JP5151338B2 - コンデンサ内蔵絶縁型半導体パワーモジュール - Google Patents

Description

本発明は、絶縁型の半導体パワーモジュールに係り、特に、平滑用のコンデンサを内蔵したコンデンサ内蔵の絶縁型半導体パワーモジュールに関するものである。

半導体パワーモジュールの主な用途の一つにインバータがある。このインバータにおいては、平滑用のコンデンサが欠かせない。インバータに半導体パワーモジュールを用いる場合、この平滑用コンデンサは、ノイズ対策のため半導体パワーモジュールになるべく近い端子やバスバーに接続される。また、配線インダクタンス成分の影響を少なくし、かつ、十分な平滑量を得るために、平滑用コンデンサには容量が非常に大きいものが使用される。

このような平滑用コンデンサの存在は、インバータの小型化に対する障害となりかねない。そのような状況を打開する上で、半導体パワーモジュールの内部に平滑用コンデンサを設けることは非常に有効である。これにより、半導体パワーモジュール外部の平滑用コンデンサの省略又は低容量化が可能となり、インバータの小型化が図り易くなる。

なお、半導体パワーモジュールのスイッチング素子（ＩＧＢＴ）のスイッチングによるコレクタ電流変化に対処するために、ゲート−エミッタ間に接続したリードタイプやチップタイプのコンデンサを半導体パワーモジュールに内蔵することは、既に提案されている（例えば、特許文献１）。
特開平８−２０４０６５号公報

しかしながら、特許文献１のリードタイプのコンデンサは、容量面で平滑用コンデンサへの応用の余地が全くない。また、特許文献１のチップタイプのコンデンサについては、コンデンサチップという新たな素子が必要となる上、コンデンサチップに対する配線（ワイヤ）において配線インダクタンス成分の影響が生じてしまうので、コスト及び性能面でさらなる改良の余地を残している。

本発明は前記事情に鑑みなされたもので、本発明の目的は、平滑用として有効な容量のコンデンサを素子の増加や配線の発生を招くことなく内蔵させることができる、絶縁型半導体スイッチング素子を用いた半導体パワーモジュールを提供することにある。

上記目的を達成するため、請求項１及び請求項２に記載した本発明のコンデンサ内蔵絶縁型半導体パワーモジュールは、Ｐ側及びＮ側の電極板と、これらＰ側及びＮ側の電極板間に接続されるハイサイド用の第１の絶縁型半導体スイッチング素子及びローサイド用の第２の絶縁型半導体スイッチング素子の直列回路とを、絶縁基板上に配置した半導体パワーモジュールにおいて、前記Ｐ側及びＮ側の電極板間に空間を設け、該空間に誘電体を介設することで、前記直列回路と並列に接続されたコンデンサを前記絶縁基板上に構成したことを特徴とする。
また、請求項１に記載した本発明のコンデンサ内蔵絶縁型半導体パワーモジュールは、前記Ｐ側及びＮ側の電極板を、前記絶縁基板における前記第１の絶縁型半導体スイッチング素子及び前記第２の絶縁型半導体スイッチング素子の共通する実装面の延在方向と交わる方向に間隔をおいて配置して、前記第１の絶縁型半導体スイッチング素子及び前記第２の絶縁型半導体スイッチング素子を被覆し封止する被覆材を前記誘電体として前記空間に充填したことを特徴とする。
一方、請求項２に記載した本発明のコンデンサ内蔵絶縁型半導体パワーモジュールは、前記Ｐ側及びＮ側の電極板を、前記絶縁基板における前記第１の絶縁型半導体スイッチング素子及び前記第２の絶縁型半導体スイッチング素子の共通する実装面の延在方向と交わる方向に間隔をおいて配置して、前記第１の絶縁型半導体スイッチング素子及び前記第２の絶縁型半導体スイッチング素子を被覆し封止する被覆材を前記誘電体として前記空間に充填したことを特徴とする。

本発明のコンデンサ内蔵絶縁型半導体パワーモジュールによれば、Ｐ側及びＮ側の電極板間にコンデンサが構成されるので、それらＰ側及びＮ側の電極板を、絶縁基板上で形成することが可能な範囲内で、電極板として本来必要とする面積よりも大きい面積で形成することにより、大容量の内蔵コンデンサを構成することが可能となる。また、内蔵コンデンサを構成するに当たって新たなコンデンサチップが発生しないので、コスト面で有利な構成となり、かつ、配線インダクタンス成分の影響が生じるコンデンサチップ絡みの配線を発生させず性能面で有利な構成とすることができる。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。

まず、本発明の第１実施形態に係るコンデンサ内蔵絶縁型半導体パワーモジュールを、図１に示すその等価回路図によって説明する。第１実施形態のコンデンサ内蔵絶縁型半導体パワーモジュールは、三相インバータの主回路部分に用いられるもので、Ｕ，Ｖ，Ｗの各相用のインバータ１，３，５を有している。

そして、各相用のインバータ１，３，５は、アースに接続される後述の筐体（アルミベース１３）に対して絶縁された絶縁型の半導体スイッチング素子として、絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下、「ＩＧＢＴ」と略記する。）を用いている。

具体的には、インバータ１は、直列に接続したハイサイドとローサイドとの２つのＩＧＢＴ１ａ，１ｂ（請求項中の第１の絶縁型半導体スイッチング素子及び第２の絶縁型半導体スイッチング素子に相当）と、これらＩＧＢＴ１ａ，１ｂの直列回路に並列接続された平滑用のコンデンサ１ｃとを有している。

また、他のインバータ３，５も、それぞれ、直列に接続したハイサイドとローサイドとの２つのＩＧＢＴ３ａ，３ｂ、５ａ，５ｂ（請求項中の第１の絶縁型半導体スイッチング素子及び第２の絶縁型半導体スイッチング素子に相当）と、ＩＧＢＴ３ａ，３ｂ、５ａ，５ｂの各直列回路にそれぞれ並列接続された平滑用のコンデンサ３ｃ，５ｃとを有している。

そして、ハイサイドのＩＧＢＴ１ａ，３ａ，５ａのコレクタにはＰ側電極板１ｄ，３ｄ，５ｄが接続されている。また、ローサイドのＩＧＢＴ１ｂ，３ｂ，５ｂのエミッタにはＮ側電極板１ｅ，３ｅ，５ｅが接続されている。さらに、ＩＧＢＴ１ａ，１ｂ、３ａ，３ｂ、５ａ，５ｂの各直列回路の中点（接続点）には、Ｕ，Ｖ，Ｗの各相の出力用導電体１ｆ，３ｆ，５ｆが接続されている。

Ｐ側電極板１ｄ，３ｄ，５ｄは電源（図示せず）の正極側又は負荷に接続され、Ｎ側電極板１ｅ，３ｅ，５ｅは負荷又は電源の負極側（アース）に接続される。Ｕ，Ｖ，Ｗの各相の出力用導電体１ｆ，３ｆ，５ｆは、負荷（例えば三相交流電動機）に接続される。

なお、各ＩＧＢＴ１ａ，１ｂ、３ａ，３ｂ、５ａ，５ｂのゲート接続線は、図示を省略している。また、各ＩＧＢＴ１ａ，１ｂ、３ａ，３ｂ、５ａ，５ｂのコレクタ−エミッタ間には、フライホイールダイオード（図示せず）をそれぞれ設けることができる。

次に、上述のような回路構成による第１実施形態のコンデンサ内蔵絶縁型半導体パワーモジュールの構造について、図２の説明図を参照して説明する。なお、各相のインバータ１，３，５は互いに同一の構造を有しているので、ここでは代表してインバータ１の構造について説明するものとする。

インバータ１は、図２に示すように、絶縁基板１１及びアルミベース１３と、上述したＰ側電極板１ｄ、Ｎ側電極板１ｅ、Ｕ相の出力用導電体１ｆ、及び、ハイサイドとローサイドとの２つのＩＧＢＴ１ａ，１ｂを有している。

絶縁基板１１はセラミック製であり、絶縁基板１１の裏面上に、放熱用としてアルミベース１３が取り付けられている。

Ｐ側電極板１ｄ、Ｎ側電極板１ｅ、及び、Ｕ相の出力用導電体１ｆは、絶縁基板１１の表面（請求項中の実装面に相当）上に、互いに間隔をおいて絶縁した状態で配置されている。Ｐ側電極板１ｄとＮ側電極板１ｅとの各一部は絶縁基板１１及びアルミベース１３の周縁から外側に突出しており、Ｐ側とＮ側の端子を構成している。

ハイサイドのＩＧＢＴ１ａは、Ｐ側電極板１ｄ上に配置されており、ハイサイドのＩＧＢＴ１ａのコレクタ電極はＰ側電極板１ｄに物理的及び電気的に接触されている。また、ローサイドのＩＧＢＴ１ｂは、Ｕ相の出力用導電体１ｆ上に配置されており、ローサイドのＩＧＢＴ１ｂのコレクタ電極はＵ相の出力用導電体１ｆに物理的及び電気的に接触されている。

ハイサイドのＩＧＢＴ１ａのエミッタ電極とＵ相の出力用導電体１ｆとは、ワイヤー１ｇによって電気的に接続されている。そして、このワイヤー１ｇと、Ｕ相の出力用導電体１ｆ上の不図示の配線パターンとを介して、ハイサイドのＩＧＢＴ１ａのエミッタ電極とローサイドのＩＧＢＴ１ｂのコレクタ電極とが電気的に接続されている。また、ローサイドのＩＧＢＴ１ｂのエミッタ電極とＮ側電極板１ｅとは、ワイヤー１ｈによって電気的に接続されている。

なお、Ｐ側電極板１ｄ及びＮ側電極板１ｅには、それぞれ立設片１ｄ１，１ｅ１が折り曲げ形成されており、空間１ｉを挟んで互いに対向している。そして、この空間１ｉは、絶縁基板１１の表面に形成された膨出部１１ａによって埋め尽くされている。この膨出部１１ａは所定の誘電率を有している。

以上の構成による本実施形態のインバータ１では、上述したＰ側電極板１ｄ及びＮ側電極板１ｅの立設片１ｄ１，１ｅ１とその間の空間１ｉを埋める絶縁基板１１の膨出部１１ａとで、ＩＧＢＴ１ａ，１ｂの直列回路に並列接続された図１のコンデンサ１ｃが構成されている。

また、図２中の括弧内の引用符号で示すように、本実施形態のインバータ３も、上述したインバータ１と同様に、Ｐ側電極板３ｄ及びＮ側電極板３ｅの立設片３ｄ１，３ｅ１とその間の空間３ｉを埋める絶縁基板１１の膨出部１１ｂとを有している。そして、これらのＰ側電極板３ｄ及びＮ側電極板３ｅの立設片３ｄ１，３ｅ１と、所定の誘電率を有し空間３ｉを埋める絶縁基板１１の膨出部１１ｂとで、ＩＧＢＴ３ａ，３ｂの直列回路に並列接続された図１のコンデンサ３ｃが構成されている。

なお、ＩＧＢＴ３ａ，３ｂの直列回路は、Ｐ側電極板３ｄ、ハイサイドのＩＧＢＴ３ａのコレクタ電極、ハイサイドのＩＧＢＴ３ａのエミッタ電極、ワイヤー３ｇ、Ｖ相の出力用導電体３ｆ、ローサイドのＩＧＢＴ３ｂのコレクタ電極、ローサイドのＩＧＢＴ３ｂのエミッタ電極、ワイヤー３ｈ、及び、Ｎ側電極板３ｅによって構成されている。

同じく、図２中の括弧内の引用符号で示すように、本実施形態のインバータ５も、上述したインバータ１と同様に、Ｐ側電極板５ｄ及びＮ側電極板５ｅの立設片５ｄ１，５ｅ１とその間の空間５ｉを埋める絶縁基板１１の膨出部１１ｃとを有している。そして、これらのＰ側電極板５ｄ及びＮ側電極板５ｅの立設片５ｄ１，５ｅ１と、所定の誘電率を有し空間５ｉを埋める絶縁基板１１の膨出部１１ｃとで、ＩＧＢＴ５ａ，５ｂの直列回路に並列接続された図１のコンデンサ５ｃが構成されている。

なお、ＩＧＢＴ５ａ，５ｂの直列回路は、Ｐ側電極板５ｄ、ハイサイドのＩＧＢＴ５ａのコレクタ電極、ハイサイドのＩＧＢＴ５ａのエミッタ電極、ワイヤー５ｇ、Ｗ相の出力用導電体５ｆ、ローサイドのＩＧＢＴ５ｂのコレクタ電極、ローサイドのＩＧＢＴ５ｂのエミッタ電極、ワイヤー５ｈ、及び、Ｎ側電極板５ｅによって構成されている。

そして、絶縁基板１１の表面側に配置される上述のハイサイドのＩＧＢＴ１ａ，３ａ，５ａ、ローサイドのＩＧＢＴ１ｂ，３ｂ，５ｂ、Ｐ側電極板１ｄ，３ｄ，５ｄ、Ｎ側電極板１ｅ，３ｅ，５ｅ、及び、Ｕ，Ｖ，Ｗの各相の出力用導電体１ｆ，３ｆ，５ｆは、ゲルゴム等からなる被覆材（図示せず）によって被覆、封止されている。

このような構成による第１実施形態のコンデンサ内蔵絶縁型半導体パワーモジュールによれば、平滑用のコンデンサ１ｃ，３ｃ，５ｃが絶縁基板１１の表面上に形成され、不図示の被覆材により被覆されて内蔵コンデンサとなる。このため、コンデンサを内蔵する構成とするに当たって新たなコンデンサチップを必要としないので、コスト面で有利な構成となり、かつ、配線インダクタンス成分の影響が生じるコンデンサチップ絡みの配線を発生させず性能面で有利な構成とすることができる。

その上、Ｐ側電極板１ｄ，３ｄ，５ｄやＮ側電極板１ｅ，３ｅ，５ｅを、絶縁基板１１上で形成することの可能な範囲で、電極板として本来必要な面積よりも大きい面積で形成することにより、大容量の内蔵コンデンサを構成することができる。

ちなみに、ナノテクノロジー技術等によって、絶縁基板１１の膨出部１１ａ，１１ｂ，１１ｃに極薄のＰＮ層を微少な間隔をおいて積層形成し、膨出部１１ａ，１１ｂ，１１ｃを積層セラミックコンデンサのような構造とすることで、膨出部１１ａ，１１ｂ，１１ｃを用いて構成されるコンデンサ１ｃ，３ｃ，５ｃの大容量化を図ることもできる。

なお、上述した空間１ｉ，３ｉ，５ｉには、絶縁基板１１の表面に形成された膨出部１１ａ，１１ｂ，１１ｃの代わりに、絶縁基板１１の表面側を被覆する上述の不図示の被覆材を充填してもよい。この被覆材は所定の誘電率を有しているので、空間１ｉ，３ｉ，５ｉに被覆材を充填した場合には、Ｐ側電極板１ｄ，３ｄ，５ｄ及びＮ側電極板１ｅ，３ｅ，５ｅの立設片１ｄ１，１ｅ１、３ｄ１，３ｅ１、５ｄ１，５ｅ１と、空間１ｉ，３ｉ，５ｉを埋める不図示の被覆材とで、ＩＧＢＴ１ａ，１ｂ、３ａ，３ｂ、５ａ，５ｂの直列回路に並列接続された図１のコンデンサ１ｃ，３ｃ，５ｃが構成されることになる。

次に、本発明の第２実施形態に係るコンデンサ内蔵絶縁型半導体パワーモジュールの構造について説明する。

第２実施形態のコンデンサ内蔵絶縁型半導体パワーモジュールは、図２に示す第１実施形態のコンデンサ内蔵絶縁型半導体パワーモジュールと同様に、図１の等価回路図に示す回路構成のインバータ１，３，５を有している。

以下、本発明の第２実施形態に係るコンデンサ内蔵絶縁型半導体パワーモジュールの構造を、図３の説明図を参照して説明する。なお、各相のインバータ１，３，５は互いに同一の構造を有しているので、ここでは代表してインバータ１の構造について説明するものとする。

インバータ１は、セラミック製の絶縁基板１１と、絶縁基板１１の裏面上に取り付けられた放熱用のアルミベース１３と、Ｐ側電極板１ｄ、Ｎ側電極板１ｅ、Ｕ相の出力用導電体１ｆ、及び、ハイサイドとローサイドとの２つのＩＧＢＴ１ａ，１ｂと、絶縁基板１１の表面側を被覆する被覆材１５とを有している。

但し、図３においては、図面の見やすさのため、被覆材１５を、後述するように対向して配置されたＰ側電極板１ｄの一部分とＮ側電極板１ｅの一部分との間に充填された分のみ示している。即ち、図３においては、Ｐ側電極板１ｄ、Ｎ側電極板１ｅ、Ｕ相の出力用導電体１ｆ、及び、ハイサイドとローサイドとの２つのＩＧＢＴ１ａ，１ｂの全体を覆う被覆材１５の図示は省略している。

Ｐ側電極板１ｄ及びＵ相の出力用導電体１ｆは、絶縁基板１１の表面上に、互いに間隔をおいて絶縁した状態で配置されている。Ｐ側電極板１ｄの一部は絶縁基板１１及びアルミベース１３の周縁から外側に突出しており、Ｐ側の端子を構成している。

ハイサイドのＩＧＢＴ１ａは、Ｐ側電極板１ｄ上に配置されており、ハイサイドのＩＧＢＴ１ａのコレクタ電極はＰ側電極板１ｄに物理的及び電気的に接触されている。また、ローサイドのＩＧＢＴ１ｂは、Ｕ相の出力用導電体１ｆ上に配置されており、ローサイドのＩＧＢＴ１ｂのコレクタ電極はＵ相の出力用導電体１ｆに物理的及び電気的に接触されている。

ハイサイドのＩＧＢＴ１ａのエミッタ電極とＵ相の出力用導電体１ｆとは、ワイヤー１ｇによって電気的に接続されている。そして、このワイヤー１ｇと、Ｕ相の出力用導電体１ｆ上の不図示の配線パターンとを介して、ハイサイドのＩＧＢＴ１ａのエミッタ電極とローサイドのＩＧＢＴ１ｂのコレクタ電極とが電気的に接続されている。

また、Ｎ側電極板１ｅは、絶縁基板１１の表面側に、その表面の延在方向と直交する方向にＰ側電極板１ｄから間隔をおいて配置されている。そして、Ｎ側電極板１ｅの一部は、Ｐ側電極板１ｄの一部と対向し、この対向するＰ側電極板１ｄの一部とＮ側電極板１ｅの一部との間に、空間１ｉが形成されている。

更に、Ｎ側電極板１ｅの一部は絶縁基板１１及びアルミベース１３の周縁から外側に突出しており、Ｎ側の端子を構成している。

なお、ローサイドのＩＧＢＴ１ｂのエミッタ電極とＮ側電極板１ｅとは、ワイヤー１ｈによって電気的に接続されている。

そして、絶縁基板１１の表面側に配置される上述のハイサイドのＩＧＢＴ１ａ、ローサイドのＩＧＢＴ１ｂ、Ｐ側電極板１ｄ、Ｎ側電極板１ｅ、及び、出力用導電体１ｆは、ゲルゴム等からなる被覆材１５によって被覆、封止されている。この被覆材１５は所定の誘電率を有している。そして、対向して配置されたＰ側電極板１ｄの一部とＮ側電極板１ｅの一部との間の空間１ｉに、この被覆材１５が充填されている。

以上の構成による本実施形態のインバータ１では、上述したＰ側電極板１ｄ及びＮ側電極板１ｅの互いに対向する部分とその間の空間１ｉを埋める被覆材１５とで、ＩＧＢＴ１ａ，１ｂの直列回路に並列接続された図１のコンデンサ１ｃが構成されている。

また、図３中の括弧内の引用符号で示すように、本実施形態のインバータ３も、上述したインバータ１と同様に、一部が互いに対向するＰ側電極板３ｄ及びＮ側電極板３ｅとその対向する部分間の空間３ｉを埋める被覆材１５とを有している。そして、これらのＰ側電極板３ｄ及びＮ側電極板３ｅの互いに対向する部分とその間の空間３ｉを埋める被覆材１５とで、ＩＧＢＴ３ａ，３ｂの直列回路に並列接続された図１のコンデンサ３ｃが構成されている。

なお、ＩＧＢＴ３ａ，３ｂの直列回路は、Ｐ側電極板３ｄ、ハイサイドのＩＧＢＴ３ａのコレクタ電極、ハイサイドのＩＧＢＴ３ａのエミッタ電極、ワイヤー３ｇ、Ｖ相の出力用導電体３ｆ、ローサイドのＩＧＢＴ３ｂのコレクタ電極、ローサイドのＩＧＢＴ３ｂのエミッタ電極、ワイヤー３ｈ、及び、Ｎ側電極板３ｅによって構成されている。

同じく、図３中の括弧内の引用符号で示すように、本実施形態のインバータ５も、上述したインバータ１と同様に、一部が互いに対向するＰ側電極板５ｄ及びＮ側電極板５ｅとその対向する部分間の空間５ｉを埋める被覆材１５とを有している。そして、これらのＰ側電極板５ｄ及びＮ側電極板５ｅの互いに対向する部分とその間の空間５ｉを埋める被覆材１５とで、ＩＧＢＴ５ａ，５ｂの直列回路に並列接続された図１のコンデンサ５ｃが構成されている。

なお、ＩＧＢＴ５ａ，５ｂの直列回路は、Ｐ側電極板５ｄ、ハイサイドのＩＧＢＴ５ａのコレクタ電極、ハイサイドのＩＧＢＴ５ａのエミッタ電極、ワイヤー５ｇ、Ｗ相の出力用導電体５ｆ、ローサイドのＩＧＢＴ５ｂのコレクタ電極、ローサイドのＩＧＢＴ５ｂのエミッタ電極、ワイヤー５ｈ、及び、Ｎ側電極板５ｅによって構成されている。

このような構成による第２実施形態のコンデンサ内蔵絶縁型半導体パワーモジュールによっても、第１実施形態のコンデンサ内蔵絶縁型半導体パワーモジュールと同様に、コンデンサを内蔵する構成とするに当たって新たなコンデンサチップを必要としないので、コスト面で有利な構成となり、かつ、配線インダクタンス成分の影響が生じるコンデンサチップ絡みの配線を発生させず性能面で有利な構成とすることができる。

その上、Ｐ側電極板１ｄ，３ｄ，５ｄやＮ側電極板１ｅ，３ｅ，５ｅを、可能な限り大きい面積で、絶縁基板１１の表面の延在方向と直交する方向において対向するように形成、配置することにより、Ｐ側電極板１ｄ，３ｄ，５ｄとＮ側電極板１ｅ，３ｅ，５ｅとの対向する部分間に、大容量の内蔵コンデンサを構成することができる。

なお、上述した各実施形態では、絶縁基板１１をセラミック製とし、絶縁基板１１の裏面に放熱用のアルミベース１３を取り付けた構造を例に取って説明したが、絶縁基板１１の材料はセラミック製に限らず任意であり、また、アルミベース１３の有無も任意である。

また、上述した各実施形態において、絶縁型の半導体スイッチング素子として、ＩＧＢＴに代えてＭＯＳＦＥＴ（金属酸化膜形電界効果トランジスタ）を用いてもよく、あるいは、ＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴに限らず、絶縁型の半導体パワーモジュールの全般に広く適用可能である。

の実施形態に係るコンデンサ内蔵絶縁型半導体パワーモジュールを説明する等価回路図である。 本発明の第１実施形態に係るコンデンサ内蔵絶縁型半導体パワーモジュールの構造を示す説明図である。 本発明の第２実施形態に係るコンデンサ内蔵絶縁型半導体パワーモジュールの構造を示す説明図である。

符号の説明

１ａ，３ａ，５ａ ＩＧＢＴ（第１の絶縁型半導体スイッチング素子）
１ｂ，３ｂ，５ｂ ＩＧＢＴ（第２の絶縁型半導体スイッチング素子）
１ｃ，３ｃ，５ｃ コンデンサ
１ｄ，３ｄ，５ｄ Ｐ側電極板
１ｅ，３ｅ，５ｅ Ｎ側電極板
１ｉ，３ｉ，５ｉ 空間
１１ 絶縁基板
１１ａ，１１ｂ，１１ｃ 膨出部
１５ 被覆材

Claims (3)

1. Ｐ側及びＮ側の電極板と、これらＰ側及びＮ側の電極板間に接続されるハイサイド用の第１の絶縁型半導体スイッチング素子及びローサイド用の第２の絶縁型半導体スイッチング素子の直列回路とを、絶縁基板上に配置した絶縁型半導体パワーモジュールにおいて、
   前記Ｐ側及びＮ側の電極板間に空間を設け、該空間に誘電体を介設することで、前記直列回路と並列に接続されたコンデンサを前記絶縁基板上に構成し、
   前記Ｐ側及びＮ側の電極板を、前記絶縁基板における前記第１の絶縁型半導体スイッチング素子及び前記第２の絶縁型半導体スイッチング素子の共通する実装面の延在方向に間隔をおいて配置して、前記実装面から一部膨出させた前記絶縁基板の膨出部を前記誘電体として前記空間に配置した、
   ことを特徴とするコンデンサ内蔵絶縁型半導体パワーモジュール。
2. Ｐ側及びＮ側の電極板と、これらＰ側及びＮ側の電極板間に接続されるハイサイド用の第１の絶縁型半導体スイッチング素子及びローサイド用の第２の絶縁型半導体スイッチング素子の直列回路とを、絶縁基板上に配置した絶縁型半導体パワーモジュールにおいて、
   前記Ｐ側及びＮ側の電極板間に空間を設け、該空間に誘電体を介設することで、前記直列回路と並列に接続されたコンデンサを前記絶縁基板上に構成し、
   前記Ｐ側及びＮ側の電極板を、前記絶縁基板における前記第１の絶縁型半導体スイッチング素子及び前記第２の絶縁型半導体スイッチング素子の共通する実装面の延在方向と交わる方向に間隔をおいて配置して、前記第１の絶縁型半導体スイッチング素子及び前記第２の絶縁型半導体スイッチング素子を被覆し封止する被覆材を前記誘電体として前記空間に充填した、
   ことを特徴とするコンデンサ内蔵絶縁型半導体パワーモジュール。
3. 単一の前記絶縁基板上に、前記Ｐ側及びＮ側の電極板、前記直列回路、及び、前記コンデンサが複数組設けられている請求項１又は２記載のコンデンサ内蔵絶縁型半導体パワーモジュール。

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