JP6366872B1 - スイッチング電源装置 - Google Patents
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Abstract
Description
前記整流回路は、交流電源に接続されており、
前記スイッチング回路は、前記整流回路に接続されており、
前記第1回路と前記第2回路とは前記対象線路によって互いに接続されており、
前記スイッチング回路によってスイッチングされる電流の値をi[A]とし、前記スイッチング回路のスイッチングに由来するノイズの波長をλ[mm]とするとき、前記対象線路は、前記スイッチング回路からの距離5i/π[mm]により定まる第1領域と、前記第1領域の外側に位置し前記スイッチング回路からの距離λ/2π[mm]により定まる第2領域の双方を通っており、
前記ノイズ抑制体は、前記第2領域内のみにおいて前記対象線路に取り付けられており、
前記ノイズ抑制体は、500MHzから3GHzまでの複素透磁率の虚数成分μ”が5以上30以下である
スイッチング電源装置を提供する。
前記ノイズ抑制部材は、磁性粉末がバインダ内に分散された構造を有している
スイッチング電源装置を提供する。
前記ノイズ抑制部材の厚みtは、20μm以上である
スイッチング電源装置を提供する。
前記ノイズ抑制部材の厚みtは、10000μm以下である
スイッチング電源装置を提供する。
前記ノイズ抑制部材の厚みtは、1000μm以下である
スイッチング電源装置を提供する。
前記ノイズ抑制部材は、複合磁性シートである
スイッチング電源装置を提供する。
前記対象線路は信号線であり、
前記ノイズ抑制部材は、前記対象線路の導線から0.05mm以上5mm以下の距離だけ離れて配置されている
スイッチング電源装置を提供する。
前記ノイズ抑制部材は、前記対象線路の前記導線から0.15mm以上0.2mm以下の距離だけ離れて配置されている
スイッチング電源装置を提供する。
前記対象線路は信号線であり、
前記ノイズ抑制部材の複素誘電率の実数成分ε’が1000以下であり、且つ前記複素誘電率の前記実数成分ε’に対する虚数成分ε”の比ε”/ε’が0.5以下である
スイッチング電源装置を提供する。
前記ノイズ抑制部材の前記複素誘電率の前記実数成分ε’が300以下であり、且つ前記複素誘電率の前記実数成分ε’に対する前記虚数成分ε”の比ε”/ε’が0.1以下である
スイッチング電源装置を提供する。
前記対象線路の延びる方向において、前記ノイズ抑制部材の長さは20mm以上である
スイッチング電源装置を提供する。
前記内部回路群は、整流回路を含み、
前記整流回路は、交流電源に接続されており、
前記スイッチング回路は、前記整流回路に接続されており、
前記内部回路群に含まれる回路のうちの一つを第1回路とするとき、前記対象線路は前記第1回路を第2回路に接続しており、
前記第2回路は、前記スイッチング電源装置に接続される外部回路であるか又は前記内部回路群に含まれる回路のうちの別の一つであり、
前記スイッチング回路によってスイッチングされる電流の値をi[A]とし、前記スイッチング回路のスイッチングに由来するノイズの波長をλ[mm]とするとき、前記対象線路は、前記スイッチング回路からの距離5i/π[mm]により定まる第1領域と、前記第1領域の外側に位置し前記スイッチング回路からの距離λ/2π[mm]により定まる第2領域の双方を通っており、
前記ノイズ抑制体は、前記第2領域内のみにおいて前記対象線路に取り付けられており、
前記ノイズ抑制体は、500MHzから3GHzまでの複素透磁率の虚数成分μ”が5以上30以下である
スイッチング電源装置を提供する。
102 整流回路
104 インバータ主回路(スイッチング回路)
106 直流電源
108 制御回路
110 PWM回路
112 DC−DCコンバータ
114 ゲートドライバ
116 スイッチング回路
12 交流電源
14 負荷
20 ノイズ抑制体
22 ノイズ源
24 線路(対象線路)
26 第1回路
28 第2回路
202 磁性粉末
204 バインダ
220 第1領域
222 第2領域
240 フレキシブルフラットケーブル(FFC)
242 信号線
244 グランド線
246 絶縁被膜
34 ハーネス
340 ケーブル
342 信号線
344 グランド線
346 絶縁被膜
Claims (12)
- 整流回路と、スイッチング回路と、第1回路と、第2回路と、対象線路と、ノイズ抑制体とを備えるスイッチング電源装置であって、
前記整流回路は、交流電源に接続されており、
前記スイッチング回路は、前記整流回路に接続されており、
前記第1回路と前記第2回路とは前記対象線路によって互いに接続されており、
前記スイッチング回路によってスイッチングされる電流の値をi[A]とし、前記スイッチング回路のスイッチングに由来するノイズの波長をλ[mm]とするとき、前記対象線路は、前記スイッチング回路からの距離5i/π[mm]により定まる第1領域と、前記第1領域の外側に位置し前記スイッチング回路からの距離λ/2π[mm]により定まる第2領域の双方を通っており、
前記ノイズ抑制体は、前記第2領域内のみにおいて前記対象線路に取り付けられており、
前記ノイズ抑制体は、500MHzから3GHzまでの複素透磁率の虚数成分μ”が5以上30以下である
スイッチング電源装置。 - 請求項1に記載のスイッチング電源装置であって、
前記ノイズ抑制体は、磁性粉末がバインダ内に分散された構造を有している
スイッチング電源装置。 - 請求項1又は請求項2に記載のスイッチング電源装置であって、
前記ノイズ抑制体の厚みtは、20μm以上である
スイッチング電源装置。 - 請求項1から請求項3までのいずれか一つに記載のスイッチング電源装置であって、
前記ノイズ抑制体の厚みtは、10000μm以下である
スイッチング電源装置。 - 請求項4に記載のスイッチング電源装置であって、
前記ノイズ抑制体の厚みtは、1000μm以下である
スイッチング電源装置。 - 請求項1から請求項5までのいずれか一つに記載のスイッチング電源装置であって、
前記ノイズ抑制体は、複合磁性シートである
スイッチング電源装置。 - 請求項1から請求項6までのいずれか一つに記載のスイッチング電源装置であって、
前記対象線路は信号線であり、
前記ノイズ抑制体は、前記対象線路の導線から0.05mm以上5mm以下の距離だけ離れて配置されている
スイッチング電源装置。 - 請求項7に記載のスイッチング電源装置であって、
前記ノイズ抑制体は、前記対象線路の前記導線から0.15mm以上0.2mm以下の距離だけ離れて配置されている
スイッチング電源装置。 - 請求項1から請求項8までのいずれか一つに記載のスイッチング電源装置であって、
前記対象線路は信号線であり、
前記ノイズ抑制体の複素誘電率の実数成分ε’が1000以下であり、且つ前記複素誘電率の前記実数成分ε’に対する虚数成分ε”の比ε”/ε’が0.5以下である
スイッチング電源装置。 - 請求項9に記載のスイッチング電源装置であって、
前記ノイズ抑制体の前記複素誘電率の前記実数成分ε’が300以下であり、且つ前記複素誘電率の前記実数成分ε’に対する前記虚数成分ε”の比ε”/ε’が0.1以下である
スイッチング電源装置。 - 請求項1から請求項10までのいずれか一つに記載のスイッチング電源装置であって、
前記対象線路の延びる方向において、前記ノイズ抑制体の長さは20mm以上である
スイッチング電源装置。 - 内部回路群と、スイッチング回路と、対象線路と、ノイズ抑制体とを備えるスイッチング電源装置であって、
前記内部回路群は、整流回路を含み、
前記整流回路は、交流電源に接続されており、
前記スイッチング回路は、前記整流回路に接続されており、
前記内部回路群に含まれる回路のうちの一つを第1回路とするとき、前記対象線路は前記第1回路を第2回路に接続しており、
前記第2回路は、前記スイッチング電源装置に接続される外部回路であるか又は前記内部回路群に含まれる回路のうちの別の一つであり、
前記スイッチング回路によってスイッチングされる電流の値をi[A]とし、前記スイッチング回路のスイッチングに由来するノイズの波長をλ[mm]とするとき、前記対象線路は、前記スイッチング回路からの距離5i/π[mm]により定まる第1領域と、前記第1領域の外側に位置し前記スイッチング回路からの距離λ/2π[mm]により定まる第2領域の双方を通っており、
前記ノイズ抑制体は、前記第2領域内のみにおいて前記対象線路に取り付けられており、
前記ノイズ抑制体は、500MHzから3GHzまでの複素透磁率の虚数成分μ”が5以上30以下である
スイッチング電源装置。
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JP2018050375A JP6366872B1 (ja) | 2018-03-19 | 2018-03-19 | スイッチング電源装置 |
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JP2018050375A JP6366872B1 (ja) | 2018-03-19 | 2018-03-19 | スイッチング電源装置 |
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Family Applications (1)
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JP2018050375A Active JP6366872B1 (ja) | 2018-03-19 | 2018-03-19 | スイッチング電源装置 |
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JP2003017282A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Harison Toshiba Lighting Corp | 高圧放電ランプ点灯装置、高圧放電灯装置及び投光装置 |
JP2007059456A (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-08 | Em Techno:Kk | 電波吸収体 |
US20140053004A1 (en) * | 2012-08-20 | 2014-02-20 | International Business Machines Corporation | Slab inductor device providing efficient on-chip supply voltage conversion and regulation |
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