JP6363051B2 - 半導体装置及びインバータ回路 - Google Patents
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Description
または、スペーサ部の熱容量は、第1導体及び第2導体の熱容量以上である。
または、半導体素子は、インバータ回路の上アームを構成する第1半導体素子と、当該インバータ回路の下アームを構成する第2半導体素子と、を含み、第1導体は、第1半導体素子を挟んで第2導体と対向して配置される正極側第1導体と、第2半導体素子を挟んで第2導体と対向して配置される負極側第1導体と、を含み、突出部の少なくとも一部は、第1導体及び第2導体とは分離して構成され、かつ正極側第1導体と負極側第1導体を跨って配置されたスペーサ部である。
本発明によるインバータ回路は、請求項4,8−9のいずれか1項に記載の半導体装置をスイッチング素子として用いた。
図1は、半導体装置1の断面図である。半導体装置1は、半導体素子2を第1導体3と第2導体4とで挟んで構成されている。半導体素子2は、例えばIGBTやMOSFETである。
半導体素子2と第1導体3の間には、メタライズ層5と半田層6が設けられ、半導体素子2と第1導体3が電気的に接続されている。半導体素子2と第2導体4の間も同様に、メタライズ層5と半田層6が設けられている。メタライズ層5は、半田の濡れ性を確保するために設けられたものである。本実施形態では半田による接続の例を示したが、焼結による接続であってもよい。7は半導体素子2の制御信号用の配線を示す。8は制御信号用の配線と第2導体4の間を絶縁する絶縁膜である。
図2〜図4を参照して第2の実施形態について説明する。
図2は、1相分のインバータ回路を示す図である。直流電源の正極側(高電位側)に設けられた正極端子VPと負極側(低電位側)に設けられた負極端子VNの間に、上アームスイッチング用の半導体素子2aと下アームスイッチング用の半導体素子2bが直列に接続されている。半導体素子2aと半導体素子2bの接続点から出力電圧ACが出力される。
図5は、第3の実施形態における半導体装置100の断面図である。図2に示した第2の実施形態と比較して、第2導体70の突出部72を無くし、負極側第1導体50の突出部52、及び正極側第1導体60の突出部62を長くしている。その他の構成は第2の実施形態と同様であるので説明を省略する。
図6は、第4の実施形態における半導体装置100の断面図である。図2に示した第2の実施形態と比較して、負極側第1導体50の突出部52、正極側第1導体60の突出部62、及び第2導体70の突出部72を分離し、これらの突出部に相当するスペーサ53を設けている。その他の構成は第2の実施形態と同様であるので説明を省略する。図6において、半導体素子2aと半導体素子2bの間にあるスペーサ53は、負極側第1導体50と正極側第1導体60を跨って配置されている。スペーサ53の材料には、スペーサ53の熱伝導率が、負極側第1導体50、正極側第1導体60、及び第2導体70の熱伝導率以上となり、かつ、スペーサ53の熱容量が、負極側第1導体50、正極側第1導体60、及び第2導体70の熱容量以上となるようなものを用いることが好ましい。これにより、半導体素子2a及び半導体素子2bに発生した熱を効率的に吸収して速やかに放熱面81及び91に伝達し、熱拡散の効率を向上できる。なお、スペーサ53の材料として、スペーサ53の熱伝導率または熱容量のいずれか一方のみが、負極側第1導体50、正極側第1導体60、及び第2導体70の熱伝導率または熱容量以上となるようなものを用いてもよい。
図7は、第5の実施形態における半導体装置100の断面図である。図6に示した第4の実施形態と比較して、上部ハウジング90が下部ハウジング80を覆う形状で、下部ハウジング80の放熱面81に達する構造となる。その他の構成は第4の実施形態と同様であるので説明を省略する。
図8は、第6の実施形態における半導体装置100の組み立て前の断面図である。図2に示した第2の実施形態と比較して、下部ハウジング80に熱伝導性が高い部材82を、上部ハウジング90に熱伝導性が高い部材92を挿入している。その他の構成は第2の実施形態と同様であるので説明を省略する。これにより、下部ハウジング80、上部ハウジング90の熱拡散を向上させることができる。なお、熱伝導性が高い部材は、下部ハウジング80若しくは上部ハウジング90のいずれか一つに挿入するようにしてもよい。また、熱伝導性が高い部材として、熱輸送効率が高いヒートパイプなどを用いてもよい。
図9は、1相分のインバータ回路を示す図である。直流電源の正極側(高電位側)に設けられた正極端子VPと負極側(低電位側)に設けられた負極端子VNの間に、上アームスイッチング用の半導体素子2aと下アームスイッチング用の半導体素子2bが直列に接続されている。更に、正極端子VPと負極端子VNの間であって、直列接続された半導体素子2aと半導体素子2bに対して並列に、コンデンサ55が接続される。半導体素子2aと半導体素子2bの接続点から出力電圧ACが出力される。
U相のインバータ回路201、V相のインバータ回路202、W相のインバータ回路203が、直流電源300に接続される。正極端子VPと負極端子VNの間にフィルタコンデンサ400が接続される。各インバータ回路201、202、203の出力電圧ACはモータ500へ入力される。
(1)半導体装置1は、半導体素子2と、第1導体3と、半導体素子2を挟んで第1導体3と対向する第2導体4と、第1導体3の半導体素子2が配置された側の面とは反対側の面に形成された第1放熱面31と、第2導体4の半導体素子2が配置された側の面とは反対側の面に形成された第2放熱面41と、半導体素子2が配置された側の両端に形成され、第1導体3と第2導体4の一方又は双方から突出する突出部32、42と、突出部32、42に設けられた絶縁膜33、43とを備え、第1導体3と第2導体4は突出部32、42に設けられた少なくとも2層の絶縁膜33、43を介して接触する。半導体素子2を挟み込む第1導体3と第2導体4とが少なくとも2層以上の絶縁膜33、43を介して接触する構成により絶縁を保ちつつ、両者間の熱抵抗を積極的に低く抑えた構造とする。
これにより、半導体素子の発熱を効率よく放熱することができる。
2、2a、2b 半導体素子
3 第1導体
4 第2導体
5 メタライズ層
6 半田層
31 第1放熱面
32、42、52、62、72 突出部
33、43、51、61、71 絶縁膜
41 第2放熱面
50 負極側第1導体
60 正極側第1導体
70 第2導体
80 下部ハウジング
90 上部ハウジング
Claims (10)
- 半導体素子と、
第1導体と、
前記半導体素子を挟んで前記第1導体と対向する第2導体と、
前記第1導体の前記半導体素子が配置された側の面とは反対側の面に形成された第1放熱面と、
前記第2導体の前記半導体素子が配置された側の面とは反対側の面に形成された第2放熱面と、
前記半導体素子が配置された側の両端に形成され、前記第1導体と前記第2導体の一方又は双方から突出する突出部と、
前記突出部に設けられた絶縁膜とを備え、
前記第1導体と前記第2導体は前記突出部に設けられた少なくとも2層の前記絶縁膜を介して接触し、
前記突出部の少なくとも一部は、前記第1導体及び前記第2導体とは分離して構成されたスペーサ部であり、
前記スペーサ部の熱伝導率は、前記第1導体及び前記第2導体の熱伝導率以上である半導体装置。 - 半導体素子と、
第1導体と、
前記半導体素子を挟んで前記第1導体と対向する第2導体と、
前記第1導体の前記半導体素子が配置された側の面とは反対側の面に形成された第1放熱面と、
前記第2導体の前記半導体素子が配置された側の面とは反対側の面に形成された第2放熱面と、
前記半導体素子が配置された側の両端に形成され、前記第1導体と前記第2導体の一方又は双方から突出する突出部と、
前記突出部に設けられた絶縁膜とを備え、
前記第1導体と前記第2導体は前記突出部に設けられた少なくとも2層の前記絶縁膜を介して接触し、
前記突出部の少なくとも一部は、前記第1導体及び前記第2導体とは分離して構成されたスペーサ部であり、
前記スペーサ部の熱容量は、前記第1導体及び前記第2導体の熱容量以上である半導体装置。 - 半導体素子と、
第1導体と、
前記半導体素子を挟んで前記第1導体と対向する第2導体と、
前記第1導体の前記半導体素子が配置された側の面とは反対側の面に形成された第1放熱面と、
前記第2導体の前記半導体素子が配置された側の面とは反対側の面に形成された第2放熱面と、
前記半導体素子が配置された側の両端に形成され、前記第1導体と前記第2導体の一方又は双方から突出する突出部と、
前記突出部に設けられた絶縁膜とを備え、
前記第1導体と前記第2導体は前記突出部に設けられた少なくとも2層の前記絶縁膜を介して接触し、
前記突出部の少なくとも一部は、前記第1導体及び前記第2導体とは分離して構成されたスペーサ部であり、
前記スペーサ部の熱容量は、前記第1導体及び前記第2導体の熱容量以上であり、
前記スペーサ部の熱伝導率は、前記第1導体及び前記第2導体の熱伝導率以上である半導体装置。 - 半導体素子と、
第1導体と、
前記半導体素子を挟んで前記第1導体と対向する第2導体と、
前記第1導体の前記半導体素子が配置された側の面とは反対側の面に形成された第1放熱面と、
前記第2導体の前記半導体素子が配置された側の面とは反対側の面に形成された第2放熱面と、
前記半導体素子が配置された側の両端に形成され、前記第1導体と前記第2導体の一方又は双方から突出する突出部と、
前記突出部に設けられた絶縁膜とを備え、
前記第1導体と前記第2導体は前記突出部に設けられた少なくとも2層の前記絶縁膜を介して接触し、
前記半導体素子は、インバータ回路の上アームを構成する第1半導体素子と、当該インバータ回路の下アームを構成する第2半導体素子と、を含み、
前記第1導体は、前記第1半導体素子を挟んで前記第2導体と対向して配置される正極側第1導体と、前記第2半導体素子を挟んで前記第2導体と対向して配置される負極側第1導体と、を含み、
前記突出部の少なくとも一部は、前記第1導体及び前記第2導体とは分離して構成され、かつ前記正極側第1導体と前記負極側第1導体を跨って配置されたスペーサ部である半導体装置。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記2層の絶縁膜の少なくとも一方は、有機絶縁膜で構成された半導体装置。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記2層の絶縁膜の少なくとも一方は、金属表面処理による絶縁膜である半導体装置。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記2層の絶縁膜の少なくとも一方は、接着層である半導体装置。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記半導体素子は、インバータ回路の上アームを構成する第1半導体素子と、前記インバータ回路の下アームを構成する第2半導体素子と、を含み、
前記第1導体は、前記第1半導体素子を挟んで前記第2導体と対向して配置される正極側第1導体と、前記第2半導体素子を挟んで前記第2導体と対向して配置される負極側第1導体と、を含み、
前記突出部は、前記正極側第1導体から前記第2導体へ向かって突出する正極側突出部と、前記負極側第1導体から前記第2導体へ向かって突出する負極側突出部と、を含む半導体装置。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記半導体素子は、インバータ回路の上アームを構成する第1半導体素子と、前記インバータ回路の下アームを構成する第2半導体素子と、を含み、
前記第1導体は、前記第1半導体素子を挟んで前記第2導体と対向して配置される正極側第1導体と、前記第2半導体素子を挟んで前記第2導体と対向して配置される負極側第1導体と、を含み、
前記正極側第1導体と、前記負極側第1導体との間にコンデンサを配置した半導体装置。 - 請求項4,8−9のいずれか1項に記載の半導体装置をスイッチング素子として用いたインバータ回路。
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