JP6365775B2 - パワー半導体モジュール、流路部材及びパワー半導体モジュール構造体 - Google Patents
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Description
パワー半導体モジュールは、第1面及び第2面を備える金属ベース板と、前記第1面に接合され、第3面及び第4面を備える積層基板と、前記第3面に搭載された半導体素子と、前記金属ベース板の第1面側に配置され、前記積層基板及び前記半導体素子を囲む樹脂ケースと、冷却ケースとを備える。冷却ケースは、底壁及び前記底壁の周りに形成された側壁を有し、前記側壁の一端が前記金属ベース板の第2面側に接合され、前記金属ベース板、前記底壁及び前記側壁により囲まれた空間内に冷却液を流通可能である。前記冷却ケースは、前記底壁及び前記側壁のいずれかに接続するとともに前記金属ベース板の第2面の周縁に沿って配置された冷却液の入口部及び出口部を有し、前記入口部の導入口側に配置された第1フランジ及び前記出口部の排出口側に配置された第2フランジを備える。
上記パワー半導体モジュールに組み合わされる流路部材である。前記パワー半導体モジュールが、金属ベース板と、底壁及び前記底壁の周りに形成された側壁を有し、前記側壁の一端が前記金属ベース板の裏面に接合され、前記金属ベース板、前記底壁及び前記側壁により囲まれた空間内に冷却液を流通可能な冷却ケースとを備える。さらに、前記冷却ケースは、前記底壁及び前記側壁のいずれかに接続するとともに前記金属ベース板の裏面の周縁に沿って配置された冷却液の入口部及び出口部を有し、前記入口部の導入口側に配置された第1フランジ及び前記出口部の排出口側に配置された第2フランジを備える。前記流路部材は、前記第1フランジに接続し得る第1接続部と、前記第2フランジに接続し得る第2接続部と、前記第1接続部に接続し前記冷却液を流通可能な第1流路と、前記第2接続部に接続し前記冷却液を流通可能な第2流路とを備え、前記冷却ケースの底面に対向して配置され得る。
前記パワー半導体モジュールと、前記流路部材とを組み合わされてなるパワー半導体モジュール構造体。
図1は本発明のパワー半導体モジュールの一実施形態の外観を示す斜視図である。図2は、図1のパワー半導体モジュールを裏面側から見た斜視図である。図1及び図2に示すパワー半導体モジュール1は、インバータ回路を構成する6in1タイプのパワー半導体モジュールである。パワー半導体モジュール1は、金属ベース板12と、半導体チップ16を収容し、底面が金属ベース板12のおもて面に接着された樹脂ケース11と、金属ベース板12の裏面に接合された冷却ケース13とを備えている。
フランジ13g1は導入口13eに対向する様に配置された第1開口部である開口部13egを備える。フランジ13g2は排出口13fに対向する様に配置された第2開口部である開口部13fgを備える。さらにフランジ13g1は開口部13egを挟んで配置された2つで一組の第1ボルト孔であるボルト孔13hが形成されている。フランジ13g2は開口部13fgを挟んで配置された2つで一組の第2ボルト孔であるボルト孔13hが形成されている。これらのボルト孔13hは、金属ベース板12に形成されたボルト孔12aと同じ間隔で形成され、ボルト孔12aと同じ位置に配置されている。これらのボルト孔13hは、パワー半導体モジュール1を流路部材31(図7参照)に取り付けるためのボルト孔と、パワー半導体モジュールの導入口及び排出口を流路部材31の流路に接続するためのボルト孔とを兼ねる。フランジ13g1、13g2はそれぞれ一組以上のボルト孔13hを備えてもよい。
このようにボルト孔13h、貫通孔11a及びボルト孔12aを配置することにより、ボルトによりパワー半導体モジュールを流路部材31に締結固定するとともに、導入口13e及び排出口13fを流路部材31の流路に接続できるので、取り付け作業の手間を軽減することができ、また、ボルト数も低減できる。また、パワー半導体モジュール1を取り付けたときの剛性を向上させることができる。更に、パワー半導体モジュール1を固定するための領域と流路を接続するための領域とのトータルの領域を削減することができるので、パワー半導体モジュール1を小型化することができる。
実施形態1のパワー半導体モジュール1が取り付けられる流路部材31を、図7を用いて説明する。図7は、パワー半導体モジュール1及び流路部材31の斜視図である。部分的に断面を示している。図7において、パワー半導体モジュール1は、図1〜図6に示したパワー半導体モジュール1と同一とすることができる。したがって、図7ではパワー半導体モジュール1及びその部材について図1〜図6と同一の符号を付しており、以下では重複する説明を省略する。
流路部材31は、実施形態1のパワー半導体モジュール1と組み合わせることにより、パイプを用いることなくパワー半導体モジュール1を取り付けることができ、または取り付け作業の手間を軽減することができる。
実施形態1のパワー半導体モジュール1と実施形態2の流路部材31との組み合わせからなるパワー半導体モジュール構造体3を図8及び図9を用いて説明する。図8はパワー半導体モジュール構造体3の正面図であり、図9は、図8のIX部分の部分拡大図である。なお、図8及び図9ではパワー半導体モジュール1及び流路部材31について図1〜図7と同一の符号を付しており、以下では重複する説明を省略する。
図8及び図9に示したパワー半導体モジュール構造体3は、パワー半導体モジュール1と実施形態2の流路部材31とを、ボルト33により締結固定したものである。図9に示すように、フランジ13g1と凸部31a1の間には、Oリング32が配置されていて、これにより液漏れを防止している。図示していないがフランジ13g2と凸部31a2の間にもOリング32が配置されている。Oリング32は、凸部31a1、31a2の表面に溝を形成して、この溝内に収容することが好ましい。
図10A及び図10Bを用いて、本発明の別の実施形態のパワー半導体モジュール2を説明する。図10Aはパワー半導体モジュール2を斜め上方から見た斜視図であり、図10Bはパワー半導体モジュール2を裏面側から見た斜視図である。
比較のために従来のパワー半導体モジュール100を図11A及び図11Bに示す。図11Aはパワー半導体モジュール100の外観を上方から見た斜視図であり、図11Bはパワー半導体モジュール100の外観を裏面から見た斜視図である。
図11A及び図11Bに示した従来のパワー半導体モジュール100と、前述した本発明の実施形態1、実施形態4のパワー半導体モジュール1、2との対比により本発明の効果は明らかである。
図12に、パワー半導体モジュール4の平面図を示す。なお、この平面図では理解を容易にするために、蓋及び封止材を図示せず樹脂ケース11内に配置された絶縁基板15及び半導体チップ16A1、16A2、16B1、16B2が見えている状態を示している。樹脂ケース11より下方の構造は、図1〜3に示したパワー半導体モジュール1と同様に金属ベース板12及び冷却ケース13を備えることができる。具体的に、樹脂ケース11の底面には、金属ベース板12のおもて面が接着され、金属ベース板12の裏面には、冷却ケース13が接合されている。冷却ケース13に配置されたフィンは薄板形状であり、冷却ケース13の短手方向に沿って複数個がそれぞれ間隔を空けて配置されている構造とすることができる。
また、回路板15bf上の半導体チップ16A1、16A2のおもて面に形成された主電極と、回路板15bbとが、ワイヤ19により接続されている。回路板15bb上の半導体チップ16B1、16B2のおもて面に形成された主電極と、回路板15beとが、ワイヤ19により接続されている。
1個の絶縁基板15に接合された4個の半導体チップ16A1、16A2、16B1、16B2は、一相における一組の上アームAu及び下アームAl、すなわちレグを構成している。より具体的に、図12においては、金属ベース板12の短辺方向に沿って配置された2個の半導体チップ16A1及び半導体チップ16A2がインバータ回路を構成する一相、例えばU相における上アームAuを構成し、半導体チップ16B1及び半導体チップ16B2が下アームAlをそれぞれ構成している。上アームAuに対応する2個の半導体チップ16A1及び半導体チップ16A2が、金属ベース板12の直下でフィン17間を流れる冷却液の移動方向に沿って配置されている。下アームAlに対応する2個の半導体チップ16B1及び半導体チップ16B2も同様に冷却液の移動方向に沿って配置されている。これにより、上アームAuを構成する半導体チップ16A1及び半導体チップ16A2と、下アームAlを構成する半導体チップ16B1及び半導体チップ16B2との冷却効率を等しくすることができる。
U相用プラス端子141D、V相用プラス端子142D及びW相用プラス端子143Dは互いに異なり、独立しており、かつ同じ形状であってもよい。また、U相用マイナス端子141E、V相用マイナス端子142E及びW相用マイナス端子143Eは互いに異なり、独立しており、かつ同じ形状であってもよい。U相用プラス端子141D、V相用プラス端子142D及びW相用プラス端子143Dは同じ寸法であってもよく、また、U相用マイナス端子141E、V相用マイナス端子142E及びW相用マイナス端子143Eは同じ寸法であってもよい。
電源端子の脚部の延在方向がそれぞれ平行であることにより、インダクタンスを低減させることができる。
また、図14に平面図を示すパワー半導体モジュール4は、U相用プラス端子141D及びマイナス端子141Eの間にフィルムコンデンサ25Aが設けられ、V相用プラス端子142D及びマイナス端子142Eにフィルムコンデンサ25Bが設けられ、W相用プラス端子143D及びマイナス端子143Eの間にフィルムコンデンサ25Cが設けられている。図示するフィルムコンデンサ25A、フィルムコンデンサ25B及びフィルムコンデンサ25Cは、それぞれ独立したフィルムコンデンサである。フィルムコンデンサ25A、フィルムコンデンサ25B及びフィルムコンデンサ25Cは、ケース等に収容され一体とされてもよい。なお、図14の平面図は、図12に示したパワー半導体モジュール4の樹脂ケース11内が封止材で封止され、蓋20で樹脂ケース11の開口の上端を覆っている態様を示している。
コンデンサの容量は好ましくは合計で100μF〜3000μF、好ましくは合計で400μF〜600μFである。
11 樹脂ケース
11a 貫通孔
12 金属ベース板
13、23 冷却ケース
13a、23a 底壁
13b、23b 側壁
13c、23c 入口部
13d、23d 出口部
13e、23e 導入口
13f、23f 排出口
13g1、23g1 フランジ(第1フランジ)
13g2、23g2 フランジ(第2フランジ)
13eg、23eg 開口部(第1開口部)
13fg、23fg 開口部(第2開口部)
13h、23h ボルト孔
14D、14E 外部端子
15 絶縁基板
16 半導体チップ(半導体素子)
17 フィン
25 フィルムコンデンサ
31 流路部材
Claims (18)
- 第1面及び第2面を備える金属ベース板と、
前記第1面に接合され、第3面及び第4面を備える積層基板と、
前記第3面に搭載された半導体素子と、
前記金属ベース板の第1面側に配置され、前記積層基板及び前記半導体素子を囲む樹脂ケースと、
底壁及び前記底壁の周りに形成された側壁を有し、前記側壁の一端が前記金属ベース板の第2面側に接合され、前記金属ベース板、前記底壁及び前記側壁により囲まれた空間内に冷却液を流通可能な冷却ケースと、
を備え、
前記冷却ケースが、前記底壁及び前記側壁のいずれかに接続するとともに前記金属ベース板の第2面の周縁に沿って配置された冷却液の入口部及び出口部を有し、前記入口部の導入口側に配置された第1フランジ及び前記出口部の排出口側に配置された第2フランジを備えるパワー半導体モジュール。 - 前記第1フランジが前記導入口に対向する第1開口部と、前記第1開口部を挟んで配置された一組の第1ボルト孔とを備え、
前記第2フランジが前記排出口に対向する第2開口部と、前記第2開口部を挟んで配置された一組の第2ボルト孔とを備える請求項1記載のパワー半導体モジュール。 - 前記樹脂ケースが、前記第1ボルト孔に対応する一組の第1貫通孔と前記第2ボルト孔に対応する一組の第2貫通孔とを備え、前記第1ボルト孔及び第1貫通孔が前記樹脂ケースの厚み方向にボルトを挿入できるように配置され、前記第2ボルト孔及び第2貫通孔が前記樹脂ケースの厚み方向にボルトを挿入できるように配置されている請求項2記載のパワー半導体モジュール。
- 前記第1ボルト孔間を結ぶ線分と、前記第2ボルト孔間を結ぶ線分とが、ほぼ平行である請求項2記載のパワー半導体モジュール。
- 前記第1フランジ及び第2フランジのそれぞれの長径方向が金属ベース板の長辺方向に沿って延びている請求項4記載のパワー半導体モジュール。
- 前記半導体素子が、インバータ回路の上アームを構成する複数の第1半導体素子及び前記インバータ回路の下アームを構成する複数の第2半導体素子を含み、かつ、第1半導体素子及び第2半導体素子が、前記冷却ケースを流通し得る冷却液の移動方向に沿って配置されている請求項1記載のパワー半導体モジュール。
- 前記第1フランジ及び第2フランジが、それぞれ前記冷却ケースにワッシャを介して、ろう付けされてなる請求項1記載のパワー半導体モジュール。
- パワー半導体モジュールと組み合わせて使用され得る流路部材であって、
前記パワー半導体モジュールが、
金属ベース板と、
底壁及び前記底壁の周りに形成された側壁を有し、前記側壁の一端が前記金属ベース板の裏面に接合され、前記金属ベース板、前記底壁及び前記側壁により囲まれた空間内に冷却液を流通可能な冷却ケースとを備え、
さらに、前記冷却ケースが、前記底壁及び前記側壁のいずれかに接続するとともに前記金属ベース板の裏面の周縁に沿って配置された冷却液の入口部及び出口部を有し、前記入口部の導入口側に配置された第1フランジ及び前記出口部の排出口側に配置された第2フランジを備え、
前記流路部材が、前記第1フランジに接続し得る第1接続部と、前記第2フランジに接続し得る第2接続部と、前記第1接続部に接続し前記冷却液を流通可能な第1流路と、前記第2接続部に接続し前記冷却液を流通可能な第2流路とを備え、前記冷却ケースの底面に対向して配置され得る流路部材。 - 前記第1フランジが前記導入口に対向する第1開口部と、前記第1開口部を挟んで配置された一組の第1ボルト孔とを備え、
前記第2フランジが前記排出口に対向する第2開口部と、前記第2開口部を挟んで配置された一組の第2ボルト孔とを備え、
前記第1接続部に、前記第1ボルト孔と位置合わせされた雌ねじ孔が形成され、
前記第2接続部に、前記第2ボルト孔と位置合わせされた雌ねじ孔が形成された請求項8記載の流路部材。 - 前記第1接続部及び第2接続部に、それぞれOリングを収容する溝を備える請求項8記載の流路部材。
- 請求項1記載のパワー半導体モジュールと、請求項8記載の流路部材とを組み合わされてなるパワー半導体モジュール構造体。
- 前記パワー半導体モジュールと前記流路部材とが、複数のボルトにより締結された請求項11記載のパワー半導体モジュール構造体。
- 前記第1接続部及び第2接続部に、それぞれOリングを収容する溝を備え、前記各溝に、Oリングを備える請求項11記載のパワー半導体モジュール構造体。
- 上アーム及び下アームからなる第1の組と、上アーム及び下アームからなる第2の組とを備え、
前記第1の組は、少なくとも、前記積層基板として第1積層基板と、前記半導体素子として前記上アームを構成する第1半導体素子及び下アームを構成する第2半導体素子と、前記第1半導体素子及び第2半導体素子に電源を供給する第1電源端子と、を含み、
前記第2の組は、少なくとも、前記積層基板として第2積層基板と、前記半導体素子として前記上アームを構成する第3半導体素子及び下アームを構成する第4半導体素子と、前記第3半導体素子及び第4半導体素子に電源を供給する第2電源端子と、を含む、請求項1記載のパワー半導体モジュール。 - 前記第1電源端子は、電源のプラス側に接続され得る第1プラス端子及び前記電源のマイナス側に接続され得る第1マイナス端子を含み、
前記第2電源端子は、電源のプラス側に接続され得る第2プラス端子及び前記電源のマイナス側に接続され得る第2マイナス端子を含み、
前記第1プラス端子及び前記第2プラス端子は異なる端子であり、かつ同じ形状であり、
前記第1マイナス端子及び前記第2マイナス端子は異なる端子であり、かつ同じ形状である、請求項14記載のパワー半導体モジュール。 - 前記第1プラス端子及び前記第2プラス端子は同じ寸法であり、
前記第1マイナス端子及び前記第2マイナス端子は同じ寸法である、請求項15記載のパワー半導体モジュール。 - 前記第1プラス端子及び前記第2プラス端子はそれぞれ脚部を備え、
前記第1マイナス端子及び前記第2マイナス端子はそれぞれ脚部を備え、
前記第1プラス端子の脚部の延在方向と前記第1マイナス端子の脚部の延在方向が平行であり、
前記第2プラス端子の脚部の延在方向と前記第2マイナス端子の脚部の延在方向が平行であり、かつ、
前記第1プラス端子の脚部の延在方向と前記第2プラス端子の脚部の延在方向が平行である、請求項15記載のパワー半導体モジュール。 - 前記第1プラス端子と前記第1マイナス端子とは、間に第1コンデンサが接続可能に構成され、
前記第2プラス端子と前記第2マイナス端子とは、間に第2コンデンサが接続可能に構成されている請求項15記載のパワー半導体モジュール。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015122283 | 2015-06-17 | ||
JP2015122283 | 2015-06-17 | ||
JPPCT/JP2016/064456 | 2016-05-16 | ||
PCT/JP2016/064456 WO2016203884A1 (ja) | 2015-06-17 | 2016-05-16 | パワー半導体モジュール、流路部材及びパワー半導体モジュール構造体 |
PCT/JP2016/068018 WO2016204257A1 (ja) | 2015-06-17 | 2016-06-16 | パワー半導体モジュール、流路部材及びパワー半導体モジュール構造体 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018128531A Division JP6569781B2 (ja) | 2015-06-17 | 2018-07-05 | パワー半導体モジュール、流路部材、パワー半導体モジュール構造体及び自動車 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016204257A1 JPWO2016204257A1 (ja) | 2017-09-07 |
JP6365775B2 true JP6365775B2 (ja) | 2018-08-01 |
Family
ID=57546668
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017524842A Active JP6365775B2 (ja) | 2015-06-17 | 2016-06-16 | パワー半導体モジュール、流路部材及びパワー半導体モジュール構造体 |
JP2018128531A Active JP6569781B2 (ja) | 2015-06-17 | 2018-07-05 | パワー半導体モジュール、流路部材、パワー半導体モジュール構造体及び自動車 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018128531A Active JP6569781B2 (ja) | 2015-06-17 | 2018-07-05 | パワー半導体モジュール、流路部材、パワー半導体モジュール構造体及び自動車 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10192807B2 (ja) |
JP (2) | JP6365775B2 (ja) |
CN (1) | CN107004675B (ja) |
DE (1) | DE112016000158T5 (ja) |
WO (1) | WO2016203884A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10462939B2 (en) * | 2015-01-22 | 2019-10-29 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
DE102018202479A1 (de) | 2018-02-19 | 2019-08-22 | Zf Friedrichshafen Ag | Kühlkörper für Leistungselektronikanordnung |
JP7034043B2 (ja) * | 2018-09-28 | 2022-03-11 | 京セラ株式会社 | パワーモジュール及びパワーモジュールを有する電気装置 |
US11129310B2 (en) * | 2018-11-22 | 2021-09-21 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor module, vehicle and manufacturing method |
JP1649258S (ja) | 2019-01-11 | 2022-12-21 | 半導体モジュール | |
JP1650295S (ja) | 2019-01-11 | 2020-01-20 | 半導体モジュール | |
JP7487533B2 (ja) | 2020-04-02 | 2024-05-21 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュールおよび車両 |
CN114158229A (zh) * | 2020-09-08 | 2022-03-08 | 英业达科技有限公司 | 电子装置及散热鳍片 |
DE102021211519B4 (de) | 2021-10-13 | 2023-11-02 | Vitesco Technologies Germany Gmbh | Elektronische Baugruppe |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4968066A (en) * | 1989-07-27 | 1990-11-06 | Pvi Industries Inc. | Bolt-on flange |
JP3982180B2 (ja) * | 2000-02-16 | 2007-09-26 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置 |
JP4044265B2 (ja) * | 2000-05-16 | 2008-02-06 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュール |
JP2005166867A (ja) * | 2003-12-02 | 2005-06-23 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 電力変換装置の導体構造 |
WO2006056199A1 (en) * | 2004-11-24 | 2006-06-01 | Danfoss Silicon Power Gmbh | A flow distribution module and a stack of flow distribution modules |
JP4687541B2 (ja) | 2005-04-21 | 2011-05-25 | 日本軽金属株式会社 | 液冷ジャケット |
JP4434181B2 (ja) * | 2006-07-21 | 2010-03-17 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置 |
JP5105801B2 (ja) * | 2006-09-05 | 2012-12-26 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US8495890B2 (en) | 2007-01-22 | 2013-07-30 | Johnson Controls Technology Company | Cooling member |
JP4293246B2 (ja) * | 2007-02-19 | 2009-07-08 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置 |
JP5046378B2 (ja) | 2007-03-30 | 2012-10-10 | ニチコン株式会社 | パワー半導体モジュール、および該モジュールを搭載したパワー半導体デバイス |
JP4697475B2 (ja) * | 2007-05-21 | 2011-06-08 | トヨタ自動車株式会社 | パワーモジュールの冷却器及びパワーモジュール |
JP5341718B2 (ja) * | 2009-11-11 | 2013-11-13 | 日本インター株式会社 | パワー半導体モジュール |
JP5544255B2 (ja) | 2010-09-14 | 2014-07-09 | 株式会社 日立パワーデバイス | 半導体パワーモジュール及び電力変換装置 |
JP2014082283A (ja) * | 2012-10-15 | 2014-05-08 | T Rad Co Ltd | ヒートシンク |
JP6186146B2 (ja) | 2013-03-15 | 2017-08-23 | 株式会社Uacj | 熱交換器 |
JP2015053410A (ja) * | 2013-09-09 | 2015-03-19 | 株式会社東芝 | 半導体モジュール |
-
2016
- 2016-05-16 WO PCT/JP2016/064456 patent/WO2016203884A1/ja active Application Filing
- 2016-06-16 DE DE112016000158.4T patent/DE112016000158T5/de active Pending
- 2016-06-16 CN CN201680003922.5A patent/CN107004675B/zh active Active
- 2016-06-16 JP JP2017524842A patent/JP6365775B2/ja active Active
-
2017
- 2017-05-26 US US15/606,787 patent/US10192807B2/en active Active
-
2018
- 2018-07-05 JP JP2018128531A patent/JP6569781B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107004675A (zh) | 2017-08-01 |
WO2016203884A1 (ja) | 2016-12-22 |
DE112016000158T5 (de) | 2017-08-24 |
JP6569781B2 (ja) | 2019-09-04 |
US10192807B2 (en) | 2019-01-29 |
US20170263533A1 (en) | 2017-09-14 |
CN107004675B (zh) | 2020-02-18 |
JP2018166215A (ja) | 2018-10-25 |
JPWO2016204257A1 (ja) | 2017-09-07 |
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