JP6368317B2 - 高分子を形成する方法 - Google Patents
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Description
式中、Ar1、Ar2、Ar3及びAr4は芳香族基であり、X1及びX2はハロゲンであり、ポリマー端B及びCは水素又はハロゲン原子を表し、mは少なくとも1の整数であり、nは少なくとも2の整数である。
R1は、非置換であってもよく、又は1若しくは複数の置換基で置換されていてもよい芳香族基を含み;
各出現におけるR2は、独立して置換基であり;
各出現におけるAr1は、独立して非置換であってもよく、又は1若しくは複数の置換基で置換されていてもよいアリール又はヘテロアリール基であり;
各出現におけるXは、臭素、塩素、ヨウ素及びスルホン酸エステルから独立して選択され、各XはR1の芳香族炭素原子に結合しており;
nは正の整数であり;
mは0又は正の整数であり;
前記モノマーは、式(III)の予備形成されたパラジウム触媒の存在下で重合され:
yは0又は2であり;
Z−は陰イオンである。
R13は、非置換であってもよく、又は1若しくは複数の置換基で置換されていてもよい芳香族基を含み;
R14は、非置換であってもよく、又は1若しくは複数の置換基で置換されていてもよい芳香族基を含み;
各LG1は、臭素、塩素、ヨウ素及びスルホン酸エステルから選択される脱離基であり、各LG1は、R13の芳香族炭素原子に結合しており;
各LG2は、ボロン酸及びボロン酸エステルから選択される脱離基であり、各LG2は、R14の芳香族炭素原子に結合しており;
前記モノマーは、式(III):
yは0又は2であり;
Z−は陰イオンである。]のパラジウム触媒の存在下で重合される。
式(III)の触媒はパラジウム(0)又はパラジウム(II)の触媒であってもよい。
フェニルジアルキルホスフィン、
トリアルキルホスフィンを含む。
触媒は、好ましくは、重合の開始時、重合混合物中に予備形成された状態で準備される。
バックウォルド重合プロセスは、芳香族基の炭素原子とアミンのNH基との間のC−N結合の形成を可能にする。
式中、R1、R2及びXは、上に記載された通りであり、n’は少なくとも2の正の整数である。
重合混合物は、式(I)及び式(II)のそれぞれのモノマーのただ1種を含んでいてもよく、その場合、得られたポリマーは位置規則性のABコポリマーになり、又は、重合混合物は、式(I)の複数のモノマー、及び/若しくは式(II)の複数のモノマーを含んでいてもよい。
スズキ重合プロセスを反応スキーム3に図示する。
−、C1−20アルキルであってもよい(ここで、1又は複数の隣接していないC原子は、置換されていてもよいアリール又はヘテロアリール、O、S、置換されたN、C=O又は−COO−と置き換えられてもよく、1又は複数のH原子はFと置き換えられてもよい)アルキル;
−非置換であってもよく、又は1若しくは複数の置換基で置換されていてもよいアリール及びヘテロアリール基、好ましくは1又は複数のC1−20アルキル基で置換されたフェニル;
−アリール又はヘテロアリール基であって、その基のそれぞれは独立して置換されていてもよい基、例えば式−(Ar5)r[式中、各Ar5は独立してアリール又はヘテロアリール基であり、rは少なくとも2である。]の基の直鎖又は分岐鎖、好ましくはフェニル基であって、そのそれぞれは、非置換であってもよく、又は1若しくは複数のC1−20アルキル基で置換されていてもよいフェニル基の分岐鎖又は直鎖;及び
−架橋可能な基、例えばビニル又はアクリレート基などの二重結合を含む基、又はベンゾシクロブタン基。
アルキル、例えばC1−20アルキル、(ここで、1又は複数の隣接していないC原子は、O、S、置換されたN、C=O及び−COO−と置き換えられてもよく、アルキル基の1又は複数のH原子はFと置き換えられてもよい);
NR9 2、OR9、SR9、SiR9 3及び
フッ素、ニトロ及びシアノ;
[式中、各R9は、アルキル、好ましくはC1−20アルキル;及び1又は複数のC1−20アルキル基で置換されていてもよいアリール又はヘテロアリール、好ましくはフェニルからなる群から独立して選択される。]。
式(II)のモノマーのAr1は、非置換、又は1若しくは複数の置換基で置換された単環式又は多環式アリール基、例えば、非置換又は置換のフェニレン、ナフタレン、アントラセン及びフルオレンであってもよい。
−C1−20アルキルであってもよい(ここで、1又は複数の隣接していないC原子は、置換されていてもよいアリール又はヘテロアリール、O、S、置換されたN、C=O又は−COO−と置き換えられてもよく、1又は複数のH原子はFと置き換えられてもよい)置換又は非置換アルキル;及び
−架橋可能な基。
式(IV)及び(V)のモノマーのR13又はR14はそれぞれ、以下からそれぞれ選択されてもよい:
(a)式−(Ar6)v−の基[式中、各出現におけるAr6は、独立して、非置換であってもよく、又は1若しくは複数の置換基で置換されていてもよいアリール又はヘテロアリール基であり、vは、正の整数であり、1、2又は3であってもよい。];及び
(b)式(VII)の基:
式−(Ar6)v−の例示の基は以下を含む:
−C1−20アルキルであってもよい(ここで、1又は複数の隣接していないC原子は、置換されていてもよいアリール又はヘテロアリール、O、S、置換されたN、C=O又は−COO−と置き換えられてもよく、1又は複数のH原子はFと置き換えられてもよい)置換又は非置換のアルキル;及び
−架橋可能な基。
本発明の方法によって調製されたポリマーは、有機プリント回路を含むがこれらに限定されない広範囲の用途において、並びに有機発光ダイオード(OLED)、有機光応答素子(特に有機光起電力素子及び有機光センサー)、有機トランジスター及びメモリアレイ素子などの有機電子素子において使用することができる。有機発光素子中のポリマーは、電荷輸送層の電荷輸送物質;発光層の発光物質;又は発光層のホストポリマーとして使用することができる。
バックウォルド重合
キシレン中のジアミン−モノマーとジブロモ−モノマーとの混合物を反応フラスコに入れ、窒素で飽和させた。パラジウム触媒及びナトリウムtert−ブトキシドを加え、混合物を115℃に加熱し、4時間撹拌し、その後、新鮮な触媒及び塩基の存在下で14時間、p−ジトリルアミンとともに還流することによって反応を終了した。
形成されたポリマーを、以下の構造を有するOLEDの発光物質として使用した:
ITO/HIL/HTL/LE/陰極
ここで、ITOはインジウムスズ酸化物陽極であり;HILは正孔注入層であり;HTLは正孔輸送層であり;LEは発光層であり;陰極は、発光層と接する金属フッ化物の層、及び金属フッ化物の層を覆って形成されたアルミニウムの層を含む。
Claims (12)
- 式(I)の少なくとも1つのモノマーと式(II)の少なくとも1つのモノマーを含む組成物の重合によりポリマーを形成する方法:
[式中、
R1は、非置換であってもよく、又は1若しくは複数の置換基で置換されていてもよい芳香族基を含み;
各出現におけるR2は、独立して置換基であり;
各出現におけるAr1は、独立して、非置換であってもよく、又は1若しくは複数の置換基で置換されていてもよいアリール又はヘテロアリール基であり;
各出現におけるXは、臭素、塩素、ヨウ素及びスルホン酸エステルから独立して選択され、各XはR1の芳香族炭素原子に結合しており;
nは正の整数であり;
mは0又は正の整数であり;
前記モノマーは、式(III)の予備形成されたパラジウム触媒の存在下で重合される:
{式中、各R 3 がC 1−10 アルキル;フェニル;及び1又は複数のC 1−5 アルキル基で置換されたフェニルから独立して選択され;
少なくとも1個の基PR 3 3 の少なくとも1個のR 3 がC 1−10 アルキルであり、少なくとも1個の基PR 3 3 の少なくとも1個のR 3 が、非置換であり、又は1若しくは複数のC 1−5 アルキル基で置換されているフェニルであり;
yは0又は2であり;
Z−は陰イオンである。}]。 - wが1、2又は3である、請求項2に記載の方法。
- Ar2が、非置換であってもよく、又は1若しくは複数の置換基で置換されていてもよいアリール基である、請求項2又は3に記載の方法。
- Z−はハライドである、請求項1から4のいずれかに記載の方法。
- nが1、2又は3である、請求項1から5のいずれかに記載の方法。
- mが0又は1である、請求項1から6のいずれかに記載の方法。
- Ar1がフェニレン及びフルオレンから選択され、そのそれぞれが非置換であってもよく、又は1若しくは複数の置換基で置換されていてもよい、請求項1から7のいずれかに記載の方法。
- 各R2が、C1−20アルキル;非置換であってもよく、又は1若しくは複数の置換基で置換されていてもよいアリール;及びアリール基の分岐鎖又は直鎖から独立して選択され、ここで、各アリール基は、非置換であってもよく、又は1若しくは複数の置換基で置換されていてもよい、請求項1から8のいずれかに記載の方法。
- 式(I)の前記少なくとも1つのモノマーと式(II)の前記少なくとも1つのモノマーとのモル比が50:50である、請求項1から9のいずれかに記載の方法。
- 式(I)の前記少なくとも1つのモノマーと式(II)の前記少なくとも1つのモノマーとのモル比が50:50でない、請求項1から9のいずれかに記載の方法。
- 式(II)の前記少なくとも1つのモノマーのモル数が、式(I)の前記少なくとも1つのモノマーのモル数より大きい、請求項11に記載の方法。
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