JP2012042931A - 露光装置用光照射装置、光照射装置の制御方法、露光装置及び露光方法 - Google Patents

Abstract

【課題】光源部の照射時間の経過に伴う照度低下を抑制することができる露光装置用光照射装置、光照射装置の制御方法、露光装置及び露光方法を提供する。
【解決手段】発光部と反射光学系を含む複数の光源部７３と、所定数の光源部７３の光がインテグレータレンズ７４の入射面に入射されるように、光源部７３を光源支持部８３で支持する複数のカセット８１と、全ての光源部７３の光がインテグレータレンズ７４の入射面に入射されるように、複数のカセット８１を取り付ける複数のカセット取り付け部を有する支持体８２と、各光源部７３の光軸角度を調整可能な光軸角度調整機構９９と、を備える。
【選択図】図８

Description

本発明は、露光装置用光照射装置、光照射装置の制御方法、露光装置及び露光方法に関し、より詳細には、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等の大型のフラットパネルディスプレイの基板上にマスクのマスクパターンを露光転写する露光装置に適用可能な露光装置用光照射装置、光照射装置の制御方法、露光装置及び露光方法に関する。

従来、フラットパネルディスプレイ装置のカラーフィルタ等のパネルを製造する装置として、近接露光装置、スキャン露光装置、投影露光装置、ミラープロジェクション、密着式露光装置などの種々の露光装置が考案されている。例えば、分割逐次近接露光装置では、基板より小さいマスクをマスクステージで保持すると共に、基板をワークステージで保持して両者を近接して対向配置した後、ワークステージをマスクに対してステップ移動させて各ステップ毎にマスク側から基板にパターン露光用の光を照射することにより、マスクに描かれた複数のパターンを基板上に露光転写して、一枚の基板に複数のパネルを製作する。また、スキャン露光装置では、一定速度で搬送されている基板に対して、露光用の光をマスクを介して照射し、基板上にマスクのパターンを露光転写する。

近年、ディスプレイ装置は次第に大型化されつつあり、例えば、分割逐次露光において、第８世代（２２００ｍｍ×２５００ｍｍ）のパネルを４回の露光ショットで製造する場合、一回の露光領域は、１３００ｍｍ×１１２０ｍｍとなり、６回の露光ショットで製造する場合、一回の露光領域は、１１００ｍｍ×７５０ｍｍとなる。従って、露光装置においても露光領域の拡大が求められており、使用される光源の出力も高める必要がある。このため、照明光学系として、複数の光源を用いて、光源全体の出力を高めるようにしたものが知られている（例えば、特許文献１，２及び３参照。）。

特許文献１に記載の露光用照明装置では、光源部から出射される発散光が入射面に入射する領域の大きさを、入射面よりも小さくして、発散光の全てが入射面に入射するようにして、光源部から発せられた光の有効活用を図っている。また、特許文献２に記載の光照射装置は、隣接配置される各光源間に光を遮断する隔離壁を設け、隣接する光源からの光照射を防止して、加熱などによる光源部の問題を解決している。更に、特許文献３に記載の光照射装置は、複数の光源ユニットが千鳥状に配置された２組の光源部を、前後方向に離間配置して光源ユニット間に空隙を持たせ、光源ユニットを効率よく冷却するようにしている。また、特許文献４に記載の光照射装置では、光源からの光を遮光しインテグレータレンズに入射する光の集光角を狭くする遮光手段を設け、照射領域の狭いインテグレータレンズを用いた場合には遮光手段を光路内に挿入する。

特許第４３９１１３６号公報 特開２００６−３２４４３５号公報 特開２００７−１１５８１７号公報 特開２００５−２９２３１６号公報

一般的に、露光装置用の光源部としては、電極がタングステンで作られている超高圧水銀ランプが用いられている。図２２（ａ）に示すように、露光装置用光照射装置１では、複数の超高圧水銀ランプ２からのすべての光Ｌがインテグレータ３に入射するように、複数の超高圧水銀ランプ２が曲面に沿って略円弧状に配置されている。この超高圧水銀ランプ２から照射される光は、水銀ランプ２が未使用であっても、略２°程度の光の広がり角を持つのが一般的であり、高出力を得るために電極に大電流を供給すると、使用時間の経過と共に、光源のバルブ内で徐々にタングステン電極が蒸発して電極同士の間隔が広がり、光源の基点が大きくなって、結果として図２２（ｂ）に示すように、光の照射角度が、例えば、２．２°に広がる。

この場合、超高圧水銀ランプ２からインテグレータ３までの距離を、例えば４ｍとすると、照射角度０．２°の変化は、照射位置（インテグレータの入射面）において、通常、１００〜２００ｍｍ程度の照射範囲のインテグレータ３のサイズに対して、略１４ｍｍの照射範囲の拡大に相当する。このため、超高圧水銀ランプ２からの光の一部は、インテグレータ３に入射せずにロスとなり、これにより照度が低下する問題がある。特許文献１〜４に開示されている技術は、インテグレータへの光入射領域の設定や、光源部の熱対策によって、光の有効利用を図ったものであり、いずれも上記した電極の消耗に起因する光の広がりについては考慮されておらず、改善の余地があった。

本発明は、前述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、光源部の照射時間の経過に伴う照度低下を抑制することができる露光装置用光照射装置、光照射装置の制御方法、露光装置及び露光方法を提供することにある。

本発明の上記目的は、下記の構成により達成される。
（１） 発光部と該発光部から発生された光に指向性をもたせて射出する反射光学系をそれぞれ含む複数の光源部と、
前記所定数の光源部の光がインテグレータレンズの入射面に入射されるように、前記光源部をそれぞれ支持する光源支持部を有する複数のカセットと、
前記全ての光源部の光がインテグレータレンズの入射面に入射されるように、前記複数のカセットがそれぞれ取り付けられる複数のカセット取り付け部を有する支持体と、
前記各光源部の照射時間の経過に伴って生じる前記光の拡散を修正するように、前記各光源部の前記インテグレータレンズに対する光軸角度を調整可能な光軸角度調整機構と、を備えることを特徴とする露光装置用光照射装置。
（２） 被露光材としての基板を保持する基板保持部と、
前記基板と対向するようにマスクを保持するマスク保持部と、
（１）の前記光照射装置と、該光照射装置の複数の光源部から出射された光が入射されるインテグレータレンズと、を有する照明光学系と、
を備え、
前記基板に対して前記照明光学系からの光を前記マスクを介して照射することを特徴とする露光装置。
（３） 発光部と該発光部から発生された光に指向性をもたせて射出する反射光学系をそれぞれ含む複数の光源部と、
前記所定数の光源部の光がインテグレータレンズの入射面に入射されるように、前記光源部をそれぞれ支持する光源支持部を有する複数のカセットと、
前記全ての光源部の光がインテグレータレンズの入射面に入射されるように、前記複数のカセットがそれぞれ取り付けられる複数のカセット取り付け部を有する支持体と、
前記各光源部の照射時間の経過に伴って生じる前記光の拡散を修正するように、前記各光源部の前記インテグレータレンズに対する光軸角度を調整可能な光軸角度調整機構と、を備える露光装置用光照射装置の制御方法であって、
前記各光源部の照射時間の経過に伴って生じる前記光の拡散を検出する工程と、
前記光軸角度調整機構によって、前記光の拡散を修正する工程と、
を有することを特徴とする露光装置用光照射装置の制御方法。
（４） 被露光材としての基板を保持する基板保持部と、
前記基板と対向するようにマスクを保持するマスク保持部と、
（３）に記載の前記光照射装置と、該光照射装置の複数の光源部から出射された光が入射されるインテグレータレンズと、を有する照明光学系と、
を備え、
（３）の前記光照射装置の制御方法を行いながら、前記基板に対して前記照明光学系からの光を前記マスクを介して照射して、前記マスクに形成されるパターンを前記基板に露光転写することを特徴とする露光方法。

本発明の露光装置用光照射装置によれば、発光部及び反射光学系を含む複数の光源部と、所定数の光源部を支持する光源支持部を有する複数のカセットと、複数のカセットを取り付ける複数のカセット取り付け部を有する支持体と、各光源部の照射時間の経過に伴って生じる光の拡散を修正するように、各光源部のインテグレータレンズに対する光軸角度を調整可能な光軸角度調整機構と、を備えるので、光源部の照射時間の経過に伴って光の拡散が生じても、光軸角度調整機構によって拡散を修正して各光源部から７０〜１００％の照射量の光をインテグレータレンズに入射させることができ、これによって、照射時間の経過に伴う照度低下を抑制することができ、長期に亘って安定した照度を得ることができる。

また、本発明の露光装置用光照射装置の制御方法によれば、各光源部の照射時間の経過に伴って生じる光の拡散を検出し、光軸角度調整機構によって、検出された光の拡散を修正するので、各光源部から７０〜１００％の照射量の光を、確実にインテグレータレンズに入射させることができ、照射時間の経過に伴う照度低下を抑制することができ、長期に亘って安定した照度を得ることができる。

更に、本発明の露光装置及び露光方法によれば、上記の露光装置用光照射装置及びその制御方法を用いてマスクに形成されるパターンを基板に露光転写するようにしたので、長期に亘って安定した照度の露光光で露光することができ、高い精度での露光を行って製品の品質を向上させることができる。

本発明の第１実施形態に係る分割逐次近接露光装置を説明するための一部分解斜視図である。 図１に示す分割逐次近接露光装置の正面図である。 マスクステージの断面図である。 （ａ）は光照射装置を示す正面図、（ｂ）は（ａ）のＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図、（ｃ）は（ａ）のＩＶ’−ＩＶ’線に沿った断面図である カセットに取り付けられた光源部近傍の拡大断面図である。 カセットが支持体に取り付けられた状態を示す要部拡大図である。 （ａ）〜（ｄ）は、反射鏡の開口部の形状をそれぞれ示す正面図である。 各光源部の出射面からインテグレータレンズの入射面までの距離を示す概略図である。 支持体を光照明装置に装着する例を示す断面図である。 カセットをカセット取り付け部に取り付ける際の例を示す断面図である。 カセットを支持体に取り付けるためのカセット固定手段の変形例を示す図であり、（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は平面図であり、（ｃ）は、（ｂ）のＸＩ−ＸＩ線に沿った断面図である。 カセットを支持体に取り付けるためのカセット固定手段の他の変形例を示す図である。 カセットを支持体に取り付けるためのカセット固定手段のさらに他の変形例を示す図である。 （ａ）は、カセットを支持体に取り付けるためのカセット固定手段の他の変形例を示す斜視図であり、（ｂ）は、カセットが支持体に取り付けられた状態を示す断面図である。 （ａ）は、カセットを支持体に取り付けるためのカセット固定手段のさらに他の変形例を示す斜視図であり、（ｂ）は、カセットが支持体に取り付けられた状態を示す断面図である。 本発明の第２実施形態に係る近接スキャン露光装置の全体斜視図である。 近接スキャン露光装置を、照射部等の上部構成を取り除いた状態で示す上面図である。 近接スキャン露光装置のマスク配置領域における露光状態を示す側面図である。 （ａ）は、マスクとエアパッドとの位置関係を説明するための要部上面図であり、（ｂ）は、その断面図である。 近接スキャン露光装置の照射部を説明するための図である。 （ａ）は、図２０の光照射装置を示す正面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＸＸI−ＸＸI線に沿った断面図である。 （ａ）及び（ｂ）は、拡散した光が、インテグレータレンズから外れる状態を示す従来の光照射装置の概略図である。

以下、本発明に係る露光装置用光照射装置、およびこの光照射装置を用いた露光装置及び露光方法に係る実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。

（第１実施形態）
図１及び図２に示すように、本実施形態の分割逐次近接露光装置ＰＥは、マスクＭを保持するマスクステージ１０と、ガラス基板（被露光材）Ｗを保持する基板ステージ２０と、パターン露光用の光を照射する照明光学系７０と、を備えている。

なお、ガラス基板Ｗ（以下、単に「基板Ｗ」と称する。）は、マスクＭに対向配置されており、このマスクＭに描かれたパターンを露光転写すべく表面（マスクＭの対向面側）に感光剤が塗布されている。

マスクステージ１０は、中央部に矩形形状の開口１１ａが形成されるマスクステージベース１１と、マスクステージベース１１の開口１１ａにＸ軸，Ｙ軸，θ方向に移動可能に装着されるマスク保持部であるマスク保持枠１２と、マスクステージベース１１の上面に設けられ、マスク保持枠１２をＸ軸，Ｙ軸，θ方向に移動させて、マスクＭの位置を調整するマスク駆動機構１６と、を備える。

マスクステージベース１１は、装置ベース５０上に立設される支柱５１、及び支柱５１の上端部に設けられるＺ軸移動装置５２によりＺ軸方向に移動可能に支持され（図２参照。）、基板ステージ２０の上方に配置される。

図３に示すように、マスクステージベース１１の開口１１ａの周縁部の上面には、平面ベアリング１３が複数箇所配置されており、マスク保持枠１２は、その上端外周縁部に設けられるフランジ１２ａを平面ベアリング１３に載置している。これにより、マスク保持枠１２は、マスクステージベース１１の開口１１ａに所定のすき間を介して挿入されるので、このすき間分だけＸ軸，Ｙ軸，θ方向に移動可能となる。

また、マスク保持枠１２の下面には、マスクＭを保持するチャック部１４が間座１５を介して固定されている。このチャック部１４には、マスクＭのマスクパターンが描かれていない周縁部を吸着するための複数の吸引ノズル１４ａが開設されており、マスクＭは、吸引ノズル１４ａを介して図示しない真空式吸着装置によりチャック部１４に着脱自在に保持される。また、チャック部１４は、マスク保持枠１２と共にマスクステージベース１１に対してＸ軸，Ｙ軸，θ方向に移動可能である。

マスク駆動機構１６は、マスク保持枠１２のＸ軸方向に沿う一辺に取り付けられる２台のＹ軸方向駆動装置１６ｙと、マスク保持枠１２のＹ軸方向に沿う一辺に取り付けられる１台のＸ軸方向駆動装置１６ｘと、を備える。

Ｙ軸方向駆動装置１６ｙは、マスクステージベース１１上に設置され、Ｙ軸方向に伸縮するロッド１６ｂを有する駆動用アクチュエータ（例えば、電動アクチュエータ等）１６ａと、ロッド１６ｂの先端にピン支持機構１６ｃを介して連結されるスライダ１６ｄと、マスク保持枠１２のＸ軸方向に沿う辺部に取り付けられ、スライダ１６ｄを移動可能に取り付ける案内レール１６ｅと、を備える。なお、Ｘ軸方向駆動装置１６ｘも、Ｙ軸方向駆動装置１６ｙと同様の構成を有する。

そして、マスク駆動機構１６では、１台のＸ軸方向駆動装置１６ｘを駆動させることによりマスク保持枠１２をＸ軸方向に移動させ、２台のＹ軸方向駆動装置１６ｙを同等に駆動させることによりマスク保持枠１２をＹ軸方向に移動させる。また、２台のＹ軸方向駆動装置１６ｙのどちらか一方を駆動することによりマスク保持枠１２をθ方向に移動（Ｚ軸回りの回転）させる。

さらに、マスクステージベース１１の上面には、図１に示すように、マスクＭと基板Ｗとの対向面間のギャップを測定するギャップセンサ１７と、チャック部１４に保持されるマスクＭの取り付け位置を確認するためのアライメントカメラ１８と、が設けられる。これらギャップセンサ１７及びアライメントカメラ１８は、移動機構１９を介してＸ軸，Ｙ軸方向に移動可能に保持され、マスク保持枠１２内に配置される。

また、マスク保持枠１２上には、図１に示すように、マスクステージベース１１の開口１１ａのＸ軸方向の両端部に、マスクＭの両端部を必要に応じて遮蔽するアパーチャブレード３８が設けられる。このアパーチャブレード３８は、モータ、ボールねじ、及びリニアガイド等からなるアパーチャブレード駆動機構３９によりＸ軸方向に移動可能とされて、マスクＭの両端部の遮蔽面積を調整する。なお、アパーチャブレード３８は、開口１１ａのＸ軸方向の両端部だけでなく、開口１１ａのＹ軸方向の両端部に同様に設けられている。

基板ステージ２０は、図１及び図２に示すように、基板Ｗを保持する基板保持部２１と、基板保持部２１を装置ベース５０に対してＸ軸，Ｙ軸，Ｚ軸方向に移動する基板駆動機構２２と、を備える。基板保持部２１は、図示しない真空吸着機構によって基板Ｗを着脱自在に保持する。基板駆動機構２２は、基板保持部２１の下方に、Ｙ軸テーブル２３、Ｙ軸送り機構２４、Ｘ軸テーブル２５、Ｘ軸送り機構２６、及びＺ−チルト調整機構２７と、を備える。

Ｙ軸送り機構２４は、図２に示すように、リニアガイド２８と送り駆動機構２９とを備えて構成され、Ｙ軸テーブル２３の裏面に取り付けられたスライダ３０が、装置ベース５０上に延びる２本の案内レール３１に転動体（図示せず）を介して跨架されると共に、モータ３２とボールねじ装置３３とによってＹ軸テーブル２３を案内レール３１に沿って駆動する。

なお、Ｘ軸送り機構２６もＹ軸送り機構２４と同様の構成を有し、Ｘ軸テーブル２５をＹ軸テーブル２３に対してＸ方向に駆動する。また、Ｚ−チルト調整機構２７は、くさび状の移動体３４，３５と送り駆動機構３６とを組み合わせてなる可動くさび機構をＸ方向の一端側に１台、他端側に２台配置することで構成される。なお、送り駆動機構２９，３６は、モータとボールねじ装置とを組み合わせた構成であってもよく、固定子と可動子とを有するリニアモータであってもよい。また、Ｚ-チルト調整機構２７の設置数は任意で
ある。

これにより、基板駆動機構２２は、基板保持部２１をＸ方向及びＹ方向に送り駆動するとともに、マスクＭと基板Ｗとの対向面間のギャップを微調整するように、基板保持部２１をＺ軸方向に微動且つチルト調整する。

基板保持部２１のＸ方向側部とＹ方向側部にはそれぞれバーミラー６１，６２が取り付けられ、また、装置ベース５０のＹ方向端部とＸ方向端部には、計３台のレーザー干渉計６３，６４，６５が設けられている。これにより、レーザー干渉計６３，６４，６５からレーザー光をバーミラー６１，６２に照射し、バーミラー６１、６２により反射されたレーザー光を受光して、レーザー光とバーミラー６１，６２により反射されたレーザー光との干渉を測定して基板ステージ２０の位置を検出する。

図２及び図４に示すように、照明光学系７０は、複数の光源部７３を備えた光照射装置８０と、複数の光源部７３から射出された光束が入射されるインテグレータレンズ７４と、各光源部７３のランプ７１に電圧が調整された直流電流を供給する光学制御部７６と、インテグレータレンズ７４の出射面から出射された光路の向きを変える凹面鏡７７と、複数の光源部７３とインテグレータレンズ７４との間に配置されて照射された光を透過・遮断するように開閉制御する露光制御用シャッター７８と、を備える。なお、インテグレータレンズ７４と露光面との間には、ＤＵＶカットフィルタ、偏光フィルタ、バンドパスフィルタが配置されてもよく、また、凹面鏡７７には、ミラーの曲率を手動または自動で変更可能なデクリネーション角補正手段が設けられてもよい。

図４から図８に示すように、光照射装置８０は、発光部としての超高圧水銀ランプ７１と、このランプ７１から発生された光に指向性をもたせて射出する反射光学系としての反射鏡７２と、をそれぞれ含む複数の光源部７３と、複数の光源部７３のうち、所定数の光源部７３をそれぞれ取り付け可能な複数のカセット８１と、複数のカセット８１を取り付け可能な支持体８２と、を備える。

なお、照明光学系７０において、１６０Ｗの超高圧水銀ランプ７１を使用した場合、第６世代のフラットパネルを製造する露光装置では３７４個の光源部、第７世代のフラットパネルを製造する露光装置では５７２個の光源部、第８世代のフラットパネルを製造する露光装置では、７７４個の光源部が必要とされる。但し、本実施形態では、説明を簡略化するため、図４に示すように、α方向に３段、β方向に２列の計６個の光源部７３が取り付けられたカセット８１を、３段×３列の計９個配した、５４個の光源部７３を有するものとして説明する。なお、カセット８１や支持体８２は、光源部７３の配置をα、β方向に同数とした正方形形状も考えられるが、α、β方向に異なる数とした長方形形状が適用される。また、本実施形態の光源部７３では、反射鏡７２の開口部７２ｂが略矩形形状に形成されており、四辺がα、β方向に沿うように配置されている。なお、略矩形形状の開口部７２ｂとは、図７（ａ）に示す隅部７２ｃが直角に交差する正方形形状や略長方形形状のものに限らず、図７（ｂ）に示す隅部７２ｃが曲面状に面取りされたものや、図７（ｃ）に示す隅部７２ｃが直線状に面取りされたものでもよい。また、図７（ｄ）に示すように、開口部７２ｂは、対向する２辺の両端部が円弧で接続された形状であってもよい。

図５に示すように、超高圧水銀ランプ７１の発光管（石英ガラス球）９４の内部には、２つの電極等が設けられ、所定の水銀蒸気圧、例えば１０^６〜数１０^７パスカルの水銀が
封入されている。直流電流が供給される超高圧水銀ランプ７１の場合、電極は、放電プラズマに電子を放出する陰極９５と、放電プラズマから電子が流入する陽極９６からなり、陰極９５と陽極９６間のアーク放電により発光する。発光管９４は、陰極９５と陽極９６との中点が反射鏡７２の焦点に略位置するように固定されている。

反射鏡７２は、反射光が焦点に集中する放物面又は楕円面を有する形状であってもよく、反射光が平行光となるパラボラミラーであってもよい。反射鏡７２は、例えば、硼珪酸ガラスや結晶化ガラスの成形体からなり、その内表面には反射コーティング膜が形成されている。反射コーティング膜は、３００〜５９０ｎｍの紫外領域から可視領域の光を反射させ、不要な可視領域や赤外領域の光を反射鏡７２の背後に透過させる、例えば、ＳｉＯ_２とＮｂ_２Ｏ_５とからなる誘電体多層膜である。

図５から図８に示すように、各カセット８１は、所定数の光源部７３を支持する光源支持部８３と、光源支持部８３に支持された光源部７３を押さえて、該光源支持部８３に取り付けられる凹状のランプ押さえカバー（カバー部材）８４と、を備えた略直方体形状に形成されており、それぞれ同一構成を有する。なお、略直方体形状とは、面取部を含む形状であってもよい。

光源支持部８３には、光源部７３の数に対応して設けられ、光源部７３からの光を発光する複数の窓部８３ａと、該窓部８３ａのカバー側に設けられ、反射鏡７２の開口部７２ａ（又は、反射鏡７２が取り付けられる反射鏡取り付け部の開口部）を囲うランプ用凹部８３ｂと、が形成される。また、該窓部８３ａの反カバー側には、複数のカバーガラス８５がそれぞれ取り付けられている。なお、カバーガラス８５の取り付けは任意であり、設けられなくてもよい。

各ランプ用凹部８３ｂの底面は、後述する光軸角度調整機構９９が作動していない状態において、光源部７３の光を照射する照射面（ここでは、反射鏡７２の開口面７２ｂ）と、光源部７３の光軸ＬＡとの交点ｐが、各α、β方向において単一の曲面、例えば、球面ｒ上に位置するように、平面又は曲面（本実施形態では、平面）に形成される。

ランプ押さえカバー８４の底面には、光源部７３の後部に当接する当接部８６が設けられており、各当接部８６には、モータやシリンダのようなアクチュエータ、ばね押さえ、ねじ止め等によって構成されるランプ押さえ機構８７が設けられている。これにより、各光源部７３は、反射鏡７２の開口部７２ａを光源支持部８３のランプ用凹部８３ｂに嵌合させ、ランプ押さえカバー８４を光源支持部８３に取り付け、ランプ押さえ機構８７によって光源部７３の後部を押さえつけることで、カセット８１に位置決めされる。

従って、図８に示すように、カセット８１に位置決めされた所定数の光源部７３の光がインテグレータレンズ７４の入射面に入射され、所定数の光源部７３の各照射面から照射された光が、インテグレータレンズ７４の入射面に到達する照射量は７０％〜１００％となる。

また、支持体８２は、複数のカセット８１を取り付ける複数のカセット取り付け部９０を有する支持体本体９１と、該支持体本体９１に取り付けられ、各カセット８１の後部を覆う支持体カバー９２と、を有する。

図９に示すように、支持体８２は、光照明装置８０に装着される際、カセット８１を取り付けた支持体８２の重心を考慮して、一番下方に位置するカセット８１の前面と支持体８２の設置面との間の角度ψをψ≦９０°にして取り付けられることが好ましい。これにより、光照射装置８０が倒れるのを防止することができる。なお、図９は、ψ＝９０°にした場合を示している。

図６に示すように、各カセット取り付け部９０には、光源支持部８３が臨む開口部９０ａが形成され、該開口部９０ａの周囲には、光源支持部８３の周囲の矩形平面が対向する平面９０ｂを底面としたカセット用凹部９０ｃが形成される。また、支持体本体９１のカセット用凹部９０ｃの周囲には、カセット８１を固定するためのカセット固定手段９３が設けられており、本実施形態では、カセット８１に形成された凹部８１ａに係合されて、カセット８１を固定する。

なお、図１０に示すように、カセット８１は、カセット固定手段９３によって固定される際、カセット８１の一部を傾けた状態でカセット取り付け部９０に組み付けたほうが、光照射装置８０が後方へ倒れにくく組み付けやすい。

α方向或いはβ方向に並ぶカセット用凹部９０ｃの各平面９０ｂは、各カセット８１の全ての光源部７３の光を照射する照射面と、光源部７３の光軸ＬＡとの交点ｐが、各α、β方向において単一の曲面、例えば、球面ｒ上に位置するように、所定の角度γで交差するように形成される（図８参照。）。

従って、各カセット８１は、これら光源支持部８３を各カセット取り付け部９０のカセット用凹部９０ｃに嵌合させて位置決めした状態で、カセット固定手段９３をカセット８１の凹部８１ａに係合させることで、支持体８２にそれぞれ固定される。そして、これら各カセット８１が支持体本体９１に取り付けられた状態で、該支持体本体９１に支持体カバー９２が取り付けられる。従って、図８に示すように、各カセット８１に位置決めされた全ての光源部７３の光がインテグレータレンズ７４の入射面に入射され、全ての光源部７３の各照射面から照射された光が、インテグレータレンズ７４の入射面に到達する照射量は７０％〜１００％となる。

なお、図６に示すようなカセット固定手段９３の代わりに、図１１に示すように、カセット８１の対向する二辺に貫通孔８３ｃを設け、カセット固定手段としての円柱状のシャフト部材９３ａを、貫通孔８３ｃを介して支持体本体９１の凹部９１ｂに挿入することで、カセット８１が固定されてもよい。なお、貫通孔やカセット固定手段は、対向する二辺の中間部に設けられているが、例えば、カセット８１の四隅に設けられてもよい。また、カセット８１には、図１２に示すように、貫通孔８３ｃの代わりに、カセット８１の側面に臨む溝部８３ｄを設けて、円柱状のシャフト部材９３ａを、溝部８３ｄを介して支持体本体９１の凹部９１ｂに挿入することで、カセット８１が固定されてもよい。また、カセット固定手段は、円柱状のシャフト部材９３ａの代わりに、図１３に示すような、多角形状のシャフト部材９３ｅであってもよく、それに応じて貫通孔８３ｃや凹部９１ｂの形状を変更すればよい。特に、カセット固定手段を円柱状のシャフト部材９３ａと多角形状のシャフト部材９３ｅとの組合せとすることで、カセット８１を間違えることなく、支持体８２の正規の位置に取り付けることができる。また、図１１及び図１２に示すようなカセット固定手段は、図６に示すカセット固定手段９３と共に用いることができる。

或いは、図１４（ａ）に示すように、カセット８１の四隅にカセット固定手段としての円柱突起９３ｂまたは多角形突起を設け、図１４（ｂ）に示すように、支持体本体９１側に形成された穴部または溝部９１ｃと嵌合させてアライメントするようにしてもよい。または、図１５（ａ）に示すように、カセット８１の対向する二辺にホゾ９３ｃを形成し、図１５（ｂ）に示すように、支持体本体９１側に形成された穴部または溝部９１ｄと嵌合させてアライメントするようにしてもよい。なお、ホゾ９３ｃは、組付け性から二辺に設けられることが好ましいが、図１５（ａ）の一点鎖線に示すように、ホゾ９３ｃは、残りの対向する二辺にも設けられても良い。また、図１４（ａ）に示す円柱突起９３ｂや図１５（ａ）に示すホゾ９３ｃを支持体本体９１側に設け、穴部や溝部をカセット８１側に設ける構成であってもよい。さらに、図１４（ａ）及び図１５（ａ）に示すカセット固定手段も、図８に示すカセット固定手段９３と共に用いることができる。

図６に示すように、枠状の光源支持部８３の裏面には、隣接する光源部７３の間から後方に延びる長尺の雄ねじ９７ａが固定されており、この雄ねじ９７ａの先端が、ランプ押さえカバー８４の底部に固定されるモータ９８により回転駆動されるナット９７ｂに螺合している。モータ９８が作動してナット９７ｂが回転すると、螺合する雄ねじ９７ａを介して光源支持部８３が引張られまたは押圧されて弾性変形し、これにより、光源支持部８３に固定される光源部７３の光軸角度が調整される。換言すれば、雄ねじ９７ａ、ナット９７ｂ及びモータ９８は、インテグレータレンズ７４に対する各光源部７３の光軸角度を調整する光軸角度調整機構９９を構成する。

尚、光軸角度調整機構９９による調整される各光源部７３の光軸角度は、光源部７３の照射時間の経過に伴って生じる光の拡散を修正可能な角度、例えば、１°以下の微小角度で十分であるので、光源支持部８３の弾性変形の範囲内で調整可能である。また、光軸角度調整機構９９は、上記した雄ねじ９７ａ、ナット９７ｂ、及びモータ９８からなる機構に限定されず、任意の機構が採用可能であり、光源部７３の後部を押さえつけるランプ押さえ機構８７に配設するようにしてもよい。

また、図８に示すように、インテグレータレンズ７４に隣接して、例えば、照度計などの光検出装置１０１が配設されている。光検出装置１０１は、照射時間の経過に伴って生じる光源部７３の光の拡散によって、インテグレータレンズ７４に入射されずにインテグレータレンズ７４外に照射される漏れ光量を検出する。また、光検出装置１０１及び光軸角度調整機構９９のモータ９８は、それぞれ電線１０３によって制御装置１０２に接続されている。

そして、光検出装置１０１が漏れ光量を検出すると、モータ９８を作動させて７０〜１００％の照射量の光がインテグレータレンズ７４に入射するように光源部７３の光軸角度を調整して、光の拡散分を補正する。より具体的には、光検出装置１０１が、設定された所定の閾値を越える光量を検出すると、制御装置１０２がモータ９８に作動指令を伝達して作動させ、ナット９７ｂを回転させる。これにより、ナット９７ｂに螺合する雄ねじ９７ａをモータ９８方向に引き込んで、光源支持部８３を曲率半径が小さくなる方向に弾性変形させることで各光源部７３の光軸角度を内側に向け、光の拡散分を補正する。これにより、光検出装置１０１が検出する光量が、初期値以下に低減すると、即ち、７０〜１００％の照射量の光が初期状態と同じようにインテグレータレンズ７４に入射されるようになると、モータ９８の作動が停止する。

尚、光検出装置１０１は、照射時間による光源部７３の光拡散を検出可能なものであれば光検出装置１０１に限定されず、インテグレータレンズ７４の入射面に配置される光量検出装置や、照射時間をカウントするタイマーなどであってもよい。光量検出装置がインテグレータレンズ７４に配置される場合は、光量検出装置によって検出される光量が、所定の閾値より少なくなったとき、光軸角度調整機構９９により各光源部７３の光軸角度を調整して光をインテグレータレンズ７４の中心側に入射させる。そして、検出光量が、初期値に戻った時、作動を停止する。一方、光軸角度調整機構９９によって各光源部７３の光軸角度を調整しても所定の閾値より少ない場合には、ランプ７１自体の照度が低下したと判断して、ランプ７１の交換を行う。
また、タイマー制御される場合は、予め、光源部７３の照射時間と光の拡散角度との関係を調査しておき、所定の照射時間が経過したとき、各光源部７３の光軸角度を調整する。
また、ランプ７１を交換後にも照度をチェックするが、照度が戻らない場合がある。例えば、カバーガラス８５が汚れている場合には、カバーガラス８５を交換する。カバーガラス８５の汚れは、目視で確認してもよく、センサで確認してもよい。センサとしては、透過型の光検出センサ、反射型の光検出センサ、渦電流式のセンサを適用することができる。

このように構成された露光装置ＰＥでは、照明光学系７０において、露光時に露光制御用シャッター７８が開制御されると、超高圧水銀ランプ７１から照射された光が、インテグレータレンズ７４の入射面に入射される。そして、インテグレータレンズ７４の出射面から発せられた光は、凹面鏡７７によってその進行方向が変えられるとともに平行光に変換される。そして、この平行光は、マスクステージ１０に保持されるマスクＭ、さらには基板ステージ２０に保持される基板Ｗの表面に対して略垂直にパターン露光用の光として照射され、マスクＭのパターンＰが基板Ｗ上に露光転写される。

ここで、超高圧水銀ランプ７１から照射される光は、超高圧水銀ランプ７１が未使用のランプであっても、例えば、２°程度の光の広がり角を持っているが、高出力を得るために電極９５、９６間に大電流を供給すると、使用時間の経過と共に発光管９４内で徐々にタングステンの電極９５、９６が蒸発して両電極９５、９６の間隔が広がり、光源の基点が大きくなり、光が拡散して照射角度が、例えば、２．２°に広がる。直流が供給される超高圧水銀ランプ７１におけるこの摩耗現象は、電流が一方向に流れるので、交流が供給される超高圧水銀ランプより顕著となる傾向がある。

光の利用効率の観点から、照明光学系７０の組み付け時点では、全光源部７３から７０〜１００％の照射量の光がインテグレータレンズ７４の入射面に入射するように調整されている。しかし、上記した超高圧水銀ランプ７１の使用時間に伴う光の拡散により、光検出装置１０１が漏れ光量（光の拡散）を検出すると、制御装置１０２がモータ９８を作動させ、雄ねじ９７ａを介して光源支持部８３を引き込んで弾性変形させる。これにより、光源支持部８３に固定される各光源部７３を内側に向けて、光の拡散を修正するように光軸角度を調整する。

上記したように、第１実施形態の露光装置用光照射装置８０によれば、発光部７１と反射光学系７２を含む複数の光源部７３と、所定数の光源部７３の光がインテグレータレンズ７４の入射面に入射されるように、光源部７３を光源支持部８３で支持する複数のカセット８１と、全ての光源部７３の光がインテグレータレンズ７４の入射面に入射されるように、複数のカセット８１を取り付ける複数のカセット取り付け部９０を有する支持体８２と、各光源部７３の光軸角度を調整可能な光軸角度調整機構９９と、を備えるので、光源部７３の照射時間の経過に伴って生じる光の拡散を修正して、各光源部７３から７０〜１００％の照射量の光をインテグレータレンズ７４に入射させることができ、これによって光利用効率を高め、照度低下を抑制することができる。

また、各光源部７３の照射時間の経過に伴って生じる光の拡散を検出し、光軸角度調整機構９９によって、検出された光の拡散を修正するように光照射装置８０を制御するので、各光源部７３から７０〜１００％の照射量の光を、確実にインテグレータレンズ７４に入射させることができ、照度低下が防止される。尚、上記の実施形態においては、光の拡散を検出して自動的に光源部７３の光軸角度を調整するようにしたが、寿命照射時間と光の拡散との関係を予測して、予め各光源部７３をその角度分だけ内側に向けて調整しておくことによっても、ある程度光の利用効率を改善することができる。

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る近接スキャン露光装置について、図１６〜図２１を参照して説明する。

近接スキャン露光装置２００は、図１９に示すように、マスクＭに近接しながら所定方向に搬送される略矩形状の基板Ｗに対して、パターンＰを形成した複数のマスクＭを介して露光用光Ｌを照射し、基板ＷにパターンＰを露光転写する。即ち、該露光装置２００は、基板Ｗを複数のマスクＭに対して相対移動しながら露光転写が行われるスキャン露光方式を採用している。なお、本実施形態で使用されるマスクのサイズは、３５０ｍｍ×２５０ｍｍに設定されており、パターンＰのＸ方向長さは、有効露光領域のＸ方向長さに対応する。

近接スキャン露光装置２００は、図１６及び図１７に示すように、基板Ｗを浮上させて支持すると共に、基板Ｗを所定方向（図において、Ｘ方向）に搬送する基板搬送機構１２０と、複数のマスクＭをそれぞれ保持し、所定方向と交差する方向（図において、Ｙ方向）に沿って千鳥状に二列配置される複数のマスク保持部１７１を有するマスク保持機構１７０と、複数のマスク保持部１７１の上部にそれぞれ配置され、露光用光Ｌを照射する照明光学系としての複数の照射部１８０と、複数の照射部１８０と複数のマスク保持部１７１との間にそれぞれ配置され、照射部１８０から出射された露光用光Ｌを遮光する複数の遮光装置１９０と、を備える。

これら基板搬送機構１２０、マスク保持機構１７０、複数の照射部１８０、及び、遮光装置１９０は、レベルブロック（図示せず）を介して地面に設置される装置ベース２０１上に配置されている。ここで、図１７に示すように、基板搬送機構１２０が基板Ｗを搬送する領域のうち、上方にマスク保持機構１７０が配置される領域をマスク配置領域ＥＡ、マスク配置領域ＥＡに対して上流側の領域を基板搬入側領域ＩＡ、露光領域ＥＡに対して下流側の領域を基板搬出側領域ＯＡと称す。

基板搬送機構１２０は、装置ベース２０１上に他のレベルブロック（図示せず）を介して設置された搬入フレーム１０５、精密フレーム１０６、搬出フレーム１０７上に配置され、エアで基板Ｗを浮上させて支持する基板保持部としての浮上ユニット１２１と、浮上ユニット１２１のＹ方向側方で、装置ベース２０１上にさらに他のレベルブロック１０８を介して設置されたフレーム１０９上に配置され、基板Ｗを把持すると共に、基板ＷをＸ方向に搬送する基板駆動ユニット１４０と、を備える。

浮上ユニット１２１は、図１８に示すように、搬入出及び精密フレーム１０５，１０６，１０７の上面から上方に延びる複数の連結棒１２２が下面にそれぞれ取り付けられる長尺状の複数の排気エアパッド１２３（図１７参照），１２４及び長尺状の複数の吸排気エアパッド１２５ａ，１２５ｂと、各エアパッド１２３，１２４，１２５ａ，１２５ｂに形成された複数の排気孔１２６からエアを排出するエア排出系１３０及びエア排出用ポンプ１３１と、吸排気エアパッド１２５ａ，１２５ｂに形成された吸気孔１２７からエアを吸引するためのエア吸引系１３２及びエア吸引用ポンプ１３３と、を備える。

また、吸排気エアパッド１２５ａ，１２５ｂは、複数の排気孔１２６及び複数の吸気孔１２７を有しており、エアパッド１２５ａ，１２５ｂの支持面１３４と基板Ｗとの間のエア圧をバランス調整し、所定の浮上量に高精度で設定することができ、安定した高さで水平支持することができる。

基板駆動ユニット１４０は、図１７に示すように、真空吸着により基板Ｗを把持する把持部材１４１と、把持部材１４１をＸ方向に沿って案内するリニアガイド１４２と、把持部材１４１をＸ方向に沿って駆動する駆動モータ１４３及びボールねじ機構１４４と、フレーム１０９の上面から突出するように、基板搬入領域ＩＡにおけるフレーム１０９の側方にＺ方向に移動可能且つ回転自在に取り付けられ、マスク保持機構１７０への搬送待ちの基板Ｗの下面を支持する複数のワーク衝突防止ローラ１４５と、を備える。

また、基板搬送機構１２０は、基板搬入側領域ＩＡに設けられ、この基板搬入側領域ＩＡで待機される基板Ｗのプリアライメントを行う基板プリアライメント機構１５０と、基板Ｗのアライメントを行う基板アライメント機構１６０と、を有している。

マスク保持機構１７０は、図１７及び図１８に示すように、上述した複数のマスク保持部１７１と、マスク保持部１７１毎に設けられ、マスク保持部１７１をＸ，Ｙ，Ｚ，θ方向、即ち、所定方向、交差方向、所定方向及び交差方向との水平面に対する鉛直方向、及び、該水平面の法線回りに駆動する複数のマスク駆動部１７２と、を有する。

Ｙ方向に沿って千鳥状に二列配置される複数のマスク保持部１７１は、上流側に配置される複数の上流側マスク保持部１７１ａ（本実施形態では、６個）と、下流側に配置される複数の下流側マスク保持部１７１ｂ（本実施形態では、６個）と、で構成され、装置ベース２０１のＹ方向両側に立設した柱部１１２（図１６参照。）間で上流側と下流側に２本ずつ架設されたメインフレーム１１３にマスク駆動部１７２を介してそれぞれ支持されている。各マスク保持部１７１は、Ｚ方向に貫通する開口１７７を有すると共に、その周縁部下面にマスクＭが真空吸着されている。

マスク駆動部１７２は、メインフレーム１１３に取り付けられ、Ｘ方向に沿って移動するＸ方向駆動部１７３と、Ｘ方向駆動部１７３の先端に取り付けられ、Ｚ方向に駆動するＺ方向駆動部１７４と、Ｚ方向駆動部１７４に取り付けられ、Ｙ方向に駆動するＹ方向駆動部１７５と、Ｙ方向駆動部１７５に取り付けられ、θ方向に駆動するθ方向駆動部１７６と、を有し、θ方向駆動部１７６の先端にマスク保持部１７１が取り付けられている。

複数の照射部１８０は、図２０及び図２１に示すように、筐体１８１内に、第１実施形態と同様に構成される光照射装置８０Ａ、インテグレータレンズ７４、光学制御部７６、凹面鏡７７、及び、露光制御用シャッター７８、を備えると共に、光源部７３Ａと露光制御用シャッター７８間、及びインテグレータレンズ７４と凹面鏡７７間に配置される平面ミラー２８０，２８１，２８２を備える。なお、凹面鏡７７または折り返しミラーとしての平面ミラー２８２には、ミラーの曲率を手動または自動で変更可能なデクリネーション角補正手段が設けられてもよい。

光照射装置８０Ａは、超高圧水銀ランプ７１と反射鏡７２とをそれぞれ含む、例えば、４段２列の８個の光源部７３を含むカセット８１Ａを直線状に３個並べた支持体８２Ａを有している。第１実施形態と同様、カセット８１Ａでは、８個の光源部７３が支持された光源支持部８３にカセット押さえカバー８４を取り付けることで、８個の光源部７３の光が照射する各照射面と、８個の光源部７３の光が入射されるインテグレータレンズ７４の入射面までの各光軸ＬＡの距離が略一定となるように、光源部７３が位置決めされる。また、支持体８２Ａの複数のカセット取り付け部９０に各カセット８１Ａが取り付けられることで、全ての光源部７３の光が照射する各照射面と、該光源部７３の光が入射されるインテグレータレンズ７４の入射面までの各光軸ＬＡの距離が略一定となるように、各カセット８１Ａが位置決めされる。

枠状の光源支持部８３とランプ押さえカバー８４の底部との間には、長尺の雄ねじ９７、ナット９７ｂ及びモータ９８からなる光軸角度調整機構９９が配設されている。また、インテグレータレンズ７４に隣接して配設される光検出装置１０１及び光軸角度調整機構９９は、電線１０３によって制御装置１０２が接続されているのは、第１実施形態と同様である。

複数の遮光装置１９０は、図１８に示すように、傾斜角度を変更する一対の板状のブラインド部材２０８，２０９を有し、ブラインド駆動ユニット１９２によって一対のブラインド部材２０８，２０９の傾斜角度を変更する。これにより、マスク保持部１７１に保持されたマスクＭの近傍で、照射部１８０から出射された露光用光Ｌを遮光するとともに、露光用光Ｌを遮光する所定方向における遮光幅、即ち、Ｚ方向から見た投影面積を可変とすることができる。

なお、近接スキャン露光装置２００には、マスクＭを保持する一対のマスクトレー部２２１をＹ方向に駆動することで、上流側及び下流側マスク保持部１７１ａ，１７１ｂに保持されたマスクＭを交換するマスクチェンジャー２２０が設けられると共に、マスク交換の前に、マスクトレー部２２１に対して浮上支持されるマスクＭを押さえつけながら、位置決めピン（図示せず）をマスクＭに当接させることでプリアライメントを行うマスクプリアライメント機構２４０が設けられている。

さらに、図１８に示すように、近接スキャン露光装置２００には、レーザー変位計２６０、マスクアライメント用カメラ（図示せず）、追従用カメラ（図示せず）、追従用照明２７３等の各種検出手段が配置されている。

次に、以上のように構成される近接スキャン露光装置２００を用いて、基板Ｗの露光転写について説明する。なお、本実施形態では、下地パターン（例えば、ブラックマトリクス）が描画されたカラーフィルタ基板Ｗに対して、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のいずれかのパターンを描画する場合について説明する。

近接スキャン露光装置２００は、図示しないローダ等によって、基板搬入領域ＩＡに搬送された基板Ｗを排気エアパッド１２３からのエアによって浮上させて支持し、基板Ｗのプリアライメント作業、アライメント作業を行った後、基板駆動ユニット１４０の把持部材１４１にてチャックされた基板Ｗをマスク配置領域ＥＡに搬送する。

その後、基板Ｗは、基板駆動ユニット１４０の駆動モータ１４３を駆動させることで、リニアガイド１４２に沿ってＸ方向に移動する。そして、基板Ｗがマスク配置領域ＥＡに設けられた排気エアパッド１２４及び吸排気エアパッド１２５ａ，１２５ｂ上に移動させ、振動を極力排除した状態で浮上させて支持される。そして、照射部１８０内の光源から露光用光Ｌを出射すると、かかる露光用光Ｌは、マスク保持部１７１に保持されたマスクＭを通過し、パターンを基板Ｗに露光転写する。

また、当該露光装置２００は追従用カメラ（図示せず）やレーザー変位計２６０を有しているので、露光動作中、マスクＭと基板Ｗとの相対位置ズレを検出し、検出された相対位置ズレに基づいてマスク駆動部１７２を駆動させ、マスクＭの位置を基板Ｗにリアルタイムで追従させる。同時に、マスクＭと基板Ｗとのギャップを検出し、検出されたギャップに基づいてマスク駆動部１７２を駆動させ、マスクＭと基板Ｗのギャップをリアルタイムで補正する。

以上、同様にして、連続露光することで、基板Ｗ全体にパターンの露光を行うことができる。マスク保持部１７１に保持されたマスクＭは、千鳥状に配置されているので、上流側或いは下流側のマスク保持部１７１ａ，１７１ｂに保持されるマスクＭが離間して並べられていても、基板Ｗに隙間なくパターンを形成することができる。

また、基板Ｗから複数のパネルを切り出すような場合には、隣接するパネル同士の間に対応する領域に露光用光Ｌを照射しない非露光領域を形成する。このため、露光動作中、一対のブラインド部材２０８，２０９を開閉して、非露光領域にブラインド部材２０８，２０９が位置するように、基板Ｗの送り速度に合わせて基板Ｗの送り方向と同じ方向にブラインド部材２０８，２０９を移動させる。

本実施形態においても、露光動作中は、超高圧水銀ランプ７１の両電極９５、９６間に大電流を供給するので、使用時間の経過と共に電極９５、９６が蒸発して光の拡散が生じるが、第１実施形態と同様に、光の拡散を光検出装置１０１で検出し、光軸角度調整機構９９により各光源部７３の光軸ＬＡを内側に向けて光軸角度を調整する。

従って、本実施形態のような近接スキャン露光装置においても、各光源部７３の照射時間の経過に伴って生じる光の拡散を光検出装置１０１で検出し、光軸角度調整機構９９によって、検出された光の拡散を修正するように光照射装置８０を制御することで、各光源部７３から７０〜１００％の照射量の光を、確実にインテグレータレンズ７４に入射させることができ、照度低下を抑制することができる。

尚、本発明は、前述した実施形態に限定されるものではなく、適宜、変形、改良、等が可能である。例えば、上記実施形態では、露光装置として分割逐次近接露光装置と走査式近接露光装置とを説明したが、これに限定されず、本発明は、ミラープロジェクション式露光装置、レンズ投影式露光装置、密着式露光装置にも適用することができる。また、本発明は、一括式、逐次式、走査式等のいずれの露光方法にも適用することができる。

１２ マスク保持枠（マスク保持部）
２１ 基板保持部
７０ 照明光学系
７１ 超高圧水銀ランプ（発光部）
７２ 反射鏡（反射光学系）
７３，７３Ａ 光源部
７４ インテグレータレンズ
８０，８０Ａ 露光装置用光照射装置
８１，８１Ａ カセット
８２，８２Ａ 支持体
８３ 光源支持部
９０ カセット取り付け部
９９ 光軸角度調整機構
１７１ マスク保持部
１７１ａ 上流側マスク保持部
１７１ｂ 下流側マスク保持部
１８０ 照射部（照明光学系）
２００ 近接スキャン露光装置（露光装置）
ＬＡ 光軸
Ｍ マスク
Ｐ パターン
ＰＥ 分割逐次近接露光装置（露光装置）
Ｗ 基板、ガラス基板、カラーフィルタ基板（被露光材）

Claims (4)

1. 発光部と該発光部から発生された光に指向性をもたせて射出する反射光学系をそれぞれ含む複数の光源部と、
   前記所定数の光源部の光がインテグレータレンズの入射面に入射されるように、前記光源部をそれぞれ支持する光源支持部を有する複数のカセットと、
   前記全ての光源部の光がインテグレータレンズの入射面に入射されるように、前記複数のカセットがそれぞれ取り付けられる複数のカセット取り付け部を有する支持体と、
   前記各光源部の照射時間の経過に伴って生じる前記光の拡散を修正するように、前記各光源部の前記インテグレータレンズに対する光軸角度を調整可能な光軸角度調整機構と、を備えることを特徴とする露光装置用光照射装置。
2. 被露光材としての基板を保持する基板保持部と、
   前記基板と対向するようにマスクを保持するマスク保持部と、
   請求項１に記載の前記光照射装置と、該光照射装置の複数の光源部から出射された光が入射されるインテグレータレンズと、を有する照明光学系と、
   を備え、
   前記基板に対して前記照明光学系からの光を前記マスクを介して照射することを特徴とする露光装置。
3. 発光部と該発光部から発生された光に指向性をもたせて射出する反射光学系をそれぞれ含む複数の光源部と、
   前記所定数の光源部の光がインテグレータレンズの入射面に入射されるように、前記光源部をそれぞれ支持する光源支持部を有する複数のカセットと、
   前記全ての光源部の光がインテグレータレンズの入射面に入射されるように、前記複数のカセットがそれぞれ取り付けられる複数のカセット取り付け部を有する支持体と、
   前記各光源部の照射時間の経過に伴って生じる前記光の拡散を修正するように、前記各光源部の前記インテグレータレンズに対する光軸角度を調整可能な光軸角度調整機構と、を備える露光装置用光照射装置の制御方法であって、
   前記各光源部の照射時間の経過に伴って生じる前記光の拡散を検出する工程と、
   前記光軸角度調整機構によって、前記光の拡散を修正する工程と、
   を有することを特徴とする露光装置用光照射装置の制御方法。
4. 被露光材としての基板を保持する基板保持部と、
   前記基板と対向するようにマスクを保持するマスク保持部と、
   請求項３に記載の前記光照射装置と、該光照射装置の複数の光源部から出射された光が入射されるインテグレータレンズと、を有する照明光学系と、
   を備え、
   請求項３に記載の前記光照射装置の制御方法を行いながら、前記基板に対して前記照明光学系からの光を前記マスクを介して照射して、前記マスクに形成されるパターンを前記基板に露光転写することを特徴とする露光方法。

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