JP6369548B2 - 磁気センサ - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施形態1に係る磁気センサのブリッジ回路を構成する4つの磁気抵抗素子のパターンを示す平面図である。図2は、本発明の実施形態1に係る磁気センサの等価回路図である。
図8は、本発明の実施形態2に係る磁気センサのブリッジ回路を構成する4つの磁気抵抗素子のパターンを示す平面図である。図9は、本発明の実施形態2に係る磁気センサの第2磁気抵抗素子が有するパターンを示す平面図である。図10は、本発明の実施形態2に係る磁気センサの第2磁気抵抗素子が有するパターンに含まれる単位パターンを示す平面図である。
図11は、本発明の実施形態3に係る磁気センサのブリッジ回路を構成する4つの磁気抵抗素子のパターンを示す平面図である。図12は、本発明の実施形態3に係る磁気センサの第2磁気抵抗素子が有するパターンを示す平面図である。
図14は、本発明の実施形態4に係る磁気センサのブリッジ回路を構成する4つの磁気抵抗素子のパターンを示す平面図である。図15は、本発明の実施形態4に係る磁気センサの第1磁気抵抗素子が有するパターンを示す平面図である。図16は、本発明の実施形態4に係る磁気センサの第2磁気抵抗素子が有するパターンを示す平面図である。
Claims (10)
- 互いに配線によって電気的に接続されてブリッジ回路を構成する複数の磁気抵抗素子を備える磁気センサであって、
前記複数の磁気抵抗素子は、対になった第1磁気抵抗素子および第2磁気抵抗素子を含み、
前記第1磁気抵抗素子の抵抗変化率は、前記第2磁気抵抗素子の抵抗変化率より大きく、
前記第1磁気抵抗素子は、平面視にて、仮想円の円周に沿って該仮想円の周方向または径方向に並ぶように配置されて互いに接続された複数の第1単位パターンを含み、
前記第2磁気抵抗素子は、平面視にて、前記仮想円の中心側に位置し、前記第1磁気抵抗素子に囲まれており、
前記第2磁気抵抗素子は、前記複数の第1単位パターンの各々より細い、互いに接続された複数の第2単位パターンを含み、
前記第2磁気抵抗素子は、前記仮想円の中心側から前記仮想円の外側まで繋がった前記配線と接続され、
前記複数の第1単位パターンの各々は、前記仮想円の円周において前記配線が位置する部分が開放した仮想C字形状に沿って位置しており、
前記第1磁気抵抗素子および前記第2磁気抵抗素子を2対含み、
2対の前記第1磁気抵抗素子および前記第2磁気抵抗素子に含まれる2つの第1磁気抵抗素子の各々は、前記仮想C字形状の向きが互いに異なるように周方向の向きが異なっている、磁気センサ。 - 前記第2磁気抵抗素子は、平面視にて2重渦巻き状パターンを有し、
前記2重渦巻き状パターンは、前記複数の第2単位パターンのうちの1つである一方の渦巻き状パターンおよび前記複数の第2単位パターンのうちの他の1つである他方の渦巻き状パターンと、該一方の渦巻き状パターンおよび該他方の渦巻き状パターンを該2重渦巻き状パターンの中央部にて接続する、S字状パターンまたは逆S字状パターンとを含む、請求項1に記載の磁気センサ。 - 前記複数の第2単位パターンの各々は、複数の曲部を有して折り返し、10μm以上の長さの直線状延在部を含まない、請求項1に記載の磁気センサ。
- 前記複数の第2単位パターンの各々は、前記仮想円の円周に沿って該仮想円の径方向に並ぶように線対称に配置された半円弧状パターンである、請求項1に記載の磁気センサ。
- 前記複数の第2単位パターンの各々は、直径が10μmより小さい球状パターンである、請求項1に記載の磁気センサ。
- 前記複数の第1単位パターンの各々は、前記仮想C字形状に沿って前記仮想円の径方向に並ぶように配置されたC字状パターンである、請求項1に記載の磁気センサ。
- 前記複数の第1単位パターンの各々は、前記仮想円の中心側から放射状に配置された折り返し状パターンである、請求項1に記載の磁気センサ。
- 互いに配線によって電気的に接続されてブリッジ回路を構成する複数の磁気抵抗素子を備える磁気センサであって、
前記複数の磁気抵抗素子は、対になった第1磁気抵抗素子および第2磁気抵抗素子を含み、
前記第1磁気抵抗素子の抵抗変化率は、前記第2磁気抵抗素子の抵抗変化率より大きく、
前記第1磁気抵抗素子は、平面視にて、仮想円の円周に沿って該仮想円の周方向または径方向に並ぶように配置されて互いに接続された複数の第1単位パターンを含み、
前記第2磁気抵抗素子は、平面視にて、前記仮想円の中心側に位置し、前記第1磁気抵抗素子に囲まれており、
前記第2磁気抵抗素子は、前記複数の第1単位パターンの各々より細い、互いに接続された複数の第2単位パターンを含み、
前記第2磁気抵抗素子は、平面視にて2重渦巻き状パターンを有し、
前記2重渦巻き状パターンは、前記複数の第2単位パターンのうちの1つである一方の渦巻き状パターンおよび前記複数の第2単位パターンのうちの他の1つである他方の渦巻き状パターンと、該一方の渦巻き状パターンおよび該他方の渦巻き状パターンを該2重渦巻き状パターンの中央部にて接続する、S字状パターンまたは逆S字状パターンとを含む、磁気センサ。 - 互いに配線によって電気的に接続されてブリッジ回路を構成する複数の磁気抵抗素子を備える磁気センサであって、
前記複数の磁気抵抗素子は、対になった第1磁気抵抗素子および第2磁気抵抗素子を含み、
前記第1磁気抵抗素子の抵抗変化率は、前記第2磁気抵抗素子の抵抗変化率より大きく、
前記第1磁気抵抗素子は、平面視にて、仮想円の円周に沿って該仮想円の周方向または径方向に並ぶように配置されて互いに接続された複数の第1単位パターンを含み、
前記第2磁気抵抗素子は、平面視にて、前記仮想円の中心側に位置し、前記第1磁気抵抗素子に囲まれており、
前記第2磁気抵抗素子は、前記複数の第1単位パターンの各々より細い、互いに接続された複数の第2単位パターンを含み、
前記複数の第2単位パターンの各々は、直径が10μmより小さい球状パターンである、磁気センサ。 - 前記第2磁気抵抗素子は、前記仮想円の中心側から前記仮想円の外側まで繋がった前記配線と接続され、
前記複数の第1単位パターンの各々は、前記仮想円の円周において前記配線が位置する部分が開放した仮想C字形状に沿って位置している、請求項8または9に記載の磁気センサ。
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