前記空気チャンネルのそれぞれに配列された圧力安全弁と、
    を備える、
    レチクル形状修正装置。
  2. 複数の前記吸盤は、調整ねじボルト又は着脱可能ファスナーにより前記吸盤取付フレームの底に取り付けられる、請求項1に記載のレチクル形状修正装置。
  3. 複数の前記吸盤は、非接触の態様で吸引によって前記レチクルを保持する、請求項1に記載のレチクル形状修正装置。
  4. 複数の前記吸盤のそれぞれは、対応する前記圧力センサーでリアルタイムにモニターでき、対応する前記圧力安全弁と対応する前記切換弁により制御可能及び調節可能である吸引力を提供する、請求項1に記載のレチクル形状修正装置。
  5. 複数の前記吸盤の底面から前記レチクルまでの距離を調整するための取付プレートを更に備える、請求項1に記載のレチクル形状修正装置。
  6. 前記レチクルは、920mm×800mm以上のサイズを有する、請求項1に記載のレチクル形状修正装置。
  7. 光源、照明系、レチクルステージ、対物系アセンブリ(objective assembly)、及び、ウエハステージを備える視野ステッチング(field of view stitching)フォトリソグラフィー・ツールであって、
    前記レチクルステージは、レチクルを移動させ、及び支持するように構成され、
    前記照明系は、前記レチクルの面における1以上の照射視野を定めるように構成され、
    前記フォトリソグラフィー・ツールは、レチクル形状修正装置を更に備え、
    前記レチクル形状修正装置は、
    前記レチクルステージの上に配置された吸盤取付フレームと、
    前記吸盤取付フレームの底に配列された複数の吸盤と、
    吸引によって前記レチクルを保持するか、前記レチクルを離すように複数の前記吸盤を制御する空気制御システムと、
    を備え、
    前記レチクルの面の上の複数の吸盤の垂直投影は、1以上の照射視野と重複せず、
    複数の前記吸盤は、非接触の態様で吸引によって前記レチクルを保持し、
    前記空気制御システムは、
    複数の前記吸盤が吸引によって前記レチクルを保持するように前記レチクルの上の複数の前記吸盤を制御するように、及び、
    前記レチクルが前記レチクルの重力と実質的にバランスをとる吸引力の影響を受けるように、レチクルを保持する複数の吸盤のそれぞれにより提供される吸引力を制御するように、
    構成され、
    前記空気制御システムは、
    対応する複数の前記吸盤の1つにそれぞれ連結された複数の空気チャンネルと、
    切換弁及び圧力センサーであり、複数の前記空気チャンネルのそれぞれに配列された圧力安全弁と、
    を備える、
    フォトリソグラフィー・ツール。
  8. 複数の前記吸盤は複数の列に配列され、前記複数の列の中央の列はレチクルのストロークの長さより長く、前記中央の列の両側に配列される前記複数の列の残りの列は、前記レチクルのストロークの長さより短い、請求項7に記載のフォトリソグラフィー・ツール。
  9. 前記複数の列のそれぞれは、前記複数の列の隣接した1つの列から離間している、請求項8に記載のフォトリソグラフィー・ツール。
  10. 前記レチクルを保持する複数の前記吸盤のそれぞれにより提供される吸引力は、対応する前記圧力センサーでモニターでき、対応する前記圧力安全弁で調節可能である、請求項7に記載のフォトリソグラフィー・ツール。
  11. 前記吸盤取付フレームは、前記光源、前記照明系、前記レチクルステージ、前記対物系、及び、前記ウエハステージの何れにも連結されていない、請求項7に記載のフォトリソグラフィー・ツール。
  12. 前記レチクルは、920mm×800mm以上のサイズを有する、請求項7に記載のフォトリソグラフィー・ツール。
  13. 複数の前記吸盤は、調整ねじボルト又は着脱可能ファスナーにより前記吸盤取付フレームの底に取り付けられる、請求項7に記載のフォトリソグラフィー・ツール。
  14. 複数の前記吸盤の底面から前記レチクルまでの距離を調整するための取付プレートを更に備える、請求項7に記載のフォトリソグラフィー・ツール。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107966884B (zh) * 2017-11-23 2020-06-26 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种光罩盒位置探测方法
CN110967923B (zh) * 2018-09-28 2021-06-08 上海微电子装备(集团)股份有限公司 掩模板密封整形装置
CN111439583A (zh) * 2020-05-15 2020-07-24 寰采星科技(宁波)有限公司 一种fmm的搬运装置
CN114956587B (zh) * 2022-04-06 2023-12-26 杭州佳龙光学玻璃有限公司 一种ag玻璃蚀刻方法及其设备

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07136885A (ja) 1993-06-30 1995-05-30 Toshiba Corp 真空チャック
JPH0855778A (ja) * 1994-08-11 1996-02-27 Canon Inc 露光方法およびその装置
JP4249869B2 (ja) * 1999-12-22 2009-04-08 株式会社オーク製作所 基板搬送装置
TWI240849B (en) * 2000-02-10 2005-10-01 Asml Netherlands Bv Object positioning method for a lithographic projection apparatus
JP2002305138A (ja) 2001-04-05 2002-10-18 Nikon Corp 露光装置および露光方法
JP2003167355A (ja) * 2001-12-04 2003-06-13 Ushio Inc マスクのたわみ補正方法およびたわみ補正機構を備えた露光装置
JP4565799B2 (ja) * 2002-07-01 2010-10-20 大林精工株式会社 横電界方式液晶表示装置、その製造方法、走査露光装置およびミックス走査露光装置
JP2005150527A (ja) 2003-11-18 2005-06-09 Canon Inc 保持装置、それを用いた露光装置およびデバイス製造方法
JP2005258152A (ja) * 2004-03-12 2005-09-22 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性板状部材吸着機構及び画像記録装置
GB2422679A (en) * 2005-01-28 2006-08-02 Exitech Ltd Exposure method and tool
JP4692276B2 (ja) * 2005-12-28 2011-06-01 ウシオ電機株式会社 支持機構及び支持機構を使ったマスクステージ
JP4984810B2 (ja) * 2006-02-16 2012-07-25 株式会社ニコン 露光方法、露光装置及びフォトマスク
JP2007324442A (ja) * 2006-06-02 2007-12-13 Smc Corp 非接触搬送装置
JP5258278B2 (ja) * 2007-12-13 2013-08-07 キヤノントッキ株式会社 成膜用マスク及びマスク密着方法
US8917378B2 (en) * 2007-12-20 2014-12-23 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device with plurality of projection optical systems and pattern having first partial pattern area and second partial area having overlaid area with first partial pattern area
US8553207B2 (en) * 2008-12-31 2013-10-08 Asml Holdings N.V. Optically compensated unidirectional reticle bender
US20110085150A1 (en) * 2009-09-30 2011-04-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
WO2011089828A1 (ja) * 2010-01-22 2011-07-28 シャープ株式会社 光照射装置、光照射方法および液晶パネルの製造方法
US8536064B2 (en) * 2010-02-08 2013-09-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Double patterning strategy for contact hole and trench in photolithography
US8823921B2 (en) * 2011-08-19 2014-09-02 Ultratech, Inc. Programmable illuminator for a photolithography system
JP5717803B2 (ja) * 2013-07-04 2015-05-13 東京エレクトロン株式会社 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体

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