JP6379368B2 - 結晶性積層構造体、半導体装置 - Google Patents
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Description
下地基板は、上記の結晶性酸化物薄膜の支持体となるものであれば特に限定されず、コランダム構造を有する基板が好ましい。コランダム構造を有する基板としては、サファイア基板(例:c面サファイア基板)や、α型酸化ガリウム基板などが挙げられる。また、下地基板は、コランダム構造を有さないものであってもよい。コランダム構造を有さない下地基板としては、例えば、六方晶構造を有する基板(例:6H−SiC基板、ZnO基板、GaN基板)などが挙げられる。六方晶構造を有する基板上には、直接または別の層(例:緩衝層)を介して、結晶性酸化物薄膜を形成するのが好ましい。下地基板の厚さは、本発明においては特に限定されないが、好ましくは、50〜2000μmであり、より好ましくは200〜800μmである。
結晶性酸化物薄膜は、コランダム構造を有する結晶性酸化物の膜であれば特に限定されないが、半導体特性が優れたものとなるので、コランダム構造を有する酸化物半導体を主成分として含むのが好ましい。また、前記結晶性酸化物薄膜が、磁性金属(例えばFe、Co、Ni等)を主成分として含まず、非磁性金属(例えばGa、Ti、V、In等)を主成分として含むことも、半導体特性がより優れたものになるので好ましい。また、前記結晶性酸化物薄膜は、単結晶であることが好ましいが、多結晶であってもよい。前記結晶性酸化物薄膜の組成は、この薄膜中に含まれる金属元素中の金属元素中のガリウム、インジウム、アルミニウムおよび鉄の合計の原子比が0.5以上であることが好ましく、金属元素中のガリウムの原子比が0.5以上であることがより好ましい。この好ましい原子比は、具体的には例えば、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1であり、ここで例示した数値の何れか2つの間の範囲内であってもよい。このような好ましい原子比とすることで、より好適にアニール処理でもって電気抵抗率を低減することができる。特に、金属元素中のガリウムの原子比が0.5以上である場合であって、前記結晶性酸化物薄膜の膜厚が1μm未満である場合、コランダム構造金属酸化膜のアニール処理による高抵抗化が著しいが、前記結晶性酸化物薄膜膜厚が1μm以上である場合にはアニール処理による電気抵抗率が著しく低抵抗化する。より具体的に例えば、前記結晶性酸化物薄膜の電気抵抗率が80mΩcm以下、好ましくは60mΩcm以下、より好ましくは50mΩcm以下、最も好ましくは30mΩcm以下に至るまで低抵抗化する。
本発明においては、前記結晶性酸化物薄膜の厚さが、膜厚2μm以上であるのが好ましく、膜厚10μmより厚いのがより好ましく、膜厚30μm以上であるのが最も好ましい。
前記異常粒抑制剤を使用することにより、前記結晶性酸化物薄膜の表面粗さ(Ra)を0.1μm以下とすることができ、半導体特性をより向上させることができる。
前記結晶性酸化物薄膜はX線半値幅は限定されない。特に、厚さ1μm未満で形成された場合に対して、必ずしもX線半値幅が改善されなくてもよい。すなわち、前記結晶性薄膜のX線半値幅が改善しなくてもアニール処理によって低抵抗化できる。
なお、上記方法によれば、前記結晶性酸化物薄膜の膜厚は、成膜時間を調節することにより、1μm以上とすることができる。
本実施形態の結晶性積層構造体及びこれを用いた半導体装置の好適な例を図1に示す。図1の例では、下地基板1上に結晶性酸化物薄膜3が形成されている。結晶性酸化物薄膜3は、下地基板1側から順に絶縁性薄膜3aと導電性薄膜3bが積層されて構成されている。導電性薄膜3b上にゲート絶縁膜5が形成されている。ゲート絶縁膜5上にはゲート電極7が形成されている。また、導電性薄膜3b上には、ゲート電極7を挟むように、ソース・ドレイン電極9が形成されている。このような構成によれば、ゲート電極7に印加するゲート電圧によって導電性薄膜3bに形成される空乏層の制御が可能となり、トランジスタ動作(FETデバイス)が可能となる。
1.CVD装置
まず、図2を用いて、本実施例で用いたCVD装置19を説明する。CVD装置19は、下地基板等の被成膜試料20を載置する試料台21と、キャリアガスを供給するキャリアガス源22と、キャリアガス源22から送り出されるキャリアガスの流量を調節するための流量調節弁23と、原料溶液24aが収容されるミスト発生源24と、水25aが入れられる容器25と、容器25の底面に取り付けられた超音波振動子26と、内径40mmの石英管からなる成膜室27と、成膜室27の周辺部に設置されたヒータ28を備えている。試料台21は、石英からなり、被成膜試料20を載置する面が水平面から傾斜している。成膜室27と試料台21をどちらも石英で作製することにより、被成膜試料20上に形成される薄膜内に装置由来の不純物が混入することを抑制している。
<条件1>
臭化ガリウムと酸化ゲルマニウムをガリウムに対するゲルマニウムの原子比が1:0.05となるように水溶液を調整した。この際、酸化ゲルマニウムを溶解促進のために、48%臭化水素酸溶液を体積比で10%を含有させた。
<条件2>
臭化ガリウム、臭化スズをそれぞれ物質量比で1:0.01となるように水溶液を調整した。この際、溶解促進のために、48%臭化水素酸溶液を体積比で10%を含有させた。
次に、被成膜試料20として、1辺が10mmの正方形で厚さ600μmのc面サファイア基板を試料台21上に設置させ、ヒータ28を作動させて成膜室27内の温度を500℃にまで昇温させた。次に、流量調節弁23を開いてキャリアガス源22からキャリアガスを成膜室27内に供給し、成膜室27の雰囲気をキャリアガスで十分に置換した後、キャリアガスの流量を5L/minに調節した。キャリアガスとしては、酸素ガスを用いた。
次に、超音波振動子26を2.4MHzで振動させ、その振動を水25aを通じて原料溶液24aに伝播させることによって原料溶液24aを微粒子化させて原料微粒子を生成した。この原料微粒子が、キャリアガスによって成膜室27内に導入され、成膜室27内で反応して、被成膜試料20の成膜面でのCVD反応によって被成膜試料20上に薄膜を形成した。成膜の時間を調節することにより、膜厚の制御を行った。
条件1及び2で形成した薄膜の相の同定をした。同定は、薄膜用XRD回折装置を用いて、15度から95度の角度で2θ/ωスキャンを行うことによって行った。測定は、CuKα線を用いて行った。その結果、形成した薄膜は、コランダム構造を有するα−酸化ガリウムであった。
直径0.5mmのインジウム電極を1mmの端子間距離を設けて圧着後、窒素雰囲気で500℃20分アニール処理を行った。アニール後にもXRD測定を行い、相転移が起こらず、α−酸化ガリウムの結晶構造を維持していることを確認した。
なお、本実施例の薄膜は干渉式膜厚計を用いて膜厚を計測した。
アニール処理を行わなかったこと、および下記表4の成膜条件としたこと以外は、上記条件1の実施例と同様にして、α−酸化ガリウムをサファイア基板上に積層した。得られた結晶性積層構造体の膜厚と比抵抗とを測定した。結果を表4に示す。
成膜温度を600℃で行ったこと以外、上記条件1の実施例と同様にして、α−酸化ガリウムをサファイア基板上に積層した。得られた結晶性積層構造体につき、TEMを用いて、膜厚を測定した。TEM像を図4に示す。測定の結果、膜厚は4.56μmであった。また、比較例で得られた結晶性積層構造体のTEM像も図5にそれぞれ示す。
ガリウムアセチルアセトナート0.05mol/Lの水溶液を調整し、この際、さらに塩酸を体積比で1.5%となるように含有させ、さらに、塩化スズ(II)を0.02mol/L含有させて、これを原料溶液として用いたこと以外は、上記実施例1と同様にして結晶性積層構造体を得た。薄膜用XRD回折装置を用いて、得られた結晶性積層構造体の結晶性酸化物薄膜の相を同定したところ、α−Ga2O3であった。ついで、結晶性酸化物薄膜の膜厚を測定したところ、2.1μmであった。また、結晶性酸化物の電気抵抗率を測定したところ、30mΩcmであった。
ガリウムアセチルアセトナート0.05mol/Lの水溶液を調整し、この際、さらに塩酸を体積比で1.5%となるように含有させ、さらに、塩化スズ(II)を0.1mol/L含有させて、これを原料溶液として用いたこと、および成膜温度を580℃としたこと以外は、上記実施例1と同様にして結晶性積層構造体を得た。薄膜用XRD回折装置を用いて、得られた結晶性積層構造体の結晶性酸化物薄膜の相を同定したところ、α−Ga2O3であった。ついで、結晶性酸化物薄膜の膜厚を測定したところ、1.8μmであった。また、結晶性酸化物の電気抵抗率を測定したところ、60mΩcmであった。
臭化ガリウム0.1mol/Lの水溶液を調整し、この際、さらに臭化水素酸を体積比で10%となるように含有させ、さらに、臭化スズ(II)をモル比で8%となるように含有させて、これを原料溶液として用いたこと、および成膜温度を490℃としたこと以外は、上記実施例1と同様にして結晶性積層構造体を得た。薄膜用XRD回折装置を用いて、得られた結晶性積層構造体の結晶性酸化物薄膜の相を同定したところ、α−Ga2O3であった。ついで、結晶性酸化物薄膜の膜厚を測定したところ、2.6μmであった。また、結晶性酸化物の電気抵抗率を測定したところ、40mΩcmであった。
臭化ガリウム0.1mol/Lの水溶液を調整し、この際、さらに臭化水素酸を体積比で10%となるように含有させ、さらに、臭化スズ(II)をモル比で5%となるように含有させて、これを原料溶液として用いたこと、および成膜温度を490℃としたこと以外は、上記実施例1と同様にして結晶性積層構造体を得た。薄膜用XRD回折装置を用いて、得られた結晶性積層構造体の結晶性酸化物薄膜の相を同定したところ、α−Ga2O3であった。ついで、結晶性酸化物薄膜の膜厚を測定したところ、3.7μmであった。また、結晶性酸化物の電気抵抗率を測定したところ、60mΩcmであった。
臭化ガリウムと臭化ゲルマニウムをガリウムに対するゲルマニウムの原子比が1:0.01となるように水溶液を調整したこと、および基板上にミストCVD法により(Al0.26Ga0.74)2O3系バッファー層(厚さ:200nm)を設け、その上に結晶性酸化物薄膜を成膜したこと以外は、実施例1と同様にして結晶性積層構造体を得た。得られた結晶性積層構造体につき、薄膜用XRD回折装置を用いて結晶性酸化物薄膜の相を同定したところ、α−Ga2O3であった。ついで、結晶性酸化物薄膜の膜厚を測定したところ、36.53μmであった。電気抵抗率は30mΩcmであった。また、結晶性酸化物薄膜につき、SEM観察およびTEM観察を実施した。SEM像を図6に示す。また、TEM像(測定箇所:結晶性積層構造体の上部付近で、結晶性酸化物薄膜の一部が含まれる部分)を図7に示す。
3 結晶性酸化物薄膜
3a 絶縁性薄膜
3b 導電性薄膜
5 ゲート絶縁膜
7 ゲート電極
9 ソース・ドレイン電極
19 CVD装置
20 被成膜試料
21 試料台
22 キャリアガス源
23 流量調節弁
24 ミスト発生源
24a 原料溶液
25 容器
25a 水
26 超音波振動子
27 成膜室
28 ヒータ
Claims (7)
- 下地基板と、その上に直接又は別の層を介してコランダム構造を有する結晶性酸化物薄膜とを備え、
前記結晶性酸化物薄膜の膜厚が1μm以上であり、
前記結晶性酸化物薄膜がドーピングされており、かつ、少なくともガリウムを含み、
前記結晶性酸化物薄膜の電気抵抗率が80mΩcm以下であることを特徴とする結晶性積層構造体。 - 前記結晶性酸化物薄膜の表面粗さ(Ra)が0.1μm以下である請求項1記載の結晶性積層構造体。
- 前記膜厚が1〜50μmである請求項1または2に記載の結晶性積層構造体。
- 前記下地基板がc面サファイア基板である請求項1〜3のいずれかに記載の結晶性積層構造体。
- ドーパント原料およびガリウムを含む原料溶液を微粒子化して生成される原料微粒子をキャリアガスによって成膜室に供給して前記成膜室内に配置された下地基板上にコランダム構造を有する結晶性酸化物薄膜を形成する結晶性積層構造体の製造方法であって、
前記結晶性酸化物薄膜を膜厚が1μm以上となるように形成した後に、600℃以下の温度でアニール処理を行うことを特徴とする、前記結晶性酸化物薄膜がドーピングされており、かつ、少なくともガリウムを含み、前記結晶性酸化物薄膜の膜厚が1μm以上であり、前記結晶性酸化物薄膜の電気抵抗率が80mΩcm以下である結晶性積層構造体の製造方法。 - 前記結晶性酸化物薄膜を膜厚が1〜50μmとなるように形成する請求項5記載の製造方法。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の結晶性積層構造体を用いてなる半導体装置。
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